JPS599990A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザの製造方法

Info

Publication number
JPS599990A
JPS599990A JP57119362A JP11936282A JPS599990A JP S599990 A JPS599990 A JP S599990A JP 57119362 A JP57119362 A JP 57119362A JP 11936282 A JP11936282 A JP 11936282A JP S599990 A JPS599990 A JP S599990A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
layer
growth
semiconductor laser
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57119362A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoichi Hirano
良一 平野
Hirobumi Namisaki
浪崎　博文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP57119362A priority Critical patent/JPS599990A/ja
Priority to DE19833324594 priority patent/DE3324594A1/de
Publication of JPS599990A publication Critical patent/JPS599990A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、低しきい値を有し発振モード特性に優れた半
導体レーザの製造方法に関するものである。
発振モードを制御するためには、活性領域が光の導波路
となるよう屈折率（又は利得）に空間的な分布をつける
ことが会費である。分布をつける方法にはいろいろな方
法が知られているが、太きく分けて二つの方法が考えら
れている。
第１の方法は、ＢＥ型の半導体レーザと呼ばれる構造を
製造する方法で、ツカダ（Ｔ、　Ｔｓｕｋａｄａ）によ
りジャーナル・オプ・アプライド・フイズツクス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ　ｏｆ　ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）
の第４５巻、１９７４年、４８９９頁に発表されている
。この製造方法を要約すると、まず、第１図（ａ）に示
すように、第１回目の成長で活性領域が形成される層（
１１をこれより屈折率の低い層（２）で挾むような通常
のダブルヘテロ接合構造をエピタキシャル成長し、し力
）る後に第１図（１））に示すように、明示のため又差
斜線を施した活性領域（ｌａ）となる部分およびこれを
挾むＲ（２ａ）以外をエツチング除去する。そののち、
第１図（Ｃ）に示すように、第２回目の成長として、活
性領域（１ａ）の両側面をこれより屈折率の低い物質（
３）で埋め込むものである。
２］）２の方法は、Ｂｅ型の半導体レーザと呼ばれる構
造を製造する方法で、ムロタニ（Ｔ、　Ｍｕｒｏｔａｎ
ｉ）らによりエレクトロニクス・レターズ（、に１ｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ）の第１６巻１９８０年
５５６頁に発表されている。この製造方法を要約すると
、まず、第２図（ａ）（→ 、（ｂ）に示すように基板−にストライプ状の溝（４ａ
）を形成し、その溝（４ａ）中に通常の活性領域（１ａ
）およびこれを挾む層（２ａ）からなるタプルヘテロ接
したレーザを製作する場合について説明する。前述のム
ロタニらの文献によるとＢｅ型の半導体レーザの製作の
際に形成するストライプ状の溝（４ａ）は（１００）面
の表面に対し−Ｃ（０１１，１］方向に沿って鳩尾（ｄ
ｏｖｅｔａｉｌ）秋の１面形状（第２図参照）を有する
ものとすることが述べられている。この鳩尾（ｄｏｖｅ
ｔａｉｌ）状の断面形状中にダブルへテロ接合構造を形
成すると、工ｎＧａＡｓＰからなる活性領域（ｌａ）は
三日月状に再現性よく形成される。このように、Ｂｅ型
半導体レーザの特長は、（１００）面の表面に対し〔０
１１〕方向に沿った鳩尾（ｄｏｖｅ　ｔａ　１１　）状
の断面形状中にダブルへテロ接合を形成するところにあ
る。
このＢｅ型半導体レーザは鳩尾（ｄｏｖｅｔａｉｌ）状
の溝を形成すれば、成長が比較的容易で再現性よく低し
きい値、高効率の素子が得られる、という特長を持ち、
その点では満足のいくものであるが、発振モード特性の
点で欠点があった。ずなわぢ、発振モード特性の良好な
素子を得るために活性領域（１ａ）の厚さを０．１μｍ
程度としようとする場合、溝（４ａ）の横幅を２．０μ
ｍ程度以下に制御する必要があるが、鳩尾（ｄｏｖｅｔ
ａｉｌ　）状の溝（４ａ）の歯割よｍ溝幅が表面から溝
内部にかけて広がるため及び溝側面方向のエツチング（
サイド・エラチンこれは光学式マスクアライナ−の抜く
ことができる限界のストライプ幅であり、このことは鳩
尾（ｄｏｖｅｔａｉｌ）状の溝（４ａ）の底面における
溝幅を２．０μｍ程度以下に再現性よく作成することを
困難にし、発振モード特性の良好な素子を得ることかむ
すかしさせる、という欠点ヲ有する。
一方、第３図に示すように、ストライプ状の溝（４ｂ）
を（ｉｊｉｏ）面の表面に対して（ｏｘｉ）方向に沿っ
て、■状の断面形状に作成した場合には、鳩尾（ｄｏｖ
ｅｔａｉｌ）状の溝（４ａ）を作成した場合と比較して
、（イ）結晶表面から内部にひかつて溝幅が狭くなる０
（０）Ｖ状の溝（４ｂ）　（Ｄ７Ｍｌ！’を面カ（１１
−１）　Ａ　面トナリ、表面がエツチングに対して安定
なため、サイド・エツチングがほとんどない。（ハ）（
１１１）　Ａ面は平坦な表面が得られやすく、このこと
は、この溝（４ｂ）中に活性領域を成長した場合、均一
な１面を有する層が得られ、素子特性の安定化に貢献す
る。などの利点がある。しかしながら、Ｖ状の溝（４ｂ
）を形成した基板士に液相エビクキシャル戒長を行うと
、溝（４ｂ）内部における成長が行なわれにくく、壕だ
、たまたま成長しても成長層の厚さも溝毎によって違な
る、という構成長の困難さに、致命的な欠陥があった。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、Ｖ状
の溝を底付き溝にすることによってＶ状の溝形成の長所
をそのまま生かし、しかも、溝内における液相エピタキ
シャル成長が容易にかつ制御性よく行われるようにした
半導体レーザの製造方法を提供することを目的としたも
のである。
以下、実施例に基ついてこの発明を説明する〇第４図（
ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の快点の工程における
状態を示ず障１面図である。まず、ｈ’＞　’図（ａ）
に示すように、第１回目の成長として、ＩｎＰ基板（４
）上に工ｎＧａＡｓＰ　Ｎ（５１、ＩｎＰ　層（６１を
順次成長憾する。この場合は、ＩｎＰ基板（４）、工ｎ
ＧａＡｅＰ膚（５）およびＩｎＰ層（６）が半導体基体
（７）を構成する。次に、第４図（ｂ）に示すように、
通常の写真製版法により、（１０り而の表面に対し〔０
１１〕方向に沿った方向に数μｍ幅にストライプ窓を抜
き反応計速型エツチング液を用いてＶ状の溝（８）を形
成する。この際、Ｖ状の溝（８）の底部はＩｎＧａＡｓ
Ｐ層（５）に達して止まるようにエツチング液を選ぶこ
とが重要である。これはＩｎＧａＡＦ３Ｐ／ＩｎＰ系の
エツチングに関しては例えば塩酸（ＨＯ７）をエツチン
グ液として使用し７、■ｎａ　ａ　Ａ　ｓｋ層（５）ま
で工ｎＰ層をエツチングすれはよい。
（以下、便宜のために、このような溝を゛庇付きＶ溝”
これに対して底部が７字になっている場合を底なし　、
Ｍ４と呼ぶことにする）０次に、第４図（Ｃ）に示すよ
うに、第２回目成長として底付きＶ溝を設けた半導体基
体（７）に通常のダブルへテロ接合構造を成長させる。
この成長は容易に行なわれ、成長層の厚さの再現性も良
好であることが明らかになった。
上記のように基体に底付きＶ溝を設けた場合、成長が容
易に行なわれ、成長層の厚さの再現性も良好になる理由
は、次の根拠に帰因する。すなわち、単なる底なし■溝
基体（第３図）では、溝表面が（１１１）Ａ面であり、
この表面は二次元核の生成が行われにくく、従ってエピ
タキシャル成長が行われにくい性質を持っていることが
知られてし）る。一方、底付きＶ溝基体では、溝（８）
の底面が（１００）面であるため、成長が行われやすく
、加えて底を構成するＩｎＧａＡｓＰ層（５１が、その
Ａｓ濃度が大きくなるに従って第２回目成長の第１層で
ある工ｎＰ層（２）成長前に成長融液に融は去る性質が
顕著となり、表面清浄なＩｎＰ基板（４）が穿出される
という性質があるため工ｎＧａＡｅＰ表面の状態によら
ず、成長が再現性よく行われるからである。
上記の実施例では工ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐ／Ｉ　ｎ　
Ｐ系の半導体レーザの製造方法の例を説明したが、他の
＋Ｕ　−Ｖ族化合物半導体による半導体レーザ、ＩＴ−
Ｖｌ族化合物半導体による半導体レーザなどの製法にも
適用できる。また、上記の説明では溝を形成する基体中
に異極の層をはさみ、そのノーでＶ溝が自動的に場合も
含まれることはいうまでもない。この場合、半導体基板
そのものを半導体基体とすることが可能である。
以上のように、本発明による半導体レーザの製造方法に
は、 Ｑ（）　　形成溝が基板表面から内部に同って、狭くな
るため、狭い幅の活性層の成長が行える。
（ロ）上記ｖ溝のエツチングは、横方向のエツチング広
がり（ザイド・エツチング）がほとんどないために、狭
い幅の溝が再現性よく形成することができる。
（／ウ　　溝側面は平坦性の良い（１１，１）　Ａ面の
ため、この溝内に成長した活性領域は均一な断面を有す
る層が得られる。
に）　底面が成長が容易な（１００）面となっているた
め、成長は容易に行われ、しかも、成長層の厚さの再現
性がよい。
（Ｊう　ＩｎＣ１ａＡｓＰ／ＩｎＰ半導体レーザの製造
の場合、底のＩｎＧａＡｓＰ層が成長融液に融は込んで
清浄なＴｎＰ層が露出されることか多く、この上にエピ
タキシャル成長が行われるため、結晶性良好なエピタキ
シャル成長が再現性よく得られる。
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（Ｃ）はＢＨ型の半導体レーザを製造す
る方法の主要工程における状態を示す断面図、第２図（
ａ）　、　（ｂ＞はＢｅ型半導体レーザを製造する方法
の主要工程における状態を示す断面図、第３図は基板に
Ｖ溝を形成した状態を示す断面図、第４図（ａ）〜（０
）は本発明による半導体レーザの製造方法の一実施例の
主要段階における状態を示す断面図である。 図において、＋１１は活性領域を形成する層、（ｌａ）
は活性領域、（２）は活性領域（ｌａ）よりも屈折率が
低い物質による膚、（４）はＩｎＰ基板（半導体基板）
、（５）はＩｎＧａＡｓＰ層、（６）はＩｎＰ層、（７
）は半導体基体、（８）は底付き■溝である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人　　　葛　野　信　−（外１名）第１図 第２図 ２久 第３図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １　事件の表示　　　　ｂ゛願昭５７−１１９３６２号
２・　発明の名称　　　　半導体レーザの製造方法３６
　　補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正の内容 （１）明細書の第２頁第６行および同頁第１７行の「屈
折率」を「屈折率」に訂正する。 （２）　　同、第５頁第６行の「すかしさせる」を「ず
かしくさせる」に訂正する。 （３）　　同、第７頁第２行の「エツチング液を選ぶ」
を「エツチング液とストライプ窓の幅とを選ぶ」に訂正
する。 以　　上 ４１

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）溝付き化合物半導体基体上に通常のダブルへテロ
    接合ｍ　造のエピタキシャル成長を行い溝中に活性層を
    形成する方法において、化合物半導体基体の表面が（１
    ００）になるようにすると共に、溝を（ｏｘｉ）方向に
    沿った方向に形成し、かつ、上記溝が（１００）面の底
    面を有するようにすることを％徴とする半導体レーザの
    製造方法。 ＋２１　　（１，００）面の底面を有する溝を形成する
    ために、化合物半導体基体内にエツチング阻止層を形成
    することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
    体レーザの製造方法。 （３）タプルヘテロ接合構造としてＩｎｋ／工ｎＧａＡ
    ｓＰ／工ｎＰを用い、エツチング阻止層として工ｎ　Ｇ
    　ａ　Ａ、　ｓ　Ｐを用い、溝形成用のエツチング液と
    して塩酸を用いることを特徴とする特許請求の範囲第２
    項記載の半導体レーザの製造方法。
JP57119362A 1982-07-07 1982-07-07 半導体レ−ザの製造方法 Pending JPS599990A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57119362A JPS599990A (ja) 1982-07-07 1982-07-07 半導体レ−ザの製造方法
DE19833324594 DE3324594A1 (de) 1982-07-07 1983-07-07 Verfahren zur herstellung eines halbleiter-lasers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57119362A JPS599990A (ja) 1982-07-07 1982-07-07 半導体レ−ザの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS599990A true JPS599990A (ja) 1984-01-19

Family

ID=14759613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57119362A Pending JPS599990A (ja) 1982-07-07 1982-07-07 半導体レ−ザの製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS599990A (ja)
DE (1) DE3324594A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811304A (en) * 1985-06-20 1989-03-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha MDS decoder circuit with high voltage suppression of a decoupling transistor
JPH03227087A (ja) * 1990-01-31 1991-10-08 Sharp Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW347597B (en) * 1994-01-31 1998-12-11 Mitsubishi Chem Corp Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1065460A (en) * 1975-06-23 1979-10-30 Robert D. Burnham Buried-heterostructure diode injection laser
GB1570479A (en) * 1978-02-14 1980-07-02 Standard Telephones Cables Ltd Heterostructure laser
GB2046983B (en) * 1979-01-18 1983-03-16 Nippon Electric Co Semiconductor lasers
JPS5723292A (en) * 1980-07-16 1982-02-06 Sony Corp Semiconductor laser device and manufacture thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811304A (en) * 1985-06-20 1989-03-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha MDS decoder circuit with high voltage suppression of a decoupling transistor
JPH03227087A (ja) * 1990-01-31 1991-10-08 Sharp Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3324594C2 (ja) 1991-12-05
DE3324594A1 (de) 1984-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6237904B2 (ja)
JPS58216486A (ja) 半導体レ−ザおよびその製造方法
JPH02288288A (ja) 埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法
JPS599990A (ja) 半導体レ−ザの製造方法
JPS60163487A (ja) 半導体レ−ザ
JPS63124484A (ja) 半導体レ−ザ素子
JPS6021586A (ja) 化合物半導体装置
JPS5834988A (ja) 半導体レ−ザの製造方法
JPH0158676B2 (ja)
JPS6351558B2 (ja)
JPS62286294A (ja) 半導体レ−ザの製造方法
JPS62158387A (ja) 半導体レ−ザの製造方法
JPH0936475A (ja) リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法
JPS58225683A (ja) 半導体レーザの製造方法
JPH01305586A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JPS58223393A (ja) 半導体レ−ザ
JPH02237190A (ja) 半導体レーザ
JPH0479275A (ja) 端面発光ダイオード
JPH0116035B2 (ja)
JPS649751B2 (ja)
JPH03187282A (ja) 半導体レーザ装置の製造方法
JPS6014487A (ja) 半導体レ−ザ素子及びその製造方法
JPH0141261B2 (ja)
JPS6118191A (ja) 半導体レ−ザ装置およびその製造方法
JPS6062174A (ja) 半導体レ−ザの製造方法