JPH03155036A - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
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- JPH03155036A JPH03155036A JP1293345A JP29334589A JPH03155036A JP H03155036 A JPH03155036 A JP H03155036A JP 1293345 A JP1293345 A JP 1293345A JP 29334589 A JP29334589 A JP 29334589A JP H03155036 A JPH03155036 A JP H03155036A
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- Japan
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- dynode
- photoelectrons
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- electrode
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明はいわゆるベネシャンブラインド形ダイノードを
有する光電子増倍管に関するものである。
有する光電子増倍管に関するものである。
「従来の技術」
ベネシャンブラインド形ダイノードを用いた光電子増倍
管は、第5図に示すように、ガラス管(1)の光入射面
(2)を平坦に形成し、その内側面にホトカソード(3
)を設け、ガラス管(1)の内部網状電極(4□)・・
・(4n)とダイノード(5,)・・・(5n)が交互
に複数段設けられ、さらに最終段のダイノード(5n)
に臨ませてアノード(6)・・・が設けられ、このアノ
ード(6)は外部への導出端子(図示せず)に結合され
ている。
管は、第5図に示すように、ガラス管(1)の光入射面
(2)を平坦に形成し、その内側面にホトカソード(3
)を設け、ガラス管(1)の内部網状電極(4□)・・
・(4n)とダイノード(5,)・・・(5n)が交互
に複数段設けられ、さらに最終段のダイノード(5n)
に臨ませてアノード(6)・・・が設けられ、このアノ
ード(6)は外部への導出端子(図示せず)に結合され
ている。
前記ダイノード(5□)・・・(5n)は、細巾板状を
なし、その長辺が図に対し垂直方向に伸び、短辺が図示
部分であるような電極エレメント(7)からなり、また
奇数段が増倍管主軸に対して同じ方向に45度傾斜し、
偶数段が奇数段とは逆方向に45度傾斜している。
なし、その長辺が図に対し垂直方向に伸び、短辺が図示
部分であるような電極エレメント(7)からなり、また
奇数段が増倍管主軸に対して同じ方向に45度傾斜し、
偶数段が奇数段とは逆方向に45度傾斜している。
このような光電子増倍管において、ホトカソード(3)
に例えばOvの電位が印加され、第1段目の網状電極(
41)とダイノード(51)には約300Vの電位が印
加される。第2段目以降の網状電極(4□)・・・(4
n)とダイノード(5□)・・・(5n)には厘次10
0Vずつ高い電位が印加され、アノード(6)には最も
高い例えば1300Vの電位が印加される。ここで、ホ
トカソード(3)のある位置(3f)に光が入射すると
、光電子を放出し、これが第1ダイノード(5□)以下
の各ダイノード(52)・・・で2次電子が増倍される
。そして理想的には、光入射部分(3f)に入射した光
は増倍された後、対応するアノード(6f)から出力が
とり出されることが望ましい− 「発明が解決しようとする課題」 しかるに、従来の光電子増倍管では、−点から放出され
た電子は光電子エネルギーおよびコサイン分布放出角に
より広がるため、対応するアノードに到達するとは限ら
ず、第5図のように隣接する多数のアノードに到達して
しまうという問題点があった。
に例えばOvの電位が印加され、第1段目の網状電極(
41)とダイノード(51)には約300Vの電位が印
加される。第2段目以降の網状電極(4□)・・・(4
n)とダイノード(5□)・・・(5n)には厘次10
0Vずつ高い電位が印加され、アノード(6)には最も
高い例えば1300Vの電位が印加される。ここで、ホ
トカソード(3)のある位置(3f)に光が入射すると
、光電子を放出し、これが第1ダイノード(5□)以下
の各ダイノード(52)・・・で2次電子が増倍される
。そして理想的には、光入射部分(3f)に入射した光
は増倍された後、対応するアノード(6f)から出力が
とり出されることが望ましい− 「発明が解決しようとする課題」 しかるに、従来の光電子増倍管では、−点から放出され
た電子は光電子エネルギーおよびコサイン分布放出角に
より広がるため、対応するアノードに到達するとは限ら
ず、第5図のように隣接する多数のアノードに到達して
しまうという問題点があった。
例えば、第5図において、光入射(2)面とホトカソー
ド(3)面を、図中左から右へ充分小さなスポット光(
10)で走査し、中央の特定のアノード(6f)だけで
出力をとり出したものとする。第5図に示した従来の光
電子増倍管では第6図の点線特性CB)のようなりロス
トークが生じる。この第6図において横軸はホトカソー
ド面上の走査線位置を示し、縦軸は出力相対値を示して
いる。この図からも明らかなように、裾部分の点線部分
(B4)(B2)がクロストークを示し、光電子の広が
りにより広い範囲でクロストークが生じている。
ド(3)面を、図中左から右へ充分小さなスポット光(
10)で走査し、中央の特定のアノード(6f)だけで
出力をとり出したものとする。第5図に示した従来の光
電子増倍管では第6図の点線特性CB)のようなりロス
トークが生じる。この第6図において横軸はホトカソー
ド面上の走査線位置を示し、縦軸は出力相対値を示して
いる。この図からも明らかなように、裾部分の点線部分
(B4)(B2)がクロストークを示し、光電子の広が
りにより広い範囲でクロストークが生じている。
また、第5図”において、ダイノードエレメント(7)
の上半部(7a)では、2次電子はその段の網状電極(
41)を飛び越して再び同一ダイノード(5□)へ戻っ
たりして次段のダイノード(5□)へ送られず出力信号
にゆらぎが発生する。これに対し、下半部(7b)は2
次電子がスムーズに次段のダイノード(5□)へ送られ
る。このように、上半部(7a)と下半部(7b)にお
いて約3nsec電子走行時間差が発生し、時間分解能
を悪くしているという問題があった。
の上半部(7a)では、2次電子はその段の網状電極(
41)を飛び越して再び同一ダイノード(5□)へ戻っ
たりして次段のダイノード(5□)へ送られず出力信号
にゆらぎが発生する。これに対し、下半部(7b)は2
次電子がスムーズに次段のダイノード(5□)へ送られ
る。このように、上半部(7a)と下半部(7b)にお
いて約3nsec電子走行時間差が発生し、時間分解能
を悪くしているという問題があった。
本発明はベネシャンブラインド形ダイノードとそれに対
応して複数のアノードを有する光電子増倍管において、
ホトカソードへの光の入射位置と特定のアノードとを対
応させて出力をとり出せるようにしたものを得ることを
目的とするものである。
応して複数のアノードを有する光電子増倍管において、
ホトカソードへの光の入射位置と特定のアノードとを対
応させて出力をとり出せるようにしたものを得ることを
目的とするものである。
「課題を解決するための手段」
本発明はホトカソードと、多段のベネシャンブラインド
形ダイノードと、このダイノードの最終段に配置した複
数のアノードとを具備してなる光電子増倍管において、
前記ホトカソードと前記ダイノードとの間に、レンズ作
用により光電子を収束するための収束電極を所定のパタ
ーンをもって配置してなるものである。
形ダイノードと、このダイノードの最終段に配置した複
数のアノードとを具備してなる光電子増倍管において、
前記ホトカソードと前記ダイノードとの間に、レンズ作
用により光電子を収束するための収束電極を所定のパタ
ーンをもって配置してなるものである。
「作用」
ある位置に入射した光がホトカソードで光電子を放出す
る。この光電子は所定のパターンの収束電極によって第
1段目のダイノードの所定のエレメントの一点に収束さ
せる。そのため光電子は広がることなく順1次増倍され
て目的のアノードからほとんどの出力がとり出される。
る。この光電子は所定のパターンの収束電極によって第
1段目のダイノードの所定のエレメントの一点に収束さ
せる。そのため光電子は広がることなく順1次増倍され
て目的のアノードからほとんどの出力がとり出される。
「実施例」
以下、本発明の実施例を図面に基き説明する。
第1図において、ガラス管(1)、光入射面(2)、ホ
トカソード(3)、網状電極(4□)〜(4n)、ベネ
シャンブラインド形ダイノード(5□)〜(5n)およ
びアノード(6)については、第5図に示した従来構造
と変るところはない。
トカソード(3)、網状電極(4□)〜(4n)、ベネ
シャンブラインド形ダイノード(5□)〜(5n)およ
びアノード(6)については、第5図に示した従来構造
と変るところはない。
本発明では、ホトカソード(3)と第1段目の網状電極
(41)との間に収束電極(8)が配置されたことを特
徴とするものである。この収束電極(8)はエツチング
等で加工され、また、第1段目のダイノード(51)と
同一ピッチ(例えば2.0+w+a)で、かつダイノー
ドエレメント(7)の上端部(7c)よりもダイノード
エレメント(7)の巾の約十〜十程度の距離dだけ内側
に配置する。これはダイノードエレメント(7)は上半
部(7a)より下半部(7b)の方が光電子増倍効率が
すぐれているので、この下半部(7b)を充分に活用す
るためである。
(41)との間に収束電極(8)が配置されたことを特
徴とするものである。この収束電極(8)はエツチング
等で加工され、また、第1段目のダイノード(51)と
同一ピッチ(例えば2.0+w+a)で、かつダイノー
ドエレメント(7)の上端部(7c)よりもダイノード
エレメント(7)の巾の約十〜十程度の距離dだけ内側
に配置する。これはダイノードエレメント(7)は上半
部(7a)より下半部(7b)の方が光電子増倍効率が
すぐれているので、この下半部(7b)を充分に活用す
るためである。
このような構成において、ホトカソード(3)にOv、
収束電極(8)にOV 〜100V、第1段目の網状電
極(4□)とダイノード(5,)ニ300 V、第2段
目以下に順次100Vずつ高くなる電位を印加し、さら
に最終段の網状電極(4n)とダイノード(5n)に1
200V、アノード(6)に1300Vを印加する。
収束電極(8)にOV 〜100V、第1段目の網状電
極(4□)とダイノード(5,)ニ300 V、第2段
目以下に順次100Vずつ高くなる電位を印加し、さら
に最終段の網状電極(4n)とダイノード(5n)に1
200V、アノード(6)に1300Vを印加する。
ここで、光入射面(2)に光が入射するとホトカソード
(3)から光電子が放出され、第1段目の網状電極(4
1)とダイノード(5□)へ入射する。このとき、中間
に収束電極(8)があり、この収束電極(8)には第1
段目の電位(300V)より低い電位が印加されている
ため、第1図の点線のような電子レンズ作用が発生し、
光電子は、第1段目のダイノード(5□)の下半部(7
b)付近の一点に収束される。
(3)から光電子が放出され、第1段目の網状電極(4
1)とダイノード(5□)へ入射する。このとき、中間
に収束電極(8)があり、この収束電極(8)には第1
段目の電位(300V)より低い電位が印加されている
ため、第1図の点線のような電子レンズ作用が発生し、
光電子は、第1段目のダイノード(5□)の下半部(7
b)付近の一点に収束される。
収束された光電子は多段のダイノード(52)・・・(
5n)で順次増幅され、目的のアノード(6f)から出
力し、はとんど他のアノードへ広がることがな髪N。
5n)で順次増幅され、目的のアノード(6f)から出
力し、はとんど他のアノードへ広がることがな髪N。
第2図は本発明の第2実施例を示すもので、この例では
、第1段目のダイノード(5□)の上半部(7a)を除
去し、第2段目に近い下半部(7b)だけにして上半部
(7a)による増倍率のゆらぎを減少せしめたものであ
る。
、第1段目のダイノード(5□)の上半部(7a)を除
去し、第2段目に近い下半部(7b)だけにして上半部
(7a)による増倍率のゆらぎを減少せしめたものであ
る。
第3図は本発明の第3実施例を示すもので、この例では
、第1段目と第2段目の間の収束電極(8)の他に、第
2段目と第3段目の間にも収束電極(8a)を配置した
例を示す、この場合の収束電極(8a)には、第1段目
より高電位で第2段目より低電位、例えば350vを印
加することにより電子的なレンズが形成され、より一層
収束効果が上る。
、第1段目と第2段目の間の収束電極(8)の他に、第
2段目と第3段目の間にも収束電極(8a)を配置した
例を示す、この場合の収束電極(8a)には、第1段目
より高電位で第2段目より低電位、例えば350vを印
加することにより電子的なレンズが形成され、より一層
収束効果が上る。
同様に、第3段目以降にも配置できる。
第4図は本発明の第4実施例を示すもので、この例では
、ホトカソード(3)と収束電極(8)との間に加速電
極(9)を配置したものである。そして、この加速電極
(9)に収束電極(8)より充分高電位、例えば300
vを印加することによってホトカソード(3)の付近に
滞っている光電子を急速に加速吸引する。このようにす
ればより収束効果が向上する。
、ホトカソード(3)と収束電極(8)との間に加速電
極(9)を配置したものである。そして、この加速電極
(9)に収束電極(8)より充分高電位、例えば300
vを印加することによってホトカソード(3)の付近に
滞っている光電子を急速に加速吸引する。このようにす
ればより収束効果が向上する。
「発明の効果」
本発明は上述のように構成したので、ホトカソードから
放出されたある範囲内の光電子は電子レンズ作用により
ダイノード上に収束され、目的のアノードから出力がと
り出せる。ちなみに、第6図の実線の特性図(A)は本
発明によるもので、斜線で示したクロストークの部分(
Al)(A、)が従来の(B、)(BZ)に比し極めて
少なくなっている。また、光電子ははシー点に集められ
るため、ダイノードの上半部と下半部における電子走行
時間差もほとんどなく1時間分解能が向上する。
放出されたある範囲内の光電子は電子レンズ作用により
ダイノード上に収束され、目的のアノードから出力がと
り出せる。ちなみに、第6図の実線の特性図(A)は本
発明によるもので、斜線で示したクロストークの部分(
Al)(A、)が従来の(B、)(BZ)に比し極めて
少なくなっている。また、光電子ははシー点に集められ
るため、ダイノードの上半部と下半部における電子走行
時間差もほとんどなく1時間分解能が向上する。
図は本発明による光電子増倍管の実施例を示すもので、
第1図は第1実施例の要部の断面図、第2図は第2実施
例の要部の断面図、第3図は第3実施例の要部の断面図
、第4図は第4実施例の要部の断面図、第5図は従来例
の要部の断面図、第6図は本発明と従来例のクロストー
クの特性図である。 (1)・・・ガラス管、(2)・・・光入射面、(3)
・・・ホトカソード、(3f)・・・光入射部分、(4
1)〜(4n)・・・網状電極、(51)〜(5n)・
・・ベネシャンブラインド形ダイノード、(6) (6
f)・・・アノード、(7)・・・電極エレメント、(
7a)・・・ダイノードエレメントの上半部、(7b)
・・・下半部、(8)・・・収束電極、(9)・・・加
速電極、(10)・・・光。
第1図は第1実施例の要部の断面図、第2図は第2実施
例の要部の断面図、第3図は第3実施例の要部の断面図
、第4図は第4実施例の要部の断面図、第5図は従来例
の要部の断面図、第6図は本発明と従来例のクロストー
クの特性図である。 (1)・・・ガラス管、(2)・・・光入射面、(3)
・・・ホトカソード、(3f)・・・光入射部分、(4
1)〜(4n)・・・網状電極、(51)〜(5n)・
・・ベネシャンブラインド形ダイノード、(6) (6
f)・・・アノード、(7)・・・電極エレメント、(
7a)・・・ダイノードエレメントの上半部、(7b)
・・・下半部、(8)・・・収束電極、(9)・・・加
速電極、(10)・・・光。
Claims (4)
- (1)ホトカソードと、多段のベネシャンブラインド形
ダイノードと、このダイノードの最終段に配置した複数
のアノードとを具備してなる光電子増倍管において、前
記ホトカソードと前記ダイノードとの間に、レンズ作用
により光電子を収束するための収束電極を所定のパター
ンをもって配置してなることを特徴とする光電子増倍管
。 - (2)収束電極による光電子の収束個所をダイノードの
下半部となるように収束電極を配置した請求項(1)記
載の光電子増倍管。 - (3)収束電極はホトカソードと第1段目のダイノード
の間の他に第m段目と第m+1段目(m=1、2・・・
)の間にも配置した請求項(1)または(2)記載の光
電子増倍管。 - (4)ホトカソードと収束電極との間に、収束電極より
高電位の加速電極を配置した請求項(1)、(2)また
は(3)記載の光電子増倍管。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1293345A JP2925020B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 光電子増倍管 |
US07/610,657 US5180943A (en) | 1989-11-10 | 1990-11-08 | Photomultiplier tube with dynode array having venetian-blind structure |
DE69020498T DE69020498T2 (de) | 1989-11-10 | 1990-11-08 | Photovervielfacherröhre mit einer Dynodenvorrichtung von jalousienartiger Struktur. |
EP90312206A EP0427545B1 (en) | 1989-11-10 | 1990-11-08 | Photomultiplier tube with dynode array having venetianblind structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1293345A JP2925020B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 光電子増倍管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03155036A true JPH03155036A (ja) | 1991-07-03 |
JP2925020B2 JP2925020B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=17793600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1293345A Expired - Fee Related JP2925020B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 光電子増倍管 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5180943A (ja) |
EP (1) | EP0427545B1 (ja) |
JP (1) | JP2925020B2 (ja) |
DE (1) | DE69020498T2 (ja) |
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JP2008293918A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子管 |
Families Citing this family (10)
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US5656807A (en) * | 1995-09-22 | 1997-08-12 | Packard; Lyle E. | 360 degrees surround photon detector/electron multiplier with cylindrical photocathode defining an internal detection chamber |
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WO2023092819A1 (zh) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 鳍式半导体器件及其制备方法 |
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