JPH04348566A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04348566A JPH04348566A JP3120562A JP12056291A JPH04348566A JP H04348566 A JPH04348566 A JP H04348566A JP 3120562 A JP3120562 A JP 3120562A JP 12056291 A JP12056291 A JP 12056291A JP H04348566 A JPH04348566 A JP H04348566A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- gate electrode
- electrode
- gate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関する
。
。
【０００２】
【従来の技術】光電変換素子と、電荷転送素子と、電荷
検出素子を少くとも備えた最近の固体撮像装置は、高集
積化，高速化の要求に伴ないその中に含まれる素子の寸
法は、増々微細化が進んでおり、層間絶縁膜においても
微細かつ信頼性の優れた構造を持つことが強く望まれて
いる。
検出素子を少くとも備えた最近の固体撮像装置は、高集
積化，高速化の要求に伴ないその中に含まれる素子の寸
法は、増々微細化が進んでおり、層間絶縁膜においても
微細かつ信頼性の優れた構造を持つことが強く望まれて
いる。
【０００３】従来の固体撮像装置においては、電荷転送
素子の電極構造が、図２に示す様に、ゲート酸化膜４の
上にゲート電極５と転送電極８を形成したのちに、層間
絶縁膜１１として常圧ＣＶＤ絶縁膜を形成した構造のた
め、ゲート電極５と転送電極８とが重なる箇所は、通常
のＭＯＳＬＳＩのゲート電極より高くなり、層間絶縁膜
１１のリフロー形状が悪くなっていた。
素子の電極構造が、図２に示す様に、ゲート酸化膜４の
上にゲート電極５と転送電極８を形成したのちに、層間
絶縁膜１１として常圧ＣＶＤ絶縁膜を形成した構造のた
め、ゲート電極５と転送電極８とが重なる箇所は、通常
のＭＯＳＬＳＩのゲート電極より高くなり、層間絶縁膜
１１のリフロー形状が悪くなっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した、従来の固体
撮像装置では、図２の示す様に、層間絶縁膜のリフロー
形状が悪いため層間絶縁膜を形成した後に金属配線とな
る例えばアルミニウムをスパッタリングして、このアル
ミニウムをパターンニングしてアルミ配線１２を形成す
る際のエッチングにおいて、アルミニウムを本来エッチ
ングしなければならない箇所にアルミニウムが残り、シ
ョートする不良が発生していた。
撮像装置では、図２の示す様に、層間絶縁膜のリフロー
形状が悪いため層間絶縁膜を形成した後に金属配線とな
る例えばアルミニウムをスパッタリングして、このアル
ミニウムをパターンニングしてアルミ配線１２を形成す
る際のエッチングにおいて、アルミニウムを本来エッチ
ングしなければならない箇所にアルミニウムが残り、シ
ョートする不良が発生していた。
【０００５】この様な不安定な構造のため量産レベルで
は、製造工程等のばらつきにより、歩留の低下を招いて
いた。
は、製造工程等のばらつきにより、歩留の低下を招いて
いた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置で
は、半導体基板上にチェーンのように形成されたゲート
電極とこのゲート電極の間に設けた転送電極とを有し、
転送電極がゲート電極と重なる箇所を有した電荷転送素
子の電極構造において、ゲート電極と転送電極とが重な
る箇所の両サイドに、層間絶縁膜のリフロー形状を良く
するためのサイドウォールである絶縁膜を備えたことを
特徴としている。
は、半導体基板上にチェーンのように形成されたゲート
電極とこのゲート電極の間に設けた転送電極とを有し、
転送電極がゲート電極と重なる箇所を有した電荷転送素
子の電極構造において、ゲート電極と転送電極とが重な
る箇所の両サイドに、層間絶縁膜のリフロー形状を良く
するためのサイドウォールである絶縁膜を備えたことを
特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【０００８】図１は、固体撮像装置における本発明の一
実施例を示す電荷転送素子の部分の断面図である。図示
省略した部分は従来と同じである。図１に示す様に、従
来と同じ製造工程により、Ｎ型半導体基板１に、Ｐ型不
純物をイオン注入してＰ− 層２を形成し、さらにＰ−
層にＮ型不純物をイオン注入して電荷転送用Ｎ層３を
形成し、この上に第１ゲート酸化膜４を形成する。次に
、ゲート電極５のパターニングを行ない、Ｐ型不純物を
イオン注入してＰ＋ 層６を形成し、さらに、第２ゲー
ト酸化膜７を形成した後に転送電極８の被着・パターニ
ングを行ない、次いでポリシリコン酸化膜９を形成する
。次に、サイドウォールとなるべきＣＶＤ酸化膜１０を
０．５μｍ〜１．５μｍウェーハ全面に成長させる。こ
の時、ゲート電極と転送電極とが重なる箇所の段部にお
いては、平坦部に比べＣＶＤ酸化膜厚が厚くなるため、
ＣＶＤ酸化膜形成後平坦部の膜厚分だけ異方性エッチン
グを行なうと、ゲート電極と転送電極とが重なる箇所の
両サイドに、所望のＣＶＤ酸化膜のサイドウォール１０
が形成される。次に層間絶縁膜としてＢＰＳＧ膜１１を
形成する。次に、アルミ配線１２をパターニングする。 この場合、層間絶縁膜のリフロー形状が良いためアルミ
残りは発生せず、問題無くエッチングされる。
実施例を示す電荷転送素子の部分の断面図である。図示
省略した部分は従来と同じである。図１に示す様に、従
来と同じ製造工程により、Ｎ型半導体基板１に、Ｐ型不
純物をイオン注入してＰ− 層２を形成し、さらにＰ−
層にＮ型不純物をイオン注入して電荷転送用Ｎ層３を
形成し、この上に第１ゲート酸化膜４を形成する。次に
、ゲート電極５のパターニングを行ない、Ｐ型不純物を
イオン注入してＰ＋ 層６を形成し、さらに、第２ゲー
ト酸化膜７を形成した後に転送電極８の被着・パターニ
ングを行ない、次いでポリシリコン酸化膜９を形成する
。次に、サイドウォールとなるべきＣＶＤ酸化膜１０を
０．５μｍ〜１．５μｍウェーハ全面に成長させる。こ
の時、ゲート電極と転送電極とが重なる箇所の段部にお
いては、平坦部に比べＣＶＤ酸化膜厚が厚くなるため、
ＣＶＤ酸化膜形成後平坦部の膜厚分だけ異方性エッチン
グを行なうと、ゲート電極と転送電極とが重なる箇所の
両サイドに、所望のＣＶＤ酸化膜のサイドウォール１０
が形成される。次に層間絶縁膜としてＢＰＳＧ膜１１を
形成する。次に、アルミ配線１２をパターニングする。 この場合、層間絶縁膜のリフロー形状が良いためアルミ
残りは発生せず、問題無くエッチングされる。
【０００９】
【発明の効果】以上、説明したように従来は、ゲート電
極と転送電極とが重なる箇所は通常のＭＯＳＬＳＩのゲ
ート電極より高くなり層間絶縁膜のリフロー形状が悪く
なっていたが、本発明は、ゲート電極と転送電極とが重
なる箇所の両サイドに、ＣＶＤ酸化膜のサイドウォール
を形成したため、層間絶縁膜形成工程の製造ばらつきの
影響をうけず安定したリフロー形状を形成することがで
きる。これにより、アルミ配線形成工程において、アル
ミスパッタのカバレッジを良くすることができ、又、ア
ルミエッチング時不要なアルミが残るという問題を解決
することができるという効果を有する。
極と転送電極とが重なる箇所は通常のＭＯＳＬＳＩのゲ
ート電極より高くなり層間絶縁膜のリフロー形状が悪く
なっていたが、本発明は、ゲート電極と転送電極とが重
なる箇所の両サイドに、ＣＶＤ酸化膜のサイドウォール
を形成したため、層間絶縁膜形成工程の製造ばらつきの
影響をうけず安定したリフロー形状を形成することがで
きる。これにより、アルミ配線形成工程において、アル
ミスパッタのカバレッジを良くすることができ、又、ア
ルミエッチング時不要なアルミが残るという問題を解決
することができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】従来例を示す断面図。
１ Ｎ型半導体基板
２ Ｐ− 層
３ 電荷転送用Ｎ層
４ 第１ゲート酸化膜
５ ゲート電極
６ Ｐ＋ 層
７ 第２ゲート酸化膜
８ 転送電極
９ ポリシリコン酸化膜
１０ ＣＶＤ酸化膜（サイド・ウォール）１１
ＢＰＳＧ膜 １２ アルミ配線
ＢＰＳＧ膜 １２ アルミ配線
Claims (1)
- 【請求項１】 １次元アレイあるいは２次元マトリク
ス状に配置した光電変換素子と、光電変換素子に隣接し
て設けた電荷転送素子と、電荷転送素子端部に設けた電
荷検出素子とを少くとも備え、前記電荷転送素子が、ゲ
ート電極と転送電極を端部重畳させて交互に配列したオ
ーバラッピング電極構造を有する固体撮像装置において
、前記ゲート電極と前記転送電極とが重なる箇所の両サ
イドに、テーパーを持ったサイドウォールである絶縁膜
を形成したことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120562A JPH04348566A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120562A JPH04348566A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348566A true JPH04348566A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=14789384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3120562A Pending JPH04348566A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04348566A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7113213B2 (en) | 1995-08-11 | 2006-09-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image system, solid-state imaging semiconductor integrated circuit device used in the image system, and difference output method used for the image system |
| JP3838665B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2006-10-25 | 株式会社 東芝 | Ｍｏｓ型固体撮像装置 |
| US7369169B2 (en) | 1995-08-11 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS-type solid-state imaging apparatus |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP3120562A patent/JPH04348566A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7113213B2 (en) | 1995-08-11 | 2006-09-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image system, solid-state imaging semiconductor integrated circuit device used in the image system, and difference output method used for the image system |
| JP3838665B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2006-10-25 | 株式会社 東芝 | Ｍｏｓ型固体撮像装置 |
| US7369169B2 (en) | 1995-08-11 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS-type solid-state imaging apparatus |
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