JPH01233761A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH01233761A JPH01233761A JP63059435A JP5943588A JPH01233761A JP H01233761 A JPH01233761 A JP H01233761A JP 63059435 A JP63059435 A JP 63059435A JP 5943588 A JP5943588 A JP 5943588A JP H01233761 A JPH01233761 A JP H01233761A
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Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はＣＣＤ型の固体撮像素子、特にＶＣＣＤ（垂
直ＣＣＤ）部の構造に関するものである。
直ＣＣＤ）部の構造に関するものである。
［従来の技術］
ＣＣＤ （電荷結合素子の略称）は固体撮像素子として
現在広く用いられている半導体デノくイスの１つである
。素子は晃電変換部のホトダイオードと、このホトダイ
オードで変換された電気信号を受けたのち転送するＶＣ
ＣＤ （垂直ＣＣＤ）と、ＶＣＣＤからの電気信号を転
送するＨＣＣＤ （水平ＣＣＤ）とから構成されている
。
現在広く用いられている半導体デノくイスの１つである
。素子は晃電変換部のホトダイオードと、このホトダイ
オードで変換された電気信号を受けたのち転送するＶＣ
ＣＤ （垂直ＣＣＤ）と、ＶＣＣＤからの電気信号を転
送するＨＣＣＤ （水平ＣＣＤ）とから構成されている
。
とくに、この発明に関連する最近のＣＣＤ型固体撮像素
子に関する文献としては、ｒ １９８７年テレビジョン
学会全国大会予稿」の９１〜９２頁に開示されたものが
ある。この文献において、従来からＣＣＤ素子の特性に
影響を与える漏れ込み光に起因するスメアの解析を行っ
た結果についての情報提供が行われている。
子に関する文献としては、ｒ １９８７年テレビジョン
学会全国大会予稿」の９１〜９２頁に開示されたものが
ある。この文献において、従来からＣＣＤ素子の特性に
影響を与える漏れ込み光に起因するスメアの解析を行っ
た結果についての情報提供が行われている。
第４図は従来のＣＣＤ型固体撮像素子の構成を示す概念
的な模式平面図である。
的な模式平面図である。
図において、ホトダイオード１１に入射した光は、この
部分で電気信号（電荷）に変換されて一時的に蓄積され
、それをＶ ＣＣＤ １２に一度転送した後、さらにＨ
，ＣＣＤ１３に転送し、ＨＣＣＤ１３からの各画素の情
報を順次出力アンプ１４を介して出力して画像化する。
部分で電気信号（電荷）に変換されて一時的に蓄積され
、それをＶ ＣＣＤ １２に一度転送した後、さらにＨ
，ＣＣＤ１３に転送し、ＨＣＣＤ１３からの各画素の情
報を順次出力アンプ１４を介して出力して画像化する。
第２図は画素を構成する従来のＣＣＤ索子の断面図であ
る。図においてｎ型Ｓｌ基Ｖｉ、２１に浅いｐ−ウェル
層２２と深いｐ−ウェル層２３を有しており、入射光２
０を充電変換するホトダイオードは浅いｐ−ウェル層２
２とその中に形成されたｎ十型拡散層２４とからｐｎ接
合により構成されている。なお、２１０はフィールド酸
化膜である。
る。図においてｎ型Ｓｌ基Ｖｉ、２１に浅いｐ−ウェル
層２２と深いｐ−ウェル層２３を有しており、入射光２
０を充電変換するホトダイオードは浅いｐ−ウェル層２
２とその中に形成されたｎ十型拡散層２４とからｐｎ接
合により構成されている。なお、２１０はフィールド酸
化膜である。
一方、ホトダイオードからの電気信号をはじめに受けて
ＨＣＣＤ （水平シフトレジスタ）に転送するＶＣＣＤ
（垂直シフトレジスタ）は深いｐ−ウェル層２３の領
域内に形成されている。ＶＣＣＤは２層のポリシリコン
（多結晶シリコン）を交互に並べた構造を有しているが
、第２図の断面図は断面の仕方によって第１のポリシリ
コン電極２５のみが示されている。このポリシリコン電
極２５の下部にはゲート酸化膜２ＢとＶＣＣＤを埋込み
チャネル型にするためのｎ−型拡散層２７が形成されて
いる。
ＨＣＣＤ （水平シフトレジスタ）に転送するＶＣＣＤ
（垂直シフトレジスタ）は深いｐ−ウェル層２３の領
域内に形成されている。ＶＣＣＤは２層のポリシリコン
（多結晶シリコン）を交互に並べた構造を有しているが
、第２図の断面図は断面の仕方によって第１のポリシリ
コン電極２５のみが示されている。このポリシリコン電
極２５の下部にはゲート酸化膜２ＢとＶＣＣＤを埋込み
チャネル型にするためのｎ−型拡散層２７が形成されて
いる。
ポリシリコン電極２５の下部でｎ−型拡散層のない領域
２８はホトダイオードで蓄積した電荷をＶＣＣＤに転送
するためのゲートの役割をするトランスファゲート（転
送ゲート領域）である。図示しないＨＣＣＤの部分はＶ
ＣＣＤと同様な構成で同一基板に形成される。
２８はホトダイオードで蓄積した電荷をＶＣＣＤに転送
するためのゲートの役割をするトランスファゲート（転
送ゲート領域）である。図示しないＨＣＣＤの部分はＶ
ＣＣＤと同様な構成で同一基板に形成される。
ホトダイオードを除（ＶＣＣＤやＨＣＣＤの上部には、
中間絶縁膜２９を挾んで光シールド遮光用の金属２１１
の層が形成されている。通常、中間絶縁膜２９はＢＰＳ
Ｇ、光シールド用の金属２１１にはＡＮが用いられる。
中間絶縁膜２９を挾んで光シールド遮光用の金属２１１
の層が形成されている。通常、中間絶縁膜２９はＢＰＳ
Ｇ、光シールド用の金属２１１にはＡＮが用いられる。
なお、ポリシリコン電極２５及びホトダイオードのに型
拡散層２４の隣接上部には熱酸化膜２１２が設けられて
いる。この酸化膜２１２はポリシリコン電極２５やホト
ダイオードのｎ＋型型機散層２４上層Ａｌ２１１の絶縁
性を高めたり、ゲート酸化膜２６の耐圧を劣化させない
目的で設けられている。
拡散層２４の隣接上部には熱酸化膜２１２が設けられて
いる。この酸化膜２１２はポリシリコン電極２５やホト
ダイオードのｎ＋型型機散層２４上層Ａｌ２１１の絶縁
性を高めたり、ゲート酸化膜２６の耐圧を劣化させない
目的で設けられている。
［発明が解決しようとする課８］
しかしながら、上記構成の装置ではホトダイオードに第
２図中Ｉで示したように入射した光２０が、ホトダイオ
ードのシリコン基板表面で反射してシールド用ＡＩ ２
１１の下部にあるＢＰＳＧ中間絶縁膜内に入り込んでし
まう。中間絶縁膜層に入り込んだ光の一部はポリシリコ
ン電極２５を第２図１′のように貫通してＶＣＣＤの埋
込チャネルｒ型拡散層２７の空乏層内でホール・エレク
トロンペアを発生させ、画像上にスメアと呼ばれる偽信
号として現われるという本質的な問題がある。
２図中Ｉで示したように入射した光２０が、ホトダイオ
ードのシリコン基板表面で反射してシールド用ＡＩ ２
１１の下部にあるＢＰＳＧ中間絶縁膜内に入り込んでし
まう。中間絶縁膜層に入り込んだ光の一部はポリシリコ
ン電極２５を第２図１′のように貫通してＶＣＣＤの埋
込チャネルｒ型拡散層２７の空乏層内でホール・エレク
トロンペアを発生させ、画像上にスメアと呼ばれる偽信
号として現われるという本質的な問題がある。
この発明は上記のような：！ａ題を改良するためになさ
れたもので、偽信号の原因となるスメアを低減させたＣ
ＣＤ型固体撮像素子を提供することを目的とするもので
ある。
れたもので、偽信号の原因となるスメアを低減させたＣ
ＣＤ型固体撮像素子を提供することを目的とするもので
ある。
［課題を解決するための手段］
この発明はＣＣＤ型固体撮像素子において、ＶＣＣＤを
構成する電極例えば第１のポリシリコン電極及び第２の
ポリシリコン電極の側壁に遮光体として、例えば高融点
の金属或いはシリサイドを設けたものである。
構成する電極例えば第１のポリシリコン電極及び第２の
ポリシリコン電極の側壁に遮光体として、例えば高融点
の金属或いはシリサイドを設けたものである。
Ｃ作用］
この発明においては、スメアの原因となる入射光に対し
て、ＶＣＣＤ側へのはじめの入射部分のポリシリコン層
の側壁部に高融点金属又はその化合物（合金を含む）の
膜を形成するから、この膜は金属光沢を有する反射面と
なり、ホトダイオード表面で反射してＶＣＣＤ側の中間
絶縁膜方向への侵入光を１部反射させるから、ポリシリ
コン層への侵入光を効率よくカットしてＶＣＣＤ側への
侵入光の量を抑制する。
て、ＶＣＣＤ側へのはじめの入射部分のポリシリコン層
の側壁部に高融点金属又はその化合物（合金を含む）の
膜を形成するから、この膜は金属光沢を有する反射面と
なり、ホトダイオード表面で反射してＶＣＣＤ側の中間
絶縁膜方向への侵入光を１部反射させるから、ポリシリ
コン層への侵入光を効率よくカットしてＶＣＣＤ側への
侵入光の量を抑制する。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す固体撮像素子の一断
面図である。図において、ｎ型５Ｌ２Ｊ板３１、浅いｐ
−ウェル層３２、深いｐ−ウェル層３３、ホトダイオー
ドの♂型拡散層３４、第１のポリシリコン電極３５、ゲ
ート酸化膜３Ｂ、埋込みチャネル用ｎ−型拡散層３７、
転送ゲート部（トランスファゲート）３８、中間絶縁膜
３９、フィールド酸化膜３１Ｏ１光シールド用ＡＤ ３
１１ 、及び熱酸化膜３１２は全て第２図に示した従来
構造と同じである。
面図である。図において、ｎ型５Ｌ２Ｊ板３１、浅いｐ
−ウェル層３２、深いｐ−ウェル層３３、ホトダイオー
ドの♂型拡散層３４、第１のポリシリコン電極３５、ゲ
ート酸化膜３Ｂ、埋込みチャネル用ｎ−型拡散層３７、
転送ゲート部（トランスファゲート）３８、中間絶縁膜
３９、フィールド酸化膜３１Ｏ１光シールド用ＡＤ ３
１１ 、及び熱酸化膜３１２は全て第２図に示した従来
構造と同じである。
この実施例がｆｆ１２図の従来例と異なる点は、ポリシ
リコン電極２５の側壁遮光体として、例えば高融点金属
或いは高融点金属の化合物３１３を設けたことである。
リコン電極２５の側壁遮光体として、例えば高融点金属
或いは高融点金属の化合物３１３を設けたことである。
高融点金属としてはν、 Ｎｏ、 Ｔａ、 ＴＩが代表
的で、これらのいずれを用いてもよく、その化合物を用
いる場合は上記高融点金属のシリサイド、すなわち、Ｗ
Ｓｉ 、 ＭｏＳｉ 、 Ｔｉ５１２等が適切であ
る。
的で、これらのいずれを用いてもよく、その化合物を用
いる場合は上記高融点金属のシリサイド、すなわち、Ｗ
Ｓｉ 、 ＭｏＳｉ 、 Ｔｉ５１２等が適切であ
る。
以上説明した第１図の実施例に示される構成においては
、第１図のＪ−Ｊ’印に示したようにホトダイオード部
に対して垂直方向に近い入射角をもつ入射光に対しては
ホトダイオード面での反射光は高融点金属３１３の表面
で効果的に外側に反射されて、ＶＣＣＤ側への侵入光は
著るしく減少する。このため、スメアの発生は激減する
ので前記のｆ為信号は大きく低減する。
、第１図のＪ−Ｊ’印に示したようにホトダイオード部
に対して垂直方向に近い入射角をもつ入射光に対しては
ホトダイオード面での反射光は高融点金属３１３の表面
で効果的に外側に反射されて、ＶＣＣＤ側への侵入光は
著るしく減少する。このため、スメアの発生は激減する
ので前記のｆ為信号は大きく低減する。
これに対して、第１図のＩ４！’印の点線で示したよう
にホトダイオード面に対してかなり斜めに入射する光は
、第２図の従来例で説明したものと同様に高融点金属３
１３の面では反射されずＶＣＣＤ側へ侵入するのでスメ
アの防止効果はない。
にホトダイオード面に対してかなり斜めに入射する光は
、第２図の従来例で説明したものと同様に高融点金属３
１３の面では反射されずＶＣＣＤ側へ侵入するのでスメ
アの防止効果はない。
しかし、これに対しては第１図のｔで示した中間絶縁膜
８９の膜厚を薄くすることにより、光路を狭くしスメア
防止効果を向上させることが可能である。
８９の膜厚を薄くすることにより、光路を狭くしスメア
防止効果を向上させることが可能である。
例えば、この実施例の場合、ポリシリコン層の膜厚を５
０００人、中間絶縁膜３９として４０００〜８０００人
の膜厚のＢＰＳＧ （ボロンリンガラス）を形成すると
５０００人／ ９０００人〜５０００人／ １３０００
人、すなわち最大５５．６％〜最小３８％程度のスメア
の発生を低減することが可能となる。これは素子の仕様
や１的によって、それに見合う厚さの中間絶縁膜を形成
することによって容品に達成される。なお、実際には各
画素に入射する光３０は上記１−Ｉ′の入射光はど斜に
入射しないことを考えるとこのためのスメア防止率の割
合は全体としては小さくなることが予想される。このた
め、実際のスメア低減効果は側壁の反射面を形成す、る
高融点金属３９の形成による寄与が大きくなる。
０００人、中間絶縁膜３９として４０００〜８０００人
の膜厚のＢＰＳＧ （ボロンリンガラス）を形成すると
５０００人／ ９０００人〜５０００人／ １３０００
人、すなわち最大５５．６％〜最小３８％程度のスメア
の発生を低減することが可能となる。これは素子の仕様
や１的によって、それに見合う厚さの中間絶縁膜を形成
することによって容品に達成される。なお、実際には各
画素に入射する光３０は上記１−Ｉ′の入射光はど斜に
入射しないことを考えるとこのためのスメア防止率の割
合は全体としては小さくなることが予想される。このた
め、実際のスメア低減効果は側壁の反射面を形成す、る
高融点金属３９の形成による寄与が大きくなる。
第３図（Ａ）〜（Ｄ）は第１図の実施例の固体撮像素子
の製造方法を断面図によって説明する工程図である。（
Ａ）〜（Ｄ）の工程図の順に形成方法と形成状態を説明
する。
の製造方法を断面図によって説明する工程図である。（
Ａ）〜（Ｄ）の工程図の順に形成方法と形成状態を説明
する。
（Ａ） ｎ型（１００）Ｓｉ基板４１に周知の製造方法
を用いて浅いｐ−ウェル層４３と深いｐ−ウェル層４２
を形成し、さらに厚いフィールド酸化膜４４、埋込みチ
ャネルｎ−型拡散層４５、第１のゲート酸化膜４６、第
１のポリシリコン電極４７を形成する。
を用いて浅いｐ−ウェル層４３と深いｐ−ウェル層４２
を形成し、さらに厚いフィールド酸化膜４４、埋込みチ
ャネルｎ−型拡散層４５、第１のゲート酸化膜４６、第
１のポリシリコン電極４７を形成する。
（Ｂ）前記ポリシリコン電極４７がないアクティブ領域
に第２ゲート酸化膜４９を形成し、さらに第２のポリシ
リコン電極を形成するが、この説明の断面図には現われ
ない。
に第２ゲート酸化膜４９を形成し、さらに第２のポリシ
リコン電極を形成するが、この説明の断面図には現われ
ない。
前記第１のポリシリコン電極４７及び図示しない第２の
ポリシリコンには導電性をもたせるためリン等の不純物
が導入されていることは言うまでもない。この第１ポリ
シリコン電極４７及び第２ポリシリコン電極がＶＣＣＤ
の電極となる。
ポリシリコンには導電性をもたせるためリン等の不純物
が導入されていることは言うまでもない。この第１ポリ
シリコン電極４７及び第２ポリシリコン電極がＶＣＣＤ
の電極となる。
第２ポリシリコン電極を形成した後は、全面に＾Ｓ或い
はリンをイオン注入してホトダイオードのに型拡散層４
８を形成し、さらにイオン注入後のアニールと全面の絶
縁物形成を兼ねて熱酸化膜４９を形成し、引き継き全面
にタングステンシリサイドν５１ｘ５０を形成する。
はリンをイオン注入してホトダイオードのに型拡散層４
８を形成し、さらにイオン注入後のアニールと全面の絶
縁物形成を兼ねて熱酸化膜４９を形成し、引き継き全面
にタングステンシリサイドν５１ｘ５０を形成する。
（Ｃ）平行平板型のエツチング装置を用いて、ＣＲ４の
ガスを導入しＷＳｌｘ５０を熱酸化膜４９が露出する迄
で異方性エツチングすると、第１のポリシリコン電極４
７の側壁にＷＳｉｘが残る。
ガスを導入しＷＳｌｘ５０を熱酸化膜４９が露出する迄
で異方性エツチングすると、第１のポリシリコン電極４
７の側壁にＷＳｉｘが残る。
（Ｄ）中間絶縁膜５１となるＢＰＳＧを４０００〜８０
００人堆積させ、さらに８００〜１０００℃程度の温度
で該ＢＰＳＧを流動化させ表面を平滑にする。そして、
光シールド用のＡ１５２をスパッタしてパターニングす
ることにより、第１図に示した構造のＣＣＤ素子が得ら
れる。
００人堆積させ、さらに８００〜１０００℃程度の温度
で該ＢＰＳＧを流動化させ表面を平滑にする。そして、
光シールド用のＡ１５２をスパッタしてパターニングす
ることにより、第１図に示した構造のＣＣＤ素子が得ら
れる。
なお、第１図及び第３図の実施例において、ポリシリコ
ン電極４７の側壁材料として高融点金属やその化合物５
０を使用する理由は、後の工程で中間絶縁膜５１として
用いたＢＰＳＧの平滑化のために高温での熱処理を行う
必要があるので、ＡＮなどの低融点金属を用いることが
できないためである。
ン電極４７の側壁材料として高融点金属やその化合物５
０を使用する理由は、後の工程で中間絶縁膜５１として
用いたＢＰＳＧの平滑化のために高温での熱処理を行う
必要があるので、ＡＮなどの低融点金属を用いることが
できないためである。
［発明の効果］
以上、詳細に説明したようにこの発明によれば、ＶＣＣ
Ｄのポリシリコン電極側壁に融点金属或いはその化合物
の膜を備えているため、ホトダイオード表面で反射した
ＶＣＣＤ中間絶縁膜層への侵入光をこの側壁の反射面で
反射させてホトダイオード内へ戻したり或いは半導体外
部へ放出することができるようにしたので、固体撮像索
子の偽信号であるスメアを著るしく抑制でき、工程増加
分を補って余りある固体撮像素子が得られる効果がある
。
Ｄのポリシリコン電極側壁に融点金属或いはその化合物
の膜を備えているため、ホトダイオード表面で反射した
ＶＣＣＤ中間絶縁膜層への侵入光をこの側壁の反射面で
反射させてホトダイオード内へ戻したり或いは半導体外
部へ放出することができるようにしたので、固体撮像索
子の偽信号であるスメアを著るしく抑制でき、工程増加
分を補って余りある固体撮像素子が得られる効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例のＣＣＤ型固体撮像素子の
一断面説明図、第２図は第１図の実施例の製造工程説明
図、第３図（Ａ）〜（Ｄ）は従来の固体撮像素子の断面
構成図、第４図は従来のＣＣＤ型固体撮像素子の構成を
示す模式平面図である。 第１図において、３０は入射光、３１はｎ型シリコン基
板、３２は浅いｐ−ウェル層、３３は深いｐ−ウェル層
、３４はホトダイオードのｎ十型拡散層、３５は第１の
ポリシリコン電極、３６はゲート酸化膜、３７は埋込み
チャネル用ざ型拡散層、３８は転送ゲート部（トランス
ファゲート）、３９は中間絶縁膜（ＢＰＳＧ ） 、３
１０はフィールド酸化膜、３１１はＡ１１（膜） 、３
１２は酸化膜、３１３は高融点金属又はその化合物（シ
リサイド）である。 第２図において、２０は入射光、２１はｎ型シリコン（
Ｓ＋）基板、２２は浅いｐ−ウェル層、２３は深いｐ−
ウェル層、２４は一型拡散層、２５は第１のポリシリコ
ン電極、２６はゲート酸化膜、２７は埋込みチャネルの
ざ型拡散層、２８はトランスファゲート、２９は中間絶
縁膜（ＢＰＳＧ）、２１０はフィールド酸化膜、２１１
はＡＩＩ（膜） 、２１２は酸化膜である。 第３図において、４１はｎ型５ｔ（１００）基板、４２
は深いｐ−ウェル層、４３は浅いｐ−ウェル層、４４は
フィールド酸化膜、４５は埋込みチャネル１型拡散層、
４Ｇはゲート酸化膜、４７は第１のポリシリコン電極、
４８はに型拡散層、４９は熱酸化膜、５０はＷＳｉｘ（
タングステンシリサイド）、５１は中間絶縁膜、５２は
光シールド用のＡｆｆである。 第４図において、１１はホトダイオード、１２はＶＣＣ
Ｄ、１３はＨＣＣＤ、１４は出力アンプである。 騙り 従来の固体撮像素子の模式構成 第４図
一断面説明図、第２図は第１図の実施例の製造工程説明
図、第３図（Ａ）〜（Ｄ）は従来の固体撮像素子の断面
構成図、第４図は従来のＣＣＤ型固体撮像素子の構成を
示す模式平面図である。 第１図において、３０は入射光、３１はｎ型シリコン基
板、３２は浅いｐ−ウェル層、３３は深いｐ−ウェル層
、３４はホトダイオードのｎ十型拡散層、３５は第１の
ポリシリコン電極、３６はゲート酸化膜、３７は埋込み
チャネル用ざ型拡散層、３８は転送ゲート部（トランス
ファゲート）、３９は中間絶縁膜（ＢＰＳＧ ） 、３
１０はフィールド酸化膜、３１１はＡ１１（膜） 、３
１２は酸化膜、３１３は高融点金属又はその化合物（シ
リサイド）である。 第２図において、２０は入射光、２１はｎ型シリコン（
Ｓ＋）基板、２２は浅いｐ−ウェル層、２３は深いｐ−
ウェル層、２４は一型拡散層、２５は第１のポリシリコ
ン電極、２６はゲート酸化膜、２７は埋込みチャネルの
ざ型拡散層、２８はトランスファゲート、２９は中間絶
縁膜（ＢＰＳＧ）、２１０はフィールド酸化膜、２１１
はＡＩＩ（膜） 、２１２は酸化膜である。 第３図において、４１はｎ型５ｔ（１００）基板、４２
は深いｐ−ウェル層、４３は浅いｐ−ウェル層、４４は
フィールド酸化膜、４５は埋込みチャネル１型拡散層、
４Ｇはゲート酸化膜、４７は第１のポリシリコン電極、
４８はに型拡散層、４９は熱酸化膜、５０はＷＳｉｘ（
タングステンシリサイド）、５１は中間絶縁膜、５２は
光シールド用のＡｆｆである。 第４図において、１１はホトダイオード、１２はＶＣＣ
Ｄ、１３はＨＣＣＤ、１４は出力アンプである。 騙り 従来の固体撮像素子の模式構成 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に１次元或いは２次元に配置された複数
個の拡散層からなる光電変換素子と、上記半導体基板上
に設けられ、上記光電変換素子の光の情報を順次読み出
すＣＣＤシフトレジスタを備えた固体撮像素子において
、 上記ＣＣＤの電極側壁に高融点金属あるいは高融点金属
化合物を設けたことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059435A JPH01233761A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059435A JPH01233761A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233761A true JPH01233761A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13113193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63059435A Pending JPH01233761A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01233761A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172277A (ja) * | 1988-12-25 | 1990-07-03 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH03188672A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Matsushita Electron Corp | 電荷転送装置及びその製造方法 |
| KR100457335B1 (ko) * | 1997-09-11 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치및그의제조방법 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP63059435A patent/JPH01233761A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172277A (ja) * | 1988-12-25 | 1990-07-03 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH03188672A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Matsushita Electron Corp | 電荷転送装置及びその製造方法 |
| KR100457335B1 (ko) * | 1997-09-11 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치및그의제조방법 |
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