JPH03184056A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は電子写真感光体に係り、特に帯電特性、光感度
、残留電位特性に優れ、繰返し使用によっても特性の劣
化のない電子写真感光体に関する。

（従来の技術） 電子写真感光体は、一般に電荷発生物質及び電荷輸送物
質を含有する感光層（電荷発生物質を含む電荷発生層と
電荷輸送物質を含む電荷輸送層との積層体が構成される
場合も有る）が導電性支持体上に形成された構造をとる
。従来より、特性向上のための電荷発生物質及び電荷輸
送物質の個々の研究は各所で行なわれてきている。

このうち、電荷輸送物質について述べれば、電荷の注入
効率がよく、電荷の移動度が大きい材料を用いることが
要求される。この要求を満たすために、種々の材料につ
いて検討がなされているが、４１）型持性がよく、しか
も感度、残留電位の優れた電荷輸送物質は見出だされて
いない。

例えば、特開昭６２−３０２５５号公報に記載されてい
る１、１−ビス（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−４，
４−ジフェニル−１，３−ブタジェンを積層型電子写真
感光体の電荷輸送物質として用いた場合１．：ｉ′１電
・露光の繰返し使用によっても電位特性に変化は認めら
れないが、画像かにじみ、分解能が低下する傾向がある
。

（発明が解決しようとする問題点） この様に電６：を発生物質及び電荷輸送物質等に関する
研究が進められてはいるが実用上十分満足できる電子写
真感光体は得られていない。

本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
り、感光層全体を最適化することにより、シ；）型持性
、光感度、残留電位特性に優れ、しかも繰返し使用及び
環境の変化による緒特性の変化が小さく、更に繰返し使
用しても画像のにじみや解像度の低下がなく初期と同様
の高画質が得られる電子写真感光体を堤供することを［
１的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段及び作用）電子写真感光
体の光導電プロセスは、電荷発生層における電荷発生プ
ロセス、電６７７発生層と電荷輸送層との刃面における
電荷注入プロセス、及び電荷輸送層における電荷輸送プ
ロセスからなる。

したがって、電子写真感光体の特性は、用いる電荷発生
物質及び電荷輸送物質の選択、組合わせによるところが
大きい。

そこで本発明者等は、電荷発生物質等の個々の要素の最
適化以上に感光層全体としてみた場合の最適化が重要で
あるとの前提から検討を行ない、本発明を達成するにい
たった。

本発明によると、導電性支持体と、この導電性支持体上
に形成された感光層とを具備し、この感光層に電圧を印
加しかつ光パルスを照射した際に発生する光電流の時間
に対する変化を示す波形が、ｔｌｔ−の極大値を有する
とともに凸の形状であるのに必要な最小の電界強度が、
２００　ｋＶ／　ｃｍ以下であることを特徴とする電子
写真感光体が提供される。

即ち本発明の電子写真感光体では、感光層に対し電圧を
印加すると共に光パルスを照射した場合、この時発生す
る光電流の時間に対する変化を示す波形は、印加する電
界の強度を大きくするにつれて、第１図に示した波形Ｅ
から波形Ａのごとく変化する。この波形Ａを与える最小
の電界強度が２００ｋＶ／ｃ＋ｎ以下である感光層を具
備することにより優れた特性を示す電子写真感光体が得
られる。

本発明において試料に照射される光パルスの照射時間は
、試料の容量値と抵抗値との積で得られる試料の緩和時
間に比べて十分に短く、かつ、得られる光電流の波形の
時間スケールに比べて十分に短いことが望ましい。

本発明において、得られる光電流の波形は、照射光強度
を変化させても波形の大きさは変化するがその形状は変
化しない。

そしてこの波形特性は電荷発生物質、電荷輸送物質等の
個々の性質のみではなく、感光層を形成するバインダ等
との組合わせ、更に電荷輸送物質の製造方法等によって
も変化するものであり、これらを則整することにより、
電子写真感光体の感光層の波形特性が上記範囲を満足す
るようにすることが出来る。

特に感度、残留電位に優れた感光体を得るためには、最
小の電界強度は１５０Ｖ／ｃｍ以下が奸ましく、１００
Ｖ／ｅｎｌ以Ｆが特に好ましい。その下限は特に限定さ
れないが、通常は３　Ｖ／（１）以上である。

本発明は、例えば導電性基板上に、少なくとも一層の電
−：１発生物質及び電荷輸送物質を含んだ機能分離型ｌ
ｉ層悪感光体導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送層と
を順次積層した、又はいずれか−方もしくは双方が少な
くとも二層である電荷輸送層と電荷発生層を順次積層し
た機能分離型積層感光体等いずれのタイプの電子写真感
光体にも適用することができる。

以下、機能分離型積層感光体に例をとり、本発明をさら
に詳細に説明する。

本発明において使用される導電性支持体は、通常、電子
写真感光体の導電性支持体として使用されているもので
あれば何であってもよく、格別制限されるものではない
。このような支持体としては、例えば、真ちゅう、アル
ミニウム、アルミニウム合金、金、銀等の金属材料；前
記金属の表面がプラスチックの薄膜で被覆されたちの；
金属被覆紙、金属被覆プラスチックシート或いはヨウ化
アルミニウム、ヨウ化銅、酸化クロム又は酸化スズ等の
導電層で被覆されたガラス等が挙げられる。

これらは、適当な厚さ、硬さ及び屈曲性を有する円筒状
シート薄板として使用され、支持体自身が導電性を右す
るか、又はその表面が導電性をＨし、取扱いに際して十
分な強度を有しているものであることが好ましい。

このような導電性支持体の上に、後述する電（＝”＝ｒ
発生層又は電荷輸送層を形成する。

７６４１発生層を構成する物質としては、光を吸収して
高い効率で電荷（キャリア）を発生する電？＝１発生物
質であれば、どのような物質であってもよい。

このような電荷発生物質としては、例えば、セレン、セ
レン合金、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ。

Ｃｄ５Ｓｅ、ＺｅＯおよびＺｎＳ等の無機光導電体；金
に４フタロシアニンおよび非金属フタロシアニン専のフ
タロシアニン顔料；モノアゾ色素およびジスアゾ色素等
のアゾ系色素；ペリレン酸無水物およびペリレン酸イミ
ド等のペリレン系顔料；インジゴイド集材；キナクリド
ン顔料；アントラキノン類およびピレンキノン類等の多
環牛ノン類；シアニン色索；キサンチン染料；ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール等の電子供与物質とトリニトロフ
ルオレノン等の電子受容性物質とからなる電荷移動錯体
；並びにビリリウム塩染料とポリカーボネート樹脂とか
らなる共晶錯体等が挙げられる。

電荷発生層の形成方法としては、使用する電荷発生物質
の柾類によっても異なってくるが、例えば、スピンコー
ティング法、引上げ法、ローラ塗ＩＩｉ法、ドクターブ
レードを相法など各種の塗布法。

真空蒸着法、スパッタリング法、グロー放電を利用した
例えばプラズマＣＶＤ法などから適宜に選択して適用す
ることができる。

このとき形成すべき電荷発生層の厚みは、電子写真感光
体として要求される）１Ｆ電特性により適宜決定される
が、通常は０．０１〜２０μｍ、好ましくは０．１〜５
μｍ、より好ましくは０．２〜５μ−程度がよい。

なお、導電性支持体の上に電荷発生層を形成する際に、
必要によっては、導電性支持体と電荷発生層との間に接
着層を形成してもよい。接着層を形成する物質としては
カゼイン等、従来よく使用されている物質を適用するこ
とができ、その厚みは０．１〜１０　μｔｓ　、好まし
くは０．２〜２．ｃｚ＋、より好ましくは０．５〜２μ
囚程度がよい。

本発明に利用可能な電／ｉ７幅送物質としては、光熱η
、ｔ　した時に電ｔ；ｊ発生層で電荷を発生するのに充
分な光をｉ！過し、正又は負特に負の）ＩＦ電を行なっ
たＨ１＋１に、所望の帯電電位を保つことができる物質
を使用することができる。

これには、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、チアゾール
化合物、チアジアゾール化合物。

イミノ化合物、ケタジン化合物、エナミン化合物。

アミジン化合物、スチルベン化合物、ブタジェン化合物
、カルバゾール化合物等を挙げることができる。

本発明に奸適に利用可能な電荷輸送物質としては、下記
式に示すものが挙げられる。

上記式において、Ｒ２、Ｒ，は、置換されてもよいアル
キル基（好ましくはＣ５０）、アラルキル基（好ましく
はＣ５１４）、アリール基（好ましくはＣ≦１８）、複
素環μ、−０−Ｒ。

（Ｒ４は置換されてもよいアルキル基（好ましくはＣ５
０）、アラルキル基（好ましくはＣ≦１４）、アリール
基（好ましくはＣ≦１８）、５ 複素環基）、−Ｎぐ　　（Ｒ５、Ｒ６は置換され６ でもよいアルキル基（好ましくはＣ５０）、アラルキル
基（好ましくはＣ≦１４）、アリール基（好ましくはＣ
≦１８）、又はＲ，、Ｒ，で含Ｎ複素環を形成）、水素
、ハロゲン、シアノ基、又はニトロ基を表わす。

好ましくは、Ｒ，、Ｒ，は、置換されてもよいアルキル
基（好ましくはＣ５０）、アラルキル基（好ましくはＣ
≦１４）　、−０−Ｒ，（Ｒ，は置換されてもよいアル
キル２Ｊｉ（好ましくはＣ５０）、アラルキル基（好ま
しくはＣ≦１４）　アリール基（好ましくはＣ≦１８）
　複素環基）キル基（好ましくはＣ５０）　アラルキル
基（好ましくはＣ，５１４）、アリール基（好ましくは
Ｃ５１８）、又はＲ１、Ｒ６で含Ｎ複素環を形成）、水
素、又はハロゲンＵを表わす。

より好ましくは、Ｒ２、Ｒ３は、−０−Ｒ４（Ｒ４は置
換されてもよいアルキル基（好ましくはＣ５０）　アラ
ルキル基（好ましくはＣ≦１４）、アリール基（好まし
くはＣ≦１８）、てもよいアルキル基（好ましくはＣ５
０）、アラルキル基（好ましくはＣ≦１４）、アリール
基（好ましくはＣ≦１８）、又はＲ，、Ｒ，で含Ｎ複素
環を形成）、又は水素を表わす。

Ｒ８は、Ｒ２Ｒ３が共に水素でなく、 ｎ−１であり、かつＲ２Ｒ３の少なくともよいアルキル
基、　ＯＲ？　　（Ｒ７はＣよ３の置換されてもよいア
ルキル基、アラルキル基、複素環基、水素）、シアノ話
、ニトロ基、ノ＼ロゲン、置換されてもよいアリール基
（好ましくはＣ≦１８）、又は複素環基を表わし、Ｒ２
、Ｒ。

が共に水素でなく、ｎ−１であり、かつＲ２、である場
合か又はＲ２、Ｒ，のどちらもいアルキルＭ、−０−Ｒ
７、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、置換されてもよい
アリール基、複素環基、Ｒｚ、Ｒｉが共に水素でなく、
かつｎａ２の場合、置換されてもよいアルキル基（好ま
しくはＣ５０）、アラルキル基（好ましくはＣ≦１４）
、−ＯＲｓ　　（Ｒｓは置換されてもよいアルキル基（
好ましくはＣ５０）　アラルキル基（好ましくはＣ≦１
４）　アリール基（好ましくはＣ≦１８）、複素環基、
水素）、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、水素、置換さ
れてもよいアリール基（好ましくはＣ≦１８）、又は複
素環基を表わし、Ｒ２、Ｒ３が共に水素であり、かつｎ
≦３である場合；置換されてもよいアラルキル基（好ま
しくはＣ≦１４）、アリール２！（好ましくはＣ≦１８
）　複素環基、−０Ｒ９（Ｒ９は置換されてもよいアラ
ルキル基（好ましくはＣ≦１４）、アリール基（好まし
くはＣ≦１８）、水素）　シアノ基、又はニトロ基を表
わし、Ｒ２、Ｒ，が共に水素であり、かつｎ＞３である
場合；置換され′てもよいアルキル基（好ましくはＣ５
０）、アラルキル基（好ましくはＣ≦１４）、アリール
基（好ましくはＣ≦１８）、複素環基、−Ｏ−Ｒｓ　、
シアノ話、ニトロ基、ノ翫ロゲン、水素を表わす。

好ましくはＲ３は、Ｒ２、Ｒ，が共に水素でなく、ｎ−
１であり、Ｒ，、Ｒ３の少なくとも１いアルキル基、−
０−Ｒ７（Ｒ７はＣ≧３の置換されてもよいアルキル基
、アラルキル基、複素環基、水素）、ハロゲン、又は置
換されてもよいアリール基（・奸ましくはＣ≦１８）を
表わし、Ｒ２、Ｒ１がＪｌ−に水素でなく、ｎ−１であ
り、かつＲ２、である場合か又はＲ２Ｒ，のどちらも いアルキル基、−０−Ｒ，、ハロゲン、又は水素を表わ
し、Ｒ２、Ｒ，が共に水素でなく、かつｎ≧２の場合；
置換されてもよいアルキル基（好ましくはＣ５０）　ア
ラルキル基（好ましくはＣ≦１４）、　ＯＲｓ　　（Ｒ
ｓは置換されてもよいアルキル２！（好ましくはＣ５０
）、アラルキル基（好ましくはＣ≦１４）、アリール基
（好ましくはＣ≦１８）、複素環基、水素）、ハロゲン
、又は水素を表わす。

より好ましくはＲ１は、Ｒ２、Ｒ，が共に水素でなく、
ｎ−１であり、Ｒ２、Ｒ，の少なくともよいアルキル基
、　ＯＲ？　　（Ｒ７はＣ≧３の置換されてもよいアル
キル法、アラルキル２Ｊ、？Ｕ素環話、水素）　又はハ
ロゲンを表わし、Ｒ２、Ｒ３が共に水素でなく、ｎ＝１
であり、かつＲ２、である場合か又はＲ２Ｒ，のどちら
も いアルキル基、−０−Ｒ，、又は水素を表わし、Ｒ２Ｒ
，がノ（に水素でなく、かっｎ＝２の場合；置換されて
もよいアルキル基（好ましくはＣ５０）、アラルキル基
（奸ましくはＣ５１４）、０−Ｒ，（Ｒ８は置換されて
もよいアルキルｌ＆（女ＦましくはＣ５０）　アラルキ
ルμ（奸ましくはＣ≦１４）　アリール越（好ましくは
Ｃ≦１８）、ｍ素環基、水素）、又はハロゲンを表わす
。

ｎ−１〜５、ｍ−１〜５、Ｎ−１〜５をそれぞれ表わす
。

市荷暢送層の形成方法としては、上述の電荷輸送物質が
いずれも成膜性を備えていないため、適当なＨ機溶媒に
バインダとして以下のような高分子化合物を溶解し、こ
れに上述の電荷輸送物質を溶解又は分散させて塗付液を
［ｆｌ、この塗布液を通常の塗布法で塗布した後、乾燥
する方法が適当である。

バインダとなる高分子化合物としては例えば、ポリカー
ボネート、ポリエステルカーボネート。

ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル系樹脂。

塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポ
リビニルアセタール、フェノール樹脂、スチレン−アク
リル共重合体、ボリアリレート、アルキッド樹脂など、
電子写真感光体用バインダとして既知の高分子化合物を
挙げることができる。

この場合、電荷輸送物質１重量部に対して、高分子化合
物を０．３〜２重量部の範囲で配合することが好ましい
。

Ｒ機溶媒としては例えば、脂肪族塩素系、芳香族炭化水
素系、芳香族塩素系、エーテル系、エステル系、ケント
系の溶媒を挙げることができる。

ｒｔｉ　（Ｉｉ法としては例えば、スピンコーティング
法。

引上げｌＬ、ローラ’２１’Ｍ法、ドクターブレードｖ
　−ｒｌｒ法などを用いることができる。

電殉輸送層の厚みは、電荷発生層と電荷輸送層との合＝
１の厚みが１００μ膓以下が好ましく、より好ましくは
１０〜３０６　ｍとなるように決定されるのがよい。。

これは、両者の合計の厚みが１００μｍを超えると、形
成される感光層の可撓性及び光感度が低下する可能性が
あるためである。

なお、電荷輸送層ｉｌｌ独の厚みは、通常、１０〜３０
μｍが奸ましい。

第１図の波形Ａを与える最小の７ｄ界強度は、上記電荷
発生物質、バインダ、電荷輸送物質の分子構逍のみなら
ず、その合成法、猜製法にも依存するものである。

以上説明した感光層の上に、ウレタン樹脂やアクリル共
量重合体からなる表面層を設けることも可能である。

（実施例） 以下、本発明の種々の実施例を示す。

第２図は、以下に示す本発明の実施例に用いられる測定
装置の構成を示すブロック図である。この測定装置１は
、一対の電極２ａ、２ｂを有する被測定試料２に電界を
印加するための高圧パルスを発生する高圧パルス発生器
３およびこの試料２に光パルス４を照射するための、キ
セノンフラッシュランプからなる光源５を有する。尚、
試料２の光パルス４の入射側に設けられた電極２ａは、
ＩＴＯ基板等の透明電極である。これらの高圧パルス発
生器３および光源５は、タイミングコントローラ６によ
り、第３図に示したパルス幅１．の高圧パルスおよび高
圧パルス発生からｔ２時間経過後に、パルス幅Δτの光
パルスを発生する様に制御される。

また、この装置１は、光パルス４の照射により発生した
過渡的な光電流を増幅する増幅器７およびこの増幅され
た光電流の時間と共に減衰する波形を記録するための記
録計８を有する。この記録計８としては、例えば、スト
レージスコープが用いられる。さらに、この装置１は、
得られた光電流の波形を解析するためのコンピュータ９
を備える。また、ま曽幅器７の入力端には、人力抵抗１
０が接続されている。

上記構成を有する測定装置１により光電流の波形を測定
する場合、高圧パルス発生器３からの高圧パルスにより
所定の強度を有する電昇が印加された試料に、タイミン
グコントローラ６からの光トリガーにより励起された光
源５からの光パルス４が照１・（される。この光パルス
４により発生した時間の経過と共に減衰する過渡的な光
電流はｌ曽幅器７により増幅される。増幅された光電流
は、その波形が記１１÷１８に記録されると共に、コン
ピュータ９により解析される。

尚、この測定装置においては、コンピュータにより光電
流の波形の変化を解析したが、コンピュータの代わりに
、記録された光電流の波形を１″！視により角ｑ析する
ことも可能である。

実施例１ 以下の構造式を有する化合物（１〉を、ｐ−ジフェニル
ベンズアルデヒドとジエチル１．１−ジフェニルメチル
ホスホネイ トから下記表−１に示した ４柾の反応条件で合成した。

化合物− 後処理後、得られた結晶を下記表−２に示した溶剤に溶
角ｔｔ　ｔ、て２回再結晶を行ない、ついで真空下８０
℃で４時間乾燥して、４種の化合物Ａ、Ｂ。

Ｃ，Ｄを得・た。

表−２ 第５図に示すように、アルミニウム膜１２が蒸着された
ポリエチレンテレフタレートフィルム１１を導電性支持
体として使用して、そのアルミニウム膜が蒸着されてい
る面にて一型無金属フタロシアニン（ｌｆｆｉ量部）と
ブチラール樹脂（１重量部）をシクロヘキサノンに分散
した溶液を塗布法により塗布して、０．３μｍの厚さの
電荷発生層１３を形成した。

さらにこの上に上記４種の化合物Ａ、Ｂ、Ｃ。

Ｄを各々ポリカーボネートと共に塩化メチレンに溶角ｑ
し得た溶液を引き上げ法により塗布し、９０℃で２４１
．Ｉｚ間乾燥させて２０μ重の厚さの電荷輸送層１４を
形成した。

このようにして得られた４柾の感光体Ｎｏ、ｌ。

２．３．４の）１２電能（・帯電されたときの感光体表
面電位の初期値）と光感度（表面電位初期値が１／２に
減衰するのに必要な露光量）及び残留電位を７１ＰＩ　
’＆した。その結果を表−３に示す。

次に、下部透明電極となる厚さ０．２μ偶のＩＴＯ基板
（松崎真空味式会１１．製）の上に、上部透明電極とし
て光透過早６０％程度のＡｌ電極を形成した。このＡｇ
電極の上に、上述と同様な方法で電６：ｊ発生層及び電
荷輸送層を形成した。

さらに、この披ｌｐｊ定月料の膜の上に金属電極を形成
して、被測定試料を得た。この試料においては、Ａｌ電
極とτ型無金属フタロシアニンからなる電荷発生層とは
ショットキー接合を形成し、Ａｇ電極からキャリアの注
入がないために、ハ１定される光電流は先パルスの照射
により生じたキャリアのみからなり、Ｓ／Ｎ比が向上す
る。

この様に作成した試料について、上述の測定装置を用い
て、第１図の波形Ａを与える最小の電界強度を測定した
。その結果を第３表にあわせて示す。

また、上記電界強度が２００Ｖ／ｃｍ以下のｋ　１及び
に２感光体を熱、オゾン等の発生環境下で）１）電、露
光を１０．０００同反復したところ、はとんど異常が認
められず・：１）電能、光感度、残留電１立等の変動が
小さく耐疲労特性に優れていることが’Ｉ’１１明した
。

また、上記電界強度が２００Ｖ／ｃｍ以上のＮ０９３及
びＮｏ、４感光体を熱、オゾン等の発生環境下で、シ１
２電、露光を１０，０００回反復したところ）ｉ）電能
、光感度、残留電位等の変動が認められ、耐疲労特性が
Ｎ（ｌＬｌ及びＮｏ、２感光体と比較して劣っていた。

大施例２ 電Ｇｆ発生物質としてジブロムアントアントロン。

電荷暢送物質として表−４に示した１５種の化合物を用
いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体及び電
界強度測定用試料を作成した。

得られた感光体の帯電能、光感度、残留電位及び第１図
中波形Ａを与える最小電界強度をａｐ＋定した。その結
果を表−４に示す。

表４から明らかなように、上記電界強度が２００Ｖ／ｃ
ｍ以下のＮ１１Ｌ１〜ＮＯ，７、Ｎｏ、１４，１５感光
体を熱、オゾン等の発生環境下で一？１）電、露光を１
０．０００回反復したところ、はとんど異常が認められ
ず（；′ｒ電能、光感度、残留電位等の変動が小さく耐
疲労特性に優れていることが’Ｉ’ｌｌ　ｎＪＩした。

また、上記電界強度が２００Ｖ／ｃｍを越えるＮｃｉ、
８〜Ｎ（Ｌ１３１３感光操を熱、オゾン等の発生環境下
でシ；）電、露光を１０，０００回反復したところ帯電
能、光感度、残留電位等の変動が認められ、耐疲労特性
がＮｏ、　１〜Ｎｏ、　７、Ｎｏ、１４．１５感光体と
比較して劣っていた。

上記表−４をグラフ化したのが第４図である。

第４図において、・印は残留電位を、口中は光感度（光
減衰の逆数）をそれぞれ示す。

表 ４中ｆｌｉＩＸニア輸送物質の構逍式を下記に示すＨ３ ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、感光層全体を最適
化することにより、帯電特性、光感度。

残留電位特性に優れ、しかも繰返し使用及び環境の変化
による緒特性の変化が小さく、更に繰返し使Ｊ１１シて
も両像のにじみや解像度の低下がなく初期と同様の高画
質が得られる電子写真感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光電流の波形の、電界強度による変化を示す
グラフ、第２図は、本発明の実施例に用いた測定装置を
示すブロック図、第３図は・高圧パルスと光パルスの波
形を示す図、第４図は、波形Ａを与える最小電界強度に
対する残留電位及び光強度の変化を示すグラフ、第５図
は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体を示す断面
図である。 １・・・測定装置、２・・・被測定試料、２Ｂ、２ｂ・
・・電極、３・・・高圧パルス発生器、５・・・光源、
１３・・・電ｆ；：ｆ光牛層、１４・・・電荷暢送層。 時間 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性支持体と、この導電性支持体上に形成された感光
   層とを具備し、この感光層に電圧を印加しかつ光パルス
   を照射した際に発生する光電流の時間に対する変化を示
   す波形が、単一の極大値を有するとともに凸の形状であ
   るのに必要な最小の電界強度が、２００ｋＶ／ｃｍ以下
   であることを特徴とする電子写真感光体。