JPH1197321A - 汚染源特定方法 - Google Patents
汚染源特定方法Info
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- JPH1197321A JPH1197321A JP9253919A JP25391997A JPH1197321A JP H1197321 A JPH1197321 A JP H1197321A JP 9253919 A JP9253919 A JP 9253919A JP 25391997 A JP25391997 A JP 25391997A JP H1197321 A JPH1197321 A JP H1197321A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製品の汚染源を特定する方法を提供す
る。 【解決手段】 半導体製品の製造又は処理に用いられる
装置を複数の部位1,2,4に規定し、この複数の部位を同
位体存在比が互いに異なる素材によって構成する。装置
のいずれかの部位を汚染源とする汚染が半導体製品に生
じたとき該汚染における同位体存在比を測定することに
よって汚染源を特定する。
る。 【解決手段】 半導体製品の製造又は処理に用いられる
装置を複数の部位1,2,4に規定し、この複数の部位を同
位体存在比が互いに異なる素材によって構成する。装置
のいずれかの部位を汚染源とする汚染が半導体製品に生
じたとき該汚染における同位体存在比を測定することに
よって汚染源を特定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製品の製造
又は処理において発生する汚染の汚染源を特定する方法
に関する。
又は処理において発生する汚染の汚染源を特定する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細化が進み、半導体素子
が高密度・高集積化するにつれて、各製造工程において
半導体基板の表面に付着したり膜中に混入する微量の汚
染物が半導体素子の製品歩留まりや品質信頼度に及ぼす
影響が大きくなってきていることは広く知られている。
が高密度・高集積化するにつれて、各製造工程において
半導体基板の表面に付着したり膜中に混入する微量の汚
染物が半導体素子の製品歩留まりや品質信頼度に及ぼす
影響が大きくなってきていることは広く知られている。
【０００３】従って、半導体素子の微細化に伴って、半
導体基板の清浄度を的確に評価するための分析法の開
発、汚染元素の電気的特性などの評価、不純物元素の挙
動の評価が行われている。
導体基板の清浄度を的確に評価するための分析法の開
発、汚染元素の電気的特性などの評価、不純物元素の挙
動の評価が行われている。
【０００４】特に、ウエハ表面の微量金属不純物に関し
ては、二次イオン質量分析法や誘導結合プラズマ質量分
析法、原子吸光法が用いられているが、これらの分析方
法を用いる場合、シリコンウエハ上の微量汚染量は把握
できるが、ウエハ製造工程における汚染発生源の解明に
は至っていなかった。また、分析操作や分析装置から測
定対象元素の汚染があった場合、微量分析では汚染源の
解明は困難であった。
ては、二次イオン質量分析法や誘導結合プラズマ質量分
析法、原子吸光法が用いられているが、これらの分析方
法を用いる場合、シリコンウエハ上の微量汚染量は把握
できるが、ウエハ製造工程における汚染発生源の解明に
は至っていなかった。また、分析操作や分析装置から測
定対象元素の汚染があった場合、微量分析では汚染源の
解明は困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
製造装置・方法では、汚染されたウエハの分析によって
ウエハの製造工程における汚染源を解明することは困難
であった。
製造装置・方法では、汚染されたウエハの分析によって
ウエハの製造工程における汚染源を解明することは困難
であった。
【０００６】本発明の目的は、ウエハや基板等の半導体
製品の製造における汚染を解明する汚染源特定方法を提
供することにある。
製品の製造における汚染を解明する汚染源特定方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の汚染源特定方法
は、半導体製品の製造又は処理に用いられる装置を複数
の部位に規定し、当該複数の部位を同位体存在比が互い
に異なる素材によって構成することにより、装置のいず
れかの部位を汚染源とする汚染が半導体製品に生じたと
きに該汚染における同位体存在比を測定することによっ
て当該汚染源を特定する。
は、半導体製品の製造又は処理に用いられる装置を複数
の部位に規定し、当該複数の部位を同位体存在比が互い
に異なる素材によって構成することにより、装置のいず
れかの部位を汚染源とする汚染が半導体製品に生じたと
きに該汚染における同位体存在比を測定することによっ
て当該汚染源を特定する。
【０００８】上記複数の部位において互いに異なる同位
体存在比は、天然存在比が小さい安定同位体について存
在比が異なるものである。
体存在比は、天然存在比が小さい安定同位体について存
在比が異なるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】スパッタ装置やＣＶＤ装置、単結
晶の引き上げ装置などの装置内にシリコンウエハ等の被
処理体を配置した時、装置の構造破壊や僅かな損傷など
の原因により装置を構成する元素によって被処理体が汚
染されることがある。この様なとき、装置を構成する素
材の材質が同じで有ればどの部位も同位体元素の存在比
は天然存在比で同じとなるので、質量分析測定によって
汚染元素を特定しても、その元素で構成される装置のど
の部位に由来するかは特定できない。
晶の引き上げ装置などの装置内にシリコンウエハ等の被
処理体を配置した時、装置の構造破壊や僅かな損傷など
の原因により装置を構成する元素によって被処理体が汚
染されることがある。この様なとき、装置を構成する素
材の材質が同じで有ればどの部位も同位体元素の存在比
は天然存在比で同じとなるので、質量分析測定によって
汚染元素を特定しても、その元素で構成される装置のど
の部位に由来するかは特定できない。
【００１０】本発明は、シリコンウエハや基板等のよう
な厳格な品質保持を必要とする製品の製造や処理・取り
扱いを行う装置において、装置の部位によって構成する
素材の同位体元素の存在比を変化させ、製品が汚染され
た場合に、その汚染元素の同位体存在比を測定すること
によって汚染源となった部位を特定するものである。
な厳格な品質保持を必要とする製品の製造や処理・取り
扱いを行う装置において、装置の部位によって構成する
素材の同位体元素の存在比を変化させ、製品が汚染され
た場合に、その汚染元素の同位体存在比を測定すること
によって汚染源となった部位を特定するものである。
【００１１】同位体元素は質量分析法によって区別され
るので、天然同位体比と異なる同位体比、同位体濃度は
質量分析法によって検出可能であるが、同位体元素の化
学的挙動には差違はない。従って、装置の構成材として
同位体比が天然同位体比と異なる素材を用いても、機械
的に何等問題はない。従って、装置の中で汚染源となり
易いと予想される部位を予め選び出し、これらの部位を
構成する素材として、同位体の存在比が天然存在比と異
なるように調製した素材を用いて装置を作製する。この
様に構成することにより、製品の汚染が生じた場合には
汚染元素の同位体比を調べることによって汚染源となっ
た部位を特定することができる。
るので、天然同位体比と異なる同位体比、同位体濃度は
質量分析法によって検出可能であるが、同位体元素の化
学的挙動には差違はない。従って、装置の構成材として
同位体比が天然同位体比と異なる素材を用いても、機械
的に何等問題はない。従って、装置の中で汚染源となり
易いと予想される部位を予め選び出し、これらの部位を
構成する素材として、同位体の存在比が天然存在比と異
なるように調製した素材を用いて装置を作製する。この
様に構成することにより、製品の汚染が生じた場合には
汚染元素の同位体比を調べることによって汚染源となっ
た部位を特定することができる。
【００１２】同位体存在比を天然存在比と相違させる同
位体（以下、識別用同位体と称する）は、天然存在比の
少ない元素であるのが実施し易く、識別可能とする部位
に用いる素材（以下、識別素材と称する）における識別
用同位体の存在比が高くなるように素材を調製する。識
別素材の同位体比は、識別用同位体の濃度が天然存在濃
度に比べて数値的に１桁以上異なる程度に高い濃度（存
在率）であるのが好ましい。１つの元素の１種の同位体
を識別用同位体として、同位体存在比の異なる識別素材
を複数種調製することは可能であり、このような識別素
材を使用して識別素材の種類と同数の部位を識別可能と
することができるが、更に、複数種の同位体及び複数種
の元素について同様に同位体存在比を変えて識別用同位
体とし、これを組み合わせることにより、識別素材の種
類すなわち識別可能とすることができる部位の数は格段
に多くなる。
位体（以下、識別用同位体と称する）は、天然存在比の
少ない元素であるのが実施し易く、識別可能とする部位
に用いる素材（以下、識別素材と称する）における識別
用同位体の存在比が高くなるように素材を調製する。識
別素材の同位体比は、識別用同位体の濃度が天然存在濃
度に比べて数値的に１桁以上異なる程度に高い濃度（存
在率）であるのが好ましい。１つの元素の１種の同位体
を識別用同位体として、同位体存在比の異なる識別素材
を複数種調製することは可能であり、このような識別素
材を使用して識別素材の種類と同数の部位を識別可能と
することができるが、更に、複数種の同位体及び複数種
の元素について同様に同位体存在比を変えて識別用同位
体とし、これを組み合わせることにより、識別素材の種
類すなわち識別可能とすることができる部位の数は格段
に多くなる。
【００１３】識別素材は、素材全体において同位体存在
比が一定値である均一素材であっても素材の表面のみに
同位体存在比が天然存在比と異なる層を有する積層構造
の素材であってもよい。
比が一定値である均一素材であっても素材の表面のみに
同位体存在比が天然存在比と異なる層を有する積層構造
の素材であってもよい。
【００１４】上述のような識別素材を用いて各部位を識
別可能に構成した装置内にウエハ等の試料を配置し、試
料の汚染元素を測定し同位体存在比を調べることによ
り、汚染源の部位を特定することができる。試料の同位
体存在比を調べることに伴い、試料表面に付着、吸着し
た金属不純物、軽元素、ハロゲン元素等の拡散、析出な
どによる変化も知ることができ、汚染源からの一連の挙
動や原因解明及び開発への適用も可能となる。また、同
一元素における存在比の異なる同位体が何層にも拡散し
ている場合や、異なる元素が何層にも拡散している場合
にも、スペクトルにおいて深さ方向に同位体間、元素間
での存在比率の相違から、部分的な汚染源の解明を有効
に行うことが可能である。さらに、汚染源の解明だけで
なく、積極的に汚染を生じさせてプロセスの開発評価に
反映させることも可能である。
別可能に構成した装置内にウエハ等の試料を配置し、試
料の汚染元素を測定し同位体存在比を調べることによ
り、汚染源の部位を特定することができる。試料の同位
体存在比を調べることに伴い、試料表面に付着、吸着し
た金属不純物、軽元素、ハロゲン元素等の拡散、析出な
どによる変化も知ることができ、汚染源からの一連の挙
動や原因解明及び開発への適用も可能となる。また、同
一元素における存在比の異なる同位体が何層にも拡散し
ている場合や、異なる元素が何層にも拡散している場合
にも、スペクトルにおいて深さ方向に同位体間、元素間
での存在比率の相違から、部分的な汚染源の解明を有効
に行うことが可能である。さらに、汚染源の解明だけで
なく、積極的に汚染を生じさせてプロセスの開発評価に
反映させることも可能である。
【００１５】また、同位体存在比の測定に関連した分析
操作や分析装置に起因した測定対象元素による汚染があ
っても、天然存在比率が少ないためその影響は少ない。
さらに、質量分析測定では分子イオンの干渉が少なく、
バックグランドの小さな同位体を用いれば、検出感度を
向上させることも可能である。測定手法についても、従
来より半導体分析で用いられているＩＣＰ質量分析法や
二次イオン質量分析法を用いることができる。また、Ｃ
ＶＤガス等の有機系の汚染物については、炭素の同位体
を用いれば認識可能であり、配管残留付着物からの有機
物汚染等もガスクロマトグラフ質量分析法を用いて認識
することができる。
操作や分析装置に起因した測定対象元素による汚染があ
っても、天然存在比率が少ないためその影響は少ない。
さらに、質量分析測定では分子イオンの干渉が少なく、
バックグランドの小さな同位体を用いれば、検出感度を
向上させることも可能である。測定手法についても、従
来より半導体分析で用いられているＩＣＰ質量分析法や
二次イオン質量分析法を用いることができる。また、Ｃ
ＶＤガス等の有機系の汚染物については、炭素の同位体
を用いれば認識可能であり、配管残留付着物からの有機
物汚染等もガスクロマトグラフ質量分析法を用いて認識
することができる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例を参照して、本発明について更
に説明する。
に説明する。
【００１７】図１は、ＣＶＤシステムの概略構成を示
す。このＣＶＤシステムは、ＣＶＤ装置１、ＣＶＤ配管
２、バルブ３及び加熱ヒーター４を備え、シリコン基板
やウエハ等の試料５がＣＶＤ装置１内に配置され、試料
５上に各種の膜形成が行われる。このＣＶＤ装置に関連
して以下のような操作を行った。
す。このＣＶＤシステムは、ＣＶＤ装置１、ＣＶＤ配管
２、バルブ３及び加熱ヒーター４を備え、シリコン基板
やウエハ等の試料５がＣＶＤ装置１内に配置され、試料
５上に各種の膜形成が行われる。このＣＶＤ装置に関連
して以下のような操作を行った。
【００１８】（実施例１）鉄−ニッケル−クロム合金
（ＳＵＳ）を用いてＣＶＤ装置１及びＣＶＤ配管２を制
作するに当たり、ＣＶＤ配管２及びＣＶＤ装置１の天板
を以下のような素材を用いて制作を行い、ＣＶＤシステ
ムを構成した。
（ＳＵＳ）を用いてＣＶＤ装置１及びＣＶＤ配管２を制
作するに当たり、ＣＶＤ配管２及びＣＶＤ装置１の天板
を以下のような素材を用いて制作を行い、ＣＶＤシステ
ムを構成した。
【００１９】まず、61Ｎｉの濃度が９９．４４％である
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をニッケル素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳでＣＶＤ配管２を製造した。
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をニッケル素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳでＣＶＤ配管２を製造した。
【００２０】次に、64Ｎｉの濃度が９８．０８％である
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をニッケル素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳを用いてＣＶＤ天板を製造し、Ｃ
ＶＤ装置の他の部分を通常のＳＵＳにより作成して識別
用ＳＵＳ製のＣＶＤ天板と接合してＣＶＤ装置を制作し
た。これに上記のＣＶＤ配管２を接続した。
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をニッケル素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳを用いてＣＶＤ天板を製造し、Ｃ
ＶＤ装置の他の部分を通常のＳＵＳにより作成して識別
用ＳＵＳ製のＣＶＤ天板と接合してＣＶＤ装置を制作し
た。これに上記のＣＶＤ配管２を接続した。
【００２１】上記に従って、４台のＣＶＤシステムを制
作し、このうちの１台目についてはＣＶＤ配管２に、２
台目についてはＣＶＤ装置１の天板に、さらに３台目に
ついてはＣＶＤ装置１の側壁部に微小な傷をつけた。
作し、このうちの１台目についてはＣＶＤ配管２に、２
台目についてはＣＶＤ装置１の天板に、さらに３台目に
ついてはＣＶＤ装置１の側壁部に微小な傷をつけた。
【００２２】上記４台のＣＶＤシステムの各々におい
て、ＣＶＤ装置１内に試料５としてシリコン基板を配置
し、シリコン基板上にＳｉＮ膜を形成した。成膜後、シ
リコン基板のＳｉＮ膜中の不純物を調べるために、二次
イオン質量分析法（Ｏ2 + 、１０ｋｅＶ）にて58Ｎｉ、
61Ｎｉ及び64Ｎｉを分析したところ、１台目のＣＶＤシ
ステムによるシリコン基板では図２の（ａ）のようなプ
ロファイルが得られ、２台目では（ｂ）のように、３台
目では（ｃ）のように、４台目では（ｄ）のような結果
が得られた。図２において、線Ａは58Ｎｉの検出量、線
Ｂは61Ｎｉの検出量、線Ｃは64Ｎｉの検出量を示す。
て、ＣＶＤ装置１内に試料５としてシリコン基板を配置
し、シリコン基板上にＳｉＮ膜を形成した。成膜後、シ
リコン基板のＳｉＮ膜中の不純物を調べるために、二次
イオン質量分析法（Ｏ2 + 、１０ｋｅＶ）にて58Ｎｉ、
61Ｎｉ及び64Ｎｉを分析したところ、１台目のＣＶＤシ
ステムによるシリコン基板では図２の（ａ）のようなプ
ロファイルが得られ、２台目では（ｂ）のように、３台
目では（ｃ）のように、４台目では（ｄ）のような結果
が得られた。図２において、線Ａは58Ｎｉの検出量、線
Ｂは61Ｎｉの検出量、線Ｃは64Ｎｉの検出量を示す。
【００２３】Ｎｉの天然同位体存在比は、58Ｎｉ：６
８．１％、60Ｎｉ：２６．２％、61Ｎｉ：１．１％、62
Ｎｉ：３．６％、64Ｎｉ：０．９％であるから、図２の
ニッケル同位体の検出結果からＮｉ汚染がＣＶＤ配管
２、ＣＶＤ装置１の天板及びＣＶＤ装置１のその他の部
分に由来していることが各々認識される。
８．１％、60Ｎｉ：２６．２％、61Ｎｉ：１．１％、62
Ｎｉ：３．６％、64Ｎｉ：０．９％であるから、図２の
ニッケル同位体の検出結果からＮｉ汚染がＣＶＤ配管
２、ＣＶＤ装置１の天板及びＣＶＤ装置１のその他の部
分に由来していることが各々認識される。
【００２４】（比較例１）図１に示すＣＶＤシステムの
ＣＶＤ装置１及びＣＶＤ配管２をすべて天然素材による
ＳＵＳを用いて制作し、４台のＣＶＤシステムを用いて
実施例１と同様の操作を行った。シリコン基板上に成膜
されたＳｉＮ膜中の不純物を調べるために、二次イオン
質量分析法（Ｏ2 + 、１０ｋｅＶ）にて58Ｎｉ、61Ｎｉ
及び64Ｎｉを分析したところ、ＣＶＤ装置１又はＣＶＤ
配管２に傷をつけた３台のシステムのいずれにおいて
も、ニッケルの分析結果は図２の（ｃ）のようになり、
傷のないシステムにおける結果は図２の（ｄ）のように
なった。このため、ＳｉＮ膜を汚染するＮｉの汚染源を
断定することは困難であった。
ＣＶＤ装置１及びＣＶＤ配管２をすべて天然素材による
ＳＵＳを用いて制作し、４台のＣＶＤシステムを用いて
実施例１と同様の操作を行った。シリコン基板上に成膜
されたＳｉＮ膜中の不純物を調べるために、二次イオン
質量分析法（Ｏ2 + 、１０ｋｅＶ）にて58Ｎｉ、61Ｎｉ
及び64Ｎｉを分析したところ、ＣＶＤ装置１又はＣＶＤ
配管２に傷をつけた３台のシステムのいずれにおいて
も、ニッケルの分析結果は図２の（ｃ）のようになり、
傷のないシステムにおける結果は図２の（ｄ）のように
なった。このため、ＳｉＮ膜を汚染するＮｉの汚染源を
断定することは困難であった。
【００２５】（実施例２）鉄−ニッケル−クロム合金
（ＳＵＳ）を用いてＣＶＤ装置１及びＣＶＤ配管２を制
作するに当たり、ＣＶＤ配管２及びＣＶＤ装置１の天板
を以下のような素材を用いて制作を行い、ＣＶＤシステ
ムを構成した。
（ＳＵＳ）を用いてＣＶＤ装置１及びＣＶＤ配管２を制
作するに当たり、ＣＶＤ配管２及びＣＶＤ装置１の天板
を以下のような素材を用いて制作を行い、ＣＶＤシステ
ムを構成した。
【００２６】まず、50Ｃｒの濃度が９７．６５％である
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をクロム素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳでＣＶＤ配管２を製造した。
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をクロム素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳでＣＶＤ配管２を製造した。
【００２７】次に、61Ｎｉの濃度が９９．４４％である
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をニッケル素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳを用いてＣＶＤ天板を製造した。
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）をニッケル素材として用いてＳＵＳを調製
し、この識別用ＳＵＳを用いてＣＶＤ天板を製造した。
【００２８】更に、57Ｆｅの濃度が９３．５５％である
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）を鉄素材として用いてＳＵＳを調製し、こ
の識別用ＳＵＳを用いて加熱ヒーター４を製造した。Ｃ
ＶＤ装置の他の部分を通常のＳＵＳにより作成してＣＶ
Ｄ天板及び加熱ヒーター４と接合してＣＶＤ装置を制作
した。これに上記のＣＶＤ配管２を接続した。
濃縮安定同位体元素（Oak Ridge National Laboratory
(USA)社製）を鉄素材として用いてＳＵＳを調製し、こ
の識別用ＳＵＳを用いて加熱ヒーター４を製造した。Ｃ
ＶＤ装置の他の部分を通常のＳＵＳにより作成してＣＶ
Ｄ天板及び加熱ヒーター４と接合してＣＶＤ装置を制作
した。これに上記のＣＶＤ配管２を接続した。
【００２９】上記に従って制作したＣＶＤシステムのＣ
ＶＤ配管２に微小な傷をつけ、ＣＶＤ装置１内に試料５
としてシリコン基板を配置し、シリコン基板上にＳｉＮ
膜を形成した。成膜後、シリコン基板のＳｉＮ膜中の不
純物を調べるために、二次イオン質量分析法（Ｏ2 + 、
１０ｋｅＶ）にて61Ｎｉ、50Ｃｒ、52Ｃｒ及び57Ｆｅを
分析したところ、図３のようなプロファイルが得られ
た。図３において、線Ｄは50Ｃｒの検出量、線Ｅは52Ｃ
ｒの検出量、線Ｆは61Ｎｉの検出量、線Ｇは57Ｆｅの検
出量を示す。
ＶＤ配管２に微小な傷をつけ、ＣＶＤ装置１内に試料５
としてシリコン基板を配置し、シリコン基板上にＳｉＮ
膜を形成した。成膜後、シリコン基板のＳｉＮ膜中の不
純物を調べるために、二次イオン質量分析法（Ｏ2 + 、
１０ｋｅＶ）にて61Ｎｉ、50Ｃｒ、52Ｃｒ及び57Ｆｅを
分析したところ、図３のようなプロファイルが得られ
た。図３において、線Ｄは50Ｃｒの検出量、線Ｅは52Ｃ
ｒの検出量、線Ｆは61Ｎｉの検出量、線Ｇは57Ｆｅの検
出量を示す。
【００３０】Ｃｒの天然同位体存在比は、50Ｃｒ：４．
３％、52Ｃｒ：８３．８％、53Ｃｒ：９．５％、54Ｃ
ｒ：２．４％であり、61Ｎｉ及び57Ｆｅの天然存在比は
各々１．１％及び２．２％であるから、図３のクロム同
位体の検出結果からシリコン基板のＳｉＮ膜がＣｒによ
り汚染され、汚染源がＣＶＤ配管であることが認識され
る。
３％、52Ｃｒ：８３．８％、53Ｃｒ：９．５％、54Ｃ
ｒ：２．４％であり、61Ｎｉ及び57Ｆｅの天然存在比は
各々１．１％及び２．２％であるから、図３のクロム同
位体の検出結果からシリコン基板のＳｉＮ膜がＣｒによ
り汚染され、汚染源がＣＶＤ配管であることが認識され
る。
【００３１】上述から理解されるように、半導体関連の
ような厳格な品質保持を要求される製品の製造、処理及
び取扱において生じる汚染の汚染源は、これらの工程で
使用する装置を各部位毎に同位体元素の存在比の異なる
素材で構成することによって特定することが可能とな
る。
ような厳格な品質保持を要求される製品の製造、処理及
び取扱において生じる汚染の汚染源は、これらの工程で
使用する装置を各部位毎に同位体元素の存在比の異なる
素材で構成することによって特定することが可能とな
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれぱ、半導体製品の製造工程
において生じる汚染の汚染源を解明することができ、工
業的価値は大きい。
において生じる汚染の汚染源を解明することができ、工
業的価値は大きい。
【図１】ＣＶＤシステムの概略構成図。
【図２】半導体製品の不純物を調べるための二次イオン
質量分析法によるスペクトルを示す図。
質量分析法によるスペクトルを示す図。
【図３】半導体製品の他の不純物を調べるための二次イ
オン質量分析法によるスペクトルを示す図。
オン質量分析法によるスペクトルを示す図。
１ ＣＶＤ装置 ２ ＣＶＤ配管 ３ バルブ ４ 加熱ヒーター ５ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹中 みゆき 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 松永 秀樹 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製品の製造又は処理に用いられる
装置を複数の部位に規定し、当該複数の部位を同位体存
在比が互いに異なる素材によって構成することにより、
装置のいずれかの部位を汚染源とする汚染が半導体製品
に生じたときに該汚染における同位体存在比を測定する
ことによって当該汚染源を特定することを特徴とする汚
染源特定方法。 - 【請求項２】 前記複数の部位において互いに異なる同
位体存在比は、天然存在比が小さい安定同位体について
存在比が異なるものである請求項１記載の汚染源特定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253919A JPH1197321A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 汚染源特定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253919A JPH1197321A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 汚染源特定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197321A true JPH1197321A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17257862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9253919A Pending JPH1197321A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 汚染源特定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197321A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100408151C (zh) * | 2001-01-29 | 2008-08-06 | 美塔莱公司 | 自动同位素稀释质谱分析方法及装置 |
| CN113607766A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-11-05 | 亚翔系统集成科技（苏州）股份有限公司 | 基于半导体生产线中不良产品的污染源查找方法 |
| CN114062478A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-18 | 中国科学院生态环境研究中心 | 一种可实现自验证的颗粒污染物来源解析方法 |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP9253919A patent/JPH1197321A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100408151C (zh) * | 2001-01-29 | 2008-08-06 | 美塔莱公司 | 自动同位素稀释质谱分析方法及装置 |
| CN113607766A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-11-05 | 亚翔系统集成科技（苏州）股份有限公司 | 基于半导体生产线中不良产品的污染源查找方法 |
| CN113607766B (zh) * | 2021-08-03 | 2023-08-29 | 亚翔系统集成科技（苏州）股份有限公司 | 基于半导体生产线中不良产品的污染源查找方法 |
| CN114062478A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-18 | 中国科学院生态环境研究中心 | 一种可实现自验证的颗粒污染物来源解析方法 |
| CN114062478B (zh) * | 2021-11-10 | 2023-11-10 | 中国科学院生态环境研究中心 | 一种可实现自验证的颗粒污染物来源解析的方法 |
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