JPH03204945A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03204945A JPH03204945A JP2026118A JP2611890A JPH03204945A JP H03204945 A JPH03204945 A JP H03204945A JP 2026118 A JP2026118 A JP 2026118A JP 2611890 A JP2611890 A JP 2611890A JP H03204945 A JPH03204945 A JP H03204945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- vent hole
- die pad
- semiconductor device
- sealed semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 60
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 15
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のである。
のである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第２図はかかる従来の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
ある。
ここでは、基板上に設けられたフットプリント上に表面
実装されるガルウィング型のリードを有するパッケージ
（ＱＰＰ： Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ、又
はＳＯＰ： Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）を例に挙げて説明する。
実装されるガルウィング型のリードを有するパッケージ
（ＱＰＰ： Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ、又
はＳＯＰ： Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）を例に挙げて説明する。
この図において、１は半導体素子であり、側辺に分割さ
れた後、共晶又は接着材等により半導体素子搭載部（以
下、ダイパッドという）２ａに固着される。続いて、金
線等のワイヤ４を用いてインナリード２ｂと配線バッド
３とを接続し、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂５で封
止する。更に、アウタリード２Ｃに対し、半田等の端子
処理及び曲げ加工を施すことによって製品を得る。
れた後、共晶又は接着材等により半導体素子搭載部（以
下、ダイパッドという）２ａに固着される。続いて、金
線等のワイヤ４を用いてインナリード２ｂと配線バッド
３とを接続し、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂５で封
止する。更に、アウタリード２Ｃに対し、半田等の端子
処理及び曲げ加工を施すことによって製品を得る。
この樹脂封止型半導体装置の特徴として、ダイパッド２
ａの下に穴（以下、ベントホールという）６が設けられ
ていることが挙げられる。このようなベントホールが設
けられる理由について、以下に説明する。
ａの下に穴（以下、ベントホールという）６が設けられ
ていることが挙げられる。このようなベントホールが設
けられる理由について、以下に説明する。
先に述べたように、この樹脂封止型半導体装置は、エポ
キシ系樹脂等の熱硬化性樹脂５を用いて構成されている
。この樹脂５は水分を吸収する性質を持っていることか
ら、この樹脂５で封止された半導体装置は、室内に保管
されているだけで徐々に吸湿するということは周知の事
実である。ここで吸収された水分は、熱硬化性樹脂５と
金属であるグイバンド２ａやインナリード２ｂの界面に
蓄積される。このような状態の下でこの樹脂封止型半導
体装置を基板上に半田付けすると、上記吸収された水分
が半田の熱によって蒸気化し、急激に膨張する。この時
、その装置に水分を逃がす構造がないと、水分の急、激
な膨張により、その装置の樹脂部分が膨れ、最悪の場合
、クランク（亀裂）が生じたり配線ワイヤが断線する等
、装置自体の信顧性上の問題がある。
キシ系樹脂等の熱硬化性樹脂５を用いて構成されている
。この樹脂５は水分を吸収する性質を持っていることか
ら、この樹脂５で封止された半導体装置は、室内に保管
されているだけで徐々に吸湿するということは周知の事
実である。ここで吸収された水分は、熱硬化性樹脂５と
金属であるグイバンド２ａやインナリード２ｂの界面に
蓄積される。このような状態の下でこの樹脂封止型半導
体装置を基板上に半田付けすると、上記吸収された水分
が半田の熱によって蒸気化し、急激に膨張する。この時
、その装置に水分を逃がす構造がないと、水分の急、激
な膨張により、その装置の樹脂部分が膨れ、最悪の場合
、クランク（亀裂）が生じたり配線ワイヤが断線する等
、装置自体の信顧性上の問題がある。
この問題を解決するために設けられたのが、ベントホー
ルである。このようにベントホールを設けることにより
、樹脂封止型半導体装置の半田付けの際に生じる水分の
急激な膨張を逃がし、上記クラックや断線をなくすこと
ができ、装置の信顧性を向上させることができる。
ルである。このようにベントホールを設けることにより
、樹脂封止型半導体装置の半田付けの際に生じる水分の
急激な膨張を逃がし、上記クラックや断線をなくすこと
ができ、装置の信顧性を向上させることができる。
第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂成形金型の
断面図である。
断面図である。
この樹脂成形金型は、上金型１０と下金型１１とで構成
されており、下金型１１にはベントホールを形成するた
めのベントホールピン１２が設けられている。そこで、
半導体素子１を固着して配線を完了した状態のリードフ
レーム２（第２図参照）を、上記上金型１０と下金型１
１とで挟み込み、一定の温度・圧力の下で熱硬化性樹脂
を流し込むことにより、第２図に示すような構造の樹脂
封止型半導体装置を得る。なお、第２図において、ゲー
トは省略されている。
されており、下金型１１にはベントホールを形成するた
めのベントホールピン１２が設けられている。そこで、
半導体素子１を固着して配線を完了した状態のリードフ
レーム２（第２図参照）を、上記上金型１０と下金型１
１とで挟み込み、一定の温度・圧力の下で熱硬化性樹脂
を流し込むことにより、第２図に示すような構造の樹脂
封止型半導体装置を得る。なお、第２図において、ゲー
トは省略されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記した樹脂成形金型によって樹脂封止
成形された半導体装置においては、第４図に示すように
、成形する際の圧力のバラツキや熱硬化性樹脂５の流れ
によって、ダイパッド２ａが浮き上がったり、ベントホ
ールピン１２（第３図参照）の摩耗によって、グイパッ
ド２ａとベントホールピン１２の間に隙間が生し、そこ
に熱硬化性樹脂５が回り込むことにより、ダイパッド２
ａの下部があたかも薄膜７で覆われているようになって
しまうことがある。これが原因で、上記ベントホールが
本来の機能を発揮できず、半田付けの熱による樹脂部分
の膨れ、クランク、断線などを防止することができず、
樹脂封止型半導体装置の信鯨性上問題があづた。
成形された半導体装置においては、第４図に示すように
、成形する際の圧力のバラツキや熱硬化性樹脂５の流れ
によって、ダイパッド２ａが浮き上がったり、ベントホ
ールピン１２（第３図参照）の摩耗によって、グイパッ
ド２ａとベントホールピン１２の間に隙間が生し、そこ
に熱硬化性樹脂５が回り込むことにより、ダイパッド２
ａの下部があたかも薄膜７で覆われているようになって
しまうことがある。これが原因で、上記ベントホールが
本来の機能を発揮できず、半田付けの熱による樹脂部分
の膨れ、クランク、断線などを防止することができず、
樹脂封止型半導体装置の信鯨性上問題があづた。
本発明は、上記したベントホールが設けられた樹脂封止
型半導体装置において、樹脂成形する際にベントホール
部分へ樹脂が回り込み、樹脂バリが発生することにより
、ベントホール本来の機能が発揮できないという問題点
を除去し、品質の優れた信幀性の高い樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
型半導体装置において、樹脂成形する際にベントホール
部分へ樹脂が回り込み、樹脂バリが発生することにより
、ベントホール本来の機能が発揮できないという問題点
を除去し、品質の優れた信幀性の高い樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子を固
着するダイバッドの下方にベントホールを具備する樹脂
封止型半導体装置の製造方法において、樹脂成形金型の
ベントホールピンにバキューム孔を設け、成形する際に
ダイパッドを吸引し、該ダイパッドと前記ベントホール
ピンとを密着させ、該ベントホール部分に前記ダイパッ
ドが完全に露出するようにしたものである。
着するダイバッドの下方にベントホールを具備する樹脂
封止型半導体装置の製造方法において、樹脂成形金型の
ベントホールピンにバキューム孔を設け、成形する際に
ダイパッドを吸引し、該ダイパッドと前記ベントホール
ピンとを密着させ、該ベントホール部分に前記ダイパッ
ドが完全に露出するようにしたものである。
また、半導体素子を固着するダイパッドの下方にベント
ホールを具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、グイバンドのベントホール側にベントホールの大
きさよりやや小さな、封止樹脂と著しく密着性の悪い材
質からなるテープを接着し、ベントホール部分への樹脂
のまわり込みによる樹脂バリを最小限に抑え、ベントホ
ールにグイパッドが露出するようにしたものである。
ホールを具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、グイバンドのベントホール側にベントホールの大
きさよりやや小さな、封止樹脂と著しく密着性の悪い材
質からなるテープを接着し、ベントホール部分への樹脂
のまわり込みによる樹脂バリを最小限に抑え、ベントホ
ールにグイパッドが露出するようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記したように、ベントホールが設け
られた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、樹脂
成形の際に使用する金型のベントホールピンにバキュー
ム孔を設け、成形時にそのバキューム孔からダイバッド
を吸引することにより、樹脂の流れによるグイバンドの
浮き上がりをなくし、ベントホールピンの摩耗によるダ
イパッドとベントホールピン間との隙間の発生を防止し
、ベントホールが常時その役割を充分に果たせるように
したものである。
られた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、樹脂
成形の際に使用する金型のベントホールピンにバキュー
ム孔を設け、成形時にそのバキューム孔からダイバッド
を吸引することにより、樹脂の流れによるグイバンドの
浮き上がりをなくし、ベントホールピンの摩耗によるダ
イパッドとベントホールピン間との隙間の発生を防止し
、ベントホールが常時その役割を充分に果たせるように
したものである。
また、ダイパッドのベントホール側にベントホールの大
きさよりやや小さな、封止樹脂と著しく密着性の悪い材
質からなるテープを接着し、ベントホール部分への樹脂
のまわり込みによる樹脂／ｓｌりを最小限に抑え、ベン
トホールにダイバ・ンドが露出するようにしたので、ベ
ントホールの効果を十分発揮できるようになる。即ち、
封止樹脂が水分を吸湿し、基板に半田付けされる際に、
水蒸気化し、急激に膨張することによる樹脂部分の膨れ
、クランクや断線等の信頼性上の問題点を除去し、半田
耐熱性の向上を図ることができる。
きさよりやや小さな、封止樹脂と著しく密着性の悪い材
質からなるテープを接着し、ベントホール部分への樹脂
のまわり込みによる樹脂／ｓｌりを最小限に抑え、ベン
トホールにダイバ・ンドが露出するようにしたので、ベ
ントホールの効果を十分発揮できるようになる。即ち、
封止樹脂が水分を吸湿し、基板に半田付けされる際に、
水蒸気化し、急激に膨張することによる樹脂部分の膨れ
、クランクや断線等の信頼性上の問題点を除去し、半田
耐熱性の向上を図ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の製造工程図である。
置の製造工程図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、上金型２０、及びバ
キューム孔２３が形成されたベントホールピン２２を有
する下金型２１を用意する。ここでは、ゲートは省略さ
れている。
キューム孔２３が形成されたベントホールピン２２を有
する下金型２１を用意する。ここでは、ゲートは省略さ
れている。
次に、第１図（ｂ）に示すように、半導体素子３１をダ
イパッド３２ａ上に固着し、金線等のワイヤ３４を用い
てリードフレーム３２と配線バッド３３とを接続する。
イパッド３２ａ上に固着し、金線等のワイヤ３４を用い
てリードフレーム３２と配線バッド３３とを接続する。
このように、配線されたリードフレーム３２を成形金型
の上金型２０と下金型２１とで挟み込み、一定の温度・
圧力の下で、ゲート２４から熱硬化型の封止樹脂３５を
流し込む、この時、ベントホールピン２２に設けられた
バキューム孔２３によりダイパッド３２ａは吸引されて
いるため、ダイパッド３２ａとベントホールピン２２の
先端とは、封止樹脂３５の流れ３６の影響を受けること
なく密着している。
の上金型２０と下金型２１とで挟み込み、一定の温度・
圧力の下で、ゲート２４から熱硬化型の封止樹脂３５を
流し込む、この時、ベントホールピン２２に設けられた
バキューム孔２３によりダイパッド３２ａは吸引されて
いるため、ダイパッド３２ａとベントホールピン２２の
先端とは、封止樹脂３５の流れ３６の影響を受けること
なく密着している。
従って、ベントホール部分に封止樹脂３５が回り込むこ
とはなく、第１図（ｃ）に示すように、グイパッド３２
ａをベントホール３６部分に完全に露出させることがで
きる。
とはなく、第１図（ｃ）に示すように、グイパッド３２
ａをベントホール３６部分に完全に露出させることがで
きる。
第５図は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の製造工程図、第６図はその樹脂封止型半導体装置の
ベント部分の平面図である。
置の製造工程図、第６図はその樹脂封止型半導体装置の
ベント部分の平面図である。
まず、第５図（ａ）に示すように、上金型２０、ベント
ホールピン４０を有する下金型２１を用意する。
ホールピン４０を有する下金型２１を用意する。
ここでは、ゲートは省略されている。
次に、第５図（ｂ）に示すように、リードフレーム３２
のダイパッド３２ａの下方、つまり、素子搭載と逆側（
ベントホール側）に、封止樹脂（エポキシ系樹脂等の熱
硬化性樹脂）と密着性の著しく悪い材質からなる、ある
程度の厚みを持ったテープ４１を接着する。このテープ
４１の大きさは、ベントホールの大きさより、やや小さ
くなるように構成されている。そして、このリードフレ
ームのグイパッド３２ａに半導体素子３１が搭載され、
該半導体素子３１とリードフレーム３２のインナリード
とはワイヤ３４により接続される。そして、ベントホー
ルピン４０は、テープ４１に当接する。そこで、一定の
温度・圧力の下で、ゲート２４から熱硬化型の封止樹脂
３５を流し込む。
のダイパッド３２ａの下方、つまり、素子搭載と逆側（
ベントホール側）に、封止樹脂（エポキシ系樹脂等の熱
硬化性樹脂）と密着性の著しく悪い材質からなる、ある
程度の厚みを持ったテープ４１を接着する。このテープ
４１の大きさは、ベントホールの大きさより、やや小さ
くなるように構成されている。そして、このリードフレ
ームのグイパッド３２ａに半導体素子３１が搭載され、
該半導体素子３１とリードフレーム３２のインナリード
とはワイヤ３４により接続される。そして、ベントホー
ルピン４０は、テープ４１に当接する。そこで、一定の
温度・圧力の下で、ゲート２４から熱硬化型の封止樹脂
３５を流し込む。
すると、第６図に示すように、封止樹脂の流れにより、
ベントホールに樹脂の回り込みによる樹脂バリ４２が発
生するが、テープ４１が防波堤の役割を果たしベントホ
ールにはダイパッドが完全に露出されることになり、ベ
ントホールの効果を十分発揮できるようになる。
ベントホールに樹脂の回り込みによる樹脂バリ４２が発
生するが、テープ４１が防波堤の役割を果たしベントホ
ールにはダイパッドが完全に露出されることになり、ベ
ントホールの効果を十分発揮できるようになる。
従って、封止樹脂３５がベントホール部分に回り込むこ
とはなく、第５図（ｃ）に示すように、ダイパッド３２
ａをベントホール３６の部分に完全に露出させることが
できる。
とはなく、第５図（ｃ）に示すように、ダイパッド３２
ａをベントホール３６の部分に完全に露出させることが
できる。
なお、テープ４１は樹脂流れの防波堤となるために、あ
る程度十分な厚み（例えば、５０μｍ以上）をもってい
なくてはならない、また、テープ４１とダイパッド３２
ａの接着には、接着剤が使用されるが、この密着性が悪
い場合、封止樹脂がテープ４１とダイパッド３２ａの隙
間に充填される恐れがあるため、ダイパッド３２ａとテ
ープ４１の両方と密着性の良好な接着剤の採用が望まし
い、但し、密着性が悪い接着剤を使用しても樹脂の回り
込みは最小限に阻止することは、十分可能であり、更に
、テープを成形後、剥がすようにすると、ベントホール
の効果をより発揮できる。
る程度十分な厚み（例えば、５０μｍ以上）をもってい
なくてはならない、また、テープ４１とダイパッド３２
ａの接着には、接着剤が使用されるが、この密着性が悪
い場合、封止樹脂がテープ４１とダイパッド３２ａの隙
間に充填される恐れがあるため、ダイパッド３２ａとテ
ープ４１の両方と密着性の良好な接着剤の採用が望まし
い、但し、密着性が悪い接着剤を使用しても樹脂の回り
込みは最小限に阻止することは、十分可能であり、更に
、テープを成形後、剥がすようにすると、ベントホール
の効果をより発揮できる。
第７図は本発明の第３実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の製造工程図、第８図はその樹脂封止型半導体装置の
ベント部分の平面図である。
置の製造工程図、第８図はその樹脂封止型半導体装置の
ベント部分の平面図である。
この実施例においては、前記実施例と同様に、テープ４
３が樹脂流れの防波堤の役割を果たすが、そのテープ４
３には中央に穴４４を形成するようにしている。
３が樹脂流れの防波堤の役割を果たすが、そのテープ４
３には中央に穴４４を形成するようにしている。
このように構成したので、ダイパッド３２ａとテープ４
３を接着する接着剤が密着性が悪い場合でも、穴４４が
ベントホールの機能を発揮する。
３を接着する接着剤が密着性が悪い場合でも、穴４４が
ベントホールの機能を発揮する。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
（１）ベントホールピンにバキューム孔を設けることに
より、樹脂成形する際にグイバンドを吸引し、ダイパッ
ドとベントホールピンとの間の隙間をなくすようにした
ので、ベントホール部分への樹脂の回り込みがなくなり
、グイパッドが完全に露出するため、ベントホールの効
果を充分に発揮することができる。即ち、封止樹脂が水
分を吸収し、基板に半田付けされる際に、その熱によっ
て水分が蒸気化し、急激に膨張することにより発生する
樹脂部分の膨れ、クラック、断線などを防止することが
できる。
より、樹脂成形する際にグイバンドを吸引し、ダイパッ
ドとベントホールピンとの間の隙間をなくすようにした
ので、ベントホール部分への樹脂の回り込みがなくなり
、グイパッドが完全に露出するため、ベントホールの効
果を充分に発揮することができる。即ち、封止樹脂が水
分を吸収し、基板に半田付けされる際に、その熱によっ
て水分が蒸気化し、急激に膨張することにより発生する
樹脂部分の膨れ、クラック、断線などを防止することが
できる。
（２）リードフレームのダイパッドの下方に、ベントホ
ールの大きさよりやや小さな、封止樹脂との著しく密着
性の悪い材質で構成され、ある程度の厚みをもったテー
プを接着することにより、樹脂成形の際に発生するベン
トホール部分への樹脂の回り込みによる樹脂バリを最小
限に抑え、ベントホール部分にグイパッドが露出するた
め、ベントホールの効果を十分発揮することができる。
ールの大きさよりやや小さな、封止樹脂との著しく密着
性の悪い材質で構成され、ある程度の厚みをもったテー
プを接着することにより、樹脂成形の際に発生するベン
トホール部分への樹脂の回り込みによる樹脂バリを最小
限に抑え、ベントホール部分にグイパッドが露出するた
め、ベントホールの効果を十分発揮することができる。
従って、半田耐熱性の向上、更には、樹脂封止型半導体
装置自体の信顧性の向上を図ることができる。
装置自体の信顧性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の製造工程図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置
の断面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂
成形金型の断面図、第４図は従来技術の問題点説明図、
第５図は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の製造工程図、第６図はその樹脂封止型半導体装置の
ベント部分の平面図、第７図は本発明の第３実施例を示
す樹脂封止型半導体装置の製造工程図、第８図はその樹
脂封止型半導体装置のベント部分の平面図である。 ２０・・・上金型、２１・・・下金型、２２．４０・・
・ベントホールピン、２３・・・バキューム孔、２４・
・・ゲート、３１・・・半導体素子、３２・・・リード
フレーム、３２ａ・・・ダイパッド、３４・・・ワイヤ
、３５・・・封止樹脂、３６・・・ベントホール、４１
．４３・・・テープ、４２・・・樹脂バリ、４４・・・
穴。
置の製造工程図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置
の断面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂
成形金型の断面図、第４図は従来技術の問題点説明図、
第５図は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の製造工程図、第６図はその樹脂封止型半導体装置の
ベント部分の平面図、第７図は本発明の第３実施例を示
す樹脂封止型半導体装置の製造工程図、第８図はその樹
脂封止型半導体装置のベント部分の平面図である。 ２０・・・上金型、２１・・・下金型、２２．４０・・
・ベントホールピン、２３・・・バキューム孔、２４・
・・ゲート、３１・・・半導体素子、３２・・・リード
フレーム、３２ａ・・・ダイパッド、３４・・・ワイヤ
、３５・・・封止樹脂、３６・・・ベントホール、４１
．４３・・・テープ、４２・・・樹脂バリ、４４・・・
穴。
Claims (3)
- （１）半導体素子を固着するダイパッドの下方にベント
ホールを具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、 樹脂成形金型のベントホールピンにバキューム孔を設け
、成形する際にダイパッドを吸引し、該ダイパッドと前
記ベントホールピンとを密着させ、該べントホール部分
に前記ダイパッドが完全に露出するようにしたことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）半導体素子を固着するダイパッドの下方にベント
ホールを具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、 ダイパッドのベントホール側にベントホールの大きさよ
りやや小さな、封止樹脂と著しく密着性の悪い材質から
なるテープを接着し、べントホール部分への樹脂のまわ
り込みによる樹脂バリを最小限に抑え、ベントホールに
ダイパッドが露出するようにしたことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法。 - （３）請求項２記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、前記テープの中心部に穴を形成してなること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23295989 | 1989-09-11 | ||
| JP1-232959 | 1989-09-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03204945A true JPH03204945A (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=16947552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2026118A Pending JPH03204945A (ja) | 1989-09-11 | 1990-02-07 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03204945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049166B2 (en) * | 2000-08-17 | 2006-05-23 | Authentec, Inc. | Methods and apparatus for making integrated circuit package including opening exposing portion of the IC |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2026118A patent/JPH03204945A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049166B2 (en) * | 2000-08-17 | 2006-05-23 | Authentec, Inc. | Methods and apparatus for making integrated circuit package including opening exposing portion of the IC |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2531382B2 (ja) | ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3710633B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US7589404B2 (en) | Semiconductor device | |
| TWI421998B (zh) | Semiconductor device, lead frame and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH11260985A (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| US5715593A (en) | Method of making plastic-packaged semiconductor integrated circuit | |
| JPH09199637A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0794553A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05267555A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレームおよびその製造方法 | |
| TWI274406B (en) | Dual gauge leadframe | |
| JP3633364B2 (ja) | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 | |
| WO1999049512A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe | |
| JPH03204945A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3716101B2 (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 | |
| JP3682468B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH06132442A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002016193A (ja) | パッケージ型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08236560A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP2755719B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2003324177A (ja) | リードフレームの製造方法および半導体装置 | |
| JP2005223352A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100308899B1 (ko) | 반도체패키지및그제조방법 | |
| JPH10223700A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08288324A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100379085B1 (ko) | 반도체장치의봉지방법 |