JPH03207089A - 半導体記憶回路 - Google Patents
半導体記憶回路Info
- Publication number
- JPH03207089A JPH03207089A JP2001835A JP183590A JPH03207089A JP H03207089 A JPH03207089 A JP H03207089A JP 2001835 A JP2001835 A JP 2001835A JP 183590 A JP183590 A JP 183590A JP H03207089 A JPH03207089 A JP H03207089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- read
- terminal
- data
- memory cell
- transfer gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体記憶回路に関し、特に読み出し動作時に
ディジット線容量やメモリセルアドレスのマルチセレク
ション等によって、メモリセルのデータが破壊されるこ
とがなく、ブリチャージ動作が不要の構造を有するメモ
リセルに関する。
ディジット線容量やメモリセルアドレスのマルチセレク
ション等によって、メモリセルのデータが破壊されるこ
とがなく、ブリチャージ動作が不要の構造を有するメモ
リセルに関する。
従来技術による半導体集積回路のメモリセルの第１例を
、第３図に示す。第３図において、従来技術によるメモ
リセル３０は、インバータ回路３１，３２と、トランス
ファーゲー｝３３．３４と、データ端子ＤＩ，Ｄ２と、
アドレス端子Ａとを有する。本回路は、ディジット線容
量やメモリセルアドレスのマルチセレクションによって
、メモリセルのデータが破壊されるという欠点がある。
、第３図に示す。第３図において、従来技術によるメモ
リセル３０は、インバータ回路３１，３２と、トランス
ファーゲー｝３３．３４と、データ端子ＤＩ，Ｄ２と、
アドレス端子Ａとを有する。本回路は、ディジット線容
量やメモリセルアドレスのマルチセレクションによって
、メモリセルのデータが破壊されるという欠点がある。
第４図は、従来技術による半導体集積回路のメモリセル
の第２例を示す回路図である。第４図において、従来技
術によるメモリセル４０は、インバータ回路４１．４２
と、書き込みアドレス用トランスファーゲー｝４３．４
４と、書き込みイネーブル用トランスファーゲー｝４５
．４６と、読み出しバソファ４７と、読み出し用トラン
スファーケート４８と、第１の書き込みデータ端子ＷＤ
Ｉと、第２の書き込みデータ端子ＷＤ２と、書き込みア
ドレス端子ＷＡと、書き込みイネーブル端子ＷＥと、読
み出しアドレス端子ＲＤと、読み出しアドレス端子ＲＡ
とを有する。
の第２例を示す回路図である。第４図において、従来技
術によるメモリセル４０は、インバータ回路４１．４２
と、書き込みアドレス用トランスファーゲー｝４３．４
４と、書き込みイネーブル用トランスファーゲー｝４５
．４６と、読み出しバソファ４７と、読み出し用トラン
スファーケート４８と、第１の書き込みデータ端子ＷＤ
Ｉと、第２の書き込みデータ端子ＷＤ２と、書き込みア
ドレス端子ＷＡと、書き込みイネーブル端子ＷＥと、読
み出しアドレス端子ＲＤと、読み出しアドレス端子ＲＡ
とを有する。
ここで、端子ＷＤＩにあるデータが入力される場合、端
子ＷＤ２にはそのデータのコンブリメントが印加される
。このメモリセルの特徴は、第１例のメモリセル３０が
、読み出しと書き込み兼用のテータ端子と、アドレス端
子を有するのに対して、書き込み専用及び読み出し専用
のデータ端子及びアドレス端子を有し、読み出しバッフ
ァ４７を備えており、ディジット線容量やメモリセルア
ドレスのマルチセレクションによって、メモリセルのデ
ータが破壊されることが読み出し時には無く、プリチャ
ージ動作が不要の構造を有することである。
子ＷＤ２にはそのデータのコンブリメントが印加される
。このメモリセルの特徴は、第１例のメモリセル３０が
、読み出しと書き込み兼用のテータ端子と、アドレス端
子を有するのに対して、書き込み専用及び読み出し専用
のデータ端子及びアドレス端子を有し、読み出しバッフ
ァ４７を備えており、ディジット線容量やメモリセルア
ドレスのマルチセレクションによって、メモリセルのデ
ータが破壊されることが読み出し時には無く、プリチャ
ージ動作が不要の構造を有することである。
前述した従来のメモリセルの読み出し時、メモリセルの
データが破壊されないが、第４図のメモリセル４０は、
書き込みイネーブル用トランスファーゲート４５と４６
とを有しているので、メモリセルのトランジスタが１１
個（インバータ回路を２個として計算）必要となり、従
来の第３図に示すメモリセル３０のトランジスタ数６個
に比べて、メモリセル面積が大きくなるという欠点があ
る。
データが破壊されないが、第４図のメモリセル４０は、
書き込みイネーブル用トランスファーゲート４５と４６
とを有しているので、メモリセルのトランジスタが１１
個（インバータ回路を２個として計算）必要となり、従
来の第３図に示すメモリセル３０のトランジスタ数６個
に比べて、メモリセル面積が大きくなるという欠点があ
る。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、少ないトランジ
スタ数で済むようにした半導体記憶回路を提供すること
にある。
スタ数で済むようにした半導体記憶回路を提供すること
にある。
本発明の半導体記憶回路の構或は、第１のインバータ回
路の出力を入力とする第２のインバータ回路の出力を、
前記第１のインバータ回路の入力に接続すると共に第２
のトランスファーゲートの一極に接続し、前記第２のト
ランスファーゲートの他極に第２の書き込みデータ端子
な接続し、前記第１のインバータ回路の出力に第１のト
ランスファーゲートの一極を接続し、前記第１のトラン
スファーゲートの他極に第１の書き込みデータ端子を接
続し、前記第１及び第２のトランスファーゲートのゲー
ト端子を書き込みアドレス端子に接続し、前記第２のイ
ンバータ回路の出力は、前記第ｌ，第２のインバータ回
路以外の少なくとも１個の読み出しバッファ回路の入力
に接続し、前記少なくとも１個の読み出しバッファ回路
の各々の出力をそれぞれ独立した読み出し用トランスフ
ァーゲートの一極に接続し、前記独立した読み出し用ト
ランスファーゲートの他極をそれぞれ独立した読み出し
データ端子に接続し、前記独立した読み出し用トランス
ファーゲートのゲート端子をそれぞれ独立した読み出し
アドレス端子に接続したことを特徴とする。
路の出力を入力とする第２のインバータ回路の出力を、
前記第１のインバータ回路の入力に接続すると共に第２
のトランスファーゲートの一極に接続し、前記第２のト
ランスファーゲートの他極に第２の書き込みデータ端子
な接続し、前記第１のインバータ回路の出力に第１のト
ランスファーゲートの一極を接続し、前記第１のトラン
スファーゲートの他極に第１の書き込みデータ端子を接
続し、前記第１及び第２のトランスファーゲートのゲー
ト端子を書き込みアドレス端子に接続し、前記第２のイ
ンバータ回路の出力は、前記第ｌ，第２のインバータ回
路以外の少なくとも１個の読み出しバッファ回路の入力
に接続し、前記少なくとも１個の読み出しバッファ回路
の各々の出力をそれぞれ独立した読み出し用トランスフ
ァーゲートの一極に接続し、前記独立した読み出し用ト
ランスファーゲートの他極をそれぞれ独立した読み出し
データ端子に接続し、前記独立した読み出し用トランス
ファーゲートのゲート端子をそれぞれ独立した読み出し
アドレス端子に接続したことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体記憶回路の回路
図である。
図である。
第１図において、本発明による第１の実施例のメモリセ
ル１０は、第１のインバータ回路１１と、第２のインバ
ータ回路１２とを含み、これら第１，第２のインバータ
回路１１．１２で，記憶保持回路を構或する。
ル１０は、第１のインバータ回路１１と、第２のインバ
ータ回路１２とを含み、これら第１，第２のインバータ
回路１１．１２で，記憶保持回路を構或する。
さらに、第１のトランスファーゲート１３と、第２のト
ランスファーケート１４と、第１の書き込みデータ端子
ＷＤＩと、第２の書き込みデータ端子ＷＤ２と、書き込
みアドレス端子ＷＡとを備えている。
ランスファーケート１４と、第１の書き込みデータ端子
ＷＤＩと、第２の書き込みデータ端子ＷＤ２と、書き込
みアドレス端子ＷＡとを備えている。
ここで、書き込みアドレス端子ＷＡが選ばれた場合、端
子ＷＤＩに書き込みデータ端子ＷＤ２に書き込みデータ
のコンブリメントのデータが印加されたとき、書き込み
データが、この記憶保持回路に書き込まれる。さらに、
読み出しバッファ１５と、読み出し用トランスファーゲ
ー｝１６と、読み出しデータ端子ＲＤと、読み出しアド
レス端子ＲＡとを含み、構成される。ここで、読み出し
アドレス端子ＲＡが選ばれたとき、本記憶保持回路に保
持されたデータは、読み出しバッファ１５を介して、読
み出しデータ端子ＲＤに出力される。
子ＷＤＩに書き込みデータ端子ＷＤ２に書き込みデータ
のコンブリメントのデータが印加されたとき、書き込み
データが、この記憶保持回路に書き込まれる。さらに、
読み出しバッファ１５と、読み出し用トランスファーゲ
ー｝１６と、読み出しデータ端子ＲＤと、読み出しアド
レス端子ＲＡとを含み、構成される。ここで、読み出し
アドレス端子ＲＡが選ばれたとき、本記憶保持回路に保
持されたデータは、読み出しバッファ１５を介して、読
み出しデータ端子ＲＤに出力される。
この場合、一般にメモリセルの読み出しデータ端子ＲＤ
は、他の複数のメモリセルの読み出しデータ端子に読み
出しティジット線を介して接続されているが、読み出し
バッファ１５を備えているので、読み出しディシット線
の容量が大きかったり、また、読み出１−アドレス端子
ＲＡが複数のメモリセルで選択されて、メモリセル同士
が競合しても、本記憶保持データは、破壊されることが
ない。
は、他の複数のメモリセルの読み出しデータ端子に読み
出しティジット線を介して接続されているが、読み出し
バッファ１５を備えているので、読み出しディシット線
の容量が大きかったり、また、読み出１−アドレス端子
ＲＡが複数のメモリセルで選択されて、メモリセル同士
が競合しても、本記憶保持データは、破壊されることが
ない。
第２図は本発明の第２の実施例の半導体記憶回路を示す
回路図である。第２図において、本発明による第２の実
施例のメモリセル２０は、第１のインバータ回路２１と
、第２のインバータ回路２２と、第１のトランスファー
ゲー｝２３．！：、第２のトランスファーゲート２４と
、第ｌの書き込みデータ端子ＷＤＩと、第２の書き込み
データ端子ＷＤ２と、書き込みアドレス端子ＷＡとを含
み、ここまでの構或は、第１図の第１の実施例のメモ，
リセルと同様である。さらに、本実施例は、第１の読み
出しバッファ２５と、第１の読み出し用トランスファー
ゲート２６と、第１の読み出しデータ端子ＲＤＩと、第
１の読み出しアドレス端子ＲＡＩと、第２の読み出しバ
ッファ２７と、第２の読み出し用トランスファーゲート
２８と、第２の読み出しデータ端子ＲＤ２と、第２の読
み出しアドレスデータ端子ＲＡ２とを備えている。この
第２の実施例のメモリセル２０は、前記第１の実施例の
メモリセル１０に比べて、読み出しバッファ２５，２７
、読み出し用ｌ・ランスファーゲー｝２３．２８、読み
出しデータ端子ＲＤＩ、ＲＤ２、読み出しアドレス端子
ＲＡＩ，ＲＡ２を各々２つ備えているから２つの読み出
しボートを有する記憶回路を構或出来るメモリセルが提
供できる。この動作原理は、第１の実施例と同様である
。第２の実施例では、２つの読み出し系を備えているが
、本実施例によれば、３つ以上の読み出し系を有するメ
モリセルを構或出来ることは容易である。
回路図である。第２図において、本発明による第２の実
施例のメモリセル２０は、第１のインバータ回路２１と
、第２のインバータ回路２２と、第１のトランスファー
ゲー｝２３．！：、第２のトランスファーゲート２４と
、第ｌの書き込みデータ端子ＷＤＩと、第２の書き込み
データ端子ＷＤ２と、書き込みアドレス端子ＷＡとを含
み、ここまでの構或は、第１図の第１の実施例のメモ，
リセルと同様である。さらに、本実施例は、第１の読み
出しバッファ２５と、第１の読み出し用トランスファー
ゲート２６と、第１の読み出しデータ端子ＲＤＩと、第
１の読み出しアドレス端子ＲＡＩと、第２の読み出しバ
ッファ２７と、第２の読み出し用トランスファーゲート
２８と、第２の読み出しデータ端子ＲＤ２と、第２の読
み出しアドレスデータ端子ＲＡ２とを備えている。この
第２の実施例のメモリセル２０は、前記第１の実施例の
メモリセル１０に比べて、読み出しバッファ２５，２７
、読み出し用ｌ・ランスファーゲー｝２３．２８、読み
出しデータ端子ＲＤＩ、ＲＤ２、読み出しアドレス端子
ＲＡＩ，ＲＡ２を各々２つ備えているから２つの読み出
しボートを有する記憶回路を構或出来るメモリセルが提
供できる。この動作原理は、第１の実施例と同様である
。第２の実施例では、２つの読み出し系を備えているが
、本実施例によれば、３つ以上の読み出し系を有するメ
モリセルを構或出来ることは容易である。
従来の読み出し端子を１個有する場合のメモリセルが１
２個のトランジスタを必要とするのに対し、本実施例の
メモリセルは、読み出し端子を１個有する場合、９個の
トランジスタで済み、セル面積な小さく出来る。
２個のトランジスタを必要とするのに対し、本実施例の
メモリセルは、読み出し端子を１個有する場合、９個の
トランジスタで済み、セル面積な小さく出来る。
以上説明したように、本発明は、書き込み系と読み出し
系を分離し、読み出し系に読み出しバッファと読み出し
用トランスファーゲートを備えて、記憶保持データが読
み出し時に破壊されることを防止し、しかもプリチャー
ジ不要となる等の効果がある。
系を分離し、読み出し系に読み出しバッファと読み出し
用トランスファーゲートを備えて、記憶保持データが読
み出し時に破壊されることを防止し、しかもプリチャー
ジ不要となる等の効果がある。
４
第１図は本発明の第１の実施例の半導体記憶回路の回路
図、第２図は本発明の第２の実施例の回路図、第３図は
従来技術によるメモリセルの第１例の回路図、第４図は
従来技術によるメモリセルの第２例の回路図である。 １ １，２］．，３１．４１・・・・・・第１のインバ
ータ回路、１２，２２，３２．４２・・・・・・第２の
インバータ回路、１３，２３，３３．４３・・川・第１
のトランスファーゲート、１４，２４，３４．４４・・
・・・第２のトランスファーゲート，４５．４６・・・
・・・書き込みイネーブル用トランスファーゲート、１
５，２５，２７．４７・・・・・・読み出しバッファ、
１６，２６，２８．４８・・・・・・読み出し用トラン
スファーゲ−１−，１０．２０・・・・・・メモリセル
、３ｏ・・・・従来技術による第１例のメモリセル、４
ｏ・・・・・・従来技術による第２の例のメモリセル、
ＷＤ １ ，ＷＤ２・・・・書き込みデータ端子、ＷＡ
・・・・・書き込ミアトレス端子、ＷＥ・・・・・書き
込みイネーブル端子、ＲＤ，ＲＤＩ，ＲＤ２・・・・・
・読み出しデータ端子、ＲＡ，ＲＡＩ，ＲＡ２・・・・
・・読み出しアドレス端子、Ａ・・ ・アドレス端子、
Ｄｉ，Ｄ２・・・・・デー夕端子。
図、第２図は本発明の第２の実施例の回路図、第３図は
従来技術によるメモリセルの第１例の回路図、第４図は
従来技術によるメモリセルの第２例の回路図である。 １ １，２］．，３１．４１・・・・・・第１のインバ
ータ回路、１２，２２，３２．４２・・・・・・第２の
インバータ回路、１３，２３，３３．４３・・川・第１
のトランスファーゲート、１４，２４，３４．４４・・
・・・第２のトランスファーゲート，４５．４６・・・
・・・書き込みイネーブル用トランスファーゲート、１
５，２５，２７．４７・・・・・・読み出しバッファ、
１６，２６，２８．４８・・・・・・読み出し用トラン
スファーゲ−１−，１０．２０・・・・・・メモリセル
、３ｏ・・・・従来技術による第１例のメモリセル、４
ｏ・・・・・・従来技術による第２の例のメモリセル、
ＷＤ １ ，ＷＤ２・・・・書き込みデータ端子、ＷＡ
・・・・・書き込ミアトレス端子、ＷＥ・・・・・書き
込みイネーブル端子、ＲＤ，ＲＤＩ，ＲＤ２・・・・・
・読み出しデータ端子、ＲＡ，ＲＡＩ，ＲＡ２・・・・
・・読み出しアドレス端子、Ａ・・ ・アドレス端子、
Ｄｉ，Ｄ２・・・・・デー夕端子。
Claims (1)
- 第１のインバータ回路の出力を入力とする第２のインバ
ータ回路の出力を、前記第１のインバータ回路の入力に
接続すると共に第２のトランスファーゲートの一極に接
続し、前記第２のトランスファーゲートの他極に第２の
書き込みデータ端子を接続し、前記第１のインバータ回
路の出力に第１のトランスファーゲートの一極を接続し
、前記第１のトランスファーゲートの他極に第１の書き
込みデータ端子を接続し、前記第１及び第２のトランス
ファーゲートのゲート端子を書き込みアドレス端子に接
続し、前記第２のインバータ回路の出力は、前記第１、
第２のインバータ回路以外の少なくとも１個の読み出し
バッファ回路の入力に接続し、前記少なくとも１個の読
み出しバッファ回路の各々の出力をそれぞれ独立した読
み出し用トランスファーゲートの一極に接続し、前記独
立した読み出し用トランスファーゲートの他極をそれぞ
れ独立した読み出しデータ端子に接続し、前記独立した
読み出し用トランスファーゲートのゲート端子をそれぞ
れ独立した読み出しアドレス端子に接続したことを特徴
とする半導体記憶回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001835A JPH03207089A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体記憶回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001835A JPH03207089A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体記憶回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03207089A true JPH03207089A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11512616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001835A Pending JPH03207089A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体記憶回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03207089A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305294A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-11-22 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置、半導体メモリ装置及び半導体メモリセル |
| JP2010123237A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ８トランジスタ型低リークｓｒａｍセル |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2001835A patent/JPH03207089A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305294A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-11-22 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置、半導体メモリ装置及び半導体メモリセル |
| JP2010123237A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ８トランジスタ型低リークｓｒａｍセル |
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