JPH03215924A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサの製造方法

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JPH03215924A
JPH03215924A JP1136690A JP1136690A JPH03215924A JP H03215924 A JPH03215924 A JP H03215924A JP 1136690 A JP1136690 A JP 1136690A JP 1136690 A JP1136690 A JP 1136690A JP H03215924 A JPH03215924 A JP H03215924A
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JP
Japan
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anode
anode lead
lead
dielectric oxide
formation
Prior art date
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Pending
Application number
JP1136690A
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English (en)
Inventor
Yoshiki Hashimoto
芳樹 橋本
Yoshihiro Higuchi
吉浩 樋口
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関するもの
である。
従来の技術 従来の固体電解コンデンザは、第4図に示すように、弁
作用金属よりなる陽極リード1を導出させた陽極体2に
おいて、前記陽極リ一ド1の導出部分に、半導体層ある
いは陰極層となるグラファイト層の這い上がりを防止す
るためにテフロン板よりなる溌水性部材3を設けていた
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記した従来の構成のめでは、陽極性体
の表面に半導体層あるいは陰極層となるグラファイト層
を形成する時、弁作用金属よりなる陽極リ一ド1の表面
には、軸方向に多くのダイス傷があるため、この陽極リ
一ド1の導出部分とテフロン板よりなる撥水性部材3と
の間には、このダイス傷により隙間が存在することにな
り、その結果、コンデンサ素子2に含浸された半導体母
液あるいはグラファイトはこのダイス傷を通って陽極リ
一ド1に付着し、そしてこれが熱分解さると、半導体層
あるいはグラファイト層の這い上がり現象が起こるもの
で、これらは、組立時において、前記陽極リ一ト】に陽
極端子を溶接によって接続する際に、前記陽極リード1
と接触ずることになるため、漏れ電流が増加したり、あ
るいは陽極と陰極とが短絡されてしまい、これにより、
固体電解コンデンサとしての機能が果たされなくなると
いう問題点があった。
また組立時の機械ストレスは、陽極体2の中で最も弱い
弁作用金属よりなる陽極リード1の根本部に集中するた
め、これが陽極体2の誘電体酸化皮膜を劣化させて漏れ
電流を増加させる原因となっていた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、弁作用金
属よりなる陽極リードへの半導体層あるいは陰極層とな
るグラファイト層の這い上がりを確実に防止することが
できるとともに、組立時に陽極リードの根本部に加わる
機械ストレスも確実に防止することができる固体電解コ
ンデンサの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明の固体電解コンデンザ
の製造方法は、弁作用金属よりなる粉末を加圧成形して
焼結するとともに、弁作用金属よりなる陽極リードを導
出させ、かつ前記陽極リードの導出部分にテフロン板よ
りなるI發水性部}Aを設けて陽極体を構成する工程と
、この陽極体を化成して誘電体酸化皮膜の形成する工程
と、さらに半導体層、陰極層を順次形成する工程とを有
し、前記誘電体酸化皮膜の形成後、もしくは誘電体酸化
皮膜の形成の途中で、400〜500℃の熱処理を行っ
て、前記テフロン板よりなる撥水性部祠を収縮させ、陽
極リーI一に密着させるようにしたものである。
作用 上記した製造方法によれば、陽極体への誘電体酸化皮膜
の形成後、もしくは誘電体酸化皮膜の形成の途中で、4
00〜500℃の熱処理を行ってテフロン板よりなる撥
水性部材を収縮させ、陽極りー1ζに密着ざせるように
しているため、弁作用金属よりなる陽極リードの表面に
多くのダイス傷があったとしても、前記熱処理により陽
極リ−1゛の導出部分とテフロン板よりなる撥水性部材
との間の隙間をなくすることができ、これにより、陽極
体に半導体層あるいは陰極層となるグラファイト層を浸
漬形成する際において、半導体母液あるいはグラファイ
トが陽極リードへ付着するということはなくなるため、
半導体層あるいは陰極層となるグラファイト層の這い上
がりを確実に防止することができるとともに、組立時に
陽極リードの導出部分、つまり根木部に加わる機械スト
レスも防止することができ、その結果、固体電解コンデ
ンザの電気特性である漏れ電流が増加するという問題は
なくなるものである。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図〜第3図にもとづいて
説明する。まず、第1図に示すように、タンタル等の弁
作用金属によりなる粉末を直径1mmX高さ1lnII
1の円柱状に加圧成形して焼結してなる陽極体11に予
め弁作用金属であるタンタル線よりなる直径0.25m
mの陽極リ一ト12を植設してその端部を陽極体11の
端面より導出させる。この場合、前記陽極体11は円柱
状以外に角柱状など任意の形状で構成できるものであり
、また弁作用金属よりなる陽極リ一ド12は陽極体11
の周面に溶接して導出することもできるものである。1
3ば前記陽極リ一ド12の導出部分に設けた溌水性部材
で、この撥水性部材13はテフロン板により構成されて
いる。
次に第1図に示すような状態に構成した陽極体11およ
び陽極リ一ド12を化成液に浸漬し、所定の直流電圧を
印加して化成処理を行うことにより、誘電体酸化皮膜を
形成する。そしてこの誘電体酸化皮膜の形成後に、10
−’mmHg台の真空中で420’Cの熱処理を10分
間行う。その後、再度、前記陽極体11および陽極リ一
ド12を化成液に浸漬し、所定の直流電圧で30分間化
成を行い、前記熱処理で劣化した誘電体酸化皮膜を修復
する。その後、第2図に示すように、半導体層およびグ
ラファイ1・層よりなる陰極層14を順次形成し、次に
前記陽極リ一ド12に陽極端子15を溶接により接続す
るとともに、陰極端子16を前記陰極層14に導電性接
着剤により接続する。その後、トランスファーモールl
′方弐による樹脂外装17を行い、さらに陽極端子15
および陰極端子16を側面から底面にかけて折り曲げ加
工することにより、6.3V 3.3μFのヂップ型固
体電解コンデンサを構成している。
」二記一実施例の製造方法によれば、陽極体11への誘
電体酸化皮膜の形成後に、10−’mmHg台の真空中
で420℃の熱処理を10分間行うようにしているため
、この熱処理により、テフロン板よりなる溌水性部材1
3は収縮して陽極リード12に密着ずることになる。し
たがって陽極リ一ド12の表面に多くのダイス傷があっ
たとしてしも、前記熱処理により陽極リ一ド12の導出
部分とテフロン板よりなる撥水性部材13との間の隙間
をなくすことができ、これにより、陽極体11に半導体
層あるいは陰極層となるグラファイト層を浸漬形成する
際において、半導体母液あるいはグラファイトが陽極リ
ード12へ付着するということはなくなるため、半導体
層あるいは陰極層となるグラファイト層の這い」一がり
を確実に防止することができるとともに、陽極リ一ド1
2の導出部分、つまり根木部に加わる機械ストレスも確
実に防止することができ、その結果、固体電解コンデン
ザの電気特性である漏れ電流が増加するという問題はな
くなる。
第3図は再化成前、再化成後の漏れ電流のレヘルを検査
した結果を示したもので、本発明の一実施例における製
造方法は第4図bであり、従来の製造方法は第4図a(
Rcf)である。
この第3図からも明らかなように、本発明の−・実施例
における製造方法は、従来の製造方法に比べ、漏れ電流
のレベル,バラツキ共に良くなっている。また完成後に
おける漏れ電流不良率も約173にすることができ、か
つその後の固体電解コンデンザの半田耐熱(260゜c
io秒)テスト,および85℃の加熱炉内に固体電解コ
ンデンサを挿入し、定格電圧の1.3倍の試験電圧を印
加して2000時間経過後の故障状況をみても、本発明
の−実施例における製造方法においては、改善が見られ
た。
なお、上記一実施例においては、誘電体酸化皮膜の形成
後に、10−’mmHg台の真空中で420’Cの熱処
理を10分間行うようにしたものについて説明したが、
この熱処理は誘電体酸化皮膜の形成の途中であってもよ
く、また空気中であってもよく、さらにこの熱処理温度
は420℃に限定されるものではなく、400〜500
℃の範囲内であれば、漏れ電流のレベルを改善すること
ができるものである。
発明の効果 上記実施例の説明から明らかなように本発明の固体電解
コンデンサの製造方法によれば、陽極体への誘電体酸化
皮膜の形成後、もしくは誘電体酸化皮膜の形成の途中で
、400〜500℃の熱処理を行ってテフロン板よりな
る撥水性部材を収縮させ、陽極リードに密着させるよう
にしているため、弁作用金属よりなる陽極リードの表面
に多くのダイス傷があったとしても、前記熱処理により
陽極リードの導出部分とテフロン板よりなる撥水性部材
との間の隙間をなくすことができ、これにより、陽極体
に半導体層あるいは陰極層となるグラファイトが陽極リ
ードへ付着するということはなくなるため、半導体層あ
るいは陰極層となるグラファイト層を浸漬形成する際に
おいて、半導体母液あるいはグラファイト層の這い上が
りを確実に防止することができるとともに、組立時に陽
極リードの導出部分、つまり根木部に加わる機械ストレ
スも確実に防止することができ、その結果、固体電解コ
ンデンサの電気特性である漏れ電流が増加するという問
題はなくなるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の−・実施例を示すチップ型固体電解コ
ンデンサの要部の正面断面図、第2図は同チップ型固体
電解コンデンサの概略斜視図、第3図は本発明の製造方
法と従来の製造方法で得られたサンプルの再化成前、再
化成後の漏れ電流のレベル,バラッキを示す特性図、第
4図は従来の固体電解コンデンサの要部の正面断面図で
ある。 11・・・・・・陽極体、12・・・・・・陽極リード
、13・・・・・・撥水性部材、14・・・・・陰極層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)弁作用金属よりなる粉末を加圧成形して焼結する
    とともに、弁作用金属よりなる陽極リードを導出させ、
    かつ前記陽極リードの導出部分にテフロン板よりなる撥
    水性部材を設けて陽極体を構成する工程と、この陽極体
    を化成して誘電体酸化皮まく形成する工程と、さらに半
    導体層、陰極層を順次形成する工程とを有し、前記誘電
    体酸化皮膜の形成後、もしくは誘電体酸化皮膜の形成の
    途中で、400〜500℃の熱処理を行って、前記テフ
    ロン板よりなる撥水性部材を収縮させ、陽極リードに密
    着させるようにした固体電解コンデンサの製造方法。
  2. (2)400〜500℃の熱処理は、空気中、または真
    空中で行うようにした請求項1記載の固体電解コンデン
    サの製造方法。
JP1136690A 1990-01-19 1990-01-19 固体電解コンデンサの製造方法 Pending JPH03215924A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1076856C (zh) * 1994-08-25 2001-12-26 罗姆股份有限公司 固体电解电容器的电容器部件的制造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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