JPH04248554A - 酸不安定基を有する感放射線性混合物ならびにレリーフパターンおよび画像の形成方法 - Google Patents

酸不安定基を有する感放射線性混合物ならびにレリーフパターンおよび画像の形成方法

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JPH04248554A
JPH04248554A JP3256417A JP25641791A JPH04248554A JP H04248554 A JPH04248554 A JP H04248554A JP 3256417 A JP3256417 A JP 3256417A JP 25641791 A JP25641791 A JP 25641791A JP H04248554 A JPH04248554 A JP H04248554A
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acid
radiation
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organic compound
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JP3256417A
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English (en)
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Reinhold Schwalm
ラインホルト、シュヴァルム
Horst Binder
ホルスト、ビンダー
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BASF SE
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明はアルカリ可溶性結合剤、少なくと
も１個の酸開裂結合を有し、放射線照射により強酸を形
成し、かつアルカリ性溶媒に対する溶解性が酸の作用に
より増大せしめられる化合物、およびさらに他の化合物
を含有する、感放射線性混合物に関するものである。こ
の混合物は紫外線、電子ビームおよびＸ線に感応し、こ
とにレジスト材料として使用するのに適当である。
【０００２】
【従来技術】ポジチブ処理感放射線性混合物は公知であ
る。アルカリ可溶性結合剤、例えばノボラック中にｏ−
キノンジアジドを含有するポジチブ処理レジスト材料を
フォトレジストとして使用し、レリーフ画像を形成する
方法も公知である。しかしながらこれら材料の感度はし
ばしば不充分である。
【０００３】そこで第１次光化学反応により放射線照射
と無関係に第２次触媒的反応を開始する物質を形成し、
これにより感度を飛躍的に増大させる感放射線性組成物
が開発された。光化学的に形成される物質が強酸であっ
て、これが２次的反応において酸不安定基を開裂させる
組成物は、例えば米国特許３９３２５１４号、同３９１
５７０６号明細書および西独特許出願公開３４０６９２
７号公報から公知である。
【０００４】さらに西独特許出願公開３７２１７４１号
公開公報は、アルカリ可溶性重合体結合剤と、アルカリ
性現像液に対する溶解性が酸の作用により増大せしめら
れ、少なくとも１個の酸開裂基を有し、かつ放射線照射
により強酸を形成する有機化合とを含有する感放射線性
混合物を提案している。
【０００５】この混合物の欠点は、光化学的に形成され
る触媒を不活性化する汚染物質に対する感度である。こ
の不活性化反応は露出工程と酸不安定基を無くするため
の一般に加熱を伴う次工程との間の保存期間においてこ
とに重大な役割を果たし、完全な現像はもはや不可能で
あり、被覆残渣もしくは残存層がウエーハ上に残る。
【０００６】そこで本発明の目的は、酸触媒反応機構に
基づくフォトレジスト材料、ことに、アルカリ可溶性結
合剤および少なくとも１個の酸開裂性結合と放射線照射
により強酸を形成する基とを有する有機化合物を含有感
放射線性ポジチブ処理材料を使用して、現実的な処理許
容度、ことに露出と加熱の間の保存時間に関する許容度
をもって、レリーフを形成し、しかもウエーハ上に残存
層が残ることを回避する方法を提供することである。
【０００７】
【発明の要約】しかるにこの目的は、（ａ）水に不溶性
であるがアルカリに可溶性のポリマー結合剤、および（
ｂ）水性アルカリ液に対する溶解性が酸の作用により増
大され、かつ少なくとも１個の酸開裂基および放射線照
射により強酸を形成する基を有する有機化合物を含有し
、追加的に（ｃ）水あるいはさらに強いアニオノイド性
物質と、１２０℃までの温度で、必要に応じ酸性触媒の
存在下でもなお反応する少なくとも１種類の有機化合物
を含有する感放射線性混合物により達成され得ることが
本発明者らにより見出された。
【０００８】
【発明の構成】好ましい感放射線性混合物は、ｐ−ヒド
ロキシスチレンおよび／あるいはｐ−ヒドロキシ−α−
メチルスチレンの単独重合体あるいは共重合体を主体と
する重合体結合剤（ａ）を含有する。ことに適当なヒド
ロキシスチレンは、ｏ−位においてモノもしくはジ置換
されているか、あるいは酸不安定基により保護されたフ
ェノール基を有する。
【０００９】好ましい有機化合物（ｂ）は式（Ｉ）
【０
０１０】
【化２】 で表わされるスルホニウム塩である。式中のＲ１　、Ｒ
２　およびＲ３　は互いに同じでも異なってもよく、そ
れぞれヘテロ原子を持っていてもよい脂肪族もしくは芳
香族の基である。あるいはＲ１からＲ３　のうちの２個
が環を形成してもよい。ただしＲ１　からＲ３　のうち
の少なくとも１個は酸により開裂され得る基を含有して
いなければならない。Ｒ１　からＲ３　のうちの１個は
、場合により酸開裂基を介して、１個あるいは複数個の
スルホニウム塩遊離基に結合されることができる。
【００１１】
【外２】
【００１２】適当な有機化合物（ｃ）は、基本的には水
あるいはさらに強いアニオノイド性物質と、例えば加水
分解、加安分解、アミノリシスあるいは水もしくはアニ
オノイド性物質の付加により、反応する既知の有機化合
物のいずれでもよい。しかしながら、好ましい化合物は
、層の保存中に浸入するあるいは層中に在るアニオノイ
ド性物質あるいは水との反応速度が、光化学的に生成さ
れる酸触媒の反応速度より早く、その逆行反応、すなわ
ちアニオノイド性物質あるいは水の再釈放を、処理条件
下においてもたらさず、たとえ然りとしてもわずかな程
度にとどまる化合物である。
【００１３】なお本発明は、本発明による感放射線混合
物を使用し、これを感放射線照射後、場合により６０−
１２０℃に加熱することによりレリーフパターンおよび
画像を形成する方法に関するものである。
【００１４】本発明の感放射線混合物は、充分に寛容な
処理許容度、ことに照射と加熱との間の許容保存時間（
１０分以上）をもって、現実的な処理条件下に、高解像
度のレリーフパターンおよび画像を形成することを可能
ならしめる。
【００１５】この混合物の感応性は光化学的生成される
酸の触媒効果により極めて高く、著しく高いコントラス
ト値をもたらす。従ってこの感放射線性混合物は深紫外
線リトグラフィーに使用するのに極めて適している。
【００１６】本発明の感放射線性混合物の組成分につき
以下に詳述する。
【００１７】（ａ）ポリマー結合剤（ａ）はｐ−ヒドロ
キシスチレンおよび／あるいはｐ−ヒドロキシ−α−メ
チルスチレンの単独重合体もしくは共重合体を主体とす
る重合体から成る。ことに好ましいヒドロキシスチレン
は、ｏ−位でモノ／もしくはジ置換されているか、ある
いは酸不安定基で保護されたフェニル基を有するもので
ある。フェノール性ＯＨ基に対するｏ−位の置換基とし
て適当なのは、ハロゲン、ことに炭素原子１から４個の
アルキル基である。ことに好ましい酸不安定基はｔ−ブ
チルカーボネート、ｔ−アミルカーボネートおよびｔ−
ブチルエステルである。このポリマーは一般に２０００
から１００，０００ことに１０，０００から３０，００
０の平均分子量Ｍｗを有する。
【００１８】ポリマー結合剤（ａ）は、組成分（ａ）か
ら（ｃ）の合計量に対して、一般に５５から９８重量％
、ことに７０から９６重量％の量で使用される。
【００１９】（ｂ）好ましい有機化合物（ｂ）は式（Ｉ
）
【００２０】
【化３】 で表わされるスルホニウム塩である。式中のＲ１　、Ｒ
２　およびＲ３　は互いに同じでも異なってもよく、そ
れぞれヘテロ原子を持っていてもよい脂肪族もしくは芳
香族の基である。あるいはＲ１からＲ３　のうちの２個
が環を形成してもよい。ただしＲ１　からＲ３　のうち
の少なくとも１個は酸により開裂され得る基、ことにフ
ェノールのｔ−ブチルカルボネートあるいはフェノール
のシリルエーテルを含有していなければならない。Ｒ１
　からＲ３　のうちの１個は、場合により酸開裂基を介
して、１個あるいは複数個のスルホニウム塩遊離基に結
合されることができる。
【００２１】
【外３】
【００２２】好ましい対向イオンはテトラフルオロボレ
ート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロ
アーセネートのようなハロゲン化金属錯塩およびトリフ
ルオロメタンスルホネート、フルオロスルホネートのよ
うな強有機酸陰イオンである。
【００２３】また分子中の２個またはそれ以上スルホニ
ウム単位は基Ｒ１　からＲ３　のいずれかを介して互い
に結合することもできる。有機化合物は感放射線性混合
物全量に対して１から１５重量％、ことに３から１０重
量％の量で使用される。
【００２４】式（Ｉ）のスルホニウム塩で好ましいのは
、Ｒ１　およびＲ２　がそれぞれメチルであり、Ｒ３　
が酸開裂基を有する置換フェニルを意味するもの、すな
わち
【００２５】
【化４】 であって、このＲ３　が具体的には４−ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシフェニル、４−ｔ−ブトキシカルボニル
オキシ−３、５−ジメチルフェニル、４−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ−３−メチルフェニル、４−ｔ−ブト
キシカルボニルオキシ−２−メチルフェニル、４−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシ−３、５−ジメトキシフェニ
ル、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−３、５−ジフ
ェニルフェニル、１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナ
フチル、４−トリメチルシリルオキシフェニル、４−ト
リメチルシリルオキシナフチルを意味するもの、あるい
は　　Ｒ１　からＲ３　のうちの２個が環、ことに５員
あるいは６員環を形成し、Ｒ１　およびＲ２　が例えば
テトラメチレン基を形成し、Ｒ３　が上述した意味を有
するもの、すなわち
【００２６】
【化５】 あるいはＲ１　がメチル、Ｒ２　がフェニルもしくはト
リル、Ｒ３　が酸開裂基を有する置換フェニルを意味す
るもの、すなわち
【００２７】
【化６】 であって、このＲ３　が４−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシフェニル、２、４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシフェニル、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−メトキシフェニル、４−トリメチルシリルフェニルを
意味する化合物、あるいはＲ１　がフェニル、Ｃ１　−
Ｃ１２アルキル置換フェニル、ハロゲン置換フェニルを
意味し、Ｒ２　およびＲ３　がそれぞれ酸開裂基を有す
る置換フェニルを意味する化合物、すなわち
【００２８】
【化７】 であって、このＲ２　およびＲ３　が具体的にはそれぞ
れ４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル、４−ト
リメチルシリルオキシフェニル、４−ｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシフェニル、４−ｔ−ブトキシカルボニル
オキシ−３、５−ジメチルフェニルを意味するもの、あ
るいはＲ１、Ｒ２　および３　が互いに同じ遊離基を意
味するもの、すなわちそれぞれ酸開裂基を持つこれらの
遊離基を有するスルホニウム塩である。
【００２９】さらに他の化合物（Ｉ）として、Ｒ１　か
らＲ３　のうちの１個が、ことに酸開裂基を介して、他
の１個あるいは複数個のスルホニウム遊離基と結合され
ているものが挙げられるが、これら化合物は同様に分子
内に複数個の、例えば以下のようなスルホニウム基を含
有する。
【００３０】
【化８】
【００３１】有機化合物（ｂ）は、フェノール性基を有
するスルホニウム塩から出発してエステル、エーテル、
カーボネートを合成するための、有機化学において公知
の方法により製造され、適当な誘導体になされ得る。フ
ェノール性基を有するスルホニウム塩は、カリウム−ｔ
−ブトキシドと反応させて酸開裂基を導入するか、ある
いはフェノール性スルホニウム塩を活性化カルボニル化
合物、例えばｔ−ブチルオキシカルボニル−Ｎ−イミダ
ゾールと反応せしめられる。この目的に適するのは、す
でに非アニオノイド性陰イオンを含有しているヒドロキ
シフェニルスルホニウム塩、例えばヘキサフルオロアン
チモネートである。このような化合物は、例えばＪ．Ｐ
ｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｃｈｅｍ．１８版（１９８０）１０
２１頁の合成方法により製造され得る。例えばこのよう
にして製造された化合物は、無水テトラヒドロフランに
溶解され、無水テトラヒドロフラン中に溶解されたカリ
ウム−ｔ−ブトキシドを添加し、次いでテトラヒドロフ
ラン中ジ−ｔ−ブチル−ジカーボネート溶液を滴下添加
する。後処理し、再結晶により酸開裂基を有する純粋な
スルホニウム塩がもたらされる。
【００３２】好ましい有機化合物（ｂ）は、例えば対向
イオンとしてヘキサフルオロアーセネート、ヘキサフル
オロアンチモネート、ヘキサフルオロホスフェート、ヘ
キサフルオロカーボネートあるいはトリフルオロメタン
スルホネートを有するジメチル−４−ｔ−ブトキシカル
ボニルオキシフェニルスルホニウム塩、上述した対向イ
オンを有するフェニルビス（４−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシフェニル）スルホニウム塩、上述した対向イオ
ンを有するトリス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル）スルホニウム塩あるいは上述した対向イオン
を有する１−ナフチル−４−トリメチルシリルオキシテ
トラメチレンスルホニウム塩である。
【００３３】（ｃ）水あるいはさらに強いアニオノイド
性物質と１２０℃までの温度で、必要に応じ酸性触媒の
存在下でもなお反応する有機化合物（ｃ）は、ジアルキ
ルアセタールおよびジアルキルケタールのようなアセタ
ールおよびケタールであり、このアルキル部分は１から
１２個、ことに１から４個の炭素原子を有するもの、例
えばプロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒドあるいは
ベンズアルデヒドのジアルキルアセタール、２−ヘキサ
ノン、アセトンフェノンあるいはシクロヘキサノンのジ
アルキルケタール、さらにビニルおよびエノールエーテ
ル、例えばイソブチルビニルエーテル、ジヒドロピラン
、４−フェニル−２Ｈ−３、４−ジヒドロピラン、例え
ば
【００３４】
【化９】 のようなエノールエーテル、および西独特許出願公開２
３０６２４８号公報に記載されているようなエノールエ
ーテルである。
【００３５】さらに化合物（ｃ）の例としては
【００３
６】
【化１０】 で表わされ、Ｒ１　が水素、１から１２個の炭素原子を
有する置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置
換フェニル、５あるいは６個の炭素原子を有する置換あ
るいは非置換シクロアルキルを意味し、Ｒ２　からＲ４
　が互いに同じでも異なってもよく、それぞれ１から１
２個の炭素原子を有するアルキルあるいはアルケニル、
炭素原子あるいは６個のシクロアルキルあるいはシクロ
アルケニル、置換あるいは非置換アリール、ことにフェ
ニルを意味する場合のオルソカルボン酸エステル、例え
ば米国特許４１０１３２３号明細書に記載されているよ
うなオルソカルボン酸エステル、脂肪族カルボン酸無水
物、例えば無水醋酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無
水カプロン酸、弗素化カルボン酸無水物、例えば無水パ
ーフルオロ酪酸無水物、マロン酸無水物、こはく酸無水
物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、ジもしくは
ポリカルボン酸と炭素原子１から４個のアルコールとの
エステル、例えばジメチルオキサレート、ジエチルオキ
サレート、ジメチルマロネート、環式カルボン酸エステ
ル、例えばメルドラム酸、メチルメルドラム酸、窒素除
去により光化学反応して水あるいはアニオノイド性物質
と反応し得る反応性中間生成物を遊離させるジアゾ化合
物あるいはジアゾニウム化合物、例えば市販されている
ｏ−ナフトキノンジアジド、ジアゾ−メルドラム酸、可
溶性ジアゾニウム塩などが挙げられる。
【００３７】これら有機化合物（ｃ）およびこれらの混
合物のいずれも原則的に使用され得るが、ことに１４０
℃以上の沸点を有し、中間極性溶媒、ことにメトキシプ
ロピルアセテート、シクロヘキサノン、エチルラクテー
トおよびジアセトンアルコールが好ましい。
【００３８】この有機化合物（ｃ）は組成分（ａ）＋（
ｂ）＋（ｃ）総量に対して０．１から１０重量％、こと
に０．５から５重量％の量で本発明感放射線性混合物に
存在する。
【００３９】本発明による新規のレリーフパターンおよ
び画像の形成方法において、本質的に本発明感放射線性
混合物から成る感放射線性記録層は、不活性溶媒、例え
ばメチルプロピレングリコールアセテート、メチルセロ
ソルブアセテートあるいはエチルセロソルブに溶解させ
て、適当な基板、例えばシリコンウエーハ上に慣用の方
法、例えばスピンコーティング法に施されて０．２から
４μｍ厚さのフィルム（乾燥時厚さ）とし、乾燥し、以
下の結果をもたらす程度のエネルギレベルを有する放射
線による画像形成照射に付し、６０から１２０℃で５秒
ないし５分間後加熱して、水性アルカリ液、例えばアル
カリ金属水酸化物、アルカリ金属珪酸塩あるいはアミン
、ことにテトラメチルアンモニウム水酸化物を主体とす
るｐＨ１０−１４のアルカリ性現像液に対する照射帯域
の溶解性が増大せしめられ、従って照射帯域がアルカリ
性現像液で選択的に洗除され得るように処理する。
【００４０】この混合物は高度の感応性およびコントラ
ストをもたらし、高品質のレリーフパターンを形成する
。
【００４１】組成に関するさらに他の詳細および感放射
線性混合物の処理に関するさらに他の詳細は、例えば西
独特許出願公開３７２１７４１号公報に記載されている
。
【００４２】以下の実施例および対比例により本発明を
さらに具体的に説明し、本発明の利点を実証するが、こ
こで用いられる部および百分率は特に明示されない限り
重量に関するものである。
【００４３】実施例１ トリス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）
スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネート１５部
、無水グルタル酸５部、ポリ（ｐ−ビニルフェノール）
８０部およびメチルプロピレングリコールアセテート３
００部からフォトレジスト溶液を調製し、この溶液を網
目径０．２μｍのフィルタで濾過した。
【００４４】このレジスト溶液をスピンコーティング法
によりＳｉＯ２　被覆シリコンウエーハ上に約１．０μ
ｍ厚さの層を形成し、９０℃で１分間乾燥した。次いで
これに画像試験マスクを接触載置し、波長２４８ｎｍの
エキシマレーザ光で３秒間画像形成露出処理に付した。
【００４５】次いでウエーハを２１℃、相対湿度４５％
で１時間放置し、個々の処理工程間に生起すべき遅延時
間のシュミレーションとした。
【００４６】次いでウエーハを９０℃で１時間加熱し、
アルカリ性現像液で現像したところ、得られたポジチブ
レリーフパターンは満足すべきものであり、ウエーハは
照射後直ちに加熱した対照ウエーハとくらべて同等の特
性を示した。
【００４７】対比例 無水グルタル酸を含有せず、代わりに８５％の重合体を
含有するレジスト溶液を使用したほかは、実施例１にお
けると同様の処理を反覆した。照射と加熱の間の１時間
の保存後にはもはや同じ現像液によりレジストパターン
を形成することができなかった。
【００４８】実施例２ トリス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）
スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネート１０部
、ポリ（ｐ−ビニルフェニル−ｃｏ−ｐ−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシスチレン）８０部、無水アジピン酸１
０部およびシクロヘキサノン３００からレジスト溶液を
調製し、網目径０．２μｍのフィルタで濾過した。
【００４９】このレジスト溶液を、シリコンウエーハに
施して１μｍ厚さのフィルムとし、加熱板で１００℃に
おいて１分間加熱した。次いでパターン試験マスクを介
して波長２４８ｎｍのエキシマレーザ光で４秒間画像形
成露出処理に付した。
【００５０】ウエーハを３０分間そのまま放置してから
、１００℃で１分間加熱し、現像した。これによりレジ
スト残渣のない急傾斜側面を有する、高品質レジストパ
ターンを形成し得ることが実証された。
【００５１】実施例３ 無水グルタル酸の代わりにジエチルオキサレートを使用
したほかは、実施例１の処理を反覆した。このレジスト
パターンは２５分間の遅延後にも依然として満足すべき
現象を行ない得たが、オキサル酸エステルを使用しない
対照ウエーハの場合、わずか１０分間の遅延後、残渣を
残さない現像は不可能であった。
【００５２】実施例４−６ 以下に示される露出時間および保存時間のほかは実施例
１と同様に処理を反覆した。
【００５３】
【表１】 上述の保存時間で、すべてのレジストパターンは、９０
℃で１分間の加熱処理に続いて残渣をもたらすことなく
現像可能であった。
【００５４】実施例７ 無水アジピン酸の代わりに以下のエノールエーテルを使
用したほかは、実施例１と同様の処理を反覆した。
【００５５】
【化１１】 ５秒間の露出処理後、３０分間の放置による処理遅延が
あっても、露出処理後直ちに加熱した対照ウエーハとく
らべて相違しないウエーハ現像特性がもたらされた。
【００５６】実施例８ ジメチル−４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル
スルホニウム−ヘキサフルオルアーセネート１０部、ポ
リ（ビニルフェノール−ｃｏ−ｐ−ｔ−アミルオキシカ
ルボニルオキシスチレン）８６部、ジアゾ−メルドラム
酸４部、およびエチルラクテート３００部からレジスト
溶液を調製し、網目径０．２μｍのフィルターで濾過し
た。
【００５７】このレジスト溶液をウエーハ上に施して、
約１μｍ厚さのフィルムとし、画像形成露出処理に付し
た。１５分間放置後も現像特性の変化なく現像し得たが
、ジアゾメルドラム酸を使用しなかった対照ウエーハで
は、わずか１０分間の放置による遅延でウエーハ上には
レジスト残渣が残留した。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　（ａ）水に不溶性であるがアルカリに
    可溶性のポリマー結合剤、および（ｂ）水性アルカリ液
    に対する溶解性が酸の作用により増大され、かつ少なく
    とも１個の酸開裂基および放射線照射により強酸を形成
    する基を有する有機化合物を含有し、追加的に（ｃ）水
    あるいはさらに強いアニオノイド性物質と、１２０℃ま
    での温度で、必要に応じ酸性触媒の存在下でもなお反応
    する少なくとも１種類の有機化合物を含有する感放射線
    性混合物。
  2. 【請求項２】　　請求項１による感放射線性混合物であ
    って、有機化合物（ｂ）が以下の式（Ｉ）【化１】 で表わされ、式中のＲ１　、Ｒ２　およびＲ３　が、同
    じでも異なってもよく、それぞれヘテロ原子を持ってい
    てもよい脂肪族もしくは芳香族の基を意味するか、ある
    いはＲ１　からＲ３　のうちの２個が環を形成するが、
    Ｒ１　からＲ３　のうちの少なくとも１個は少なくとも
    １個の酸開裂基を有し、Ｒ１　からＲ３　のうちの１個
    は、場合により酸開裂基を介して、１個あるいは複数個
    のスルホニウム塩遊離基と、結合されていてもよく、 【外１】
  3. 【請求項３】　　請求項１あるいは２による感放射線混
    合物であって、有機化合物（ｃ）がアセタール、ケター
    ル、ビニルエーテル、エノールエーテル、オルソカルボ
    ン酸エステル、カルボン酸無水物、ジもしくはポリカル
    ボン酸と炭素原子１から４個のアルコールとのエステル
    、ジアゾもしくはジアゾニウム化合物あるいは上述した
    有機化合物（ｃ）の少なくとも２種類の混合物であるこ
    とを特徴とする混合物。
  4. 【請求項４】　　上記請求項のいずれかによる感放射線
    性混合物を感光性被覆材料として使用し、感放射線性混
    合物に対する放射線照射後、場合により６０−１２０℃
    に加熱することを特徴とするレリーフパターンおよび画
    像を形成する方法。
JP3256417A 1990-10-10 1991-10-03 酸不安定基を有する感放射線性混合物ならびにレリーフパターンおよび画像の形成方法 Withdrawn JPH04248554A (ja)

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