JPH02291657A - 2次電子増倍管およびこの2次電子増倍管を用いた光電子増倍管 - Google Patents
2次電子増倍管およびこの2次電子増倍管を用いた光電子増倍管Info
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- JPH02291657A JPH02291657A JP11144989A JP11144989A JPH02291657A JP H02291657 A JPH02291657 A JP H02291657A JP 11144989 A JP11144989 A JP 11144989A JP 11144989 A JP11144989 A JP 11144989A JP H02291657 A JPH02291657 A JP H02291657A
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
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- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明はいわゆるベネシャンブラインド形ダイノードを
有する2次電子増倍管とこれを具備した光電子増倍管に
関するものである。
有する2次電子増倍管とこれを具備した光電子増倍管に
関するものである。
「従来の技術」
ベネシャンブラインド形ダイノードを有する2次電子増
倍管を用いた光電子増倍管は、第3図に示すように、ガ
ラス管(1)の光入射面(2)を平坦に形成し、その内
側面にホトカソード(3)を設け、内周面には導電層(
4)を塗布する。ガラス管(1)の内部途中には集束電
wA(5)を配置し、この集束電極(5)の後段には複
数段に網状電極(61)・・・(6n)とダイノード(
71)・・・(7n)が設けられ、さらに最終段のダイ
ノード(7n)に臨ませてアノード(8)が設けられ、
このアノード(8)は外部への導出端子(図示せず)に
結合されている。
倍管を用いた光電子増倍管は、第3図に示すように、ガ
ラス管(1)の光入射面(2)を平坦に形成し、その内
側面にホトカソード(3)を設け、内周面には導電層(
4)を塗布する。ガラス管(1)の内部途中には集束電
wA(5)を配置し、この集束電極(5)の後段には複
数段に網状電極(61)・・・(6n)とダイノード(
71)・・・(7n)が設けられ、さらに最終段のダイ
ノード(7n)に臨ませてアノード(8)が設けられ、
このアノード(8)は外部への導出端子(図示せず)に
結合されている。
前記ダイノード(71)・・・(7n)は,細巾板状を
なし、その長辺が図に対し垂直方向に伸び、短辺が図示
部分であるような電極エレメント(9)からなり、また
奇数段が増倍管主軸に対して同方向に45度斜し、偶数
段が奇数段とは逆方向に45度傾斜している。
なし、その長辺が図に対し垂直方向に伸び、短辺が図示
部分であるような電極エレメント(9)からなり、また
奇数段が増倍管主軸に対して同方向に45度斜し、偶数
段が奇数段とは逆方向に45度傾斜している。
?かるに、このようなベネシャンブラインド形ダイノー
ド(71)・・・(7n)において、従来は,第4図に
示すように第1段目の網状電極(6■)と第1段目のダ
イノード(71)はともに同電位(O V)が印加され
、第2段目の網状電極(62)と第2段目のダイノード
(7■)はこれより所定電位(IOOV)だけ高い電位
(IOOV)が印加され、以下、段数に応じて順次高い
電位がかけられ、アノード(8)が最も高い電位となっ
ている。
ド(71)・・・(7n)において、従来は,第4図に
示すように第1段目の網状電極(6■)と第1段目のダ
イノード(71)はともに同電位(O V)が印加され
、第2段目の網状電極(62)と第2段目のダイノード
(7■)はこれより所定電位(IOOV)だけ高い電位
(IOOV)が印加され、以下、段数に応じて順次高い
電位がかけられ、アノード(8)が最も高い電位となっ
ている。
[発明が解決しようとする課題」
しかるに、ここで問題となるのは第1段目のダイノード
(71)から放出される2次電子軌道である。
(71)から放出される2次電子軌道である。
すなわち、第1段目のダイノード(7■)の電極エレメ
ント(9)から放出された2次電子のうち,ダイノード
電子入射口の上端付近(91)から放出された2次電子
(tエ)は第1段目のダイノード(7■)から約1+u
+離れた第1段目の網状電極(61)を通過し、第2段
目のダイノード(7.)の方向とは逆の方向に大きく飛
び出し、再び電子入射方向と同方向に押し戻されて第2
段目のダイノード(7■)へ入射する。
ント(9)から放出された2次電子のうち,ダイノード
電子入射口の上端付近(91)から放出された2次電子
(tエ)は第1段目のダイノード(7■)から約1+u
+離れた第1段目の網状電極(61)を通過し、第2段
目のダイノード(7.)の方向とは逆の方向に大きく飛
び出し、再び電子入射方向と同方向に押し戻されて第2
段目のダイノード(7■)へ入射する。
?端付近(92)から放出される2次電子(t2)はあ
まり曲ることなく第2段目のダイノード(7■)へ入射
する。このように、上端付近(91)から放出される2
次電子(tエ)と下端付近(9■)から放出される2次
電子(t2)との電子走行時間差Tを大きくし、また、
第2段目のダイノードをすり抜ける電子が多く、第2段
目のダイノード(72)に衝突する確率を低下させるな
どの問題があった。
まり曲ることなく第2段目のダイノード(7■)へ入射
する。このように、上端付近(91)から放出される2
次電子(tエ)と下端付近(9■)から放出される2次
電子(t2)との電子走行時間差Tを大きくし、また、
第2段目のダイノードをすり抜ける電子が多く、第2段
目のダイノード(72)に衝突する確率を低下させるな
どの問題があった。
本発明は、第1段目のダイノードにおける同一電極エレ
メントの各部での電子走行時間差を可及的に小さくし、
かつ第2段目のダイノードに衝突する確率の高い2次電
子増倍管を得ることを目的とするものである。
メントの各部での電子走行時間差を可及的に小さくし、
かつ第2段目のダイノードに衝突する確率の高い2次電
子増倍管を得ることを目的とするものである。
「課題を解決するための手段」
本発明は、複数段のダイノードをベネシャンブラインド
形に配置してなる2次電子増倍管において、第1段目の
ダイノードの電子入射方向側に配置された第1段目の網
状電極の電位と、前記第1段目のダイノードの電位との
間に電位差を付与してなるものである。具体的には第1
段目のダイノ?ドの電位がOvであるときには,第1段
目の網状電極の電位を約−5vとする. 「作用』 第1段目のダイノードに電子が衝突すると、2次電子が
放出されるが、第1段目のダイノードの電位Vaと第1
段目の網状電極の電位vbとの電位差Vcによって、第
2段目のダイノードへの電子到達率ηと、上端と下端の
電子走行時間差Tとが変化する.実験によれば.Va−
Vb=Vcが−3〜−9V.好ましくは約−5vである
ときが最もすぐれた特性を有する. 「実施例」 以下,本発明の一実施例を図面により説明する.第1図
において. (71)(7■)(73)(7.)はそれ
ぞれ第1段目、第2段目、第3段目、第4段目のダイノ
ード群で,また、(s1) (6. ) (6, )
(64 )はそれぞれ第1段目、第2段目、第3段目,
第4段目の網状電極である.以下第n段目まであるが,
図示を省略した. これらのうちダイノード群(7,)・・・(7n)は、
上下?の電極エレメント(9)の端部(9a) (9b
)のずれSが、ダイノードピッチをdとすると略一dに
設定されている。
形に配置してなる2次電子増倍管において、第1段目の
ダイノードの電子入射方向側に配置された第1段目の網
状電極の電位と、前記第1段目のダイノードの電位との
間に電位差を付与してなるものである。具体的には第1
段目のダイノ?ドの電位がOvであるときには,第1段
目の網状電極の電位を約−5vとする. 「作用』 第1段目のダイノードに電子が衝突すると、2次電子が
放出されるが、第1段目のダイノードの電位Vaと第1
段目の網状電極の電位vbとの電位差Vcによって、第
2段目のダイノードへの電子到達率ηと、上端と下端の
電子走行時間差Tとが変化する.実験によれば.Va−
Vb=Vcが−3〜−9V.好ましくは約−5vである
ときが最もすぐれた特性を有する. 「実施例」 以下,本発明の一実施例を図面により説明する.第1図
において. (71)(7■)(73)(7.)はそれ
ぞれ第1段目、第2段目、第3段目、第4段目のダイノ
ード群で,また、(s1) (6. ) (6, )
(64 )はそれぞれ第1段目、第2段目、第3段目,
第4段目の網状電極である.以下第n段目まであるが,
図示を省略した. これらのうちダイノード群(7,)・・・(7n)は、
上下?の電極エレメント(9)の端部(9a) (9b
)のずれSが、ダイノードピッチをdとすると略一dに
設定されている。
また、第1段目の網状電極(61)には−5v、第1段
目のダイノード(71)にはOvを印加する。第2段目
の網状電極(62)とダイノード(72)には同電位の
100vを印加し、以下、段数が増えるに応じて100
vずつ順次高くし、アノード(8)を最も高い電位とす
る. 上述のように、第1段目の網状電極(61)とダイノー
ド(71)の電位を約−5v異なせると、第1図に示す
ように、電極エレメント(9)の上端(91)における
電子軌道(tエ)が修正されて、第1段目の網状電極(
61)より飛び出すことができなくなる。したがって下
端(9■)における電子軌道(t2)との電子走行時間
差Tと第2段目のダイノード(7.)への電子到達率η
とが向上される.第2図の実験結果に基きさらに詳しく
説明すると、横軸に第1段目の網状電極(61)の第1
段目のダイノード(71)に対する電位差Vcをとり、
また、縦軸に上端(91)と下?(9■)の電子走行時
間差Tと,第2段目のダイノード(7■)への電子到達
率ηをとる。この特性図から、前記走行時間差Tは電位
差vcがO〜−2vではほとんど変らないが.−2Vを
越えると次第に下り、−5Vで略最低となり、−5V以
上の電位差でもほとんど変化しなくなる。また、電子到
達率ηは約−5vまではゆるやかに増大し、それ以上の
電位差では次第に減少する。
目のダイノード(71)にはOvを印加する。第2段目
の網状電極(62)とダイノード(72)には同電位の
100vを印加し、以下、段数が増えるに応じて100
vずつ順次高くし、アノード(8)を最も高い電位とす
る. 上述のように、第1段目の網状電極(61)とダイノー
ド(71)の電位を約−5v異なせると、第1図に示す
ように、電極エレメント(9)の上端(91)における
電子軌道(tエ)が修正されて、第1段目の網状電極(
61)より飛び出すことができなくなる。したがって下
端(9■)における電子軌道(t2)との電子走行時間
差Tと第2段目のダイノード(7.)への電子到達率η
とが向上される.第2図の実験結果に基きさらに詳しく
説明すると、横軸に第1段目の網状電極(61)の第1
段目のダイノード(71)に対する電位差Vcをとり、
また、縦軸に上端(91)と下?(9■)の電子走行時
間差Tと,第2段目のダイノード(7■)への電子到達
率ηをとる。この特性図から、前記走行時間差Tは電位
差vcがO〜−2vではほとんど変らないが.−2Vを
越えると次第に下り、−5Vで略最低となり、−5V以
上の電位差でもほとんど変化しなくなる。また、電子到
達率ηは約−5vまではゆるやかに増大し、それ以上の
電位差では次第に減少する。
以上の特性から、電位差Vcは−3〜−9V、好ましく
は約−5vのとき最もすぐれた特性を有することを示し
ている. 以上のように構成された2次電子増倍管を第3図に示す
ような光電子増倍管の電子増倍部に取付けることによっ
て効率のよい光電子増倍管が得られる。
は約−5vのとき最もすぐれた特性を有することを示し
ている. 以上のように構成された2次電子増倍管を第3図に示す
ような光電子増倍管の電子増倍部に取付けることによっ
て効率のよい光電子増倍管が得られる。
「発明の効果」
本発明は上述のように構成したので、第1段目のダイノ
ードから放出される2次電子の軌道が修正され、第2段
目のダイノードに到達する率が高くなり、かつ電子走行
時間差を大巾に減少させる?とができ、効率のよい2次
電子増倍管および光電子増倍管を得ることができる。
ードから放出される2次電子の軌道が修正され、第2段
目のダイノードに到達する率が高くなり、かつ電子走行
時間差を大巾に減少させる?とができ、効率のよい2次
電子増倍管および光電子増倍管を得ることができる。
第1図は本発明による2次電子増倍管のダイノード配置
例の説明図、第2図は電子到達率と電子走行時間差の特
性図,第3図は一般的な光電子増倍管の断面図、第4図
は従来のダイノードの配置図である。 (1)・・・ガラス管、(2)・・・光入射面、(3)
・・・ホトヵソード、(4)・・・導電層、(5)・・
・集束電極,(6■)〜(6n)・・・網状電極. (
71)〜(7n)・・・ダイノード、(8)・・・アノ
ード、(9)・・・電極エレメント,(9a)(9b)
・・端部. (9.)・・・上端部、(9■)・・・下
端部。
例の説明図、第2図は電子到達率と電子走行時間差の特
性図,第3図は一般的な光電子増倍管の断面図、第4図
は従来のダイノードの配置図である。 (1)・・・ガラス管、(2)・・・光入射面、(3)
・・・ホトヵソード、(4)・・・導電層、(5)・・
・集束電極,(6■)〜(6n)・・・網状電極. (
71)〜(7n)・・・ダイノード、(8)・・・アノ
ード、(9)・・・電極エレメント,(9a)(9b)
・・端部. (9.)・・・上端部、(9■)・・・下
端部。
Claims (3)
- (1)複数段のダイノードをベネシャンブラインド形に
配置してなる2次電子増倍管において、第1段目のダイ
ノードの電子入射方向側に配置された第1段目の網状電
極の電位と、前記第1段目のダイノードの電位との間に
電位差を付与してなることを特徴とする2次電子増倍管
。 - (2)第1段目の網状電極の第1段目のダイノードに対
する電位差を−3〜−9Vの範囲内に設定した請求項(
1)記載の2次電子増倍管。 - (3)2次電子増倍部に、請求項(1)または(2)記
載の2次電子増倍管を具備してなることを特徴とする光
電子増倍管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11144989A JPH02291657A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 2次電子増倍管およびこの2次電子増倍管を用いた光電子増倍管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11144989A JPH02291657A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 2次電子増倍管およびこの2次電子増倍管を用いた光電子増倍管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02291657A true JPH02291657A (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=14561491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11144989A Pending JPH02291657A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 2次電子増倍管およびこの2次電子増倍管を用いた光電子増倍管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02291657A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004112082A1 (ja) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | 電子増倍管 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP11144989A patent/JPH02291657A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004112082A1 (ja) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | 電子増倍管 |
EP1632982A1 (en) * | 2003-06-17 | 2006-03-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier |
EP1632982A4 (en) * | 2003-06-17 | 2008-09-17 | Hamamatsu Photonics Kk | ELECTRON MULTIPLIER |
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