JPH03187282A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03187282A JPH03187282A JP32623489A JP32623489A JPH03187282A JP H03187282 A JPH03187282 A JP H03187282A JP 32623489 A JP32623489 A JP 32623489A JP 32623489 A JP32623489 A JP 32623489A JP H03187282 A JPH03187282 A JP H03187282A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- stripe
- growth
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- laser device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液相成長法により製造される内部ストライ
プ型の半導体レーザー装置の製造方法に関するものであ
る。
プ型の半導体レーザー装置の製造方法に関するものであ
る。
第２図及び第３図は従来の半導体レーザー装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
図において（１）はＰ−ＧａＡｓ基板、（２）はＮ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層、（３）はＰ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層、（４）はＰ−ＡＩＧａＡｓ活性層、（５）はＮ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層、（６）はＮ−ＧａＡｇ：＋ンタ
クト層、（７）はＶ溝肩部である。次に製造方法につい
て説明する。先ず第２図に示すごとく液相成長法により
、Ｐ−ＧａＡｓ基板（１）上に、Ｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層（２）の成長を行ない、その後、ホトリソグラフィ技
術と、ケミカルエツチング技術により、Ｖ字状の溝をも
つストライプを形成する。
ａＡｓ電流阻止層、（３）はＰ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層、（４）はＰ−ＡＩＧａＡｓ活性層、（５）はＮ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層、（６）はＮ−ＧａＡｇ：＋ンタ
クト層、（７）はＶ溝肩部である。次に製造方法につい
て説明する。先ず第２図に示すごとく液相成長法により
、Ｐ−ＧａＡｓ基板（１）上に、Ｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層（２）の成長を行ない、その後、ホトリソグラフィ技
術と、ケミカルエツチング技術により、Ｖ字状の溝をも
つストライプを形成する。
次に、第３図に示すごとく再度液相成長法を用いてＰ−
ＡｌＧａＡｓクラッド層（３１，Ｐ−ＡＩＧａＡｓ活性
層（４１，Ｎ−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層（５
１゜Ｎ−ＧａＡｓコンタクト層（６）を順次成長する。
ＡｌＧａＡｓクラッド層（３１，Ｐ−ＡＩＧａＡｓ活性
層（４１，Ｎ−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層（５
１゜Ｎ−ＧａＡｓコンタクト層（６）を順次成長する。
なお、Ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層（３）成長時、Ｇａ
メルトの過飽和度を８℃ぐらいに下げておくことで、Ｖ
ｆｌｔ肩部（７）をメルトバックさせ、光に対する屈折
率の変化がなだらかになるように作りつける。
メルトの過飽和度を８℃ぐらいに下げておくことで、Ｖ
ｆｌｔ肩部（７）をメルトバックさせ、光に対する屈折
率の変化がなだらかになるように作りつける。
次に動作について説明する。Ｐ側、Ｎ側各々にオーシッ
ク電極形成後、上記両電極間にＰ側が正となるようにバ
イアスを印加し、電流を注入すると、Ｖ字状溝部付近の
Ｐ−ＡＩＧａＡｓ活性層（４）より、その組成により決
定される波長の光が出射される。
ク電極形成後、上記両電極間にＰ側が正となるようにバ
イアスを印加し、電流を注入すると、Ｖ字状溝部付近の
Ｐ−ＡＩＧａＡｓ活性層（４）より、その組成により決
定される波長の光が出射される。
ＶＮ部をなめらかな形にす、るためには、メルトバック
させることが必要であるが、−度に大面積、あるいは多
数枚のＰ−ＧａＡｓ基板上に成長を行う場合、Ｇａメル
トの過飽和度に変化が生じ、ウェハ面内あるいはウェハ
間でメルトバック量の大きさにバラつきを生じてしまう
。このことで、光の横方向の閉じ込め方にバラつきを生
じ、結果としてレーザーの水平方向の遠視野像（θ１１
）にバラつきを生ずるという問題点があった。
させることが必要であるが、−度に大面積、あるいは多
数枚のＰ−ＧａＡｓ基板上に成長を行う場合、Ｇａメル
トの過飽和度に変化が生じ、ウェハ面内あるいはウェハ
間でメルトバック量の大きさにバラつきを生じてしまう
。このことで、光の横方向の閉じ込め方にバラつきを生
じ、結果としてレーザーの水平方向の遠視野像（θ１１
）にバラつきを生ずるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、大面積あるいは多数枚のウェハを一度に結
晶成長し、なお、水平方向の遠視野像（θ１１）のバラ
つきの少ない半導体レーザー装置を得ることを目的とす
る。
れたもので、大面積あるいは多数枚のウェハを一度に結
晶成長し、なお、水平方向の遠視野像（θ１１）のバラ
つきの少ない半導体レーザー装置を得ることを目的とす
る。
ＣｔＪＷｉを解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザー装置は、■字状ストライ
プ溝部の形を、メルトバックによらず、結晶成長前に、
Ｂｒ液等によるケミカルエツチング技術により、−様に
なめらかな形状に形成するものである。
プ溝部の形を、メルトバックによらず、結晶成長前に、
Ｂｒ液等によるケミカルエツチング技術により、−様に
なめらかな形状に形成するものである。
上記のように、Ｖ溝肩部をウェハ面内あるいはウェハ間
で均一になめらかな形状に形成することで、水平方向遠
視野像（θ８．）のバラつきの小さい半導体レーザー装
置を得ることができる。
で均一になめらかな形状に形成することで、水平方向遠
視野像（θ８．）のバラつきの小さい半導体レーザー装
置を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
製造方法の工程を示す半導体レーザ装置の断面図である
。図において（１１、（２１、（７１は第２図及び第３
図の従来例に示したものと同等であるので説明を省略す
る。
製造方法の工程を示す半導体レーザ装置の断面図である
。図において（１１、（２１、（７１は第２図及び第３
図の従来例に示したものと同等であるので説明を省略す
る。
次に製造方法について説明する。第１図に示すごと＜
Ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１）上に、第１回目の結晶
成長（Ｎ−ＧａＡｇ電流阻止層（２））を行い、その後
、Ｖ字状の溝から成るストライプを形成する。
Ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１）上に、第１回目の結晶
成長（Ｎ−ＧａＡｇ電流阻止層（２））を行い、その後
、Ｖ字状の溝から成るストライプを形成する。
これを４％のＢｒ−メチル溶液を用いて、２０秒関エツ
チングを行なうと、Ｖ溝肩部（７）がなめらかな形状に
形成される。
チングを行なうと、Ｖ溝肩部（７）がなめらかな形状に
形成される。
図に示す斜線部が、Ｂｒ−メチル溶液によりエツチング
された部分である。この第３図の従来例に示す方法と同
様の第２回目の結晶成長を行うに当ってＰ−ＡＩＧａＡ
ｓクラッド層（３）成長時、Ｇａメルトの過飽和度を約
１５℃に上げることで、メルトバック量を小さくする。
された部分である。この第３図の従来例に示す方法と同
様の第２回目の結晶成長を行うに当ってＰ−ＡＩＧａＡ
ｓクラッド層（３）成長時、Ｇａメルトの過飽和度を約
１５℃に上げることで、メルトバック量を小さくする。
以上のようにすることで、ｖｆｌｔＲ部（７）を−様に
なめらかな形にすることが出来る。
なめらかな形にすることが出来る。
この発明によれば、Ｖ溝肩部の形状を、−様になめらか
な形状にすることで、大きな面積を一度に結晶成長させ
ても、光の水平方向遠視野像（θ１、）のバラつきの小
さい半導体レーザー装置を得ることが出来る効果がある
。
な形状にすることで、大きな面積を一度に結晶成長させ
ても、光の水平方向遠視野像（θ１、）のバラつきの小
さい半導体レーザー装置を得ることが出来る効果がある
。
第１図は、この発明の一実施例による半導体レーザー装
置の製造方法の工程において、第１回結晶成長の後、Ｖ
字状溝を形成し、Ｖ溝肩部をなめらかな形にした状況を
示す断面図、第２図及び第３図は従来の半導体レーザ装
置の製造方法の工程を示す半導体レーザー装置の断面図
である。 図において、（１）はＰ−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、（２）
ばＮＧａＡｓ電流阻止層、（７）はＶ溝肩部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
置の製造方法の工程において、第１回結晶成長の後、Ｖ
字状溝を形成し、Ｖ溝肩部をなめらかな形にした状況を
示す断面図、第２図及び第３図は従来の半導体レーザ装
置の製造方法の工程を示す半導体レーザー装置の断面図
である。 図において、（１）はＰ−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、（２）
ばＮＧａＡｓ電流阻止層、（７）はＶ溝肩部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 液相成長法により製造される内部トライプ型の半導体レ
ーザー装置の製造方法において、ストライプ状の溝部を
形成した後、エピタキシャル成長を行なう前に、該スト
ライプ状溝部の肩部をエッチングによりなめらかな形状
に形成することを特徴とする半導体レーザー装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623489A JPH03187282A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623489A JPH03187282A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187282A true JPH03187282A (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=18185487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32623489A Pending JPH03187282A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03187282A (ja) |
-
1989
- 1989-12-16 JP JP32623489A patent/JPH03187282A/ja active Pending
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