JPH03188672A - 電荷転送装置及びその製造方法 - Google Patents
電荷転送装置及びその製造方法Info
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- JPH03188672A JPH03188672A JP1327929A JP32792989A JPH03188672A JP H03188672 A JPH03188672 A JP H03188672A JP 1327929 A JP1327929 A JP 1327929A JP 32792989 A JP32792989 A JP 32792989A JP H03188672 A JPH03188672 A JP H03188672A
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- ULFUTCYGWMQVIO-PCVRPHSVSA-N [(6s,8r,9s,10r,13s,14s,17r)-17-acetyl-6,10,13-trimethyl-3-oxo-2,6,7,8,9,11,12,14,15,16-decahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl] acetate;[(8r,9s,13s,14s,17s)-3-hydroxy-13-methyl-6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-decahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl] pentano Chemical compound C1CC2=CC(O)=CC=C2[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H](OC(=O)CCCC)[C@@]1(C)CC2.C([C@@]12C)CC(=O)C=C1[C@@H](C)C[C@@H]1[C@@H]2CC[C@]2(C)[C@@](OC(C)=O)(C(C)=O)CC[C@H]21 ULFUTCYGWMQVIO-PCVRPHSVSA-N 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷転送装置、特にＣＣＤの高速転送に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
従来のＣＯＤでは、その電極が、作り易さおよび安定性
の面から、第２図に示す２層ポリシリコンのオーバーラ
ツプ構造が用いられていた。これは、まず、ＣＣＤの電
極形成という立場から見てみると、第１層ポリシリコン
電極２３を選択的に形成した後、この第１層ポリシリコ
ン２３を酸化して、同第１層ポリシリコン２３の周りに
絶縁膜であるシリコン酸化膜５を形成する。次に、第１
層ポリシリコン２３の間を埋めるように第２層ポリシリ
コン電極６を形成するものである。
の面から、第２図に示す２層ポリシリコンのオーバーラ
ツプ構造が用いられていた。これは、まず、ＣＣＤの電
極形成という立場から見てみると、第１層ポリシリコン
電極２３を選択的に形成した後、この第１層ポリシリコ
ン２３を酸化して、同第１層ポリシリコン２３の周りに
絶縁膜であるシリコン酸化膜５を形成する。次に、第１
層ポリシリコン２３の間を埋めるように第２層ポリシリ
コン電極６を形成するものである。
発明が解決しようとする課題
従来構造は、プロセス的には、安定に作成できるが電極
材料にポリシリコンを使用しているため、電極の抵抗値
を３０Ω／口以下に下げることは困難であり、高速転送
の際のクロックの遅延は避けられない。
材料にポリシリコンを使用しているため、電極の抵抗値
を３０Ω／口以下に下げることは困難であり、高速転送
の際のクロックの遅延は避けられない。
本発明の目的は、従来の上記欠点を解消し、高速転送に
も十分対応でき、しかもプロセス上実現が容易な電荷転
送装置を提供することにある。
も十分対応でき、しかもプロセス上実現が容易な電荷転
送装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明の電荷転送装置は、単層のポリシリコン電極の上
面および側壁を高融点金属あるいは高融点金属シリサイ
ドで被覆したものである。
面および側壁を高融点金属あるいは高融点金属シリサイ
ドで被覆したものである。
作用
上記の構成により、転送電極のシート抵抗は４Ω／四以
下となり、クロックの遅延は大幅に改善される。
下となり、クロックの遅延は大幅に改善される。
実施例
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。本発明
の構造の一製造方法を以下に簡単に述べる。まず、半導
体基板１上に絶縁膜２を形成した後、ポリシリコン３を
選択的に形成する。その際、ポリンリコンーポリシリコ
ン間は、フォトリソグラフィにおけるパターン形成の最
小寸法を用い、例えば前記寸法を０．８μｍとする。次
に、高融点金属（例えばＷ）をＣＶＤ法あるいはスパッ
タ法で形成した後、熱処理を行って前記ポリシリコン３
と反応させてシリサイド化させる。その後、未反応の高
融点金属を除去すれば、第１図に示した構造が得られる
。最終仕上がりのゲート電極間の寸法は、高融点ンリサ
イド４の隙間で決定される。この間隔は、ＣＣＤの転送
効率を決定する上で非常に重要であり、従来構造では、
約０．２μｍ程度であり、この寸法は上記製造方法にお
いても十分対応可能である。また、本発明による構造に
おいては、ゲートが単層構造ということで、従来構造に
比べると平坦性も良好で、後工程の加工も容易となり素
子の微細化にも対応しやすくなる。しかも、ゲート材料
そのものが光の透過を阻止するため、特にエリアセンサ
ー等で問題となるスミアの抑制能力も増大する。
の構造の一製造方法を以下に簡単に述べる。まず、半導
体基板１上に絶縁膜２を形成した後、ポリシリコン３を
選択的に形成する。その際、ポリンリコンーポリシリコ
ン間は、フォトリソグラフィにおけるパターン形成の最
小寸法を用い、例えば前記寸法を０．８μｍとする。次
に、高融点金属（例えばＷ）をＣＶＤ法あるいはスパッ
タ法で形成した後、熱処理を行って前記ポリシリコン３
と反応させてシリサイド化させる。その後、未反応の高
融点金属を除去すれば、第１図に示した構造が得られる
。最終仕上がりのゲート電極間の寸法は、高融点ンリサ
イド４の隙間で決定される。この間隔は、ＣＣＤの転送
効率を決定する上で非常に重要であり、従来構造では、
約０．２μｍ程度であり、この寸法は上記製造方法にお
いても十分対応可能である。また、本発明による構造に
おいては、ゲートが単層構造ということで、従来構造に
比べると平坦性も良好で、後工程の加工も容易となり素
子の微細化にも対応しやすくなる。しかも、ゲート材料
そのものが光の透過を阻止するため、特にエリアセンサ
ー等で問題となるスミアの抑制能力も増大する。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、電荷転送装置のゲ
ート電極の抵抗値を大幅に低減でき、高速転送に対応可
能とし、しかも、構造的にシンプルで、平坦性もよく、
またスミア抑制能力も向上させるなど、その実用的効果
は大なるものがある。
ート電極の抵抗値を大幅に低減でき、高速転送に対応可
能とし、しかも、構造的にシンプルで、平坦性もよく、
またスミア抑制能力も向上させるなど、その実用的効果
は大なるものがある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図である。 １．２１・・・・・・半導体基板、２，２２・・・・・
・絶縁膜、３，２３．６・・・・・・ポリシリコン、４
・・・・・・高融点金属シリサイド、５・・・・・・シ
リコン酸化膜。
断面図である。 １．２１・・・・・・半導体基板、２，２２・・・・・
・絶縁膜、３，２３．６・・・・・・ポリシリコン、４
・・・・・・高融点金属シリサイド、５・・・・・・シ
リコン酸化膜。
Claims (1)
- 単層のポリシリコンの側壁および上面を、高融点金属あ
るいは高融点金属シリサイドで被覆した２層構造の電極
を備えたことを特徴とする電荷転送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327929A JPH03188672A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電荷転送装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327929A JPH03188672A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電荷転送装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188672A true JPH03188672A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18204583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1327929A Pending JPH03188672A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電荷転送装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6188119B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-02-13 | Nec Corporation | Semiconductor device having barrier metal layer between a silicon electrode and metal electrode and manufacturing method for same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161344A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01130568A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Texas Instr Japan Ltd | 電荷結合素子 |
| JPH01233761A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1327929A patent/JPH03188672A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161344A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01130568A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Texas Instr Japan Ltd | 電荷結合素子 |
| JPH01233761A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6188119B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-02-13 | Nec Corporation | Semiconductor device having barrier metal layer between a silicon electrode and metal electrode and manufacturing method for same |
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