JPH03185902A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03185902A JPH03185902A JP32627889A JP32627889A JPH03185902A JP H03185902 A JPH03185902 A JP H03185902A JP 32627889 A JP32627889 A JP 32627889A JP 32627889 A JP32627889 A JP 32627889A JP H03185902 A JPH03185902 A JP H03185902A
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- JP
- Japan
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- matching circuit
- circuit board
- package
- internal matching
- semiconductor element
- Prior art date
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- Pending
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波高出力用半導体装置の構造に関するも
のである。
のである。
〔従来の技術Ｊ
第３図は従来の高周波高出力用半導体装置の斜視図であ
る。図にかいて、（１０）は銅等の熱伝導度の良好な金
属からなるパッケージ、（２０）はパッケージ（１０）
の内部に半田等（図示せず）で接合された半導体素子、
（３ｏ）はパッケージ（１０）の内部に半導体素子（２
０）に涙液するよう接合された内部整合回路基板、（４
０）は半導体素子（２０）の電極（図示せず）と内部整
合回路基板（３０）上の電極（図示せず）、又は内部整
合回路基板（３０）の電極とパッケージ（１）内の電極
（図示せず）とを導通する金属剛線（５０）、 （６
０）はパッケージ（１０）に取付けられている外部ゲー
トリード及び外部ドレインリードである。
る。図にかいて、（１０）は銅等の熱伝導度の良好な金
属からなるパッケージ、（２０）はパッケージ（１０）
の内部に半田等（図示せず）で接合された半導体素子、
（３ｏ）はパッケージ（１０）の内部に半導体素子（２
０）に涙液するよう接合された内部整合回路基板、（４
０）は半導体素子（２０）の電極（図示せず）と内部整
合回路基板（３０）上の電極（図示せず）、又は内部整
合回路基板（３０）の電極とパッケージ（１）内の電極
（図示せず）とを導通する金属剛線（５０）、 （６
０）はパッケージ（１０）に取付けられている外部ゲー
トリード及び外部ドレインリードである。
次に動作について説明する。高周波の入力信号は外部ゲ
ートリード（５０）を経由し、金属測線（４０）、内部
整合回路基板（３０）を経て半導体素子（２０）に印加
され、出力信号は半導体素子（２０）から内部整合回路
基板（３０）、金属細線（４０）を経て外部ドレインリ
ード（６０）より取り出される。
ートリード（５０）を経由し、金属測線（４０）、内部
整合回路基板（３０）を経て半導体素子（２０）に印加
され、出力信号は半導体素子（２０）から内部整合回路
基板（３０）、金属細線（４０）を経て外部ドレインリ
ード（６０）より取り出される。
従来の高周波高出力用半導体装置は以上のように構成さ
れていたので、高周波で高出力化を図るためには半導体
素子の横寸法を太きくしなければならず、それに伴ない
パッケージ内部寸法も拡大し、パッケージ内部を１つの
導波管として考慮した場合、そのしゃ断層波数は反対に
低下し、時には動作周波数以下になり、前記半導体装置
としてはほとんどその増幅機能を果し得なくなるなどの
問題点があった。
れていたので、高周波で高出力化を図るためには半導体
素子の横寸法を太きくしなければならず、それに伴ない
パッケージ内部寸法も拡大し、パッケージ内部を１つの
導波管として考慮した場合、そのしゃ断層波数は反対に
低下し、時には動作周波数以下になり、前記半導体装置
としてはほとんどその増幅機能を果し得なくなるなどの
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高周波（特に１０ＧＨｚ以上）で高出力が小
型寸法で優られる半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、高周波（特に１０ＧＨｚ以上）で高出力が小
型寸法で優られる半導体装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用Ｊこの発明に係
る半導体装置は、パッケージ内部に上・下２つのキャビ
ティーを設け、それぞれのキャビティ内に半導体素子、
内部整合回路基板を形成し、１つのキャビティのしゃ断
層波数を動作周波数より高くシ、かつ２つのキャビティ
内の半導体素子の出力をパッケージ内部で合或し高出力
を得るようにしたものである。
る半導体装置は、パッケージ内部に上・下２つのキャビ
ティーを設け、それぞれのキャビティ内に半導体素子、
内部整合回路基板を形成し、１つのキャビティのしゃ断
層波数を動作周波数より高くシ、かつ２つのキャビティ
内の半導体素子の出力をパッケージ内部で合或し高出力
を得るようにしたものである。
［実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図にかいて、（１）は銅等の金属からなるパッケージ、
（２）はパッケージ（１）内部に設けられた中間層、（
３）は中間層（２）の上面に半田等（図示せず）で接合
された半導体素子、（４）は中間層（２）の上面の半導
体素子（３）に近接されるよう半田等（図示せず）で接
合された第１の内部整合回路基板である。
図にかいて、（１）は銅等の金属からなるパッケージ、
（２）はパッケージ（１）内部に設けられた中間層、（
３）は中間層（２）の上面に半田等（図示せず）で接合
された半導体素子、（４）は中間層（２）の上面の半導
体素子（３）に近接されるよう半田等（図示せず）で接
合された第１の内部整合回路基板である。
又、中間層伐）の下面部分にも、半導体素子（３）、第
１の内部整合回路基板（４）が接合されており、その状
態を第２図の断面図に示す。次に（６）は前記中間層（
２）の側面（５）に接合された第２の内部整合回路基板
、（７）は前記半導体素子のＫＷ（図示せず）と、前記
第１の内部整合回路基板、又は第１の内部整合回路と第
２の内部整合回路とを導通させている金属細線、（８）
、 （９）は前記パッケージ（１）の側面に設けられ
たテフロン等の絶縁体（１０）の中心に設けられた外部
ゲートリード及び外部ドレインリードである。これらは
金属細線（７）により第２の内部整合回路基板と導通さ
せられている。
１の内部整合回路基板（４）が接合されており、その状
態を第２図の断面図に示す。次に（６）は前記中間層（
２）の側面（５）に接合された第２の内部整合回路基板
、（７）は前記半導体素子のＫＷ（図示せず）と、前記
第１の内部整合回路基板、又は第１の内部整合回路と第
２の内部整合回路とを導通させている金属細線、（８）
、 （９）は前記パッケージ（１）の側面に設けられ
たテフロン等の絶縁体（１０）の中心に設けられた外部
ゲートリード及び外部ドレインリードである。これらは
金属細線（７）により第２の内部整合回路基板と導通さ
せられている。
次に動作について説明する。高周波の入力信号は外部ゲ
ートリード（８）、第２の内部整合回路基板（６）、第
１の内部整合回路基板（４〉、金属細線（７）等を経由
して半導体素子（３）に印加され、出力信号は半導体素
子〈３）より金属細線（７）、第１の内部整合回路基板
（４）、第２の内部整合回路基板（６）を経由して外部
ドレインリード（９）に取り出される。
ートリード（８）、第２の内部整合回路基板（６）、第
１の内部整合回路基板（４〉、金属細線（７）等を経由
して半導体素子（３）に印加され、出力信号は半導体素
子〈３）より金属細線（７）、第１の内部整合回路基板
（４）、第２の内部整合回路基板（６）を経由して外部
ドレインリード（９）に取り出される。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、パッケージ内部に２つ
以上のキャビティを設けたので、小型でありながら、高
周波高出力用に適した半導体装置を得ることができる効
果がある。
以上のキャビティを設けたので、小型でありながら、高
周波高出力用に適した半導体装置を得ることができる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す斜
視図、第２図は第１図の断面図、第３図は従来の半導体
装置の斜視図である。 図において、（１）はパッケージ、（２）は中間層、（
３）は半導体素子、（４）は第１の内部整合回路基板、
（５）は中間層（２）の側面、（６）は第２の内部整合
回路基板、（７）は金属細線、（８）は外部ゲートリー
ド、（９）は外部ドレインリード、（１１）は絶縁体を
示す。
視図、第２図は第１図の断面図、第３図は従来の半導体
装置の斜視図である。 図において、（１）はパッケージ、（２）は中間層、（
３）は半導体素子、（４）は第１の内部整合回路基板、
（５）は中間層（２）の側面、（６）は第２の内部整合
回路基板、（７）は金属細線、（８）は外部ゲートリー
ド、（９）は外部ドレインリード、（１１）は絶縁体を
示す。
Claims (1)
- パッケージ内部に設けられた中間層の上下面に、それ
ぞれ半導体素子及び第１の内部整合回路基板が取付けら
れるとともに、前記第１の内部整合回路基板と直角にな
るよう配置された第２の内部整合回路基板とを備えたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32627889A JPH03185902A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32627889A JPH03185902A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185902A true JPH03185902A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18185980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32627889A Pending JPH03185902A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007125633A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-09-10 | 株式会社東芝 | 高周波用半導体装置 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP32627889A patent/JPH03185902A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007125633A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-09-10 | 株式会社東芝 | 高周波用半導体装置 |
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