JPS6378057A - 不純物分析法 - Google Patents
不純物分析法Info
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- JPS6378057A JPS6378057A JP61223357A JP22335786A JPS6378057A JP S6378057 A JPS6378057 A JP S6378057A JP 61223357 A JP61223357 A JP 61223357A JP 22335786 A JP22335786 A JP 22335786A JP S6378057 A JPS6378057 A JP S6378057A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体等に用いろ超々純水や電子ブ
レード薬品等に含まれる弥＜微量不純物を分析する不純
物分析法に関するものである。
レード薬品等に含まれる弥＜微量不純物を分析する不純
物分析法に関するものである。
し従来の技術〕
従来は、液体内不純物を分析する場合、はとんどは石英
や白金皿に目的液体を入れ、加熱蒸発により乾固させた
後、純水やその他層体により希釈し、最終的に１００〜
５００倍の濃縮させた液体を作り、この液体をプラズマ
発光分析あるいは原子順光分析法等を用いてｐｐｂから
ｐｐｔオーダの検出限界により分析する方法が一般的に
採用されている。
や白金皿に目的液体を入れ、加熱蒸発により乾固させた
後、純水やその他層体により希釈し、最終的に１００〜
５００倍の濃縮させた液体を作り、この液体をプラズマ
発光分析あるいは原子順光分析法等を用いてｐｐｂから
ｐｐｔオーダの検出限界により分析する方法が一般的に
採用されている。
従来の方法は、不純物を含む液体の１サンプル全濃縮す
るのに半日から九１日の長時間を要するとともに長時間
濃縮のために加熱濃縮時の容器および周辺環境からの２
次汚染がどうしてもさけることができない等の大きな欠
点があった。
るのに半日から九１日の長時間を要するとともに長時間
濃縮のために加熱濃縮時の容器および周辺環境からの２
次汚染がどうしてもさけることができない等の大きな欠
点があった。
この発明は、前述した従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、極めて短時間でかつ２次汚染の影響がほと
んどない状態で目的とする液体内の極く＠全不純物を分
析することを可能とした不純物分析法を提供することを
目的としている。
れたもので、極めて短時間でかつ２次汚染の影響がほと
んどない状態で目的とする液体内の極く＠全不純物を分
析することを可能とした不純物分析法を提供することを
目的としている。
この発明は、基板上に一定量の液体を表示張力によυ保
持させた後、乾燥し濃縮させて微小領域に染みを発生さ
せ、この染み内の微量濃縮不純物を機器分析法により分
析するものである。
持させた後、乾燥し濃縮させて微小領域に染みを発生さ
せ、この染み内の微量濃縮不純物を機器分析法により分
析するものである。
この発明における不純物分析法は、液体が短時間で染み
化されるので１周辺環境に影響されない。
化されるので１周辺環境に影響されない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は表面に鏡面研磨金施し。
図において、１は表面に鏡面研磨金施し。
種々の薬品、超々純水を用いスピン乾燥により超々清浄
反を保った半導体集積回路基板として用いられている直
径約５インチのシリコン基板（以下基板と称する）であ
る。この基板１を目的とする液体に授漬し、引き上げる
と、液自身の表面張力によシ、基板１上に液体２が一面
にうずく乗る。
反を保った半導体集積回路基板として用いられている直
径約５インチのシリコン基板（以下基板と称する）であ
る。この基板１を目的とする液体に授漬し、引き上げる
と、液自身の表面張力によシ、基板１上に液体２が一面
にうずく乗る。
この状態で自然放置すると、約３０秒から数分以内にこ
の液体２は自然乾燥し、第２図に示すように基板１の表
面のどこか一点に大きさが直径数十μｍから数百μｍ、
厚さが数十Ｘ〜数百Ｘ程度の染み３を形成する。この場
合、液体２の厚さを無視しても計算上、この染み３は約
１０８程度に濃縮されたことになυ、また厚さを考慮す
ると、更に２桁程濃縮度が高いことになる。このように
して形成した染み３をイオンマイクロアナライザーにか
けて極く微量分析を実施する。このイオンマイクロアナ
ライザーは現在数も検出感度の高い分析機器の１つでｓ
ｐ、ｐｐｂオーダのバルク分析が可能である。この場合
、液体２の濃縮に適する基板１の表面の性質は、ある程
度の親水性表面である必要がある。疎水性であると、自
然乾燥時、多数の染みが形成され、濃縮度に問題が出る
。また、円形基板の方が染みが確実に１個形成される。
の液体２は自然乾燥し、第２図に示すように基板１の表
面のどこか一点に大きさが直径数十μｍから数百μｍ、
厚さが数十Ｘ〜数百Ｘ程度の染み３を形成する。この場
合、液体２の厚さを無視しても計算上、この染み３は約
１０８程度に濃縮されたことになυ、また厚さを考慮す
ると、更に２桁程濃縮度が高いことになる。このように
して形成した染み３をイオンマイクロアナライザーにか
けて極く微量分析を実施する。このイオンマイクロアナ
ライザーは現在数も検出感度の高い分析機器の１つでｓ
ｐ、ｐｐｂオーダのバルク分析が可能である。この場合
、液体２の濃縮に適する基板１の表面の性質は、ある程
度の親水性表面である必要がある。疎水性であると、自
然乾燥時、多数の染みが形成され、濃縮度に問題が出る
。また、円形基板の方が染みが確実に１個形成される。
同様に適した基板としては、鏡面石英、鏡面ガラスが適
しているが、染みの分析のためには表面に導電性被膜を
形成しておく必要がある。
しているが、染みの分析のためには表面に導電性被膜を
形成しておく必要がある。
本発明の他の実施例として大気中の各種微量不純物を測
定する場合には、直径約５インチのシリコンウェハを、
目的とする環境中に１日〜数日放置する。次にこれ迄の
実施例で分析した不純物既知の超々純水を族１覆したシ
リコンウェハ上に適当量保持し、自然乾燥し、同様に染
み全形成する。
定する場合には、直径約５インチのシリコンウェハを、
目的とする環境中に１日〜数日放置する。次にこれ迄の
実施例で分析した不純物既知の超々純水を族１覆したシ
リコンウェハ上に適当量保持し、自然乾燥し、同様に染
み全形成する。
この操作によシ、ウェハ上に付着したダストの殆んどは
自然乾燥時、表面の水と共に濃縮され、染みの中にとり
込まれる。この染みを機器分析で分析した所、極めて高
感度で大気中の微量不純物に対する知見が得られた。
自然乾燥時、表面の水と共に濃縮され、染みの中にとり
込まれる。この染みを機器分析で分析した所、極めて高
感度で大気中の微量不純物に対する知見が得られた。
なお、前述した実施例では機器分析にイオンマイクロア
ナライザーを用いたが、Ｘ腺マイクロアナライザーもし
くはオージェ電子分光法？用いても同様の分析が可能で
あることは言うまでもない。
ナライザーを用いたが、Ｘ腺マイクロアナライザーもし
くはオージェ電子分光法？用いても同様の分析が可能で
あることは言うまでもない。
以上説明したようにこの発明によれば、親水性基板上に
目的とする液体をぬらすによって自然乾燥で得られる微
小染みを機器分析より不純物分析することによシ、極め
て短時間で液体中の微量不純物を濃縮し１分析すること
が可能になるなどの極めて優れた効果が得られる。
目的とする液体をぬらすによって自然乾燥で得られる微
小染みを機器分析より不純物分析することによシ、極め
て短時間で液体中の微量不純物を濃縮し１分析すること
が可能になるなどの極めて優れた効果が得られる。
第１図および第２図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明によ
る不純物分析法の一実施例を説明する図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・液体、３・・・・
自然乾燥により形成されたａ縮液体の染み。
る不純物分析法の一実施例を説明する図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・液体、３・・・・
自然乾燥により形成されたａ縮液体の染み。
Claims (5)
- （１）親水性基板上に一定量の液体を表面張力により保
持させ、乾燥し濃縮させて微小領域に染みを発生させた
後、該染み内の不純物を機器分析により分析することを
特徴とした不純物分析法。 - （２）前記親水性基板としてシリコン鏡面ウエハを用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の不純物
分析法。 - （３）前記親水性基板としてサフアイア、石英もしくは
ガラスの鏡面ウエハを用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の不純物分析法。 - （４）前記親水性基板に導電性被膜をもたせたことを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の不純物分析法。 - （５）前記機器分析法としてイオンマイクロアナライザ
ー、Ｘ線マイクロアナライザーもしくはオージエ電子分
光法を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項、
第２項、第３項または第４項記載の不純物分析法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223357A JPS6378057A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 不純物分析法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223357A JPS6378057A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 不純物分析法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378057A true JPS6378057A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16796888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223357A Pending JPS6378057A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 不純物分析法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378057A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07167779A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-07-04 | Boehringer Mannheim Gmbh | サンプル液の定量分析方法 |
| JP2010139255A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Covalent Materials Corp | セラミックス部材の不純物分析方法 |
| JP2016090529A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 不純物分析方法、サファイア基板の洗浄方法 |
| WO2016088236A1 (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | オリンパス株式会社 | 液体試料の成分分析方法 |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP61223357A patent/JPS6378057A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07167779A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-07-04 | Boehringer Mannheim Gmbh | サンプル液の定量分析方法 |
| JP2010139255A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Covalent Materials Corp | セラミックス部材の不純物分析方法 |
| JP2016090529A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 不純物分析方法、サファイア基板の洗浄方法 |
| WO2016088236A1 (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | オリンパス株式会社 | 液体試料の成分分析方法 |
| JPWO2016088236A1 (ja) * | 2014-12-04 | 2017-09-21 | オリンパス株式会社 | 液体試料の成分分析方法 |
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