JPH03201522A - 電解コンデンサ用電極箔の製造方法および電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用電極箔の製造方法および電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH03201522A JPH03201522A JP1342200A JP34220089A JPH03201522A JP H03201522 A JPH03201522 A JP H03201522A JP 1342200 A JP1342200 A JP 1342200A JP 34220089 A JP34220089 A JP 34220089A JP H03201522 A JPH03201522 A JP H03201522A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は電解コンデンサおよびこれに用いる電極箔およ
びその処理方法に関する。
びその処理方法に関する。
(従来の技術)
電解コンデンサ用電極箔は陽極箔と陰極箔とから威る。
一般に陽極箔はアルミニウム箔を電気化学的あるいは化
学的に表面を粗面化した後、電解液中に浸漬して陽極酸
化し、箔表面に誘電体となる酸化アル逅ニウムを形成し
たものが用いられる。
学的に表面を粗面化した後、電解液中に浸漬して陽極酸
化し、箔表面に誘電体となる酸化アル逅ニウムを形成し
たものが用いられる。
また、陰極箔は、アルミニウム箔を電気化学的あるいは
化学的に表面を粗面化した後、表面の水和防止処理等を
して形成される。
化学的に表面を粗面化した後、表面の水和防止処理等を
して形成される。
電解コンデンサは前記陽極箔と陰極箔とをセパレータを
挟んで巻回し、電解液を含浸した後、アルミニウム等の
金属ケースに密封して構成される。
挟んで巻回し、電解液を含浸した後、アルミニウム等の
金属ケースに密封して構成される。
(発明が解決しようとする課題)
電解コンデンサの主な特性のうちの一つに高温での寿命
試験における静電容量変化率がある。これは、85℃と
か105℃とかいう高温雰囲気中で負荷試験または無負
荷試験といった寿命試験を実施した際の試験前後の容量
変化を示す特性である。
試験における静電容量変化率がある。これは、85℃と
か105℃とかいう高温雰囲気中で負荷試験または無負
荷試験といった寿命試験を実施した際の試験前後の容量
変化を示す特性である。
近来は、電解コンデンサの小型化に伴って使用される電
極箔もエツチング倍率が高倍率のものになりつつある。
極箔もエツチング倍率が高倍率のものになりつつある。
電極箔のエツチング倍率が高倍率になると箔表面のエツ
チング構造が微細になり実効表面積が増大するので、空
気や駆動用電解液といった環境において酸化されやすく
なる。
チング構造が微細になり実効表面積が増大するので、空
気や駆動用電解液といった環境において酸化されやすく
なる。
特に、陰極箔は自然酸化皮膜程度の薄い皮膜が表面上に
存在するだけなので、放置により容量減少を起こしやす
かった。
存在するだけなので、放置により容量減少を起こしやす
かった。
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、容
量減少を抑制して高温寿命特性の安定した電解コンデン
サを提供することを目的とする。
量減少を抑制して高温寿命特性の安定した電解コンデン
サを提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記目的による本発明では、陽極箔または陰極箔の箔表
面にシランカップリング剤を付着させたことを特徴とす
る。
面にシランカップリング剤を付着させたことを特徴とす
る。
電極箔の処理方法としては、シランカップリング剤を純
水に溶解した水溶液中に電極箔を浸漬した後、熱処理す
ることを特徴とする。この水溶液の濃度は1重量%以上
が好ましい。また熱処理温度は100″C以上であるこ
とが望ましい。
水に溶解した水溶液中に電極箔を浸漬した後、熱処理す
ることを特徴とする。この水溶液の濃度は1重量%以上
が好ましい。また熱処理温度は100″C以上であるこ
とが望ましい。
本発明に利用できるシランカップリング剤としては、ビ
ニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン(信越化学
工業■KBC−1003)、ビニルトリエトキシシラン
(同KBE−1003)、ビニルトリメトキシシラン(
同KBM−1003)、γ−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン(同KBM−503)、β−(3,4
エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(
同KBM−303)、γ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシラン(IiKBM−403)、γ−グリシドキ
シプロビルメチルジェトキシシラン(同KBM−402
)、N−β(ア〔ノエチル)γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン(同KBM−603)、N−β(アごノエ
チル)γ−アくノプロピルメチルジメトキシシラン(同
KBM602)、γ−アξノプロピルトリエトキシシラ
ン(同KBE 903)、N 7xニル 7 7ご
ノプロピルトリメトキシシラン(同KBM−573)、
γ〜メチルカプトプロピルトリメトキシシラン(同KB
M−803)等がある。この中で水への溶解性および水
溶液の保存安定性を考慮するとγ−グリシドキシプロビ
ルトリメトキシシランおよびN−β(アミノエチル)γ
−アミノプロピルトリメトキシシランが特に好適である
。
ニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン(信越化学
工業■KBC−1003)、ビニルトリエトキシシラン
(同KBE−1003)、ビニルトリメトキシシラン(
同KBM−1003)、γ−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン(同KBM−503)、β−(3,4
エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(
同KBM−303)、γ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシラン(IiKBM−403)、γ−グリシドキ
シプロビルメチルジェトキシシラン(同KBM−402
)、N−β(ア〔ノエチル)γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン(同KBM−603)、N−β(アごノエ
チル)γ−アくノプロピルメチルジメトキシシラン(同
KBM602)、γ−アξノプロピルトリエトキシシラ
ン(同KBE 903)、N 7xニル 7 7ご
ノプロピルトリメトキシシラン(同KBM−573)、
γ〜メチルカプトプロピルトリメトキシシラン(同KB
M−803)等がある。この中で水への溶解性および水
溶液の保存安定性を考慮するとγ−グリシドキシプロビ
ルトリメトキシシランおよびN−β(アミノエチル)γ
−アミノプロピルトリメトキシシランが特に好適である
。
(作用)
一般にシランカップリング剤はR−5i (OR’ )
3で表されるが、水に溶解すると加水分解を起こしてR
−5i (OB)sに変わる。一方、電極箔表面は陽極
酸化してない陰極箔でも自然酸化皮膜が形成されており
、アルミニウム酸化物はA f zOs・nLOで表さ
れる。電極箔をシランカップリング剤で処理するとカッ
プリング剤の一〇〇とアルミニウム酸化物の−OHとが
反応し、脱水して となり、これをさらに熱処理することによってに代わり
、箔表面に薄い皮膜を形成する。
3で表されるが、水に溶解すると加水分解を起こしてR
−5i (OB)sに変わる。一方、電極箔表面は陽極
酸化してない陰極箔でも自然酸化皮膜が形成されており
、アルミニウム酸化物はA f zOs・nLOで表さ
れる。電極箔をシランカップリング剤で処理するとカッ
プリング剤の一〇〇とアルミニウム酸化物の−OHとが
反応し、脱水して となり、これをさらに熱処理することによってに代わり
、箔表面に薄い皮膜を形成する。
このケイ素化合物皮膜が、箔表面の水和反応を抑制する
ため容量減少が抑えられるものと考えられる。
ため容量減少が抑えられるものと考えられる。
(実施例)
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
〔実施例1〕
市販の50μm厚陰極用エツチド箔を用い、γ−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシランの5重量%水溶液に
25℃で1分間浸漬した後、400℃30秒の熱処理を
行った。次にこの陰極箔をやはり市販の90μm厚6.
3Wv用陽極箔とをセパレータを挟んで巻回し、エチレ
ングリコール−純水−アジビン酸アンモニウム系の電解
液を含浸して6.3V3300μFのコンデンサを作製
した。
ドキシプロビルトリメトキシシランの5重量%水溶液に
25℃で1分間浸漬した後、400℃30秒の熱処理を
行った。次にこの陰極箔をやはり市販の90μm厚6.
3Wv用陽極箔とをセパレータを挟んで巻回し、エチレ
ングリコール−純水−アジビン酸アンモニウム系の電解
液を含浸して6.3V3300μFのコンデンサを作製
した。
〔実施例2〕
市販の50μm厚陰極用エツチド箔を用い、N−ベータ
(アミノエチル)T−アごノプロビルトリメトキシシラ
ンの3重量%水溶液に50″Cで1分間浸漬した後、2
50℃1分間の熱処理を(〒った。次に実施例1と同様
にして6.3V3300μFのコンデンサを作製した。
(アミノエチル)T−アごノプロビルトリメトキシシラ
ンの3重量%水溶液に50″Cで1分間浸漬した後、2
50℃1分間の熱処理を(〒った。次に実施例1と同様
にして6.3V3300μFのコンデンサを作製した。
市販の50μm厚陰極用エツチド箔をそのまま用いて実
施例1.2と同様に6.3V3300μFのコンデンサ
を作製した。
施例1.2と同様に6.3V3300μFのコンデンサ
を作製した。
作製した6、3V3300tIFのコンデンサについて
105℃100O時間の負荷および無負荷試験を実施し
た結果を第1表に示した。また、第1図には試験中の容
量変化の経過を示した。従来例に比較して本発明による
実施例1および2は容量減少が少なく顕著な効果を奏し
た。
105℃100O時間の負荷および無負荷試験を実施し
た結果を第1表に示した。また、第1図には試験中の容
量変化の経過を示した。従来例に比較して本発明による
実施例1および2は容量減少が少なく顕著な効果を奏し
た。
第2図は実施例1および2において処理するシランカッ
プリング剤水溶液の濃度を変化させた場合のコンデンサ
の容量変化を示す図である。第2図より明らかなように
濃度が1%以上において効果が表れることがわかった。
プリング剤水溶液の濃度を変化させた場合のコンデンサ
の容量変化を示す図である。第2図より明らかなように
濃度が1%以上において効果が表れることがわかった。
なお、シランカップリング剤水溶液による処理温度は実
施例1に示したように常温でももちろん効果を得ること
ができるが、加水分解を促進するためには処理温度は高
いほうが有効である。従って、水溶液の沸点までの処理
温度が利用できるが、連続処理の効率を考慮すると90
℃以下が特に好ましい。
施例1に示したように常温でももちろん効果を得ること
ができるが、加水分解を促進するためには処理温度は高
いほうが有効である。従って、水溶液の沸点までの処理
温度が利用できるが、連続処理の効率を考慮すると90
℃以下が特に好ましい。
また、熱処理はシランカップリング剤の分子同士が結合
するために必要であり、そのための温度は100℃以上
が好適である。
するために必要であり、そのための温度は100℃以上
が好適である。
さらに、本発明の実施例においては陰極箔の処理のみに
ついて述べたが使用する電解液の系によっては陽極箔の
容量減少が問題となることもあり、その場合には陽極箔
に処理を行っても同様の効果を得ることができる。
ついて述べたが使用する電解液の系によっては陽極箔の
容量減少が問題となることもあり、その場合には陽極箔
に処理を行っても同様の効果を得ることができる。
(効果)
以上述べたように、本発明によれば容量減少の少ない電
解コンデンサを得ることができるので、長寿命化、高信
頼性化に大いに寄与できる。
解コンデンサを得ることができるので、長寿命化、高信
頼性化に大いに寄与できる。
第1図は本発明の実施例と従来例についてコンデンサ試
験における容量変化を示す図、第2図は本発明実施例の
処理液濃度を変化させた場合の効果を示す図である。 O 第 図 1つ00 00 二〇c。 第 図 濃 度(%) 5 濃度(%)
験における容量変化を示す図、第2図は本発明実施例の
処理液濃度を変化させた場合の効果を示す図である。 O 第 図 1つ00 00 二〇c。 第 図 濃 度(%) 5 濃度(%)
Claims (5)
- 1.陽極箔または陰極箔の箔表面にシランカップリング
剤を付着させたことを特徴とする電解コンデンサ。 - 2.電解コンデンサに使用される陽極箔または陰極箔に
おいて、箔表面にシランカップリング剤を付着させたこ
とを特徴とする電解コンデンサ用電極箔。 - 3.シランカップリング剤を純水に溶解した水溶液中に
電極箔を浸漬した後、熱処理することを特徴とする電解
コンデンサ用電極箔の処理方法。 - 4.前記シランカップリング剤水溶液の濃度が1重量%
以上であることを特徴とする請求項3記載の電解コンデ
ンサ用電極箔の処理方法。 - 5.前記熱処理温度は100℃以上であることを特徴と
する請求項3または4記載の電解コンデンサ用電極箔の
処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1342200A JPH0770446B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法および電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1342200A JPH0770446B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法および電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03201522A true JPH03201522A (ja) | 1991-09-03 |
JPH0770446B2 JPH0770446B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=18351895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1342200A Expired - Lifetime JPH0770446B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法および電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770446B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002057067A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Nippon Chemicon Corp | アルミ電解コンデンサ |
JP2002057071A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Nippon Chemicon Corp | アルミ電解コンデンサ |
JP2002057068A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Nippon Chemicon Corp | アルミ電解コンデンサ |
JP2002057074A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Nippon Chemicon Corp | アルミ電解コンデンサ |
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JP2002057072A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Nippon Chemicon Corp | アルミ電解コンデンサ |
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JP2002100538A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Nippon Chemicon Corp | アルミ電解コンデンサ |
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JP4569728B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2010-10-27 | 日本ケミコン株式会社 | アルミ電解コンデンサ |
JP2011054991A (ja) * | 2010-11-11 | 2011-03-17 | Nippon Chemicon Corp | アルミ電解コンデンサ |
CN109461586A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-03-12 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种降低铝电解电容器用低压电极箔漏电流的制备方法 |
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-
1989
- 1989-12-28 JP JP1342200A patent/JPH0770446B2/ja not_active Expired - Lifetime
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