JP2925020B2 - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
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- JP2925020B2 JP2925020B2 JP1293345A JP29334589A JP2925020B2 JP 2925020 B2 JP2925020 B2 JP 2925020B2 JP 1293345 A JP1293345 A JP 1293345A JP 29334589 A JP29334589 A JP 29334589A JP 2925020 B2 JP2925020 B2 JP 2925020B2
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- stage
- electrode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、ベネシャンブラインド形ダイノードを有す
る光電子増倍管のような、各段のダイノードが複数のダ
イノードエレメントで形成され、各段のダイノードエレ
メントは、隣接するダイノードエレメント間に形成され
る入力開口部と出力開口部の位置が管軸に対してずれた
位置となり、且つ２次電子放出面が管軸に対して傾斜す
るとともに奇数段と偶数段で逆方向に傾斜するように形
成された光電子増倍管に関するものである。
る光電子増倍管のような、各段のダイノードが複数のダ
イノードエレメントで形成され、各段のダイノードエレ
メントは、隣接するダイノードエレメント間に形成され
る入力開口部と出力開口部の位置が管軸に対してずれた
位置となり、且つ２次電子放出面が管軸に対して傾斜す
るとともに奇数段と偶数段で逆方向に傾斜するように形
成された光電子増倍管に関するものである。
「従来の技術」 ベネシャンブラインド形ダイノードを用いた光電子増
倍管は、第５図に示すように、ガラス管（１）の光入射
面（２）を平坦に形成し、その内側面にホトカソード
（３）を設け、ガラス管（１）の内部網状電極（41）…
（4n）とダイノード（51）…（5n）が交互に複数設けら
れ、さらに最終段のダイノード（5n）に臨ませてアノー
ド（６）…が設けられ、このアノード（６）は外部への
導出端子（図示せず）に結合されている。
倍管は、第５図に示すように、ガラス管（１）の光入射
面（２）を平坦に形成し、その内側面にホトカソード
（３）を設け、ガラス管（１）の内部網状電極（41）…
（4n）とダイノード（51）…（5n）が交互に複数設けら
れ、さらに最終段のダイノード（5n）に臨ませてアノー
ド（６）…が設けられ、このアノード（６）は外部への
導出端子（図示せず）に結合されている。
前記ダイノード（51）、…、（5n）の各段は、複数の
ダイノードエレメント（７）〜（７）からなり、各ダイ
ノードエレメント（７）は、その長辺が図面に対して垂
直方向に伸び、短辺が図示部分であるような細巾板状に
形成されている。奇数段のダイノード（（51）、（53）
…については、各段のダイノードエレメント（７）〜
（７）の２次電子放出面が増倍管主軸（すなわち管軸）
に対して同じ方向に45度傾斜し、偶数段のダイノード
（52）、（54）…については、各段のダイノードエレメ
ント（７）〜（７）の２次電子放出面が奇数段とは逆方
向に45度傾斜して形成されている。前記ダイノード
（51）、…、（5n）の各段のダイノードエレメント
（７）〜（７）は、隣接ダイノードエレメント間に形成
される入力開口部（11）〜（11）と出力開口部（12）〜
（12）が管軸に対してずれた位置に形成され、ｍ段目
（ｍ＝1,2,…）のダイノード（5m）の出力開口部（12）
〜（12）と第ｍ＋１段目のダイノード（5m+1）の対応す
る入力開口部（11）〜（11）の位置はほぼ一致して形成
されている。
ダイノードエレメント（７）〜（７）からなり、各ダイ
ノードエレメント（７）は、その長辺が図面に対して垂
直方向に伸び、短辺が図示部分であるような細巾板状に
形成されている。奇数段のダイノード（（51）、（53）
…については、各段のダイノードエレメント（７）〜
（７）の２次電子放出面が増倍管主軸（すなわち管軸）
に対して同じ方向に45度傾斜し、偶数段のダイノード
（52）、（54）…については、各段のダイノードエレメ
ント（７）〜（７）の２次電子放出面が奇数段とは逆方
向に45度傾斜して形成されている。前記ダイノード
（51）、…、（5n）の各段のダイノードエレメント
（７）〜（７）は、隣接ダイノードエレメント間に形成
される入力開口部（11）〜（11）と出力開口部（12）〜
（12）が管軸に対してずれた位置に形成され、ｍ段目
（ｍ＝1,2,…）のダイノード（5m）の出力開口部（12）
〜（12）と第ｍ＋１段目のダイノード（5m+1）の対応す
る入力開口部（11）〜（11）の位置はほぼ一致して形成
されている。
このような光電子増倍管において、ホトカソード
（３）に例えば0Vの電位が印加され、第１段目の網状電
極（41）とダイノード（51）には約300Vの電位が印加さ
れる。第２段目以降の網状電極（42）…（4n）とダイノ
ード（52）…（5n）には順次100Vずつ高い電位が印加さ
れ、アノード（６）には最も高い例えば1300Vの電位が
印加される。ここで、ホトカソード（３）のある位置
（3f）に光が入射すると、光電子を放出し、これが第１
ダイノード（51）以下の各ダイノード（52）…で２次電
子が増倍される。そして理想的には、光入射部分（3f）
に入射した光は増倍された後、対応するアノード（6f）
から出力がとり出されることが望ましい。
（３）に例えば0Vの電位が印加され、第１段目の網状電
極（41）とダイノード（51）には約300Vの電位が印加さ
れる。第２段目以降の網状電極（42）…（4n）とダイノ
ード（52）…（5n）には順次100Vずつ高い電位が印加さ
れ、アノード（６）には最も高い例えば1300Vの電位が
印加される。ここで、ホトカソード（３）のある位置
（3f）に光が入射すると、光電子を放出し、これが第１
ダイノード（51）以下の各ダイノード（52）…で２次電
子が増倍される。そして理想的には、光入射部分（3f）
に入射した光は増倍された後、対応するアノード（6f）
から出力がとり出されることが望ましい。
「発明が解決しようとする課題」 しかるに、従来の光電子増倍管では、一点から放出さ
れた電子は光電子エネルギーおよびコサイン分布放出角
により広がるため、対応するアノードに到達するとは限
らず、第５図のように隣接する多数のアノードに到達し
てしまうという問題点があった。
れた電子は光電子エネルギーおよびコサイン分布放出角
により広がるため、対応するアノードに到達するとは限
らず、第５図のように隣接する多数のアノードに到達し
てしまうという問題点があった。
例えば、第５図において、光入射（２）面とホトカソ
ード（３）面を、図中左から右へ充分小さなスポット光
（10）で走査し、中央の特定のアノード（6f）だけで出
力をとり出したものとする。第５図に示した従来の光電
子増倍管では第６図の点線特性（Ｂ）のようなクロスト
ークが生じる。この第６図において横軸はホトカソード
面上の走査線位置を示し、縦軸は出力相対値を示してい
る。この図からも明らかなように、裾部分の点線部分
（B1）（B2）がクロストークを示し、光電子の広がりに
より広い範囲でクロストークが生じている。
ード（３）面を、図中左から右へ充分小さなスポット光
（10）で走査し、中央の特定のアノード（6f）だけで出
力をとり出したものとする。第５図に示した従来の光電
子増倍管では第６図の点線特性（Ｂ）のようなクロスト
ークが生じる。この第６図において横軸はホトカソード
面上の走査線位置を示し、縦軸は出力相対値を示してい
る。この図からも明らかなように、裾部分の点線部分
（B1）（B2）がクロストークを示し、光電子の広がりに
より広い範囲でクロストークが生じている。
また、第５図において、ダイノードエレメント（７）
の上半部（7a）では、２次電子はその段の網状電極
（41）を飛び越して再び同一ダイノード（51）へ戻った
りして次段のダイノード（52）へ送られず出力信号にゆ
らぎが発生する。これに対し、下半部（7b）は２次電子
がスムーズに次段のダイノード（52）へ送られる。この
ように、上半部（7a）と下半部（7b）において約3nsec
電子走行時間差が発生し、時間分解能を悪くしていると
いう問題があった。
の上半部（7a）では、２次電子はその段の網状電極
（41）を飛び越して再び同一ダイノード（51）へ戻った
りして次段のダイノード（52）へ送られず出力信号にゆ
らぎが発生する。これに対し、下半部（7b）は２次電子
がスムーズに次段のダイノード（52）へ送られる。この
ように、上半部（7a）と下半部（7b）において約3nsec
電子走行時間差が発生し、時間分解能を悪くしていると
いう問題があった。
本発明は、複数段のダイノードの各段が複数のアノー
ドに対応した複数のダイノードエレメントで形成され、
各段のダイノードエレメントは、隣接するダイノードエ
レメント間に形成される入力開口部と出力開口部の位置
が管軸に対してずれた位置となり、且つ２次電子放出面
が管軸に対して傾斜するとともに奇数段と偶数段で逆方
向に傾斜するように形成された光電子増倍管において、
ホトカソードへの光の入射位置と特定のアノードとを対
応させて出力をとり出せるようにしたものを得ることを
目的とするものである。
ドに対応した複数のダイノードエレメントで形成され、
各段のダイノードエレメントは、隣接するダイノードエ
レメント間に形成される入力開口部と出力開口部の位置
が管軸に対してずれた位置となり、且つ２次電子放出面
が管軸に対して傾斜するとともに奇数段と偶数段で逆方
向に傾斜するように形成された光電子増倍管において、
ホトカソードへの光の入射位置と特定のアノードとを対
応させて出力をとり出せるようにしたものを得ることを
目的とするものである。
「課題を解決するための手段」 本発明は、ホトカソードと、複数段のダイノードと、
このダイノードの最終段に配置した複数のアノードとを
具備し、各段のダイノードは複数のダイノードエレメン
トで形成され、各段のダイノードエレメントは、隣接す
るダイノードエレメント間に形成される入力開口部と出
力開口部の位置が管軸に対してずれた位置となり、且つ
２次電子放出面が管軸に対して傾斜するとともに奇数段
と偶数段で逆方向に傾斜するように形成された光電子増
倍管において、ホトカソードとダイノードとの間に、ホ
トカソードから放出された光電子をレンズ作用で収束し
て対応するダイノードエレメントの２次電子放出面に導
く収束電極を配置してなり、さらに次の（ａ）又は
（ｂ）の構成を具備してなることを特徴とするものであ
る。
このダイノードの最終段に配置した複数のアノードとを
具備し、各段のダイノードは複数のダイノードエレメン
トで形成され、各段のダイノードエレメントは、隣接す
るダイノードエレメント間に形成される入力開口部と出
力開口部の位置が管軸に対してずれた位置となり、且つ
２次電子放出面が管軸に対して傾斜するとともに奇数段
と偶数段で逆方向に傾斜するように形成された光電子増
倍管において、ホトカソードとダイノードとの間に、ホ
トカソードから放出された光電子をレンズ作用で収束し
て対応するダイノードエレメントの２次電子放出面に導
く収束電極を配置してなり、さらに次の（ａ）又は
（ｂ）の構成を具備してなることを特徴とするものであ
る。
（ａ）光電子の収束箇所が対応するダイノードエレメン
トの下半部となるように、ホトカソードとダイノードの
間に収束電極を配置する。
トの下半部となるように、ホトカソードとダイノードの
間に収束電極を配置する。
（ｂ）ホトカソードと収束電極の間に、収束電極より高
電位の加速電極を配置する。
電位の加速電極を配置する。
「作用」 ある位置に入射した光がホトカソードで光電子を放出
する。この光電子は、収束電極のレンズ作用によって、
第１段目のダイノードの対応した入力開口部を介して対
応したダイノードエレメントの２次電子放出面の一点に
収束される。そのため光電子は広がることなく順次増倍
されて目的のアノードからほとんどの出力がとり出され
る。
する。この光電子は、収束電極のレンズ作用によって、
第１段目のダイノードの対応した入力開口部を介して対
応したダイノードエレメントの２次電子放出面の一点に
収束される。そのため光電子は広がることなく順次増倍
されて目的のアノードからほとんどの出力がとり出され
る。
構成（ａ）により、光電子はダイノードエレメントの
下半部付近の一点に集められるので、ダイノードエレメ
ントの上半部による増幅率のゆらぎを減少させて光電子
像倍効率を向上させることができる。
下半部付近の一点に集められるので、ダイノードエレメ
ントの上半部による増幅率のゆらぎを減少させて光電子
像倍効率を向上させることができる。
構成（ｂ）により、ホトカソード付近に漂っている光
電子が急速に加速吸引されるので、収束効率を向上させ
ることができる。
電子が急速に加速吸引されるので、収束効率を向上させ
ることができる。
「実施例」 以下、本発明の実施例を図面に基き説明する。第１図
において、ガラス管（１）、光入射面（２）、ホトカソ
ード（３）、網状電極（41）〜（4n）、ベネシャンブラ
インド形ダイノード（51）〜（5n）およびアノード
（６）については、第５図に示した従来構造と変るとこ
ろはない。
において、ガラス管（１）、光入射面（２）、ホトカソ
ード（３）、網状電極（41）〜（4n）、ベネシャンブラ
インド形ダイノード（51）〜（5n）およびアノード
（６）については、第５図に示した従来構造と変るとこ
ろはない。
本発明では、ホトカソード（３）と第１段目の網状電
極（41）との間に収束電極（８）が配置されたことを特
徴とするものである。この収束電極（８）はエッチング
等で加工され、また、第１段目のダイノード（51）と同
一ピッチ（例えば2.0mm）で、かつダイノードエレメン
ト（７）の上端部（7c）よりもダイノードエレメント
（７）の巾の約1/3〜1/4程度の距離ｄだけ内側に配置す
る。これはダイノードエレメント（７）は上半部（7a）
より下半部（7b）の方が光電子増倍効率がすぐれている
ので、この下半部（7b）を充分に活用するためである。
極（41）との間に収束電極（８）が配置されたことを特
徴とするものである。この収束電極（８）はエッチング
等で加工され、また、第１段目のダイノード（51）と同
一ピッチ（例えば2.0mm）で、かつダイノードエレメン
ト（７）の上端部（7c）よりもダイノードエレメント
（７）の巾の約1/3〜1/4程度の距離ｄだけ内側に配置す
る。これはダイノードエレメント（７）は上半部（7a）
より下半部（7b）の方が光電子増倍効率がすぐれている
ので、この下半部（7b）を充分に活用するためである。
このような構成において、ホトカソード（３）に0V、
収束電極（８）に0V〜100V、第１段目の網状電極（41）
とダイノード（51）に300V、第２段目以下に順次100Vず
つ高くなる電位を印加し、さらに最終段の網状電極
（4n）とダイノード（5n）に1200V、アノード（６）に1
300Vを印加する。
収束電極（８）に0V〜100V、第１段目の網状電極（41）
とダイノード（51）に300V、第２段目以下に順次100Vず
つ高くなる電位を印加し、さらに最終段の網状電極
（4n）とダイノード（5n）に1200V、アノード（６）に1
300Vを印加する。
ここで、光入射面（２）に光（10）が入射するとホト
カソード（３）から光電子が放出され、第１段目の網状
電極（41）とダイノード（51）へ入射する。このとき、
中間に収束電極（８）があり、この収束電極（８）には
第１段目の電位（300V）より低い電位が印加されている
ため、第１図の点線のような電子レンズ作用が発生し、
光電子は、第１段目のダイノード（51）の下半部（7b）
付近の一点に収束される。
カソード（３）から光電子が放出され、第１段目の網状
電極（41）とダイノード（51）へ入射する。このとき、
中間に収束電極（８）があり、この収束電極（８）には
第１段目の電位（300V）より低い電位が印加されている
ため、第１図の点線のような電子レンズ作用が発生し、
光電子は、第１段目のダイノード（51）の下半部（7b）
付近の一点に収束される。
収束された光電子は多段のダイノード（52）…（5n）
で順次増幅され、目的のアノード（6f）から出力し、ほ
とんど他のアノードへ広がることがない。
で順次増幅され、目的のアノード（6f）から出力し、ほ
とんど他のアノードへ広がることがない。
第２図は本発明の第２実施例を示すもので、この例で
は、第１段目のダイノード（51）の上半部（7a）を除去
し、第２段目に近い下半部（7b）だけにして上半部（7
a）による増倍率のゆらぎを減少せしめたものである。
は、第１段目のダイノード（51）の上半部（7a）を除去
し、第２段目に近い下半部（7b）だけにして上半部（7
a）による増倍率のゆらぎを減少せしめたものである。
第３図は本発明の第３実施例を示すもので、この例で
は、第１段目と第２段目の間の収束電極（８）の他に、
第２段目と第３段目の間にも収束電極（8a）を配置した
例を示す。この場合の収束電極（8a）には、第１段目よ
り高電位で第２段目より低電位、例えば350Vを印加する
ことにより電子的なレンズが形成され、より一層収束効
果が上る。同様に、第３段目以降にも配置できる。
は、第１段目と第２段目の間の収束電極（８）の他に、
第２段目と第３段目の間にも収束電極（8a）を配置した
例を示す。この場合の収束電極（8a）には、第１段目よ
り高電位で第２段目より低電位、例えば350Vを印加する
ことにより電子的なレンズが形成され、より一層収束効
果が上る。同様に、第３段目以降にも配置できる。
第４図は本発明の第４実施例を示すもので、この例で
は、ホトカソード（３）と収束電極（８）との間に加速
電極（９）を配置したものである。そして、この加速電
極（９）に収束電極（８）より充分高電位、例えば300V
を印加することによってホトカソード（３）の付近に滞
っている光電子を急速に加速吸引する。このようにすれ
ばより収束効果が向上する。
は、ホトカソード（３）と収束電極（８）との間に加速
電極（９）を配置したものである。そして、この加速電
極（９）に収束電極（８）より充分高電位、例えば300V
を印加することによってホトカソード（３）の付近に滞
っている光電子を急速に加速吸引する。このようにすれ
ばより収束効果が向上する。
前記実施例では、複数段のダイノードがベネシャンブ
ラインド形に配置された光電子増倍管について説明した
が、本発明はこれに限るものでなく、複数段のダイノー
ドの各段が複数のダイノードエレメントで形成され、各
段のダイノードエレメントが、隣接するダイノードエレ
メント間に形成される入力開口部と出力開口部の位置が
管軸に対してずれた位置となり、且つ２次電子放出面が
管軸に対して傾斜するとともに奇数段と偶数段で逆方向
に傾斜するように形成された光電子増倍管についても利
用することができる。
ラインド形に配置された光電子増倍管について説明した
が、本発明はこれに限るものでなく、複数段のダイノー
ドの各段が複数のダイノードエレメントで形成され、各
段のダイノードエレメントが、隣接するダイノードエレ
メント間に形成される入力開口部と出力開口部の位置が
管軸に対してずれた位置となり、且つ２次電子放出面が
管軸に対して傾斜するとともに奇数段と偶数段で逆方向
に傾斜するように形成された光電子増倍管についても利
用することができる。
「発明の効果」 本発明は上述のように構成したので、ホトカソードか
ら放出されたある範囲内の光電子は電子レンズ作用によ
りダイノード上に収束され、目的のアノードから出力が
とり出せる。ちなみに、第６図の実線の特性図（Ａ）は
本発明によるもので、斜線で示したクロストークの部分
（A1）（A2）が従来の（B1）（B2）に比し極めて少なく
なっている。さらに、光電子はほゞ一点に集められるた
め、従来ダイノードで生じていた電子走行時間差がほと
んどなくなり、時間分解能が向上する。
ら放出されたある範囲内の光電子は電子レンズ作用によ
りダイノード上に収束され、目的のアノードから出力が
とり出せる。ちなみに、第６図の実線の特性図（Ａ）は
本発明によるもので、斜線で示したクロストークの部分
（A1）（A2）が従来の（B1）（B2）に比し極めて少なく
なっている。さらに、光電子はほゞ一点に集められるた
め、従来ダイノードで生じていた電子走行時間差がほと
んどなくなり、時間分解能が向上する。
そして、収束電極で収束する光電子の収束箇所が対応
するダイノードエレメントの下半部となるように、ホト
カソードとダイノードの間に収束電極を配置することに
よって、ダイノードエレメントの上半部による増幅率の
ゆらぎを減少させて光電子像倍効率を向上させることが
できる。また、ホトカソードと収束電極の間に加速電極
を配置することによって、ホトカソード付近に漂ってい
る光電子を急速に加速吸引して、収束効率を向上させる
ことができる。
するダイノードエレメントの下半部となるように、ホト
カソードとダイノードの間に収束電極を配置することに
よって、ダイノードエレメントの上半部による増幅率の
ゆらぎを減少させて光電子像倍効率を向上させることが
できる。また、ホトカソードと収束電極の間に加速電極
を配置することによって、ホトカソード付近に漂ってい
る光電子を急速に加速吸引して、収束効率を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】 図は本発明による光電子増倍管の実施例を示すもので、
第１図は第１実施例の要部の断面図、第２図は第２実施
例の要部の断面図、第３図は第３実施例の要部断面図、
第４図は第４実施例の要部の断面図、第５図は従来例の
要部の断面図、第６図は本発明と従来例のクロストーク
の特性図である。 （１）…ガラス管、（２）…光入射面、（３）…ホトカ
ソード、（3f）…光入射部分、（41）〜（4n）…網状電
極、（51）〜（5n）…ベネシャンブラインド形ダイノー
ド、（６）（6f）…アノード、（７）…ダイノードエレ
メント、（7a）ダイノードエレメント（７）の上半分、
（7b）…ダイノードエレメント（７）の下半分、（８）
…収束電極、（９）…加速電極、（10）…光、（11）…
入力開口部、（12）…出力開口部。
第１図は第１実施例の要部の断面図、第２図は第２実施
例の要部の断面図、第３図は第３実施例の要部断面図、
第４図は第４実施例の要部の断面図、第５図は従来例の
要部の断面図、第６図は本発明と従来例のクロストーク
の特性図である。 （１）…ガラス管、（２）…光入射面、（３）…ホトカ
ソード、（3f）…光入射部分、（41）〜（4n）…網状電
極、（51）〜（5n）…ベネシャンブラインド形ダイノー
ド、（６）（6f）…アノード、（７）…ダイノードエレ
メント、（7a）ダイノードエレメント（７）の上半分、
（7b）…ダイノードエレメント（７）の下半分、（８）
…収束電極、（９）…加速電極、（10）…光、（11）…
入力開口部、（12）…出力開口部。
Claims (7)
- 【請求項１】ホトカソードと、複数段のダイノードと、
このダイノードの最終段に配置した複数のアノードとを
具備し、各段のダイノードは複数のダイノードエレメン
トで形成され、各段のダイノードエレメントは、隣接す
るダイノードエレメント間に形成される入力開口部と出
力開口部の位置が管軸に対してずれた位置となり、且つ
２次電子放出面が管軸に対して傾斜するとともに奇数段
と偶数段で逆方向に傾斜するように形成された光電子増
倍管において、前記ホトカソードと前記ダイノードとの
間に、前記ホトカソードから放出された光電子をレンズ
作用で対応するダイノードエレメントの２次電子放出面
の下半部に収束する収束電極を配置してなることを特徴
とする光電子増倍管。 - 【請求項２】複数段のダイノードはベネシャンブライン
ド形に配置してなる請求項（１）記載の光電子増倍管。 - 【請求項３】収束電極は、ホトカソードと第１段目のダ
イノードの間の他に、第ｍ段目と第ｍ＋１段目（ｍ＝1,
2,…）の間にも配置してなる請求項（１）または（２）
記載の光電子増倍管。 - 【請求項４】ホトカソードと収束電極の間に、収束電極
より高電位の加速電極を配置してなる請求項（１）、
（２）または（３）記載の光電子増倍管。 - 【請求項５】ホトカソードと、複数段のダイノードと、
このダイノードの最終段に配置した複数のアノードとを
具備し、各段のダイノードは複数のダイノードエレメン
トで形成され、各段のダイノードエレメントは、隣接す
るダイノードエレメント間に形成される入力開口部と出
力開口部の位置が管軸に対してずれた位置となり、且つ
２次電子放出面が管軸に対して傾斜するとともに奇数段
と偶数段で逆方向に傾斜するように形成された光電子増
倍管において、前記ホトカソードと前記ダイノードとの
間に、前記ホトカソードから放出された光電子をレンズ
作用で対応するダイノードエレメントの２次電子放出面
に収束する収束電極を配置し、前記ホトカソードと前記
収束電極の間に、前記収束電極より高電位の加速電極を
配置してなることを特徴とする光電子増倍管。 - 【請求項６】複数段のダイノードはベネシャンブライン
ド形に配置してなる請求項（５）記載の光電子増倍管。 - 【請求項７】収束電極は、ホトカソードと第１段目のダ
イノードの間の他に、第ｍ段目と第ｍ＋１段目（ｍ＝1,
2,…）の間にも配置してなる請求項（５）または（６）
記載の光電子増倍管。
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