JPH03192361A - パタン形成材料 - Google Patents

パタン形成材料

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JPH03192361A
JPH03192361A JP1331345A JP33134589A JPH03192361A JP H03192361 A JPH03192361 A JP H03192361A JP 1331345 A JP1331345 A JP 1331345A JP 33134589 A JP33134589 A JP 33134589A JP H03192361 A JPH03192361 A JP H03192361A
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JP
Japan
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acid
forming material
hydroxyl groups
ester
phenolic hydroxyl
Prior art date
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Pending
Application number
JP1331345A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Shiraishi
洋 白石
Takumi Ueno
巧 上野
Nobuaki Hayashi
伸明 林
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Hitachi Ltd
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野1 本発明は、半導体装置等の微細加工に用いられる微細パ
タン形成材料に係り、特に、紫外線、遠紫外線、X線、
電子線等の放射線のパタン状照射によりパタン潜像形成
部に酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって
、当該照射部と未照射部のアルカリ水溶液に対する溶解
性を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とする工程によ
りパタンを現出させるパタン形成材料に関する。
【従来の技術] 従来、紫外線等、活性化学線のパタン状照射によりパタ
ン潜像形成部に酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反
応によって、当該照射部と未照射部の現像液に対する溶
解性を変化させ、現像工程によりパタンを現出させるパ
タン形成材料、及びそれを用いたパタン形成方法に関し
ては、米国特許第3779778号、特公昭62−39
420、特公昭62−39421、特開昭59−454
39、特開昭62−164045等に記載の組成物等が
知られている。これらは、酸触媒下で反応性の高い媒体
と活性化学線の照射で酸を生成する酸前駆体とを含む。
この酸前駆体としては、上記従来技術によれば、各種ジ
アゾニウム塩、各種ハロゲン化物、各種オニウム塩、な
どが知られていた。
しかし、一般にジアゾニウム塩は、安定に使用できる条
件が限られており、実用的なパタン形成材料の酸前駆体
組成として使用するには、その安定性に問題がある。
また、各種ハロゲン化合物は、工業的に多量に用いる場
合には、環境汚染に対する考慮が必要であるので、工業
的に使用するパタン形成材料の酸前駆体として用いるに
は、不利である。
さらに、半導体工業における微細パタン形成に使用され
るパタン形成材料の現像液には、アルカリ水溶液がよく
用いられているが、上記従来技術の酸前駆体のひとつで
あるオニウム塩は、アルカリ水溶液に対する溶解阻害効
果が大きく、特に、アルカリ水溶液現像によってポジ型
のパタン形成を行なうのに制御が困難であるという問題
点がある。
[発明が解決しようとする課!!11 上記従来技術に用いられている酸前駆体は、安定で、環
境汚染の可能性の少ない、工業的に有利なアルカリ水溶
液現像に対する配慮がなされたものではなかった。これ
を解決するために、特願平1−66281によれば、フ
ェノール性水酸基を2個以上有する化合物とアルキルス
ルホン酸とのエステルからなる酸前駆体が用いられた。
本発明の目的は、上記従来技術に用いられている酸前駆
体の問題点を克服し、フェノール性水酸基を2個以上有
する化合物とアルキルスルホン酸とのエステルからなる
酸前駆体をさらに効果的に使用したパタン形成材料を提
供することに有る。
[課題を解決するための手段] 上記目的は、酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液
に対する溶解性を変化させる反応性を持った媒体と、フ
ェノール性水酸基を2個以上有する化合物とアルキルス
ルホン酸とのエステルからなる酸前駆体と保湿剤とを含
むパタン形成材料により達成される。
本発明のフェノール性水酸基を2個以上有する化合物と
アルキルスルホン酸とのエステルからなる酸前駆体化合
物の例としては、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノ
ン、ピロガロール、オキシヒドロキノン、フロログルシ
ン、トリヒドロベンゾフェノン、テトラヒドロベンゾフ
ェノン、没食子酸エステルなどのフェノール性水酸基と
アルキルスルホン酸とのエステルが上げられる。
上記アルキルスルホン酸のアルキル基としては、CnH
2n”工が一般的であり、中でもn=1〜4の範囲にあ
るものが効果的である。アルキル基中の水素の一部又は
全部をフッ素或は、塩素等の電気陰性度の大きなハロゲ
ンで置換したものも有効である。
本発明の酸前駆体に用いるアルキルスルホン酸エステル
はフェノール性水酸基を2個以上含む化合物の水酸基の
全てをエステルにする必要はな(。
水酸基を残してもよい。水酸基を残すことにより。
上記反応性媒体のアルカリ水溶液に対する溶解性を制御
することができる。
上記アルキルスルホン酸エステルからなる酸前駆体と合
わせて使用される保湿剤には、ペンタメチレングリコー
ル、テトラエチレングリコール等の界面活性剤やグリセ
リン等の多価アルコールが使用できる。
[作用1 本発明の特徴は、フェノール性水酸基を2個以上有する
化合物とアルキルスルホン酸とのエステルからなる酸前
駆体を保湿剤と合ねせて用いることにある。
フェノール性水酸基を2個以上有する化合物とアルキル
スルホン酸とのエステルからなる酸前駆体は、紫外線、
遠紫外線、X線、電子線等の活性化学線の照射により加
水分解反応を起こす。酸を触媒とする反応によりアルカ
リ水溶液に対する溶解性を変化させる反応性を持った媒
体中に、上記酸前駆体が存在し、かつ、少量の水分子が
実質的に存在すれば、上記加水分解反応は、容易に起こ
る。上記水分子の組成によって定まる平衡量は。
雰囲気中から供給される。組成中に保湿剤が存在すると
上記平衡はより含水量の大きい方に移り、上記加水分解
反応はより起こりやすくなる。従って、保湿剤を含有さ
せた系の感度は、それを含有させない系に比べて著しく
高感度にできる。
【実施例1 以下、本発明を実施例をもって、説明する。実施例では
、高分子溶解阻害剤を用いた水性アルカリ現像型のポジ
型レジストについて述べているが。
本発明は、これに限定されるものではなく、放射線誘起
加水分解反応によって酸を生成する酸前駆体を用いるパ
タン形成材料であれば、保湿剤を合わせて用いることに
より、感度を高めることが出きる。
(実施例1) m t P−クレゾールノボラック樹脂:90重量部、
テトラヒドロピラニル基によって側鎖の水酸基のほぼ1
00%を保護したポリ(p−ビニルフェノール)=10
重量部、酸前駆体として1,2.3−トリメチルスルホ
ニルオキシベンゼン:2.5重量部及び保湿剤としてペ
ンタメチレングリコール:5重量部を酢酸メチルセロソ
ルブに溶解して、固形分濃度的20重量パーセントの溶
液を調合した後、これを孔径0.2μ■のテフロンメン
ブレムフィルタを用いて濾過し、レジスト溶液を得た。
比較のために上記組成のうち保湿剤として加えたペンタ
メチレングリコールを除いてあとは同様にして比較試料
溶液を得た。
上記レジスト溶液及び比較試料溶液を回転塗布法でシリ
コン基板上に塗布し、100℃、10分間熱処理してそ
れぞれ0.8μmの厚さのレジスト膜及び比較試料膜を
得た6加速電圧30kVの電子線照射装置を用いて所定
照射量の電子線を当該試料基板及び比較試料基板上に照
射し、上記両基板を100”C110分間熱処理して該
潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる
反応を促進した。その後、水酸化テトラメチルアンモニ
ウム2.38重量パーセントを含む水溶液を現像液に1
00秒間浸漬し、照射部の残留膜厚を測定した。この残
留膜厚と電子線照射量の関係から電子線感度特性を求め
た。
第1図にこのようにして求めた本実施例の保湿剤を含む
系の電子線感度特性(曲線A)と比較のために保湿剤を
除いた系の電子線感度特性(曲線B)を示す。第1図に
示されるように、保湿剤を合わせ用いることで、それを
用いない従来例に比して、およそ5倍の高感度化がはか
られた。
本発明の保湿剤を合わせ用いたレジスト液を塗布した基
板に電子線描画装置を用いて、電子線を配線パタン状に
描画した。電子線の加速電圧は、30kV、照射量は、
l、8μC/cIfであった。電子線によって配線パタ
ンの潜像を形成したのち、上記基板を100℃、10分
間熱処理して該潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解
性を増加させる反応を促進した。上記の熱処理の後、水
酸化テトラメチルアンモニウム2.38重量パーセント
を含む水溶液を現像液に用いて潜像を形成したレジスト
を現像し、レジストパタンを得た。このとき、現像時間
は、100秒で、得られたポジ型レジストパタンは、断
面形状が良好なものであった。
(実施例2) 保湿剤としてペンタメチレングリコールに代えてテトラ
エチレングリコールを用いた以外、実施例1と同様にし
て作成したパタン形成材料は、前記の比較例よりおよそ
5倍高感度を有していた。
(実施例3) 保湿剤としてペンタメチレングリコールに代えてグリセ
リンを用いた以外は、実施例1と同様にしてパタン形成
材料を得た0本実施例においても、比較例よりおよそ5
倍高感度のレジストを得た。
上記実施例は、いずれも活性化学線に電子線を用いた方
法について述べたが、本発明は、これらに限定されるも
のではない。潜像形成にイオン線等の他の荷電粒子線、
あるいはX線、紫外線等を用いても、酸前駆体は電子線
照射の場合と同様に酸を生成し、前記各実施例と同様の
高感度化が達成された。
[発明の効果1 以上述べてきたように、本発明によるパタン形成材料を
用いることによって、従来技術の有していた課題を解消
して、高い効率でパタン形成が実現できたので、高集積
半導体装置を歩留まりよく、かつ、容易に得ることがで
きた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例になるポジ型レジスト及び比
較のため保湿剤を除いた従来例の電子線感度特性図であ
る。 符号の説明 A・・・保湿剤を含む系の電子線感度特性図5線シ4(
μC/c償り

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する
    溶解性を変化させる反応性を持った媒体と、フェノール
    性水酸基を2個以上有する化合物とアルキルスルホン酸
    とのエステルからなる酸前駆体と保湿剤とを含むことを
    特徴とするパタン形成材料。 2、酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する
    溶解性を変化させる反応性を持った媒体と、加水分解反
    応によってアルカリ親和性官能基を有する化合物と酸性
    化合物とを生成する化合物と保湿剤とを含むことを特徴
    とするパタン形成材料。 3、特許請求の範囲第1項または第2項記載のパタン形
    成材料であって、酸を触媒とする反応によりアルカリ水
    溶液に対する溶解性を変化させる反応性が溶解性を増加
    させる反応性であることを特徴とするパタン形成材料。 4、特許請求の範囲第1項または第2項記載のパタン形
    成材料であって、当該保湿剤が多価アルコールからなる
    ことを特徴とするパタン形成材料。
JP1331345A 1989-12-22 1989-12-22 パタン形成材料 Pending JPH03192361A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03288855A (ja) * 1990-04-05 1991-12-19 Mitsubishi Kasei Corp ポジ型感光性組成物
JPH04217251A (ja) * 1990-03-01 1992-08-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 酸開始フォトレジスト組成物
JPH0611829A (ja) * 1992-02-25 1994-01-21 Morton Thiokol Inc 遠紫外線感受性フォトレジスト
US7393794B2 (en) 2003-06-23 2008-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method

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