JPH06150876A - 光電子増倍管及び電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管及び電子増倍管Info
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- JPH06150876A JPH06150876A JP4298608A JP29860892A JPH06150876A JP H06150876 A JPH06150876 A JP H06150876A JP 4298608 A JP4298608 A JP 4298608A JP 29860892 A JP29860892 A JP 29860892A JP H06150876 A JPH06150876 A JP H06150876A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 15
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 7
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の測定光や、電子・イオン等のエネルギ
ー線が一次元に入射されるリニアマルチアノード光電子
増倍管ないしは電子増倍管に関し、その目的は、漏れ電
子によるダイノード列相互間のクロストークを防止する
ことにある。 【構成】 透過型光電子増倍管の場合、各ダイノード列
（６）の第１段ダイノード（７1 ）の二次電子放射方向
を、隣接のダイノード列とは１８０度反対向きとしたこ
とを特徴とする。これにより、隣合うダイノード列同士
が正対することはなく、横方向に一定の距離でずれた位
置関係となる。従って、あるダイノード列のダイノード
間から電子が漏出しても、その漏れ電子が隣接のダイノ
ード列内に入り込むことはなく、クロストークが防止さ
れる。
ー線が一次元に入射されるリニアマルチアノード光電子
増倍管ないしは電子増倍管に関し、その目的は、漏れ電
子によるダイノード列相互間のクロストークを防止する
ことにある。 【構成】 透過型光電子増倍管の場合、各ダイノード列
（６）の第１段ダイノード（７1 ）の二次電子放射方向
を、隣接のダイノード列とは１８０度反対向きとしたこ
とを特徴とする。これにより、隣合うダイノード列同士
が正対することはなく、横方向に一定の距離でずれた位
置関係となる。従って、あるダイノード列のダイノード
間から電子が漏出しても、その漏れ電子が隣接のダイノ
ード列内に入り込むことはなく、クロストークが防止さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二次電子放出効果によ
り電子を増倍するダイノード列を有する光電子増倍管又
は電子増倍管に関し、より詳細には、複数の測定光ない
しは電子やイオン等のエネルギー線が入射される部分が
一次元に配列されたいわゆるリニアマルチアノード光電
子増倍管及び電子増倍管に関するものである。
り電子を増倍するダイノード列を有する光電子増倍管又
は電子増倍管に関し、より詳細には、複数の測定光ない
しは電子やイオン等のエネルギー線が入射される部分が
一次元に配列されたいわゆるリニアマルチアノード光電
子増倍管及び電子増倍管に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０及び図１１は従来のリニアマルチ
アノード光電子増倍管の一例を示している。この光電子
増倍管は、ガラスバルブ１の一端面に測定光を受ける入
射窓２が形成されたヘッドオン型である。入射窓２の内
側には、入射測定光を光電子に変換するための透過型光
電面３が一次元配列で形成されている。ガラスバルブ１
の内部には１枚の集束電極４が入射窓２に平行に配置さ
れ、この集束電極４の光電面３に対向する位置には開口
５が一次元配列で形成されている。複数の測定光が各光
電面３に入射して光電子が発生すると、その光電子は開
口５を通って対応のダイノード列６に導かれる。図示の
光電子増倍管におけるダイノード列６はいわゆるライン
フォーカス型であり、光電子は各段のダイノード７の二
次電子放出効果により増倍され、その増倍された二次電
子は最終的には出力信号として陽極８で捕獲されるよう
になっている。
アノード光電子増倍管の一例を示している。この光電子
増倍管は、ガラスバルブ１の一端面に測定光を受ける入
射窓２が形成されたヘッドオン型である。入射窓２の内
側には、入射測定光を光電子に変換するための透過型光
電面３が一次元配列で形成されている。ガラスバルブ１
の内部には１枚の集束電極４が入射窓２に平行に配置さ
れ、この集束電極４の光電面３に対向する位置には開口
５が一次元配列で形成されている。複数の測定光が各光
電面３に入射して光電子が発生すると、その光電子は開
口５を通って対応のダイノード列６に導かれる。図示の
光電子増倍管におけるダイノード列６はいわゆるライン
フォーカス型であり、光電子は各段のダイノード７の二
次電子放出効果により増倍され、その増倍された二次電
子は最終的には出力信号として陽極８で捕獲されるよう
になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
光電子増倍管においては、図１２に明示するように、全
てのダイノード列６が同一方向に配置されている。即
ち、同段に位置するダイノード７の二次電子放出方向は
全て同一方向（図１２でＸ方向）に向けられている。ま
た、各ダイノード列６のダイノード７間には、電圧差を
与えるため、間隙が形成されている。このため、各ダイ
ノード列６に形成される間隙と、それに隣接するダイノ
ード列６の間隙とは互いに対向関係となる。従って、各
ダイノード列６のダイノード７間から二次電子の一部が
横方向（図１２でＹ方向）に漏出する場合があり、その
漏れ電子が隣接のダイノード列６のダイノード７間に入
り込み、いわゆるクロストーク（漏話）を生じさせるこ
とがある。かかるクロストークは、各ダイノード列６の
独立性を損ね、測定光の検出精度を低下させるものであ
る。
光電子増倍管においては、図１２に明示するように、全
てのダイノード列６が同一方向に配置されている。即
ち、同段に位置するダイノード７の二次電子放出方向は
全て同一方向（図１２でＸ方向）に向けられている。ま
た、各ダイノード列６のダイノード７間には、電圧差を
与えるため、間隙が形成されている。このため、各ダイ
ノード列６に形成される間隙と、それに隣接するダイノ
ード列６の間隙とは互いに対向関係となる。従って、各
ダイノード列６のダイノード７間から二次電子の一部が
横方向（図１２でＹ方向）に漏出する場合があり、その
漏れ電子が隣接のダイノード列６のダイノード７間に入
り込み、いわゆるクロストーク（漏話）を生じさせるこ
とがある。かかるクロストークは、各ダイノード列６の
独立性を損ね、測定光の検出精度を低下させるものであ
る。
【０００４】上記の光電子増倍管は入射窓の内側に光電
面を有する透過型であるが、反射型の光電子増倍管につ
いても同様なクロストークの問題がある。反射型の光電
子増倍管は、入射窓の内側には光電面を持たず、図１０
の光電子増倍管のダイノード列６の第１段ダイノード７
1 （添字は段数）を、反射型光電面を有する光電陰極に
置換したものに相当する。従来の反射型光電子増倍管
は、光電陰極に続くダイノード列が全て同一方向に向け
られているので、上記の透過型光電子増倍管と同様、ク
ロストークが生じていた。
面を有する透過型であるが、反射型の光電子増倍管につ
いても同様なクロストークの問題がある。反射型の光電
子増倍管は、入射窓の内側には光電面を持たず、図１０
の光電子増倍管のダイノード列６の第１段ダイノード７
1 （添字は段数）を、反射型光電面を有する光電陰極に
置換したものに相当する。従来の反射型光電子増倍管
は、光電陰極に続くダイノード列が全て同一方向に向け
られているので、上記の透過型光電子増倍管と同様、ク
ロストークが生じていた。
【０００５】また、電子やイオン等のエネルギー線を増
倍して検出する従来のリニアマルチアノード電子増倍管
も、ダイノード列の配置は上記の光電子増倍管と実質的
に同じであるので、クロストーク防止の要請がある。
倍して検出する従来のリニアマルチアノード電子増倍管
も、ダイノード列の配置は上記の光電子増倍管と実質的
に同じであるので、クロストーク防止の要請がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、漏れ電子による
ダイノード列相互間のクロストークを防止することので
きるリニアマルチアノード型の光電子増倍管及び電子増
倍管を提供することにある。
ダイノード列相互間のクロストークを防止することので
きるリニアマルチアノード型の光電子増倍管及び電子増
倍管を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
透過型のリニアマルチアノード光電子増倍管に適用され
ている。即ち、測定光が入射される入射窓を一端面に有
する透光性の密閉容器と、入射窓の内側に一次元配列で
形成された複数の透過型光電面と、第１段ダイノードの
光電子入射口が透過型光電面のそれぞれに対向する位置
に配置されたダイノード列と、ダイノード列の最終段ダ
イノードからの二次電子を捕獲すべくダイノード列のそ
れぞれに対応して設けられた陽極とを備える光電子増倍
管において、隣合うダイノード列の第１段ダイノードの
二次電子放出方向が１８０度反対向きとなるようにダイ
ノード列を配置したことを特徴としている。
透過型のリニアマルチアノード光電子増倍管に適用され
ている。即ち、測定光が入射される入射窓を一端面に有
する透光性の密閉容器と、入射窓の内側に一次元配列で
形成された複数の透過型光電面と、第１段ダイノードの
光電子入射口が透過型光電面のそれぞれに対向する位置
に配置されたダイノード列と、ダイノード列の最終段ダ
イノードからの二次電子を捕獲すべくダイノード列のそ
れぞれに対応して設けられた陽極とを備える光電子増倍
管において、隣合うダイノード列の第１段ダイノードの
二次電子放出方向が１８０度反対向きとなるようにダイ
ノード列を配置したことを特徴としている。
【０００８】また、請求項２に係る発明は、反射型のリ
ニアマルチアノード光電子増倍管に適用されるものであ
り、測定光が入射される入射窓を一端面に有する透光性
の密閉容器と、密閉容器の内部に配置され、かつ、入射
窓に対向する位置にて測定光入射口が一次元に配列され
た複数の反射型光電面と、反射型光電面のそれぞれに対
応して設けられたダイノード列と、ダイノード列の最終
段ダイノードからの二次電子を捕獲すべくダイノード列
のそれぞれに対応して設けられた陽極とを備える光電子
増倍管において、隣合う反射型光電面の光電子放出方向
が１８０度反対向きとなるように反射型光電面を配置し
たことを特徴としている。
ニアマルチアノード光電子増倍管に適用されるものであ
り、測定光が入射される入射窓を一端面に有する透光性
の密閉容器と、密閉容器の内部に配置され、かつ、入射
窓に対向する位置にて測定光入射口が一次元に配列され
た複数の反射型光電面と、反射型光電面のそれぞれに対
応して設けられたダイノード列と、ダイノード列の最終
段ダイノードからの二次電子を捕獲すべくダイノード列
のそれぞれに対応して設けられた陽極とを備える光電子
増倍管において、隣合う反射型光電面の光電子放出方向
が１８０度反対向きとなるように反射型光電面を配置し
たことを特徴としている。
【０００９】更に、請求項３に係る発明は、電子・イオ
ン等のエネルギー線が入射される第１段ダイノードのエ
ネルギー線入射口が一次元に配列された複数のダイノー
ド列と、ダイノード列の最終段ダイノードからの二次電
子を捕獲すべくダイノード列のそれぞれに対応して設け
られた陽極とを備える電子増倍管において、隣合うダイ
ノード列の第１段ダイノードの二次電子放出方向が１８
０度反対向きとなるようにダイノード列を配置したこと
を特徴とする。
ン等のエネルギー線が入射される第１段ダイノードのエ
ネルギー線入射口が一次元に配列された複数のダイノー
ド列と、ダイノード列の最終段ダイノードからの二次電
子を捕獲すべくダイノード列のそれぞれに対応して設け
られた陽極とを備える電子増倍管において、隣合うダイ
ノード列の第１段ダイノードの二次電子放出方向が１８
０度反対向きとなるようにダイノード列を配置したこと
を特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１〜３に記載の発明のいずれの場合も、
第１段ダイノードの二次電子放出方向ないしは反射型光
電面の光電子放出方向を隣接のものと１８０度反対方向
とすることで、各ダイノード列は隣接のダイノード列か
ら一定の距離ずれた位置関係となる。従って、或るダイ
ノード列の間隙から二次電子の一部が漏出しても、隣接
のダイノード列の内部に入り込むことはない。これによ
り、漏れ電子によるダイノード列相互間のクロストーク
が防止され、各ダイノード列の独立性が向上する。
第１段ダイノードの二次電子放出方向ないしは反射型光
電面の光電子放出方向を隣接のものと１８０度反対方向
とすることで、各ダイノード列は隣接のダイノード列か
ら一定の距離ずれた位置関係となる。従って、或るダイ
ノード列の間隙から二次電子の一部が漏出しても、隣接
のダイノード列の内部に入り込むことはない。これによ
り、漏れ電子によるダイノード列相互間のクロストーク
が防止され、各ダイノード列の独立性が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、図面と共に本発明の好適な実施例につ
いて詳細に説明する。なお、先に説明した従来構成と同
一又は相当部分には同一符号を付けることとする。
いて詳細に説明する。なお、先に説明した従来構成と同
一又は相当部分には同一符号を付けることとする。
【００１２】図１及び図２は本発明に従った好適な実施
例の透過型リニアマルチアノード光電子増倍管を示して
いる。図において、符号１は、透光性の密閉容器、具体
的にはガラスバルブであり、その一端面には複数の測定
光が入射される入射窓２が形成されている。各入射窓２
の内側には複数の透過型光電面３が形成され、一次元、
即ち一列に配列されている。また、ガラスバルブ１の内
部には、光電面３からの光電子を受光し二次電子放出効
果によりこれを増倍するためのダイノード列６が、各光
電面３に対して１組ずつ設けられている。ダイノード列
６の第１段ダイノード７1 の光電子入射口は光電面３に
対向して配置され、よって、これも一次元配列となって
いる。光電面３とダイノード列６との間には１枚の集束
電極４が配置され、各ダイノード列６の光電子入射口に
隣接部分には、光電子の入口となる開口５が形成されて
いる。各ダイノード列６の最終段ダイノード７L の前部
には、そこから出射される二次電子を収集するための陽
極８が配置されている。尚、図中、符号９はメッシュ電
極であり、集束電極４の開口５から入射した光電子を、
逆流させることなく、第１段ダイノード７1 内に確実に
誘導するためのものである。
例の透過型リニアマルチアノード光電子増倍管を示して
いる。図において、符号１は、透光性の密閉容器、具体
的にはガラスバルブであり、その一端面には複数の測定
光が入射される入射窓２が形成されている。各入射窓２
の内側には複数の透過型光電面３が形成され、一次元、
即ち一列に配列されている。また、ガラスバルブ１の内
部には、光電面３からの光電子を受光し二次電子放出効
果によりこれを増倍するためのダイノード列６が、各光
電面３に対して１組ずつ設けられている。ダイノード列
６の第１段ダイノード７1 の光電子入射口は光電面３に
対向して配置され、よって、これも一次元配列となって
いる。光電面３とダイノード列６との間には１枚の集束
電極４が配置され、各ダイノード列６の光電子入射口に
隣接部分には、光電子の入口となる開口５が形成されて
いる。各ダイノード列６の最終段ダイノード７L の前部
には、そこから出射される二次電子を収集するための陽
極８が配置されている。尚、図中、符号９はメッシュ電
極であり、集束電極４の開口５から入射した光電子を、
逆流させることなく、第１段ダイノード７1 内に確実に
誘導するためのものである。
【００１３】この実施例で用いられているダイノード列
６はラインフォーカス型と呼ばれる型式であり、全て同
一構成をとっている。各ダイノード列６におけるダイノ
ード７は、その湾曲壁部の凹面（二次電子放出面）が対
向するようにして、測定光の入射方向に沿って千鳥配列
に配置されている。同じ段に位置するダイノード７は１
枚の導電性の支持板１０によって支持されており、図示
しないが、ブリーダ抵抗によって同一の電圧が印加され
るようになっている。
６はラインフォーカス型と呼ばれる型式であり、全て同
一構成をとっている。各ダイノード列６におけるダイノ
ード７は、その湾曲壁部の凹面（二次電子放出面）が対
向するようにして、測定光の入射方向に沿って千鳥配列
に配置されている。同じ段に位置するダイノード７は１
枚の導電性の支持板１０によって支持されており、図示
しないが、ブリーダ抵抗によって同一の電圧が印加され
るようになっている。
【００１４】本発明によれば、隣接するダイノード列６
は交互に逆方向に向けられている。即ち、図３に明示す
るように、一のダイノード列６ａにおける第１段ダイノ
ード７1 の二次電子放出方向がＸ方向に向けられている
場合、そのダイノード列６ａに隣接するダイノード列６
ｂの第１段ダイノード７1 の二次電子放出方向は１８０
度反対方向（−Ｘ方向）とされる。このような配置とす
ることで、ダイノード列６ａは隣接のダイノード列６ｂ
からＸ方向に一定の距離を置いて配置されることとな
る。この配置は他のダイノード列６についても同様であ
る。
は交互に逆方向に向けられている。即ち、図３に明示す
るように、一のダイノード列６ａにおける第１段ダイノ
ード７1 の二次電子放出方向がＸ方向に向けられている
場合、そのダイノード列６ａに隣接するダイノード列６
ｂの第１段ダイノード７1 の二次電子放出方向は１８０
度反対方向（−Ｘ方向）とされる。このような配置とす
ることで、ダイノード列６ａは隣接のダイノード列６ｂ
からＸ方向に一定の距離を置いて配置されることとな
る。この配置は他のダイノード列６についても同様であ
る。
【００１５】次に、上記構成において、本発明の光電子
増倍管の作用について説明する。
増倍管の作用について説明する。
【００１６】ガラスバルブ１の入射窓２に複数の測定光
が入射すると、各測定光は対応の光電面３により光電子
に変換される。この光電子は集束電極４の開口５を通っ
て対応のダイノード列６の第１段ダイノード７1 に入射
し、その二次電子放出面に衝突することで二次電子が放
出される。この二次電子は更に第２段以降のダイノード
７により順次増倍され、最終的に陽極８で収集されて出
力信号として光電子増倍管の外部に出力される。
が入射すると、各測定光は対応の光電面３により光電子
に変換される。この光電子は集束電極４の開口５を通っ
て対応のダイノード列６の第１段ダイノード７1 に入射
し、その二次電子放出面に衝突することで二次電子が放
出される。この二次電子は更に第２段以降のダイノード
７により順次増倍され、最終的に陽極８で収集されて出
力信号として光電子増倍管の外部に出力される。
【００１７】ここで、図３におけるダイノード列６ａに
ついてみると、二次電子がダイノード列６ａ内を伝播
中、その二次電子の一部がダイノード７間の間隙から横
方向（図３ではＹ方向）に漏出する場合がある。しかし
ながら、このダイノード列６ａに隣接するダイノード列
６ｂは、Ｘ方向にずれた位置関係となっており、ダイノ
ード７間の間隙もダイノード列６ａのものからは遠く離
れているため、ダイノード列６ａからの漏れ電子が隣接
のダイノード列６ｂに混入することはなく、クロストー
クの発生が防止される。従って、各ダイノード列６の分
離性、独立性は極めて優れており、各光電面３に入射し
た測定光の検出結果は、他の測定光による影響を受けて
いない精度の高いものとなる。
ついてみると、二次電子がダイノード列６ａ内を伝播
中、その二次電子の一部がダイノード７間の間隙から横
方向（図３ではＹ方向）に漏出する場合がある。しかし
ながら、このダイノード列６ａに隣接するダイノード列
６ｂは、Ｘ方向にずれた位置関係となっており、ダイノ
ード７間の間隙もダイノード列６ａのものからは遠く離
れているため、ダイノード列６ａからの漏れ電子が隣接
のダイノード列６ｂに混入することはなく、クロストー
クの発生が防止される。従って、各ダイノード列６の分
離性、独立性は極めて優れており、各光電面３に入射し
た測定光の検出結果は、他の測定光による影響を受けて
いない精度の高いものとなる。
【００１８】次の表１は、図１０及び図１１に示す従来
構成の６チャンネル光電子増倍管のクロストーク発生率
を表したものである。
構成の６チャンネル光電子増倍管のクロストーク発生率
を表したものである。
【００１９】
【表１】
【００２０】また、表２は、図１及び図２に示すものと
同型式の６チャンネル光電子増倍管のクロストーク発生
率を表したものである。
同型式の６チャンネル光電子増倍管のクロストーク発生
率を表したものである。
【００２１】
【表２】
【００２２】これらの表１及び表２から、本発明の構成
を採ることによりクロストークが大幅に低減することが
分かる。
を採ることによりクロストークが大幅に低減することが
分かる。
【００２３】上記実施例の光電子増倍管に用いられてい
るダイノード列６はラインフォーカス型であるが、本発
明はこれに制限されるものではない。例えば、図４の光
電子増倍管におけるダイノード列１６は、第１段及び第
２段が四半円筒形のダイノード１７1 ，１７2 を用い、
第３段以降はベネシアンブラインド型となっている。そ
の他の構成要素は上記実施例と同一であるので、同一符
号を付し、その説明は省略する。図４から明らかなよう
に、隣合うダイノード列１６は位置がずれており、横方
向の漏れ電子が隣接のダイノード列１６に混入すること
はない。
るダイノード列６はラインフォーカス型であるが、本発
明はこれに制限されるものではない。例えば、図４の光
電子増倍管におけるダイノード列１６は、第１段及び第
２段が四半円筒形のダイノード１７1 ，１７2 を用い、
第３段以降はベネシアンブラインド型となっている。そ
の他の構成要素は上記実施例と同一であるので、同一符
号を付し、その説明は省略する。図４から明らかなよう
に、隣合うダイノード列１６は位置がずれており、横方
向の漏れ電子が隣接のダイノード列１６に混入すること
はない。
【００２４】また、図５は、全段がベネシアンブライン
ド型のダイノード列２６を用いた本発明による光電子増
倍管を示している。このダイノード列２６は上記実施例
の場合とは異なり、図６に明示するように、第２段ダイ
ノード２７2 の二次電子放出方向も第１段ダイノード２
７1 の二次電子放出方向と同じとされている。従って、
隣合うダイノード列２６ａ，２６ｂ間のＸ方向の距離は
更に広がり、漏れ電子の混入防止効果が更に向上されて
いる。
ド型のダイノード列２６を用いた本発明による光電子増
倍管を示している。このダイノード列２６は上記実施例
の場合とは異なり、図６に明示するように、第２段ダイ
ノード２７2 の二次電子放出方向も第１段ダイノード２
７1 の二次電子放出方向と同じとされている。従って、
隣合うダイノード列２６ａ，２６ｂ間のＸ方向の距離は
更に広がり、漏れ電子の混入防止効果が更に向上されて
いる。
【００２５】上記の種々の実施例は全て透過型光電子増
倍管に関するものである。しかしながら、本発明は反射
型光電子増倍管についても適用可能である。
倍管に関するものである。しかしながら、本発明は反射
型光電子増倍管についても適用可能である。
【００２６】図７は本発明が適用された反射型光電子増
倍管の一実施例を示すものである。この光電子増倍管の
基本的な構成は透過型光電子増倍管と近似しているが、
ガラスバルブ１の入射窓２の内側には光電面を有してお
らず、また、集束電極もない。図７において、符号３０
は四半円筒形の光電陰極であり、その凹面に反射型光電
面３１が形成されている。入射窓２から入射した測定光
は、メッシュ電極９を通過した後、光電陰極３０の光電
面３１に当たり、光電子を発する。この光電子は、近接
メッシュ型ダイノード列３６に導かれ、二次電子放出効
果により増倍されて、陽極８で捕獲される。
倍管の一実施例を示すものである。この光電子増倍管の
基本的な構成は透過型光電子増倍管と近似しているが、
ガラスバルブ１の入射窓２の内側には光電面を有してお
らず、また、集束電極もない。図７において、符号３０
は四半円筒形の光電陰極であり、その凹面に反射型光電
面３１が形成されている。入射窓２から入射した測定光
は、メッシュ電極９を通過した後、光電陰極３０の光電
面３１に当たり、光電子を発する。この光電子は、近接
メッシュ型ダイノード列３６に導かれ、二次電子放出効
果により増倍されて、陽極８で捕獲される。
【００２７】光電陰極３１の測定光入射口は一次元に配
列されているが、その光電子放出方向は隣接のものとは
１８０度反対向きとなっている。従って、光電陰極３０
に続くダイノード列３６は、隣接のダイノード列３６と
交互に逆向きとなり、上記の透過型光電子増倍管と同
様、ダイノード列３６相互間のクロストークが防止され
る。
列されているが、その光電子放出方向は隣接のものとは
１８０度反対向きとなっている。従って、光電陰極３０
に続くダイノード列３６は、隣接のダイノード列３６と
交互に逆向きとなり、上記の透過型光電子増倍管と同
様、ダイノード列３６相互間のクロストークが防止され
る。
【００２８】この反射型光電子増倍管にも種々の型式が
あり、図８はその一例である。図８の光電子増倍管にお
いては、反射型光電面４１を有する光電陰極４０、及
び、ダイノード列４６の第１段ダイノード４７1 はベネ
シアンブラインド型となっており、ダイノード列４６の
第２段以降は近接メッシュ型となっている。光電陰極４
０の光電面４１の光電子放出方向が隣接のものと１８０
度反対向きとされ、隣合うダイノード列４６の位置がず
らされていることは、図からが容易に理解されよう。
あり、図８はその一例である。図８の光電子増倍管にお
いては、反射型光電面４１を有する光電陰極４０、及
び、ダイノード列４６の第１段ダイノード４７1 はベネ
シアンブラインド型となっており、ダイノード列４６の
第２段以降は近接メッシュ型となっている。光電陰極４
０の光電面４１の光電子放出方向が隣接のものと１８０
度反対向きとされ、隣合うダイノード列４６の位置がず
らされていることは、図からが容易に理解されよう。
【００２９】図９は、電子やイオン等のエネルギー線を
検出するためのリニアマルチアノード電子増倍管を示し
ている。電子増倍管は透過型光電子増倍管からガラスバ
ルブ、光電面及び集束電極４を取り除いたものに相当す
る。図示実施例における電子増倍管は、いわゆるボック
ス型のダイノード列５６を複数備え、その第１段ダイノ
ード５７1 のエネルギー線入射口は一次元に配列されて
いる。本発明はこのような電子増倍管に対しても適用可
能であり、各ダイノード列５６の第１段ダイノード５７
1 の二次電子放出方向は隣接のダイノード列５６の第１
段ダイノード５７1 と１８０度反対向きとされている。
従って、各第１段ダイノード５７1 のエネルギー線入射
口に電子等のエネルギー線が入射した場合には、上記の
光電子増倍管のダイノード列６の部分での作用と全く同
様に、ダイノード５７間の間隙から漏出した電子が隣接
のダイノード列５６に混入することがない。ダイノード
列５６内を増倍された電子は、最終的には陽極８で捕獲
される。尚、図中、符号６０はブリーダ抵抗を示してい
る。
検出するためのリニアマルチアノード電子増倍管を示し
ている。電子増倍管は透過型光電子増倍管からガラスバ
ルブ、光電面及び集束電極４を取り除いたものに相当す
る。図示実施例における電子増倍管は、いわゆるボック
ス型のダイノード列５６を複数備え、その第１段ダイノ
ード５７1 のエネルギー線入射口は一次元に配列されて
いる。本発明はこのような電子増倍管に対しても適用可
能であり、各ダイノード列５６の第１段ダイノード５７
1 の二次電子放出方向は隣接のダイノード列５６の第１
段ダイノード５７1 と１８０度反対向きとされている。
従って、各第１段ダイノード５７1 のエネルギー線入射
口に電子等のエネルギー線が入射した場合には、上記の
光電子増倍管のダイノード列６の部分での作用と全く同
様に、ダイノード５７間の間隙から漏出した電子が隣接
のダイノード列５６に混入することがない。ダイノード
列５６内を増倍された電子は、最終的には陽極８で捕獲
される。尚、図中、符号６０はブリーダ抵抗を示してい
る。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、隣合う
ダイノード列相互間の漏れ電子によるクロストークが防
止され、ダイノード列の独立性は非常に高いものとな
る。従って、本発明によるリニアマルチアノード光電子
増倍管又は電子増倍管を用いて複数の測定光又はエネル
ギー線を同時に検出する場合、各陽極からの出力は分離
性がよく、高精度のものとなる。
ダイノード列相互間の漏れ電子によるクロストークが防
止され、ダイノード列の独立性は非常に高いものとな
る。従って、本発明によるリニアマルチアノード光電子
増倍管又は電子増倍管を用いて複数の測定光又はエネル
ギー線を同時に検出する場合、各陽極からの出力は分離
性がよく、高精度のものとなる。
【図１】本発明による透過型のリニアマルチアノード光
電子増倍管の一実施例を示す縦断面図である。
電子増倍管の一実施例を示す縦断面図である。
【図２】図１の光電子増倍管の平面図である。
【図３】図１の光電子増倍管で用いられるダイノード列
の配置構成を示す斜視図である。
の配置構成を示す斜視図である。
【図４】本発明による透過型のリニアマルチアノード光
電子増倍管の別の実施例を示す縦断面図である。
電子増倍管の別の実施例を示す縦断面図である。
【図５】本発明による透過型のリニアマルチアノード光
電子増倍管の更に別の実施例を示す縦断面図である。
電子増倍管の更に別の実施例を示す縦断面図である。
【図６】図５の光電子増倍管で用いられるダイノード列
の配置構成を示す斜視図である。
の配置構成を示す斜視図である。
【図７】本発明による反射型のリニアマルチアノード光
電子増倍管の一実施例を示す縦断面図である。
電子増倍管の一実施例を示す縦断面図である。
【図８】本発明による反射型のリニアマルチアノード光
電子増倍管の別の実施例を示す縦断面図である。
電子増倍管の別の実施例を示す縦断面図である。
【図９】本発明によるリニアマルチアノード電子増倍管
の一実施例を示す縦断面図である。
の一実施例を示す縦断面図である。
【図１０】従来一般の透過型のリニアマルチアノード光
電子増倍管を示す縦断面図である。
電子増倍管を示す縦断面図である。
【図１１】図１０の光電子増倍管の平面図である。
【図１２】図１０の光電子増倍管で用いられるダイノー
ド列の配置構成を示す斜視図である。
ド列の配置構成を示す斜視図である。
１…ガラスバルブ、２…入射窓、３…透過型光電面、４
…集束電極、５…開口、６，１６，２６，３６，４６，
５６…ダイノード列、７，１７，２７，４７，５７…ダ
イノード、８…陽極、９…メッシュ電極、１０…支持
板、６０…ブリーダ抵抗。
…集束電極、５…開口、６，１６，２６，３６，４６，
５６…ダイノード列、７，１７，２７，４７，５７…ダ
イノード、８…陽極、９…メッシュ電極、１０…支持
板、６０…ブリーダ抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野 資夫 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 小沢 一夫 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 恩田 弘行 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 測定光が入射される入射窓を一端面に有
する透光性の密閉容器と、前記入射窓の内側に一次元配
列で形成された複数の透過型光電面と、第１段ダイノー
ドの光電子入射口が前記透過型光電面のそれぞれに対向
する位置に配置されたダイノード列と、前記ダイノード
列の最終段ダイノードからの二次電子を捕獲すべく前記
ダイノード列のそれぞれに対応して設けられた陽極とを
備える光電子増倍管において、隣合う前記ダイノード列
の前記第１段ダイノードの二次電子放出方向が１８０度
反対向きとなるように前記ダイノード列を配置したこと
を特徴とする光電子増倍管。 - 【請求項２】 測定光が入射される入射窓を一端面に有
する透光性の密閉容器と、前記密閉容器の内部に配置さ
れ、かつ、前記入射窓に対向する位置にて測定光入射口
が一次元に配列された複数の反射型光電面と、前記反射
型光電面のそれぞれに対応して設けられたダイノード列
と、前記ダイノード列の最終段ダイノードからの二次電
子を捕獲すべく前記ダイノード列のそれぞれに対応して
設けられた陽極とを備える光電子増倍管において、隣合
う前記反射型光電面の光電子放出方向が１８０度反対向
きとなるように前記反射型光電面を配置したことを特徴
とする光電子増倍管。 - 【請求項３】 電子・イオン等のエネルギー線が入射さ
れる第１段ダイノードのエネルギー線入射口が一次元に
配列された複数のダイノード列と、前記ダイノード列の
最終段ダイノードからの二次電子を捕獲すべく前記ダイ
ノード列のそれぞれに対応して設けられた陽極とを備え
る電子増倍管において、隣合う前記ダイノード列の前記
第１段ダイノードの二次電子放出方向が１８０度反対向
きとなるように前記ダイノード列を配置したことを特徴
とする電子増倍管。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4298608A JPH06150876A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 光電子増倍管及び電子増倍管 |
| US08/148,280 US5481158A (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Electron multiplier with improved dynode geometry for reduced crosstalk |
| DE69312638T DE69312638T2 (de) | 1992-11-09 | 1993-11-09 | Photovervielfacher und Elektronenvervielfacher |
| EP93308931A EP0597667B1 (en) | 1992-11-09 | 1993-11-09 | Photomultiplier and electron multiplier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4298608A JPH06150876A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 光電子増倍管及び電子増倍管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150876A true JPH06150876A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17861934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4298608A Pending JPH06150876A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 光電子増倍管及び電子増倍管 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5481158A (ja) |
| EP (1) | EP0597667B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06150876A (ja) |
| DE (1) | DE69312638T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005091333A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電子増倍管 |
| WO2005091332A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Hamamatsu Photonics K. K. | マルチアノード型光電子増倍管 |
| US7064485B2 (en) | 2004-03-24 | 2006-06-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube having focusing electrodes with apertures and screens |
| JP2008530746A (ja) * | 2005-02-09 | 2008-08-07 | フォトニス | 遷移時間を小さくする光電子増倍管 |
| US7489077B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Multi-anode type photomultiplier tube |
| JP2017534161A (ja) * | 2014-11-14 | 2017-11-16 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 反射型フォトカソードアレイを有する光電子増倍管（ｐｍｔ） |
| JP2019510357A (ja) * | 2016-03-29 | 2019-04-11 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | マルチチャネル光電子増倍管アセンブリ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3598173B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2004-12-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器及び光電子増倍管 |
| EP1150333A4 (en) * | 1999-01-19 | 2006-03-22 | Hamamatsu Photonics Kk | PHOTOMULTIPLIER |
| GB9920711D0 (en) | 1999-09-03 | 1999-11-03 | Hd Technologies Limited | High dynamic range mass spectrometer |
| GB2381373B (en) | 2001-05-29 | 2005-03-23 | Thermo Masslab Ltd | Time of flight mass spectrometer and multiple detector therefor |
| WO2003004982A1 (fr) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif spectroscopique |
| JP4249548B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2009-04-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP4708118B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-06-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| US7449834B2 (en) * | 2006-10-16 | 2008-11-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier having multiple dynode arrays with corresponding insulating support member |
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| US9490910B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Fairfield Industries Incorporated | High-bandwidth underwater data communication system |
| US9490911B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Fairfield Industries Incorporated | High-bandwidth underwater data communication system |
| US10712458B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-07-14 | Magseis Ff Llc | Seismic surveys with optical communication links |
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| GB1490695A (en) * | 1974-10-21 | 1977-11-02 | Emi Ltd | Radiation detecting arrangements |
| JPS593825B2 (ja) * | 1978-09-13 | 1984-01-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| GB2080016A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-27 | Philips Electronic Associated | Channel plate electron multiplier |
| JPS59167946A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
| FR2549288B1 (fr) * | 1983-07-11 | 1985-10-25 | Hyperelec | Element multiplicateur d'electrons, dispositif multiplicateur d'electrons comportant cet element multiplicateur et application a un tube photomultiplicateur |
| US4825118A (en) * | 1985-09-06 | 1989-04-25 | Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha | Electron multiplier device |
| JPH0795437B2 (ja) * | 1987-04-18 | 1995-10-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| NL8801657A (nl) * | 1988-06-30 | 1990-01-16 | Philips Nv | Elektronenbuis. |
| JP2925020B2 (ja) * | 1989-11-10 | 1999-07-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| FR2654552A1 (fr) * | 1989-11-14 | 1991-05-17 | Radiotechnique Compelec | Tube photomultiplicateur segmente a haute efficacite de collection et a diaphotie limitee. |
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| US5196690A (en) * | 1991-06-18 | 1993-03-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optically powered photomultiplier tube |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP4298608A patent/JPH06150876A/ja active Pending
-
1993
- 1993-11-08 US US08/148,280 patent/US5481158A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-09 EP EP93308931A patent/EP0597667B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-09 DE DE69312638T patent/DE69312638T2/de not_active Expired - Fee Related
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| JP2021002531A (ja) * | 2014-11-14 | 2021-01-07 | ケーエルエー コーポレイション | 光電子増倍管及びその製造方法 |
| KR20210131428A (ko) * | 2014-11-14 | 2021-11-02 | 케이엘에이 코포레이션 | 반사 광음극 어레이를 가진 광전자 증배관(pmt) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5481158A (en) | 1996-01-02 |
| DE69312638T2 (de) | 1997-12-11 |
| DE69312638D1 (de) | 1997-09-04 |
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| EP0597667B1 (en) | 1997-07-30 |
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