JPH03184056A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH03184056A JPH03184056A JP2251720A JP25172090A JPH03184056A JP H03184056 A JPH03184056 A JP H03184056A JP 2251720 A JP2251720 A JP 2251720A JP 25172090 A JP25172090 A JP 25172090A JP H03184056 A JPH03184056 A JP H03184056A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は電子写真感光体に係り、特に帯電特性、光感度
、残留電位特性に優れ、繰返し使用によっても特性の劣
化のない電子写真感光体に関する。
、残留電位特性に優れ、繰返し使用によっても特性の劣
化のない電子写真感光体に関する。
(従来の技術)
電子写真感光体は、一般に電荷発生物質及び電荷輸送物
質を含有する感光層(電荷発生物質を含む電荷発生層と
電荷輸送物質を含む電荷輸送層との積層体が構成される
場合も有る)が導電性支持体上に形成された構造をとる
。従来より、特性向上のための電荷発生物質及び電荷輸
送物質の個々の研究は各所で行なわれてきている。
質を含有する感光層(電荷発生物質を含む電荷発生層と
電荷輸送物質を含む電荷輸送層との積層体が構成される
場合も有る)が導電性支持体上に形成された構造をとる
。従来より、特性向上のための電荷発生物質及び電荷輸
送物質の個々の研究は各所で行なわれてきている。
このうち、電荷輸送物質について述べれば、電荷の注入
効率がよく、電荷の移動度が大きい材料を用いることが
要求される。この要求を満たすために、種々の材料につ
いて検討がなされているが、41)型持性がよく、しか
も感度、残留電位の優れた電荷輸送物質は見出だされて
いない。
効率がよく、電荷の移動度が大きい材料を用いることが
要求される。この要求を満たすために、種々の材料につ
いて検討がなされているが、41)型持性がよく、しか
も感度、残留電位の優れた電荷輸送物質は見出だされて
いない。
例えば、特開昭62−30255号公報に記載されてい
る1、1−ビス(p−ジメチルアミノフェニル)−4,
4−ジフェニル−1,3−ブタジェンを積層型電子写真
感光体の電荷輸送物質として用いた場合1.:i′1電
・露光の繰返し使用によっても電位特性に変化は認めら
れないが、画像かにじみ、分解能が低下する傾向がある
。
る1、1−ビス(p−ジメチルアミノフェニル)−4,
4−ジフェニル−1,3−ブタジェンを積層型電子写真
感光体の電荷輸送物質として用いた場合1.:i′1電
・露光の繰返し使用によっても電位特性に変化は認めら
れないが、画像かにじみ、分解能が低下する傾向がある
。
(発明が解決しようとする問題点)
この様に電6:を発生物質及び電荷輸送物質等に関する
研究が進められてはいるが実用上十分満足できる電子写
真感光体は得られていない。
研究が進められてはいるが実用上十分満足できる電子写
真感光体は得られていない。
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
り、感光層全体を最適化することにより、シ;)型持性
、光感度、残留電位特性に優れ、しかも繰返し使用及び
環境の変化による緒特性の変化が小さく、更に繰返し使
用しても画像のにじみや解像度の低下がなく初期と同様
の高画質が得られる電子写真感光体を堤供することを[
1的とする。
り、感光層全体を最適化することにより、シ;)型持性
、光感度、残留電位特性に優れ、しかも繰返し使用及び
環境の変化による緒特性の変化が小さく、更に繰返し使
用しても画像のにじみや解像度の低下がなく初期と同様
の高画質が得られる電子写真感光体を堤供することを[
1的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段及び作用)電子写真感光
体の光導電プロセスは、電荷発生層における電荷発生プ
ロセス、電677発生層と電荷輸送層との刃面における
電荷注入プロセス、及び電荷輸送層における電荷輸送プ
ロセスからなる。
体の光導電プロセスは、電荷発生層における電荷発生プ
ロセス、電677発生層と電荷輸送層との刃面における
電荷注入プロセス、及び電荷輸送層における電荷輸送プ
ロセスからなる。
したがって、電子写真感光体の特性は、用いる電荷発生
物質及び電荷輸送物質の選択、組合わせによるところが
大きい。
物質及び電荷輸送物質の選択、組合わせによるところが
大きい。
そこで本発明者等は、電荷発生物質等の個々の要素の最
適化以上に感光層全体としてみた場合の最適化が重要で
あるとの前提から検討を行ない、本発明を達成するにい
たった。
適化以上に感光層全体としてみた場合の最適化が重要で
あるとの前提から検討を行ない、本発明を達成するにい
たった。
本発明によると、導電性支持体と、この導電性支持体上
に形成された感光層とを具備し、この感光層に電圧を印
加しかつ光パルスを照射した際に発生する光電流の時間
に対する変化を示す波形が、tlt−の極大値を有する
とともに凸の形状であるのに必要な最小の電界強度が、
200 kV/ cm以下であることを特徴とする電子
写真感光体が提供される。
に形成された感光層とを具備し、この感光層に電圧を印
加しかつ光パルスを照射した際に発生する光電流の時間
に対する変化を示す波形が、tlt−の極大値を有する
とともに凸の形状であるのに必要な最小の電界強度が、
200 kV/ cm以下であることを特徴とする電子
写真感光体が提供される。
即ち本発明の電子写真感光体では、感光層に対し電圧を
印加すると共に光パルスを照射した場合、この時発生す
る光電流の時間に対する変化を示す波形は、印加する電
界の強度を大きくするにつれて、第1図に示した波形E
から波形Aのごとく変化する。この波形Aを与える最小
の電界強度が200kV/c+n以下である感光層を具
備することにより優れた特性を示す電子写真感光体が得
られる。
印加すると共に光パルスを照射した場合、この時発生す
る光電流の時間に対する変化を示す波形は、印加する電
界の強度を大きくするにつれて、第1図に示した波形E
から波形Aのごとく変化する。この波形Aを与える最小
の電界強度が200kV/c+n以下である感光層を具
備することにより優れた特性を示す電子写真感光体が得
られる。
本発明において試料に照射される光パルスの照射時間は
、試料の容量値と抵抗値との積で得られる試料の緩和時
間に比べて十分に短く、かつ、得られる光電流の波形の
時間スケールに比べて十分に短いことが望ましい。
、試料の容量値と抵抗値との積で得られる試料の緩和時
間に比べて十分に短く、かつ、得られる光電流の波形の
時間スケールに比べて十分に短いことが望ましい。
本発明において、得られる光電流の波形は、照射光強度
を変化させても波形の大きさは変化するがその形状は変
化しない。
を変化させても波形の大きさは変化するがその形状は変
化しない。
そしてこの波形特性は電荷発生物質、電荷輸送物質等の
個々の性質のみではなく、感光層を形成するバインダ等
との組合わせ、更に電荷輸送物質の製造方法等によって
も変化するものであり、これらを則整することにより、
電子写真感光体の感光層の波形特性が上記範囲を満足す
るようにすることが出来る。
個々の性質のみではなく、感光層を形成するバインダ等
との組合わせ、更に電荷輸送物質の製造方法等によって
も変化するものであり、これらを則整することにより、
電子写真感光体の感光層の波形特性が上記範囲を満足す
るようにすることが出来る。
特に感度、残留電位に優れた感光体を得るためには、最
小の電界強度は150V/cm以下が奸ましく、100
V/enl以Fが特に好ましい。その下限は特に限定さ
れないが、通常は3 V/(1)以上である。
小の電界強度は150V/cm以下が奸ましく、100
V/enl以Fが特に好ましい。その下限は特に限定さ
れないが、通常は3 V/(1)以上である。
本発明は、例えば導電性基板上に、少なくとも一層の電
−:1発生物質及び電荷輸送物質を含んだ機能分離型l
i層悪感光体導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送層と
を順次積層した、又はいずれか−方もしくは双方が少な
くとも二層である電荷輸送層と電荷発生層を順次積層し
た機能分離型積層感光体等いずれのタイプの電子写真感
光体にも適用することができる。
−:1発生物質及び電荷輸送物質を含んだ機能分離型l
i層悪感光体導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送層と
を順次積層した、又はいずれか−方もしくは双方が少な
くとも二層である電荷輸送層と電荷発生層を順次積層し
た機能分離型積層感光体等いずれのタイプの電子写真感
光体にも適用することができる。
以下、機能分離型積層感光体に例をとり、本発明をさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
本発明において使用される導電性支持体は、通常、電子
写真感光体の導電性支持体として使用されているもので
あれば何であってもよく、格別制限されるものではない
。このような支持体としては、例えば、真ちゅう、アル
ミニウム、アルミニウム合金、金、銀等の金属材料;前
記金属の表面がプラスチックの薄膜で被覆されたちの;
金属被覆紙、金属被覆プラスチックシート或いはヨウ化
アルミニウム、ヨウ化銅、酸化クロム又は酸化スズ等の
導電層で被覆されたガラス等が挙げられる。
写真感光体の導電性支持体として使用されているもので
あれば何であってもよく、格別制限されるものではない
。このような支持体としては、例えば、真ちゅう、アル
ミニウム、アルミニウム合金、金、銀等の金属材料;前
記金属の表面がプラスチックの薄膜で被覆されたちの;
金属被覆紙、金属被覆プラスチックシート或いはヨウ化
アルミニウム、ヨウ化銅、酸化クロム又は酸化スズ等の
導電層で被覆されたガラス等が挙げられる。
これらは、適当な厚さ、硬さ及び屈曲性を有する円筒状
シート薄板として使用され、支持体自身が導電性を右す
るか、又はその表面が導電性をHし、取扱いに際して十
分な強度を有しているものであることが好ましい。
シート薄板として使用され、支持体自身が導電性を右す
るか、又はその表面が導電性をHし、取扱いに際して十
分な強度を有しているものであることが好ましい。
このような導電性支持体の上に、後述する電(=”=r
発生層又は電荷輸送層を形成する。
発生層又は電荷輸送層を形成する。
7641発生層を構成する物質としては、光を吸収して
高い効率で電荷(キャリア)を発生する電?=1発生物
質であれば、どのような物質であってもよい。
高い効率で電荷(キャリア)を発生する電?=1発生物
質であれば、どのような物質であってもよい。
このような電荷発生物質としては、例えば、セレン、セ
レン合金、CdS、CdSe。
レン合金、CdS、CdSe。
Cd5Se、ZeOおよびZnS等の無機光導電体;金
に4フタロシアニンおよび非金属フタロシアニン専のフ
タロシアニン顔料;モノアゾ色素およびジスアゾ色素等
のアゾ系色素;ペリレン酸無水物およびペリレン酸イミ
ド等のペリレン系顔料;インジゴイド集材;キナクリド
ン顔料;アントラキノン類およびピレンキノン類等の多
環牛ノン類;シアニン色索;キサンチン染料;ポリ−N
−ビニルカルバゾール等の電子供与物質とトリニトロフ
ルオレノン等の電子受容性物質とからなる電荷移動錯体
;並びにビリリウム塩染料とポリカーボネート樹脂とか
らなる共晶錯体等が挙げられる。
に4フタロシアニンおよび非金属フタロシアニン専のフ
タロシアニン顔料;モノアゾ色素およびジスアゾ色素等
のアゾ系色素;ペリレン酸無水物およびペリレン酸イミ
ド等のペリレン系顔料;インジゴイド集材;キナクリド
ン顔料;アントラキノン類およびピレンキノン類等の多
環牛ノン類;シアニン色索;キサンチン染料;ポリ−N
−ビニルカルバゾール等の電子供与物質とトリニトロフ
ルオレノン等の電子受容性物質とからなる電荷移動錯体
;並びにビリリウム塩染料とポリカーボネート樹脂とか
らなる共晶錯体等が挙げられる。
電荷発生層の形成方法としては、使用する電荷発生物質
の柾類によっても異なってくるが、例えば、スピンコー
ティング法、引上げ法、ローラ塗IIi法、ドクターブ
レードを相法など各種の塗布法。
の柾類によっても異なってくるが、例えば、スピンコー
ティング法、引上げ法、ローラ塗IIi法、ドクターブ
レードを相法など各種の塗布法。
真空蒸着法、スパッタリング法、グロー放電を利用した
例えばプラズマCVD法などから適宜に選択して適用す
ることができる。
例えばプラズマCVD法などから適宜に選択して適用す
ることができる。
このとき形成すべき電荷発生層の厚みは、電子写真感光
体として要求される)1F電特性により適宜決定される
が、通常は0.01〜20μm、好ましくは0.1〜5
μm、より好ましくは0.2〜5μ−程度がよい。
体として要求される)1F電特性により適宜決定される
が、通常は0.01〜20μm、好ましくは0.1〜5
μm、より好ましくは0.2〜5μ−程度がよい。
なお、導電性支持体の上に電荷発生層を形成する際に、
必要によっては、導電性支持体と電荷発生層との間に接
着層を形成してもよい。接着層を形成する物質としては
カゼイン等、従来よく使用されている物質を適用するこ
とができ、その厚みは0.1〜10 μts 、好まし
くは0.2〜2.cz+、より好ましくは0.5〜2μ
囚程度がよい。
必要によっては、導電性支持体と電荷発生層との間に接
着層を形成してもよい。接着層を形成する物質としては
カゼイン等、従来よく使用されている物質を適用するこ
とができ、その厚みは0.1〜10 μts 、好まし
くは0.2〜2.cz+、より好ましくは0.5〜2μ
囚程度がよい。
本発明に利用可能な電/i7幅送物質としては、光熱η
、t した時に電t;j発生層で電荷を発生するのに充
分な光をi!過し、正又は負特に負の)IF電を行なっ
たH1+1に、所望の帯電電位を保つことができる物質
を使用することができる。
、t した時に電t;j発生層で電荷を発生するのに充
分な光をi!過し、正又は負特に負の)IF電を行なっ
たH1+1に、所望の帯電電位を保つことができる物質
を使用することができる。
これには、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、チアゾール
化合物、チアジアゾール化合物。
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、チアゾール
化合物、チアジアゾール化合物。
イミノ化合物、ケタジン化合物、エナミン化合物。
アミジン化合物、スチルベン化合物、ブタジェン化合物
、カルバゾール化合物等を挙げることができる。
、カルバゾール化合物等を挙げることができる。
本発明に奸適に利用可能な電荷輸送物質としては、下記
式に示すものが挙げられる。
式に示すものが挙げられる。
上記式において、R2、R,は、置換されてもよいアル
キル基(好ましくはC50)、アラルキル基(好ましく
はC514)、アリール基(好ましくはC≦18)、複
素環μ、−0−R。
キル基(好ましくはC50)、アラルキル基(好ましく
はC514)、アリール基(好ましくはC≦18)、複
素環μ、−0−R。
(R4は置換されてもよいアルキル基(好ましくはC5
0)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール
基(好ましくはC≦18)、5 複素環基)、−Nぐ (R5、R6は置換され6 でもよいアルキル基(好ましくはC50)、アラルキル
基(好ましくはC≦14)、アリール基(好ましくはC
≦18)、又はR,、R,で含N複素環を形成)、水素
、ハロゲン、シアノ基、又はニトロ基を表わす。
0)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール
基(好ましくはC≦18)、5 複素環基)、−Nぐ (R5、R6は置換され6 でもよいアルキル基(好ましくはC50)、アラルキル
基(好ましくはC≦14)、アリール基(好ましくはC
≦18)、又はR,、R,で含N複素環を形成)、水素
、ハロゲン、シアノ基、又はニトロ基を表わす。
好ましくは、R,、R,は、置換されてもよいアルキル
基(好ましくはC50)、アラルキル基(好ましくはC
≦14) 、−0−R,(R,は置換されてもよいアル
キル2Ji(好ましくはC50)、アラルキル基(好ま
しくはC≦14) アリール基(好ましくはC≦18)
複素環基)キル基(好ましくはC50) アラルキル
基(好ましくはC,514)、アリール基(好ましくは
C518)、又はR1、R6で含N複素環を形成)、水
素、又はハロゲンUを表わす。
基(好ましくはC50)、アラルキル基(好ましくはC
≦14) 、−0−R,(R,は置換されてもよいアル
キル2Ji(好ましくはC50)、アラルキル基(好ま
しくはC≦14) アリール基(好ましくはC≦18)
複素環基)キル基(好ましくはC50) アラルキル
基(好ましくはC,514)、アリール基(好ましくは
C518)、又はR1、R6で含N複素環を形成)、水
素、又はハロゲンUを表わす。
より好ましくは、R2、R3は、−0−R4(R4は置
換されてもよいアルキル基(好ましくはC50) アラ
ルキル基(好ましくはC≦14)、アリール基(好まし
くはC≦18)、てもよいアルキル基(好ましくはC5
0)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール
基(好ましくはC≦18)、又はR,、R,で含N複素
環を形成)、又は水素を表わす。
換されてもよいアルキル基(好ましくはC50) アラ
ルキル基(好ましくはC≦14)、アリール基(好まし
くはC≦18)、てもよいアルキル基(好ましくはC5
0)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール
基(好ましくはC≦18)、又はR,、R,で含N複素
環を形成)、又は水素を表わす。
R8は、R2R3が共に水素でなく、
n−1であり、かつR2R3の少なくともよいアルキル
基、 OR? (R7はCよ3の置換されてもよいア
ルキル基、アラルキル基、複素環基、水素)、シアノ話
、ニトロ基、ノ\ロゲン、置換されてもよいアリール基
(好ましくはC≦18)、又は複素環基を表わし、R2
、R。
基、 OR? (R7はCよ3の置換されてもよいア
ルキル基、アラルキル基、複素環基、水素)、シアノ話
、ニトロ基、ノ\ロゲン、置換されてもよいアリール基
(好ましくはC≦18)、又は複素環基を表わし、R2
、R。
が共に水素でなく、n−1であり、かつR2、である場
合か又はR2、R,のどちらもいアルキルM、−0−R
7、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、置換されてもよい
アリール基、複素環基、Rz、Riが共に水素でなく、
かつna2の場合、置換されてもよいアルキル基(好ま
しくはC50)、アラルキル基(好ましくはC≦14)
、−ORs (Rsは置換されてもよいアルキル基(
好ましくはC50) アラルキル基(好ましくはC≦1
4) アリール基(好ましくはC≦18)、複素環基、
水素)、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、水素、置換さ
れてもよいアリール基(好ましくはC≦18)、又は複
素環基を表わし、R2、R3が共に水素であり、かつn
≦3である場合;置換されてもよいアラルキル基(好ま
しくはC≦14)、アリール2!(好ましくはC≦18
) 複素環基、−0R9(R9は置換されてもよいアラ
ルキル基(好ましくはC≦14)、アリール基(好まし
くはC≦18)、水素) シアノ基、又はニトロ基を表
わし、R2、R,が共に水素であり、かつn>3である
場合;置換され′てもよいアルキル基(好ましくはC5
0)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール
基(好ましくはC≦18)、複素環基、−O−Rs 、
シアノ話、ニトロ基、ノ翫ロゲン、水素を表わす。
合か又はR2、R,のどちらもいアルキルM、−0−R
7、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、置換されてもよい
アリール基、複素環基、Rz、Riが共に水素でなく、
かつna2の場合、置換されてもよいアルキル基(好ま
しくはC50)、アラルキル基(好ましくはC≦14)
、−ORs (Rsは置換されてもよいアルキル基(
好ましくはC50) アラルキル基(好ましくはC≦1
4) アリール基(好ましくはC≦18)、複素環基、
水素)、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、水素、置換さ
れてもよいアリール基(好ましくはC≦18)、又は複
素環基を表わし、R2、R3が共に水素であり、かつn
≦3である場合;置換されてもよいアラルキル基(好ま
しくはC≦14)、アリール2!(好ましくはC≦18
) 複素環基、−0R9(R9は置換されてもよいアラ
ルキル基(好ましくはC≦14)、アリール基(好まし
くはC≦18)、水素) シアノ基、又はニトロ基を表
わし、R2、R,が共に水素であり、かつn>3である
場合;置換され′てもよいアルキル基(好ましくはC5
0)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール
基(好ましくはC≦18)、複素環基、−O−Rs 、
シアノ話、ニトロ基、ノ翫ロゲン、水素を表わす。
好ましくはR3は、R2、R,が共に水素でなく、n−
1であり、R,、R3の少なくとも1いアルキル基、−
0−R7(R7はC≧3の置換されてもよいアルキル基
、アラルキル基、複素環基、水素)、ハロゲン、又は置
換されてもよいアリール基(・奸ましくはC≦18)を
表わし、R2、R1がJl−に水素でなく、n−1であ
り、かつR2、である場合か又はR2R,のどちらも いアルキル基、−0−R,、ハロゲン、又は水素を表わ
し、R2、R,が共に水素でなく、かつn≧2の場合;
置換されてもよいアルキル基(好ましくはC50) ア
ラルキル基(好ましくはC≦14)、 ORs (R
sは置換されてもよいアルキル2!(好ましくはC50
)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール基
(好ましくはC≦18)、複素環基、水素)、ハロゲン
、又は水素を表わす。
1であり、R,、R3の少なくとも1いアルキル基、−
0−R7(R7はC≧3の置換されてもよいアルキル基
、アラルキル基、複素環基、水素)、ハロゲン、又は置
換されてもよいアリール基(・奸ましくはC≦18)を
表わし、R2、R1がJl−に水素でなく、n−1であ
り、かつR2、である場合か又はR2R,のどちらも いアルキル基、−0−R,、ハロゲン、又は水素を表わ
し、R2、R,が共に水素でなく、かつn≧2の場合;
置換されてもよいアルキル基(好ましくはC50) ア
ラルキル基(好ましくはC≦14)、 ORs (R
sは置換されてもよいアルキル2!(好ましくはC50
)、アラルキル基(好ましくはC≦14)、アリール基
(好ましくはC≦18)、複素環基、水素)、ハロゲン
、又は水素を表わす。
より好ましくはR1は、R2、R,が共に水素でなく、
n−1であり、R2、R,の少なくともよいアルキル基
、 OR? (R7はC≧3の置換されてもよいアル
キル法、アラルキル2J、?U素環話、水素) 又はハ
ロゲンを表わし、R2、R3が共に水素でなく、n=1
であり、かつR2、である場合か又はR2R,のどちら
も いアルキル基、−0−R,、又は水素を表わし、R2R
,がノ(に水素でなく、かっn=2の場合;置換されて
もよいアルキル基(好ましくはC50)、アラルキル基
(奸ましくはC514)、0−R,(R8は置換されて
もよいアルキルl&(女FましくはC50) アラルキ
ルμ(奸ましくはC≦14) アリール越(好ましくは
C≦18)、m素環基、水素)、又はハロゲンを表わす
。
n−1であり、R2、R,の少なくともよいアルキル基
、 OR? (R7はC≧3の置換されてもよいアル
キル法、アラルキル2J、?U素環話、水素) 又はハ
ロゲンを表わし、R2、R3が共に水素でなく、n=1
であり、かつR2、である場合か又はR2R,のどちら
も いアルキル基、−0−R,、又は水素を表わし、R2R
,がノ(に水素でなく、かっn=2の場合;置換されて
もよいアルキル基(好ましくはC50)、アラルキル基
(奸ましくはC514)、0−R,(R8は置換されて
もよいアルキルl&(女FましくはC50) アラルキ
ルμ(奸ましくはC≦14) アリール越(好ましくは
C≦18)、m素環基、水素)、又はハロゲンを表わす
。
n−1〜5、m−1〜5、N−1〜5をそれぞれ表わす
。
。
市荷暢送層の形成方法としては、上述の電荷輸送物質が
いずれも成膜性を備えていないため、適当なH機溶媒に
バインダとして以下のような高分子化合物を溶解し、こ
れに上述の電荷輸送物質を溶解又は分散させて塗付液を
[fl、この塗布液を通常の塗布法で塗布した後、乾燥
する方法が適当である。
いずれも成膜性を備えていないため、適当なH機溶媒に
バインダとして以下のような高分子化合物を溶解し、こ
れに上述の電荷輸送物質を溶解又は分散させて塗付液を
[fl、この塗布液を通常の塗布法で塗布した後、乾燥
する方法が適当である。
バインダとなる高分子化合物としては例えば、ポリカー
ボネート、ポリエステルカーボネート。
ボネート、ポリエステルカーボネート。
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル系樹脂。
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポ
リビニルアセタール、フェノール樹脂、スチレン−アク
リル共重合体、ボリアリレート、アルキッド樹脂など、
電子写真感光体用バインダとして既知の高分子化合物を
挙げることができる。
リビニルアセタール、フェノール樹脂、スチレン−アク
リル共重合体、ボリアリレート、アルキッド樹脂など、
電子写真感光体用バインダとして既知の高分子化合物を
挙げることができる。
この場合、電荷輸送物質1重量部に対して、高分子化合
物を0.3〜2重量部の範囲で配合することが好ましい
。
物を0.3〜2重量部の範囲で配合することが好ましい
。
R機溶媒としては例えば、脂肪族塩素系、芳香族炭化水
素系、芳香族塩素系、エーテル系、エステル系、ケント
系の溶媒を挙げることができる。
素系、芳香族塩素系、エーテル系、エステル系、ケント
系の溶媒を挙げることができる。
rti (Ii法としては例えば、スピンコーティング
法。
法。
引上げlL、ローラ’21’M法、ドクターブレードv
−rlr法などを用いることができる。
−rlr法などを用いることができる。
電殉輸送層の厚みは、電荷発生層と電荷輸送層との合=
1の厚みが100μ膓以下が好ましく、より好ましくは
10〜306 mとなるように決定されるのがよい。。
1の厚みが100μ膓以下が好ましく、より好ましくは
10〜306 mとなるように決定されるのがよい。。
これは、両者の合計の厚みが100μmを超えると、形
成される感光層の可撓性及び光感度が低下する可能性が
あるためである。
成される感光層の可撓性及び光感度が低下する可能性が
あるためである。
なお、電荷輸送層ill独の厚みは、通常、10〜30
μmが奸ましい。
μmが奸ましい。
第1図の波形Aを与える最小の7d界強度は、上記電荷
発生物質、バインダ、電荷輸送物質の分子構逍のみなら
ず、その合成法、猜製法にも依存するものである。
発生物質、バインダ、電荷輸送物質の分子構逍のみなら
ず、その合成法、猜製法にも依存するものである。
以上説明した感光層の上に、ウレタン樹脂やアクリル共
量重合体からなる表面層を設けることも可能である。
量重合体からなる表面層を設けることも可能である。
(実施例)
以下、本発明の種々の実施例を示す。
第2図は、以下に示す本発明の実施例に用いられる測定
装置の構成を示すブロック図である。この測定装置1は
、一対の電極2a、2bを有する被測定試料2に電界を
印加するための高圧パルスを発生する高圧パルス発生器
3およびこの試料2に光パルス4を照射するための、キ
セノンフラッシュランプからなる光源5を有する。尚、
試料2の光パルス4の入射側に設けられた電極2aは、
ITO基板等の透明電極である。これらの高圧パルス発
生器3および光源5は、タイミングコントローラ6によ
り、第3図に示したパルス幅1.の高圧パルスおよび高
圧パルス発生からt2時間経過後に、パルス幅Δτの光
パルスを発生する様に制御される。
装置の構成を示すブロック図である。この測定装置1は
、一対の電極2a、2bを有する被測定試料2に電界を
印加するための高圧パルスを発生する高圧パルス発生器
3およびこの試料2に光パルス4を照射するための、キ
セノンフラッシュランプからなる光源5を有する。尚、
試料2の光パルス4の入射側に設けられた電極2aは、
ITO基板等の透明電極である。これらの高圧パルス発
生器3および光源5は、タイミングコントローラ6によ
り、第3図に示したパルス幅1.の高圧パルスおよび高
圧パルス発生からt2時間経過後に、パルス幅Δτの光
パルスを発生する様に制御される。
また、この装置1は、光パルス4の照射により発生した
過渡的な光電流を増幅する増幅器7およびこの増幅され
た光電流の時間と共に減衰する波形を記録するための記
録計8を有する。この記録計8としては、例えば、スト
レージスコープが用いられる。さらに、この装置1は、
得られた光電流の波形を解析するためのコンピュータ9
を備える。また、ま曽幅器7の入力端には、人力抵抗1
0が接続されている。
過渡的な光電流を増幅する増幅器7およびこの増幅され
た光電流の時間と共に減衰する波形を記録するための記
録計8を有する。この記録計8としては、例えば、スト
レージスコープが用いられる。さらに、この装置1は、
得られた光電流の波形を解析するためのコンピュータ9
を備える。また、ま曽幅器7の入力端には、人力抵抗1
0が接続されている。
上記構成を有する測定装置1により光電流の波形を測定
する場合、高圧パルス発生器3からの高圧パルスにより
所定の強度を有する電昇が印加された試料に、タイミン
グコントローラ6からの光トリガーにより励起された光
源5からの光パルス4が照1・(される。この光パルス
4により発生した時間の経過と共に減衰する過渡的な光
電流はl曽幅器7により増幅される。増幅された光電流
は、その波形が記11÷18に記録されると共に、コン
ピュータ9により解析される。
する場合、高圧パルス発生器3からの高圧パルスにより
所定の強度を有する電昇が印加された試料に、タイミン
グコントローラ6からの光トリガーにより励起された光
源5からの光パルス4が照1・(される。この光パルス
4により発生した時間の経過と共に減衰する過渡的な光
電流はl曽幅器7により増幅される。増幅された光電流
は、その波形が記11÷18に記録されると共に、コン
ピュータ9により解析される。
尚、この測定装置においては、コンピュータにより光電
流の波形の変化を解析したが、コンピュータの代わりに
、記録された光電流の波形を1″!視により角q析する
ことも可能である。
流の波形の変化を解析したが、コンピュータの代わりに
、記録された光電流の波形を1″!視により角q析する
ことも可能である。
実施例1
以下の構造式を有する化合物(1〉を、p−ジフェニル
ベンズアルデヒドとジエチル1.1−ジフェニルメチル
ホスホネイ トから下記表−1に示した 4柾の反応条件で合成した。
ベンズアルデヒドとジエチル1.1−ジフェニルメチル
ホスホネイ トから下記表−1に示した 4柾の反応条件で合成した。
化合物−
後処理後、得られた結晶を下記表−2に示した溶剤に溶
角tt t、て2回再結晶を行ない、ついで真空下80
℃で4時間乾燥して、4種の化合物A、B。
角tt t、て2回再結晶を行ない、ついで真空下80
℃で4時間乾燥して、4種の化合物A、B。
C,Dを得・た。
表−2
第5図に示すように、アルミニウム膜12が蒸着された
ポリエチレンテレフタレートフィルム11を導電性支持
体として使用して、そのアルミニウム膜が蒸着されてい
る面にて一型無金属フタロシアニン(lffi量部)と
ブチラール樹脂(1重量部)をシクロヘキサノンに分散
した溶液を塗布法により塗布して、0.3μmの厚さの
電荷発生層13を形成した。
ポリエチレンテレフタレートフィルム11を導電性支持
体として使用して、そのアルミニウム膜が蒸着されてい
る面にて一型無金属フタロシアニン(lffi量部)と
ブチラール樹脂(1重量部)をシクロヘキサノンに分散
した溶液を塗布法により塗布して、0.3μmの厚さの
電荷発生層13を形成した。
さらにこの上に上記4種の化合物A、B、C。
Dを各々ポリカーボネートと共に塩化メチレンに溶角q
し得た溶液を引き上げ法により塗布し、90℃で241
.Iz間乾燥させて20μ重の厚さの電荷輸送層14を
形成した。
し得た溶液を引き上げ法により塗布し、90℃で241
.Iz間乾燥させて20μ重の厚さの電荷輸送層14を
形成した。
このようにして得られた4柾の感光体No、l。
2.3.4の)12電能(・帯電されたときの感光体表
面電位の初期値)と光感度(表面電位初期値が1/2に
減衰するのに必要な露光量)及び残留電位を71PI
’&した。その結果を表−3に示す。
面電位の初期値)と光感度(表面電位初期値が1/2に
減衰するのに必要な露光量)及び残留電位を71PI
’&した。その結果を表−3に示す。
次に、下部透明電極となる厚さ0.2μ偶のITO基板
(松崎真空味式会11.製)の上に、上部透明電極とし
て光透過早60%程度のAl電極を形成した。このAg
電極の上に、上述と同様な方法で電6:j発生層及び電
荷輸送層を形成した。
(松崎真空味式会11.製)の上に、上部透明電極とし
て光透過早60%程度のAl電極を形成した。このAg
電極の上に、上述と同様な方法で電6:j発生層及び電
荷輸送層を形成した。
さらに、この披lpj定月料の膜の上に金属電極を形成
して、被測定試料を得た。この試料においては、Al電
極とτ型無金属フタロシアニンからなる電荷発生層とは
ショットキー接合を形成し、Ag電極からキャリアの注
入がないために、ハ1定される光電流は先パルスの照射
により生じたキャリアのみからなり、S/N比が向上す
る。
して、被測定試料を得た。この試料においては、Al電
極とτ型無金属フタロシアニンからなる電荷発生層とは
ショットキー接合を形成し、Ag電極からキャリアの注
入がないために、ハ1定される光電流は先パルスの照射
により生じたキャリアのみからなり、S/N比が向上す
る。
この様に作成した試料について、上述の測定装置を用い
て、第1図の波形Aを与える最小の電界強度を測定した
。その結果を第3表にあわせて示す。
て、第1図の波形Aを与える最小の電界強度を測定した
。その結果を第3表にあわせて示す。
また、上記電界強度が200V/cm以下のk 1及び
に2感光体を熱、オゾン等の発生環境下で)1)電、露
光を10.000同反復したところ、はとんど異常が認
められず・:1)電能、光感度、残留電1立等の変動が
小さく耐疲労特性に優れていることが’I’11明した
。
に2感光体を熱、オゾン等の発生環境下で)1)電、露
光を10.000同反復したところ、はとんど異常が認
められず・:1)電能、光感度、残留電1立等の変動が
小さく耐疲労特性に優れていることが’I’11明した
。
また、上記電界強度が200V/cm以上のN093及
びNo、4感光体を熱、オゾン等の発生環境下で、シ1
2電、露光を10,000回反復したところ)i)電能
、光感度、残留電位等の変動が認められ、耐疲労特性が
N(lLl及びNo、2感光体と比較して劣っていた。
びNo、4感光体を熱、オゾン等の発生環境下で、シ1
2電、露光を10,000回反復したところ)i)電能
、光感度、残留電位等の変動が認められ、耐疲労特性が
N(lLl及びNo、2感光体と比較して劣っていた。
大施例2
電Gf発生物質としてジブロムアントアントロン。
電荷暢送物質として表−4に示した15種の化合物を用
いた他は、実施例1と同様にして電子写真感光体及び電
界強度測定用試料を作成した。
いた他は、実施例1と同様にして電子写真感光体及び電
界強度測定用試料を作成した。
得られた感光体の帯電能、光感度、残留電位及び第1図
中波形Aを与える最小電界強度をap+定した。その結
果を表−4に示す。
中波形Aを与える最小電界強度をap+定した。その結
果を表−4に示す。
表4から明らかなように、上記電界強度が200V/c
m以下のN11L1〜NO,7、No、14,15感光
体を熱、オゾン等の発生環境下で一?1)電、露光を1
0.000回反復したところ、はとんど異常が認められ
ず(;′r電能、光感度、残留電位等の変動が小さく耐
疲労特性に優れていることが’I’ll nJIした。
m以下のN11L1〜NO,7、No、14,15感光
体を熱、オゾン等の発生環境下で一?1)電、露光を1
0.000回反復したところ、はとんど異常が認められ
ず(;′r電能、光感度、残留電位等の変動が小さく耐
疲労特性に優れていることが’I’ll nJIした。
また、上記電界強度が200V/cmを越えるNci、
8〜N(L1313感光操を熱、オゾン等の発生環境下
でシ;)電、露光を10,000回反復したところ帯電
能、光感度、残留電位等の変動が認められ、耐疲労特性
がNo、 1〜No、 7、No、14.15感光体と
比較して劣っていた。
8〜N(L1313感光操を熱、オゾン等の発生環境下
でシ;)電、露光を10,000回反復したところ帯電
能、光感度、残留電位等の変動が認められ、耐疲労特性
がNo、 1〜No、 7、No、14.15感光体と
比較して劣っていた。
上記表−4をグラフ化したのが第4図である。
第4図において、・印は残留電位を、口中は光感度(光
減衰の逆数)をそれぞれ示す。
減衰の逆数)をそれぞれ示す。
表
4中fliIXニア輸送物質の構逍式を下記に示すH3
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、感光層全体を最適
化することにより、帯電特性、光感度。
化することにより、帯電特性、光感度。
残留電位特性に優れ、しかも繰返し使用及び環境の変化
による緒特性の変化が小さく、更に繰返し使J11シて
も両像のにじみや解像度の低下がなく初期と同様の高画
質が得られる電子写真感光体を得ることができる。
による緒特性の変化が小さく、更に繰返し使J11シて
も両像のにじみや解像度の低下がなく初期と同様の高画
質が得られる電子写真感光体を得ることができる。
第1図は、光電流の波形の、電界強度による変化を示す
グラフ、第2図は、本発明の実施例に用いた測定装置を
示すブロック図、第3図は・高圧パルスと光パルスの波
形を示す図、第4図は、波形Aを与える最小電界強度に
対する残留電位及び光強度の変化を示すグラフ、第5図
は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体を示す断面
図である。 1・・・測定装置、2・・・被測定試料、2B、2b・
・・電極、3・・・高圧パルス発生器、5・・・光源、
13・・・電f;:f光牛層、14・・・電荷暢送層。 時間 第 図
グラフ、第2図は、本発明の実施例に用いた測定装置を
示すブロック図、第3図は・高圧パルスと光パルスの波
形を示す図、第4図は、波形Aを与える最小電界強度に
対する残留電位及び光強度の変化を示すグラフ、第5図
は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体を示す断面
図である。 1・・・測定装置、2・・・被測定試料、2B、2b・
・・電極、3・・・高圧パルス発生器、5・・・光源、
13・・・電f;:f光牛層、14・・・電荷暢送層。 時間 第 図
Claims (1)
- 導電性支持体と、この導電性支持体上に形成された感光
層とを具備し、この感光層に電圧を印加しかつ光パルス
を照射した際に発生する光電流の時間に対する変化を示
す波形が、単一の極大値を有するとともに凸の形状であ
るのに必要な最小の電界強度が、200kV/cm以下
であることを特徴とする電子写真感光体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24496489 | 1989-09-22 | ||
JP1-244964 | 1989-09-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03184056A true JPH03184056A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=17126577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2251720A Pending JPH03184056A (ja) | 1989-09-22 | 1990-09-25 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5204199A (ja) |
EP (1) | EP0419288A3 (ja) |
JP (1) | JPH03184056A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545499A (en) * | 1995-07-07 | 1996-08-13 | Lexmark International, Inc. | Electrophotographic photoconductor having improved cycling stability and oil resistance |
JP2005017579A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 有機感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
JP4911669B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 圧電アクチュエータ、液体吐出ヘッドの製造方法及び液体吐出ヘッド並びに画像形成装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5711351A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Shunpei Yamazaki | Electrostatic copying machine |
JPS58198043A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
US4603097A (en) * | 1983-10-28 | 1986-07-29 | Ricoh Company, Limited | Styrene derivatives and electrophotographic photoconductor comprising one of the styrene derivatives |
US4641158A (en) * | 1984-02-13 | 1987-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus |
US4804602A (en) * | 1986-03-12 | 1989-02-14 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus utilizing corona erase for improving a multi-color electrophotographic image |
JPH01172863A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Koichi Kinoshita | ディジタル光入力用感光体の増感方法 |
GB8810688D0 (en) * | 1988-05-06 | 1988-06-08 | Ici Plc | Organic photoconductor |
-
1990
- 1990-09-21 US US07/586,308 patent/US5204199A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-21 EP EP19900310391 patent/EP0419288A3/en not_active Withdrawn
- 1990-09-25 JP JP2251720A patent/JPH03184056A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0419288A3 (en) | 1991-08-21 |
EP0419288A2 (en) | 1991-03-27 |
US5204199A (en) | 1993-04-20 |
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