JP3466712B2 - 電子管 - Google Patents
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- JP3466712B2 JP3466712B2 JP14663994A JP14663994A JP3466712B2 JP 3466712 B2 JP3466712 B2 JP 3466712B2 JP 14663994 A JP14663994 A JP 14663994A JP 14663994 A JP14663994 A JP 14663994A JP 3466712 B2 JP3466712 B2 JP 3466712B2
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- tube
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２次電子放出により入
射電子流を増倍する電子増倍器を備えた電子管に関す
る。
射電子流を増倍する電子増倍器を備えた電子管に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
特開平５−１８２６３１号公報のものが知られている。
この公報に記載された従来の電子管のダイノードの断面
構造を図６に示す。この図は、電気的に絶縁された状態
で複数段に積み重ねたダイノードのうち、連続するｎ段
とｎ＋１段を示したものである。
特開平５−１８２６３１号公報のものが知られている。
この公報に記載された従来の電子管のダイノードの断面
構造を図６に示す。この図は、電気的に絶縁された状態
で複数段に積み重ねたダイノードのうち、連続するｎ段
とｎ＋１段を示したものである。
【０００３】ダイノード１００は、複数の貫通孔１０１
を形成したプレート１０２を有しており、貫通孔１０１
の傾きが段毎に反転するように、プレート１０２の配置
位置を段毎に反転させている。各貫通孔１０１は、入力
開口１０３に比べて出力開口１０４が大なる口径となっ
ている。また、各段のダイノード１００は、次段、次々
段と、順次、高電位となるように、各段の電源１０５に
よって各段のプレート１０２に所定の電圧が印加されて
いる。この場合、Ｖ1 ＝１００Ｖ、Ｖ2 ＝２００Ｖであ
る。このプレート１０２は、各貫通孔１０１の表面が導
電性を有しているため、電源１０５から印加される電圧
によって、プレート１０２の全表面が同電位に帯電され
る。
を形成したプレート１０２を有しており、貫通孔１０１
の傾きが段毎に反転するように、プレート１０２の配置
位置を段毎に反転させている。各貫通孔１０１は、入力
開口１０３に比べて出力開口１０４が大なる口径となっ
ている。また、各段のダイノード１００は、次段、次々
段と、順次、高電位となるように、各段の電源１０５に
よって各段のプレート１０２に所定の電圧が印加されて
いる。この場合、Ｖ1 ＝１００Ｖ、Ｖ2 ＝２００Ｖであ
る。このプレート１０２は、各貫通孔１０１の表面が導
電性を有しているため、電源１０５から印加される電圧
によって、プレート１０２の全表面が同電位に帯電され
る。
【０００４】以上のように構成されるダイノード１００
のｎ段に電子が入射した場合、この貫通孔１０１に入射
した電子が傾斜部１０６に衝突し、この傾斜部１０６に
形成された２次電子放出層から２次電子が放出される。
放出された２次電子は、ｎ段とｎ＋１段との電位差によ
って形成される制動電界に導かれ、ｎ＋１段のダイノー
ド１００に入射し、同様にして再び増幅されるものであ
る。
のｎ段に電子が入射した場合、この貫通孔１０１に入射
した電子が傾斜部１０６に衝突し、この傾斜部１０６に
形成された２次電子放出層から２次電子が放出される。
放出された２次電子は、ｎ段とｎ＋１段との電位差によ
って形成される制動電界に導かれ、ｎ＋１段のダイノー
ド１００に入射し、同様にして再び増幅されるものであ
る。
【０００５】なお、特開平２−２９１６５４号公報、特
開平２−２９１６５５号公報等にも従来の電子管につい
て開示されている。
開平２−２９１６５５号公報等にも従来の電子管につい
て開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ｎ段とｎ＋１
段の間の電位の分布状態を図６に点線で示す。代表とし
て、１２０Ｖ、１５０Ｖ及び１８０Ｖの等電位線を示
し、それぞれＡ，Ｂ及びＣとする。等電位線Ｂがｎ段と
ｎ＋１段の中間に位置し、等電位線Ａがｎ段の貫通孔１
０１内に、また、等電位線Ｃがｎ＋１段の貫通孔１０１
内に、それぞれ湾曲して入り込む状態となっている。前
述したように、各貫通孔１０１は入力開口１０３に比べ
て出力開口１０４が大なる口径となっており、このた
め、等電位線Ｃに比べて等電位線Ａの方が、貫通孔１０
１内への入り込みが深くなっている。
段の間の電位の分布状態を図６に点線で示す。代表とし
て、１２０Ｖ、１５０Ｖ及び１８０Ｖの等電位線を示
し、それぞれＡ，Ｂ及びＣとする。等電位線Ｂがｎ段と
ｎ＋１段の中間に位置し、等電位線Ａがｎ段の貫通孔１
０１内に、また、等電位線Ｃがｎ＋１段の貫通孔１０１
内に、それぞれ湾曲して入り込む状態となっている。前
述したように、各貫通孔１０１は入力開口１０３に比べ
て出力開口１０４が大なる口径となっており、このた
め、等電位線Ｃに比べて等電位線Ａの方が、貫通孔１０
１内への入り込みが深くなっている。
【０００７】このように、貫通孔１０１内への等電位線
Ａの入り込みが深ければ、貫通孔１０１内部の制動電界
が強くなり、ｎ段のダイノード１００の傾斜部１０６の
下部から放出された２次電子１０７はｎ＋１段のダイノ
ード１００に導かれる。
Ａの入り込みが深ければ、貫通孔１０１内部の制動電界
が強くなり、ｎ段のダイノード１００の傾斜部１０６の
下部から放出された２次電子１０７はｎ＋１段のダイノ
ード１００に導かれる。
【０００８】しかしながら、このように貫通孔１０１の
形状に工夫が施された従来の電子管であっても、ダイノ
ード１００の傾斜部１０６の上部から放出された２次電
子１０８をｎ＋１段のダイノード１００に導くには、貫
通孔１０１内への等電位線Ａの入り込みが不十分であっ
た。この結果、傾斜部１０６の上部から放出された２次
電子１０８はｎ段側に戻ってしまうことが多く、電子の
収集効率を低下させる原因の一つとなっていた。
形状に工夫が施された従来の電子管であっても、ダイノ
ード１００の傾斜部１０６の上部から放出された２次電
子１０８をｎ＋１段のダイノード１００に導くには、貫
通孔１０１内への等電位線Ａの入り込みが不十分であっ
た。この結果、傾斜部１０６の上部から放出された２次
電子１０８はｎ段側に戻ってしまうことが多く、電子の
収集効率を低下させる原因の一つとなっていた。
【０００９】本発明は上記欠点を解決すべくなされたも
のであり、その目的は、制動電界を貫通孔内部に深く入
り込ませることにより、電子の収集効率の改善された電
子管を提供することにある。
のであり、その目的は、制動電界を貫通孔内部に深く入
り込ませることにより、電子の収集効率の改善された電
子管を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電子管は、２次電子放出により入射電子流
を増倍する電子増倍器を備えており、この電子増倍器は
電子流の入射側に向けてダイノードを複数段に積層して
構成されている。各ダイノードには、電子流の入射側の
一端を入力開口とし他端を出力開口とする複数の貫通孔
が配列形成され、各貫通孔は、電子流の入射方向に対し
て傾斜させて形成されているとともに電子増倍孔として
機能し、入力開口の縁部には上段のダイノードの貫通孔
に向けて突出した加速電極部が設けられている。
に、本発明の電子管は、２次電子放出により入射電子流
を増倍する電子増倍器を備えており、この電子増倍器は
電子流の入射側に向けてダイノードを複数段に積層して
構成されている。各ダイノードには、電子流の入射側の
一端を入力開口とし他端を出力開口とする複数の貫通孔
が配列形成され、各貫通孔は、電子流の入射方向に対し
て傾斜させて形成されているとともに電子増倍孔として
機能し、入力開口の縁部には上段のダイノードの貫通孔
に向けて突出した加速電極部が設けられている。
【００１１】ここで、加速電極部は上段のダイノードの
貫通孔の内部に入り込んでいてもよい。
貫通孔の内部に入り込んでいてもよい。
【００１２】
【作用】本発明の電子管によれば、各ダイノードに配列
形成された貫通孔の入力開口の縁部には、上段のダイノ
ードの貫通孔に向けて突出した加速電極部が設けられて
いる。２次電子を上段から導く制動電界は加速電極部に
よって押し上げられ、上段のダイノードの貫通孔内部に
深く入り込むように形成される。
形成された貫通孔の入力開口の縁部には、上段のダイノ
ードの貫通孔に向けて突出した加速電極部が設けられて
いる。２次電子を上段から導く制動電界は加速電極部に
よって押し上げられ、上段のダイノードの貫通孔内部に
深く入り込むように形成される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について添付図面を
参照して説明する。図１は本実施例に係る電子管の構成
を示す側部断面図、図２は本実施例に係る電子管の構成
を示す上面図である。図１及び図２より、本実施例の電
子管は、円柱形状の真空容器１０の内部に入射電子流を
増倍する電子増倍器２０が配設された構成を有してい
る。真空容器１０は、円筒形の金属側管１１と、金属側
管１１の一端に設けられた円形の受光面板１２と、金属
側管１１の他端に設けられた基台部を構成する円形のス
テム１３とから構成されている。受光面板１２の下面に
は光電陰極２１が設けられ、この光電陰極２１と電子増
倍器２０との間には収束電極２２が配設されている。
参照して説明する。図１は本実施例に係る電子管の構成
を示す側部断面図、図２は本実施例に係る電子管の構成
を示す上面図である。図１及び図２より、本実施例の電
子管は、円柱形状の真空容器１０の内部に入射電子流を
増倍する電子増倍器２０が配設された構成を有してい
る。真空容器１０は、円筒形の金属側管１１と、金属側
管１１の一端に設けられた円形の受光面板１２と、金属
側管１１の他端に設けられた基台部を構成する円形のス
テム１３とから構成されている。受光面板１２の下面に
は光電陰極２１が設けられ、この光電陰極２１と電子増
倍器２０との間には収束電極２２が配設されている。
【００１４】電子増倍器２０は、多数の電子増倍孔２３
を有するダイノード２４を積層して構成されており、こ
れらのダイノード２４の下部には、アノード２５と、最
終段のダイノード２６とが順に配設されている。
を有するダイノード２４を積層して構成されており、こ
れらのダイノード２４の下部には、アノード２５と、最
終段のダイノード２６とが順に配設されている。
【００１５】基台部となるステム１３は、外部の電圧端
子と接続され、各ダイノード２４，２６などに所定の電
圧を与える計１２本のステムピン１４が貫通している。
各ステムピン１４は、テーパ状のハーメチックガラス１
５によってステム１３に固定されている。また、各ステ
ムピン１４は接続すべきダイノードに至る長さを有し、
その先端は対応する各ダイノード２４，２６の接続端子
（図示せず）と抵抗溶接されている。
子と接続され、各ダイノード２４，２６などに所定の電
圧を与える計１２本のステムピン１４が貫通している。
各ステムピン１４は、テーパ状のハーメチックガラス１
５によってステム１３に固定されている。また、各ステ
ムピン１４は接続すべきダイノードに至る長さを有し、
その先端は対応する各ダイノード２４，２６の接続端子
（図示せず）と抵抗溶接されている。
【００１６】受光面板１２に入射した光３０は下面の光
電陰極２１内の電子を励起して、真空中に光電子を放出
する。光電陰極２１から放出された光電子は格子状の収
束電極２２（図２参照）によって最上層のダイノード２
４上に収束され、二次増倍が行われる。最上層のダイノ
ード２４から放出された二次電子は下層の各ダイノード
２４に与えられて二次電子放出を繰り返し、最終段のダ
イノード２６から放出された二次電子群がアノード２５
より取り出される。そして、取り出された二次電子群は
アノード２５と接続されたステムピン１４を介して外部
に出力される。
電陰極２１内の電子を励起して、真空中に光電子を放出
する。光電陰極２１から放出された光電子は格子状の収
束電極２２（図２参照）によって最上層のダイノード２
４上に収束され、二次増倍が行われる。最上層のダイノ
ード２４から放出された二次電子は下層の各ダイノード
２４に与えられて二次電子放出を繰り返し、最終段のダ
イノード２６から放出された二次電子群がアノード２５
より取り出される。そして、取り出された二次電子群は
アノード２５と接続されたステムピン１４を介して外部
に出力される。
【００１７】次に、本実施例の特徴部分であるダイノー
ド２４の構造を図３の斜視図を用いて説明する。この図
は、電気的に絶縁された状態で複数段に積み重ねたダイ
ノードのうち、連続するｎ段とｎ＋１段を取り出して示
したものである。ダイノード２４は、表面が導電性を有
するプレート２４1 を有しており、プレート２４1 には
複数の電子増倍孔２３が規則正しく配列形成されてい
る。プレート２４1 の上面には電子増倍孔２３の一端と
なる長方形の入力開口２４2 が形成され、下面には電子
増倍孔２３の他端となる略正方形の出力開口２４3 が形
成されている。さらに、各電子増倍孔２３の入力開口２
４2 の縁部には、直方体形状の加速電極部２４4 が設け
られている。
ド２４の構造を図３の斜視図を用いて説明する。この図
は、電気的に絶縁された状態で複数段に積み重ねたダイ
ノードのうち、連続するｎ段とｎ＋１段を取り出して示
したものである。ダイノード２４は、表面が導電性を有
するプレート２４1 を有しており、プレート２４1 には
複数の電子増倍孔２３が規則正しく配列形成されてい
る。プレート２４1 の上面には電子増倍孔２３の一端と
なる長方形の入力開口２４2 が形成され、下面には電子
増倍孔２３の他端となる略正方形の出力開口２４3 が形
成されている。さらに、各電子増倍孔２３の入力開口２
４2 の縁部には、直方体形状の加速電極部２４4 が設け
られている。
【００１８】各電子増倍孔２３は、入力開口２４2 に比
べて出力開口２４3 の面積が大きくなっており、出力開
口２４3 に向かって拡がる角筒形状となっている。ま
た、電子増倍孔２３は入力開口２４2 から入射する電子
の入射方向に対して傾斜させて形成されており、電子増
倍孔２３の内側面のうち、入力開口２４2 から入射した
電子が衝突する傾斜部分に、２次電子放射層２４5 が形
成されている。２次電子放射層２４5 は、アンチモン
（Ｓｂ）の真空蒸着を施し、アルカリを反応させたもの
である。また、２次電子放射層２４5 は、プレート２４
1 の材質をＣｕＢｅとし、酸素中で活性化して形成する
こともできる。
べて出力開口２４3 の面積が大きくなっており、出力開
口２４3 に向かって拡がる角筒形状となっている。ま
た、電子増倍孔２３は入力開口２４2 から入射する電子
の入射方向に対して傾斜させて形成されており、電子増
倍孔２３の内側面のうち、入力開口２４2 から入射した
電子が衝突する傾斜部分に、２次電子放射層２４5 が形
成されている。２次電子放射層２４5 は、アンチモン
（Ｓｂ）の真空蒸着を施し、アルカリを反応させたもの
である。また、２次電子放射層２４5 は、プレート２４
1 の材質をＣｕＢｅとし、酸素中で活性化して形成する
こともできる。
【００１９】ｎ段とｎ＋１段のダイノート２４は、電子
増倍孔２３の傾きが反転するようにプレート２４1 の配
置位置を互いに反転させて積層している。さらに、ｎ＋
１段の加速電極部２４4 を、ｎ段の電子増倍孔２３内に
入り込ませている。ここで、加速電極部２４4 の長手方
向の一辺の長さは、出力開口２４3 の一辺の長さより短
くなるよう形成されているため、ｎ＋１段の加速電極部
２４4 は、ｎ段の出力開口２４3 と接触することがな
い。このように、加速電極部２４4 を電子増倍孔２３内
に入り込ませることによって、２次電子を導く制動電界
を電子増倍孔２３内部に深く入り込ませることができ
る。
増倍孔２３の傾きが反転するようにプレート２４1 の配
置位置を互いに反転させて積層している。さらに、ｎ＋
１段の加速電極部２４4 を、ｎ段の電子増倍孔２３内に
入り込ませている。ここで、加速電極部２４4 の長手方
向の一辺の長さは、出力開口２４3 の一辺の長さより短
くなるよう形成されているため、ｎ＋１段の加速電極部
２４4 は、ｎ段の出力開口２４3 と接触することがな
い。このように、加速電極部２４4 を電子増倍孔２３内
に入り込ませることによって、２次電子を導く制動電界
を電子増倍孔２３内部に深く入り込ませることができ
る。
【００２０】図４は、ｎ段とｎ＋１段のダイノード２４
の電位の分布状態を示す図である。ｎ段のダイノード２
４にはＶ1 ＝１００Ｖ、ｎ＋１段のダイノード２４には
Ｖ2＝２００Ｖの電圧がそれぞれ印加されているものと
する。前述の従来例（図６参照）と同様に、１２０Ｖ、
１５０Ｖ及び１８０Ｖの等電位線を代表として示し、そ
れぞれＡ，Ｂ及びＣとする。
の電位の分布状態を示す図である。ｎ段のダイノード２
４にはＶ1 ＝１００Ｖ、ｎ＋１段のダイノード２４には
Ｖ2＝２００Ｖの電圧がそれぞれ印加されているものと
する。前述の従来例（図６参照）と同様に、１２０Ｖ、
１５０Ｖ及び１８０Ｖの等電位線を代表として示し、そ
れぞれＡ，Ｂ及びＣとする。
【００２１】この場合、ｎ＋１段の電子増倍孔２３に
は、等電位線Ｃのみが入力開口２４2から湾曲して入り
込んでいる。また、ｎ段の電子増倍孔２３には、ｎ段の
電子増倍孔２３内に突出したｎ＋１段の加速電極部２４
4 によって等電位線が押し上げられ、等電位線Ａ，Ｂ及
びＣが出力開口２４3 から湾曲して入り込んでいる。特
に、等電位線Ａはｎ段の電子増倍孔２３内部に深く入り
込む状態に形成される。
は、等電位線Ｃのみが入力開口２４2から湾曲して入り
込んでいる。また、ｎ段の電子増倍孔２３には、ｎ段の
電子増倍孔２３内に突出したｎ＋１段の加速電極部２４
4 によって等電位線が押し上げられ、等電位線Ａ，Ｂ及
びＣが出力開口２４3 から湾曲して入り込んでいる。特
に、等電位線Ａはｎ段の電子増倍孔２３内部に深く入り
込む状態に形成される。
【００２２】従って、出力開口２４3 の面積を同一とし
て比較した場合、加速電極部２４4が設けられていない
従来例（図６参照）に比べて、等電位線、即ち、２次電
子を導く制動電界を電子増倍孔２３内部に深く入り込ま
せることができる。このため、電子増倍孔２３内部の制
動電界が強くなり、従来例では下段のダイノード２４に
導けなかった２次電子放射層２４5 上段から放出された
２次電子であっても、確実に下段のダイノード２４に導
くことができる。これにより、電子の収集効率が向上す
る。
て比較した場合、加速電極部２４4が設けられていない
従来例（図６参照）に比べて、等電位線、即ち、２次電
子を導く制動電界を電子増倍孔２３内部に深く入り込ま
せることができる。このため、電子増倍孔２３内部の制
動電界が強くなり、従来例では下段のダイノード２４に
導けなかった２次電子放射層２４5 上段から放出された
２次電子であっても、確実に下段のダイノード２４に導
くことができる。これにより、電子の収集効率が向上す
る。
【００２３】図５は、ｎ段とｎ＋１段のダイノード２４
の各部位の寸法を示す図である。同図より、各段のダイ
ノード２４は０．０９ｍｍの間隔を空けて積層されてい
ることが判る。また、加速電極部２４4 は幅、厚さが共
に０．１２ｍｍであり、隣接する加速電極部２４4 との
間隔は１．０ｍｍであることが判る。さらに、ダイノー
ド２４は３枚のプレート２４11〜２４13から構成されて
おり、各プレート２４ 11〜２４13の厚さはそれぞれ０．
１８ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．２５ｍｍであることが判
る。
の各部位の寸法を示す図である。同図より、各段のダイ
ノード２４は０．０９ｍｍの間隔を空けて積層されてい
ることが判る。また、加速電極部２４4 は幅、厚さが共
に０．１２ｍｍであり、隣接する加速電極部２４4 との
間隔は１．０ｍｍであることが判る。さらに、ダイノー
ド２４は３枚のプレート２４11〜２４13から構成されて
おり、各プレート２４ 11〜２４13の厚さはそれぞれ０．
１８ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．２５ｍｍであることが判
る。
【００２４】以上説明した実施例では、電子増倍器を備
えた電子管として、光電子増倍管を示したが、本発明は
光電子増倍管に限定されることなく、電子増倍管や、入
力光像を輝度増幅するイメージ増倍管など、２次電子放
出作用により、入射電子流を増倍する電子増倍器を備え
た電子管であればよい。
えた電子管として、光電子増倍管を示したが、本発明は
光電子増倍管に限定されることなく、電子増倍管や、入
力光像を輝度増幅するイメージ増倍管など、２次電子放
出作用により、入射電子流を増倍する電子増倍器を備え
た電子管であればよい。
【００２５】また、本実施例では入力開口に比べて出力
開口の面積が大きく、電子増倍孔は出力開口に向かって
拡がる角筒形状を有しているが、入力開口と出力開口の
面積を同一とし、対向する面が平行な角筒形状を有して
いてもよい。さらに、電子増倍孔の形状は角筒形状に限
定されることなく、円筒形状でもよい。この場合入力開
口と出力開口は円形となり、入力開口と出力開口の径は
同じでもよく、出力開口の径の方が大きくてもよい。さ
らにまた、入力開口と出力開口の形状が異なっていても
よく、例えば入力開口が円形で出力開口が正方形であっ
てもよい。
開口の面積が大きく、電子増倍孔は出力開口に向かって
拡がる角筒形状を有しているが、入力開口と出力開口の
面積を同一とし、対向する面が平行な角筒形状を有して
いてもよい。さらに、電子増倍孔の形状は角筒形状に限
定されることなく、円筒形状でもよい。この場合入力開
口と出力開口は円形となり、入力開口と出力開口の径は
同じでもよく、出力開口の径の方が大きくてもよい。さ
らにまた、入力開口と出力開口の形状が異なっていても
よく、例えば入力開口が円形で出力開口が正方形であっ
てもよい。
【００２６】また、本実施例では直方体形状の加速電極
部を用いているが、加速電極部は直方体形状に限定され
ることなく、断面が三角形状や蹄鉄形状の柱体であって
もよい。さらに、本実施例では加速電極部は上段の電子
増倍孔内に入り込んでいるが、電子増倍孔内に入り込ん
でいなくてもよい。加速電極部は上段の電子増倍孔に向
けてプレートの上面より突出していればよく、例え、上
段の電子増倍孔内に入り込まなくても、電子増倍孔内部
に深く入り込むように制動電界を押し上げることができ
るのである。
部を用いているが、加速電極部は直方体形状に限定され
ることなく、断面が三角形状や蹄鉄形状の柱体であって
もよい。さらに、本実施例では加速電極部は上段の電子
増倍孔内に入り込んでいるが、電子増倍孔内に入り込ん
でいなくてもよい。加速電極部は上段の電子増倍孔に向
けてプレートの上面より突出していればよく、例え、上
段の電子増倍孔内に入り込まなくても、電子増倍孔内部
に深く入り込むように制動電界を押し上げることができ
るのである。
【００２７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の電
子管であれば、各ダイノードの貫通孔の入力開口の縁部
に加速電極部が設けられているので、２次電子を上段か
ら導く制動電界は上段のダイノードの貫通孔内部に深く
入り込むように押し上げられる。このため、貫通孔内部
に入り込む制動電界の強度が増大し、放出された２次電
子は、次段のダイノードに確実に導くことができ、これ
により電子の収集効率が向上する。
子管であれば、各ダイノードの貫通孔の入力開口の縁部
に加速電極部が設けられているので、２次電子を上段か
ら導く制動電界は上段のダイノードの貫通孔内部に深く
入り込むように押し上げられる。このため、貫通孔内部
に入り込む制動電界の強度が増大し、放出された２次電
子は、次段のダイノードに確実に導くことができ、これ
により電子の収集効率が向上する。
【図１】本実施例に係る電子管の構成を示す側部断面図
である。
である。
【図２】本実施例に係る電子管の構成を示す上面図であ
る。
る。
【図３】電子増倍器を構成する複数段のダイノードのう
ち、連続する２段を取り出して示す断面図である。
ち、連続する２段を取り出して示す断面図である。
【図４】連続する２段のダイノードの電位の分布状態を
示す図である。
示す図である。
【図５】ダイノードの各部位の寸法を示す図である。
【図６】従来の電子増倍器を示す断面図である。
１０…真空容器、１１…金属側管、１２…受光面板、１
３…ステム、１４…ステムピン、１５…ハーメチックガ
ラス、２０…電子増倍器、２１…光電陰極、２２…収束
電極、２３…電子増倍孔、２４，２６…ダイノード、２
４1 ，２４11〜２４13…プレート、２４2 …入力開口、
２４3 …出力開口、２４4 …加速電極部、２４5 …２次
電子放射層、２５…アノード、３０…光。
３…ステム、１４…ステムピン、１５…ハーメチックガ
ラス、２０…電子増倍器、２１…光電陰極、２２…収束
電極、２３…電子増倍孔、２４，２６…ダイノード、２
４1 ，２４11〜２４13…プレート、２４2 …入力開口、
２４3 …出力開口、２４4 …加速電極部、２４5 …２次
電子放射層、２５…アノード、３０…光。
Claims (4)
- 【請求項１】 ２次電子放出により入射電子流を増倍す
る電子増倍器を備えた電子管において、 前記電子増倍器は前記電子流の入射側に向けてダイノー
ドを複数段に積層して構成されており、 前記各ダイノードには、前記電子流の入射側の一端を入
力開口とし他端を出力開口とする複数の貫通孔が配列形
成され、前記各貫通孔は、前記電子流の入射方向に対し
て傾斜させて形成されているとともに電子増倍孔として
機能し、前記入力開口の縁部には上段の前記ダイノード
の前記貫通孔に向けて突出した加速電極部が設けられて
いることを特徴とする電子管。 - 【請求項２】 前記加速電極部は上段の前記ダイノード
の前記貫通孔の内部に入り込んでいることを特徴とする
請求項１記載の電子管。 - 【請求項３】 前記電子管は、入射光子を受けて放出さ
れた光電子を増幅する光電子増倍管であることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の電子管。 - 【請求項４】 前記電子管は、入力光像を輝度増倍する
イメージ増倍管であることを特徴とする請求項１から請
求項３のいずれかに記載の電子管。
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|---|---|
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1995
- 1995-06-28 DE DE69527894T patent/DE69527894T2/de not_active Expired - Lifetime
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-
1997
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