JP3434574B2 - 電子増倍管 - Google Patents
電子増倍管Info
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- JP3434574B2 JP3434574B2 JP12378694A JP12378694A JP3434574B2 JP 3434574 B2 JP3434574 B2 JP 3434574B2 JP 12378694 A JP12378694 A JP 12378694A JP 12378694 A JP12378694 A JP 12378694A JP 3434574 B2 JP3434574 B2 JP 3434574B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/18—Assembling together the component parts of electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層に積層されたダイ
ノードによって入射電子流、イオンを増倍する電子増倍
管に関する。
ノードによって入射電子流、イオンを増倍する電子増倍
管に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子増倍管における電子増倍部は、複数
のダイノードを所定の間隔をあけて多段に積層して構成
している。米国特許第３２２９１４３号には、間に絶縁
球を介在させ、ダイノードを多段に積層させて電子増倍
部を構成する例が開示されている。図７にこの構成の要
部を示す。各段のダイノードの端部に固定されたサポー
ト板１０１には、それぞれ貫通孔１０３が形成されてお
り、貫通孔１０３の開孔端に絶縁球１０２の一部が嵌合
する状態で、各サポート板１０１の間に介在している。
絶縁球１０２は、パイレックスガラスで形成されてお
り、貫通孔１０３の内径よりも大なる径を有し、対する
貫通孔１０３は内径が一定した円筒孔を形成している。
のダイノードを所定の間隔をあけて多段に積層して構成
している。米国特許第３２２９１４３号には、間に絶縁
球を介在させ、ダイノードを多段に積層させて電子増倍
部を構成する例が開示されている。図７にこの構成の要
部を示す。各段のダイノードの端部に固定されたサポー
ト板１０１には、それぞれ貫通孔１０３が形成されてお
り、貫通孔１０３の開孔端に絶縁球１０２の一部が嵌合
する状態で、各サポート板１０１の間に介在している。
絶縁球１０２は、パイレックスガラスで形成されてお
り、貫通孔１０３の内径よりも大なる径を有し、対する
貫通孔１０３は内径が一定した円筒孔を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の電子
増倍管の製造では、サポート板１０１に形成された貫通
孔１０３の上に絶縁球１０２を置き、その上に上層のダ
イノードのサポート板１０１を載せる工程を有する。し
かしながら、この工程の際に絶縁球１０２の位置がずれ
て、貫通孔１０３から絶縁球１０２が外れてしまうこと
があった。このような事態が起きると上下のダイノード
の間隔が不均一となり、電子の増倍率（ゲイン）にバラ
ツキが生じ問題であった。
増倍管の製造では、サポート板１０１に形成された貫通
孔１０３の上に絶縁球１０２を置き、その上に上層のダ
イノードのサポート板１０１を載せる工程を有する。し
かしながら、この工程の際に絶縁球１０２の位置がずれ
て、貫通孔１０３から絶縁球１０２が外れてしまうこと
があった。このような事態が起きると上下のダイノード
の間隔が不均一となり、電子の増倍率（ゲイン）にバラ
ツキが生じ問題であった。
【０００４】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、各段のダイノードの間隔を一定にす
ることにより、電子増倍率のバラツキの少ない電子増倍
管を提供することを目的とする。
されたものであり、各段のダイノードの間隔を一定にす
ることにより、電子増倍率のバラツキの少ない電子増倍
管を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電子増倍管は、複数段に積層され、入射し
た電子流を増倍する複数のダイノードと、ダイノード間
での位置が一致するように各ダイノードの所定位置に配
設され、ダイノード間に所定の間隙を形成する絶縁性の
球体とを備える。この各ダイノードは上部電極板と下部
電極板から構成され、上部電極板の下面の球体の配設位
置と下部電極板の上面の配設位置に対応する位置には厚
さ方向に狭くなるテーパ状の貫通孔がそれぞれ形成され
ている。球体はいずれか一方の貫通孔から一部を突出さ
せて貫通孔同士を合わせた空間内に固定され、貫通孔か
ら突出した球体の一部は隣接するダイノードの球体が突
出していない側の貫通孔に当接するように構成されてい
る。ここで、貫通孔から突出した球体の一部は隣接する
ダイノードの貫通孔内の球体と当接していてもよい。
に、本発明の電子増倍管は、複数段に積層され、入射し
た電子流を増倍する複数のダイノードと、ダイノード間
での位置が一致するように各ダイノードの所定位置に配
設され、ダイノード間に所定の間隙を形成する絶縁性の
球体とを備える。この各ダイノードは上部電極板と下部
電極板から構成され、上部電極板の下面の球体の配設位
置と下部電極板の上面の配設位置に対応する位置には厚
さ方向に狭くなるテーパ状の貫通孔がそれぞれ形成され
ている。球体はいずれか一方の貫通孔から一部を突出さ
せて貫通孔同士を合わせた空間内に固定され、貫通孔か
ら突出した球体の一部は隣接するダイノードの球体が突
出していない側の貫通孔に当接するように構成されてい
る。ここで、貫通孔から突出した球体の一部は隣接する
ダイノードの貫通孔内の球体と当接していてもよい。
【０００６】また球体の代わりに、絶縁性の円柱体を備
えて構成されていてもよい。すなわち、各ダイノードは
上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板の下
面の円柱体の配設位置と下部電極板の上面の配設位置に
対応する位置には厚さ方向に狭くなるＶ溝状の貫通溝が
それぞれ形成されている。円柱体はいずれか一方の貫通
溝から側面の一部を突出させて貫通溝同士を合わせた空
間内にＶ溝の長手方向と中心軸方向を一致させて固定さ
れ、貫通溝から突出した円柱体の側面の一部は隣接する
ダイノードの貫通溝に当接するように構成されている。
ここで、貫通溝から突出した円柱体の側面の一部は隣接
するダイノードの円柱体が突出していない側の貫通溝内
の円柱体の側面と当接していてもよい。
えて構成されていてもよい。すなわち、各ダイノードは
上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板の下
面の円柱体の配設位置と下部電極板の上面の配設位置に
対応する位置には厚さ方向に狭くなるＶ溝状の貫通溝が
それぞれ形成されている。円柱体はいずれか一方の貫通
溝から側面の一部を突出させて貫通溝同士を合わせた空
間内にＶ溝の長手方向と中心軸方向を一致させて固定さ
れ、貫通溝から突出した円柱体の側面の一部は隣接する
ダイノードの貫通溝に当接するように構成されている。
ここで、貫通溝から突出した円柱体の側面の一部は隣接
するダイノードの円柱体が突出していない側の貫通溝内
の円柱体の側面と当接していてもよい。
【０００７】なお、いずれの電子増倍管も、内部に光電
陰極を備えた光電子増倍管として構成することもでき
る。
陰極を備えた光電子増倍管として構成することもでき
る。
【０００８】
【作用】本発明の第１の電子増倍管によれば、ダイノー
ドの上部電極板と下部電極板で挟んで球体を固定してい
るので、複数のダイノードを積層させる際に球体が貫通
孔から外れることがない。このため、各層のダイノード
の間隔を均一に保つことができ、ダイノードの間隔の不
均一によって電子の増倍率（ゲイン）がバラつくといっ
た問題は生じない。特に、従来のように複数のダイノー
ドを積層させる際に球体をダイノード上に並べる必要が
ないので、製造が容易になる。
ドの上部電極板と下部電極板で挟んで球体を固定してい
るので、複数のダイノードを積層させる際に球体が貫通
孔から外れることがない。このため、各層のダイノード
の間隔を均一に保つことができ、ダイノードの間隔の不
均一によって電子の増倍率（ゲイン）がバラつくといっ
た問題は生じない。特に、従来のように複数のダイノー
ドを積層させる際に球体をダイノード上に並べる必要が
ないので、製造が容易になる。
【０００９】また、本発明は貫通孔から突出した球体の
一部が隣接するダイノードの貫通孔に当接するように構
成されているので、上下に連続する各球体の中心と貫通
孔の中心とが一致し、各段のダイノードの水平方向の位
置合わせが行われることになる。
一部が隣接するダイノードの貫通孔に当接するように構
成されているので、上下に連続する各球体の中心と貫通
孔の中心とが一致し、各段のダイノードの水平方向の位
置合わせが行われることになる。
【００１０】さらに、隣接するダイノードに設けられた
球体同士を互いに当接させれば、ダイノードの積層方向
に加わった力の大部分は一連の球体に加えられ、ダイノ
ードに余分な応力が加わることはない。
球体同士を互いに当接させれば、ダイノードの積層方向
に加わった力の大部分は一連の球体に加えられ、ダイノ
ードに余分な応力が加わることはない。
【００１１】また、本発明の第２の電子増倍管は、球体
に変えて絶縁性の円柱体を用いたものであり、第１の電
子増倍管と実質的に同様な作用を奏するものである。
に変えて絶縁性の円柱体を用いたものであり、第１の電
子増倍管と実質的に同様な作用を奏するものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例について添付図面を
参照して説明する。図１は、本実施例に係る電子増倍管
の構造を示す斜視図である。同図より、本実施例の電子
増倍管は、円柱形状の真空容器１０の内部に入射電子流
を増倍する電子増倍部２０が配設された構成を有してい
る。真空容器１０は、円筒形の金属側管１１と、金属側
管１１の一端に設けられた円形の受光面板１２と、金属
側管１１の他端に設けられた基台部を構成する円形のス
テム１３とから構成されている。受光面板１２の下面に
は光電陰極２１が設けられ、この光電陰極２１と電子増
倍部２０との間には収束電極２２が配設されている。
参照して説明する。図１は、本実施例に係る電子増倍管
の構造を示す斜視図である。同図より、本実施例の電子
増倍管は、円柱形状の真空容器１０の内部に入射電子流
を増倍する電子増倍部２０が配設された構成を有してい
る。真空容器１０は、円筒形の金属側管１１と、金属側
管１１の一端に設けられた円形の受光面板１２と、金属
側管１１の他端に設けられた基台部を構成する円形のス
テム１３とから構成されている。受光面板１２の下面に
は光電陰極２１が設けられ、この光電陰極２１と電子増
倍部２０との間には収束電極２２が配設されている。
【００１３】電子増倍部２０は、多数の電子増倍孔２３
を有するダイノード２４を、複数段に積層して構成され
ており、これらの積層したダイノード２４の下部には、
アノード２５と、最終段のダイノード２６とが順に配設
されている。そして、ダイノード２４とアノード２５に
はセラミック製の絶縁球２７が組み込まれている。
を有するダイノード２４を、複数段に積層して構成され
ており、これらの積層したダイノード２４の下部には、
アノード２５と、最終段のダイノード２６とが順に配設
されている。そして、ダイノード２４とアノード２５に
はセラミック製の絶縁球２７が組み込まれている。
【００１４】基台部となるステム１３は、外部の電圧端
子と接続され、各ダイノード２４，２６などに所定の電
圧を与える計１２本のステムピン１４が貫通している。
各ステムピン１４は、テーパ状のハーメチックガラス１
５によってステム１３に固定されている。また、各ステ
ムピン１４は接続すべきダイノードに至る長さを有し、
その先端は対応する各ダイノード２４，２６の接続端子
２８と抵抗溶接されている。
子と接続され、各ダイノード２４，２６などに所定の電
圧を与える計１２本のステムピン１４が貫通している。
各ステムピン１４は、テーパ状のハーメチックガラス１
５によってステム１３に固定されている。また、各ステ
ムピン１４は接続すべきダイノードに至る長さを有し、
その先端は対応する各ダイノード２４，２６の接続端子
２８と抵抗溶接されている。
【００１５】図２（ａ）に本実施例に係る電子増倍管の
側面図を、図２（ｂ）に本実施例に係る電子増倍管の上
面図をそれぞれ示す。受光面板１２に入射した光３０は
下面の光電陰極２１内の電子を励起して、真空中に光電
子を放出する。光電陰極２１から放出された光電子は格
子状の収束電極２２（図２（ｂ）参照）によって最上層
のダイノード２４上に収束され、二次増倍が行われる。
最上層のダイノード２４から放出された二次電子は下層
の各ダイノード２４に与えられて二次電子放出を繰り返
し、最終段のダイノード２６から放出された二次電子群
がアノード２５より取り出される。そして、取り出され
た二次電子群はアノード２５と接続されたステムピン１
４を介して外部に出力される。
側面図を、図２（ｂ）に本実施例に係る電子増倍管の上
面図をそれぞれ示す。受光面板１２に入射した光３０は
下面の光電陰極２１内の電子を励起して、真空中に光電
子を放出する。光電陰極２１から放出された光電子は格
子状の収束電極２２（図２（ｂ）参照）によって最上層
のダイノード２４上に収束され、二次増倍が行われる。
最上層のダイノード２４から放出された二次電子は下層
の各ダイノード２４に与えられて二次電子放出を繰り返
し、最終段のダイノード２６から放出された二次電子群
がアノード２５より取り出される。そして、取り出され
た二次電子群はアノード２５と接続されたステムピン１
４を介して外部に出力される。
【００１６】図３に電子増倍部２０の側部断面図を示
す。同図より、電子増倍部２０は最終段のダイノード２
６の上に、アノード２５及び複数段のダイノード２４が
順に積層され、最上段に収束電極２２が積層された構成
を有している。各ダイノード２４及びアノード２５（以
下、ダイノード２４等という）の外縁部の配設部位には
絶縁球２７が組み込まれており、絶縁球２７の突出部分
によってダイノード２４等の上下層は一定の間隔が保持
される。絶縁球２７はダイノード２４等の外縁部に沿っ
て複数個配置されており、さらに上下層の絶縁球２７は
互いに接しているので、ダイノード２４等の積層方向に
加わった力の大部分は一連の絶縁球２７に吸収される。
このため、積層方向に力が加わってもダイノード２４等
に余分な力が加わることはない。また、ダイノード２４
等は上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂとが接合して
構成されており、各電極板２４ａ，２４ｂには湾曲する
内側面を持つ電子増倍孔２３が形成されている。
す。同図より、電子増倍部２０は最終段のダイノード２
６の上に、アノード２５及び複数段のダイノード２４が
順に積層され、最上段に収束電極２２が積層された構成
を有している。各ダイノード２４及びアノード２５（以
下、ダイノード２４等という）の外縁部の配設部位には
絶縁球２７が組み込まれており、絶縁球２７の突出部分
によってダイノード２４等の上下層は一定の間隔が保持
される。絶縁球２７はダイノード２４等の外縁部に沿っ
て複数個配置されており、さらに上下層の絶縁球２７は
互いに接しているので、ダイノード２４等の積層方向に
加わった力の大部分は一連の絶縁球２７に吸収される。
このため、積層方向に力が加わってもダイノード２４等
に余分な力が加わることはない。また、ダイノード２４
等は上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂとが接合して
構成されており、各電極板２４ａ，２４ｂには湾曲する
内側面を持つ電子増倍孔２３が形成されている。
【００１７】図４（ａ）（ｂ）及び図５（ｃ）は、本実
施例の特徴部分であるダイノード２４の絶縁球２７配設
部位を示す部分断面図である。これらの図を用いて、ダ
イノード２４の製造工程について説明する。まず図４
（ａ）より、ダイノード２４の上部電極板２４ａには貫
通孔２４ａ1 が形成されており、この貫通孔２４ａ1 と
対応する下部電極板２４ｂの位置に貫通孔２４ｂ1 が形
成されている。貫通孔２４ａ1 の側壁は下半分が下方向
に拡がるテーパ状に加工されており、貫通孔２４ａ1 の
上部開口の径は絶縁球２７の直径より小さく、貫通孔２
４ａ1 の下部開口の径は絶縁球２７の直径より大きくな
るよう調整されている。また、貫通孔２４ｂ1 の側壁は
全体が上方向に拡がるテーパ状に加工されており、貫通
孔２４ｂ1の上部開口の径は絶縁球２７の直径より大き
く、貫通孔２４ｂ1 の下部開口の径は絶縁球２７の直径
より小さくなるよう調整されている。このため、絶縁球
２７を下部電極板２４ｂの貫通孔２４ｂ1 に入れると、
絶縁球２７は貫通孔２４ｂ1のテーパ状の側壁に挟ま
れ、絶縁球２７の下約１／３が貫通孔２４ｂ1 の下部開
口から突出した状態で保持される。
施例の特徴部分であるダイノード２４の絶縁球２７配設
部位を示す部分断面図である。これらの図を用いて、ダ
イノード２４の製造工程について説明する。まず図４
（ａ）より、ダイノード２４の上部電極板２４ａには貫
通孔２４ａ1 が形成されており、この貫通孔２４ａ1 と
対応する下部電極板２４ｂの位置に貫通孔２４ｂ1 が形
成されている。貫通孔２４ａ1 の側壁は下半分が下方向
に拡がるテーパ状に加工されており、貫通孔２４ａ1 の
上部開口の径は絶縁球２７の直径より小さく、貫通孔２
４ａ1 の下部開口の径は絶縁球２７の直径より大きくな
るよう調整されている。また、貫通孔２４ｂ1 の側壁は
全体が上方向に拡がるテーパ状に加工されており、貫通
孔２４ｂ1の上部開口の径は絶縁球２７の直径より大き
く、貫通孔２４ｂ1 の下部開口の径は絶縁球２７の直径
より小さくなるよう調整されている。このため、絶縁球
２７を下部電極板２４ｂの貫通孔２４ｂ1 に入れると、
絶縁球２７は貫通孔２４ｂ1のテーパ状の側壁に挟ま
れ、絶縁球２７の下約１／３が貫通孔２４ｂ1 の下部開
口から突出した状態で保持される。
【００１８】次に、図４（ｂ）に示すように、貫通孔２
４ａ1 と貫通孔２４ｂ1 を一致させて、下部電極板２４
ｂと上部電極板２４ａを接合すると、貫通孔２４ａ1 の
テーパ状の側壁で絶縁球２７が斜め上から押え付けら
れ、絶縁球２７は上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂ
で完全に固定される。貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ1 の側壁
はそれぞれテーパ状に加工されているので、貫通孔２４
ａ1 と貫通孔２４ｂ1 で囲まれた空間に絶縁球２７を納
めるだけでテーパ状の側壁に沿って自動的に位置合せが
行われ、上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂを正確に
一致させることができる。そして、絶縁球２７が貫通孔
２４ａ1 ，２４ｂ1 内に固定された状態で、絶縁球２７
周辺の上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂとを抵抗溶
接して、ダイノード２４の製造が終了する。このように
してダイノード２４を製造することにより、ダイノード
２４と絶縁球２７は一体化するので、ダイノード２４か
ら絶縁球２７が外れて落下することはない。
４ａ1 と貫通孔２４ｂ1 を一致させて、下部電極板２４
ｂと上部電極板２４ａを接合すると、貫通孔２４ａ1 の
テーパ状の側壁で絶縁球２７が斜め上から押え付けら
れ、絶縁球２７は上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂ
で完全に固定される。貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ1 の側壁
はそれぞれテーパ状に加工されているので、貫通孔２４
ａ1 と貫通孔２４ｂ1 で囲まれた空間に絶縁球２７を納
めるだけでテーパ状の側壁に沿って自動的に位置合せが
行われ、上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂを正確に
一致させることができる。そして、絶縁球２７が貫通孔
２４ａ1 ，２４ｂ1 内に固定された状態で、絶縁球２７
周辺の上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂとを抵抗溶
接して、ダイノード２４の製造が終了する。このように
してダイノード２４を製造することにより、ダイノード
２４と絶縁球２７は一体化するので、ダイノード２４か
ら絶縁球２７が外れて落下することはない。
【００１９】次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁球２
７が組み込まれたダイノード２４を複数段積層する。積
層する際には、貫通孔２４ｂ1 から突出した絶縁球２７
の一部が下段のダイノード２４の貫通孔２４ａ1 に納ま
るよう調整して行う。このように調整して積層すれば、
一連の絶縁球２７の中心が同一の直線３１上に位置する
こととなる。なお、各貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ1 の径、
その開孔部の大きさ、及びテーパ状の側壁の傾斜角は全
て同一であり、相対する各絶縁球２７の大きさ（直径）
も全て同一である。従って、各貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ
1 の中心軸と絶縁球２７の中心軸とが、常に一致するこ
とになり、この結果、各ダイノード２４，２６の水平方
向の位置ずれがなくなり、しかも、積層間隔も一定とな
る。本実施例では、直径０．６６ｍｍの絶縁球２７を用
いており、上下に隣設するダイノード間隔は、０．２５
ｍｍとなっている。このような構成とすることよって、
ダイノード２４，２６、アノード２５及び収束電極２２
を容易に、しかも正確に組み立てることができる。
７が組み込まれたダイノード２４を複数段積層する。積
層する際には、貫通孔２４ｂ1 から突出した絶縁球２７
の一部が下段のダイノード２４の貫通孔２４ａ1 に納ま
るよう調整して行う。このように調整して積層すれば、
一連の絶縁球２７の中心が同一の直線３１上に位置する
こととなる。なお、各貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ1 の径、
その開孔部の大きさ、及びテーパ状の側壁の傾斜角は全
て同一であり、相対する各絶縁球２７の大きさ（直径）
も全て同一である。従って、各貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ
1 の中心軸と絶縁球２７の中心軸とが、常に一致するこ
とになり、この結果、各ダイノード２４，２６の水平方
向の位置ずれがなくなり、しかも、積層間隔も一定とな
る。本実施例では、直径０．６６ｍｍの絶縁球２７を用
いており、上下に隣設するダイノード間隔は、０．２５
ｍｍとなっている。このような構成とすることよって、
ダイノード２４，２６、アノード２５及び収束電極２２
を容易に、しかも正確に組み立てることができる。
【００２０】また、絶縁球２７の表面に沿ったダイノー
ド間沿面距離が、従来に比べて大となるので、沿面放電
を抑制することができ、この放電によるノイズを減少さ
せることができる。
ド間沿面距離が、従来に比べて大となるので、沿面放電
を抑制することができ、この放電によるノイズを減少さ
せることができる。
【００２１】本実施例では、絶縁性のスペーサとして絶
縁球２７を用いたが、このような球体に限らず、図６に
示すような、絶縁性の円柱体４０として形成しても良
い。この形に形成しても同様の作用・効果が得られる。
この場合には、相対するダイノード２４などの貫通孔２
４ａ1 ，２４ｂ1 の形状も、この円柱体４０の側面に沿
う形（Ｖ溝状）・位置に設ければ良い。
縁球２７を用いたが、このような球体に限らず、図６に
示すような、絶縁性の円柱体４０として形成しても良
い。この形に形成しても同様の作用・効果が得られる。
この場合には、相対するダイノード２４などの貫通孔２
４ａ1 ，２４ｂ1 の形状も、この円柱体４０の側面に沿
う形（Ｖ溝状）・位置に設ければ良い。
【００２２】また、本実施例では、光電陰極２２を備え
た光電子増倍管として例示したが、勿論、光電陰極２２
を有していない電子増倍管内に配設することも可能であ
る。
た光電子増倍管として例示したが、勿論、光電陰極２２
を有していない電子増倍管内に配設することも可能であ
る。
【００２３】さらに、本実施例では、ダイノードに貫通
孔を形成する例を示したが、ダイノードを保持するサポ
ート板（図７参照）に貫通孔を形成しても良い。
孔を形成する例を示したが、ダイノードを保持するサポ
ート板（図７参照）に貫通孔を形成しても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の電
子増倍管であれば、ダイノードの上部電極板と下部電極
板で挟んで球体或いは円柱体（以下球体等という）を固
定しているので、複数のダイノードを積層させる際に球
体等がずれることがない。このため、各層のダイノード
の間隔を均一に保つことができ、ダイノードの間隔の不
均一によって電子の増倍率（ゲイン）がバラつくといっ
た問題は生じない。特に、従来のように複数のダイノー
ドを積層させる際に球体をダイノード上に並べる必要が
ないので、製造が容易になる。
子増倍管であれば、ダイノードの上部電極板と下部電極
板で挟んで球体或いは円柱体（以下球体等という）を固
定しているので、複数のダイノードを積層させる際に球
体等がずれることがない。このため、各層のダイノード
の間隔を均一に保つことができ、ダイノードの間隔の不
均一によって電子の増倍率（ゲイン）がバラつくといっ
た問題は生じない。特に、従来のように複数のダイノー
ドを積層させる際に球体をダイノード上に並べる必要が
ないので、製造が容易になる。
【００２５】また、積層した状態で、各球体等の中心と
各貫通孔の中心とが一致することになり、各ダイノード
の水平方向の位置ずれを防止でき、これによって電子の
増倍率のバラツキも低減できる。
各貫通孔の中心とが一致することになり、各ダイノード
の水平方向の位置ずれを防止でき、これによって電子の
増倍率のバラツキも低減できる。
【００２６】さらに、球体等同士を互いに当接させて構
成すれば、この球体等に積層方向の力が加わった場合に
も、この力の大部分は一連の球体等に加えられ、ダイノ
ードが変形するおそれはない。従って、各ダイノードの
間隔を一定に保つことができる。
成すれば、この球体等に積層方向の力が加わった場合に
も、この力の大部分は一連の球体等に加えられ、ダイノ
ードが変形するおそれはない。従って、各ダイノードの
間隔を一定に保つことができる。
【図１】本実施例に係る電子増倍管の構造を示す斜視図
である。
である。
【図２】本実施例に係る電子増倍管の側面図及び上面図
である。
である。
【図３】電子増倍部の側部断面図である。
【図４】ダイノードの絶縁球配設部位を示す部分断面図
である。
である。
【図５】ダイノードの絶縁球配設部位を示す部分断面図
である。
である。
【図６】ダイノードと円柱体を拡大して示す斜視図であ
る。
る。
【図７】ダイノードの間に絶縁球を介在させた、従来の
電子増倍部の構造を示す側面図である。
電子増倍部の構造を示す側面図である。
１０…真空容器、１１…金属側管、１２…受光面板、１
３…ステム、１４…、１５…、２０…電子増倍部、２１
…光電陰極、２２…収束電極、２３…電子増倍孔、２
４，２６…ダイノード、２５…アノード、２７…絶縁
球、２８…接続端子、４０…円柱体。
３…ステム、１４…、１５…、２０…電子増倍部、２１
…光電陰極、２２…収束電極、２３…電子増倍孔、２
４，２６…ダイノード、２５…アノード、２７…絶縁
球、２８…接続端子、４０…円柱体。
フロントページの続き
(72)発明者 名倉 康二
静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松
ホトニクス株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−310085（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−182642（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−16392（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−150644（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 43/00 - 43/30
Claims (5)
- 【請求項１】 複数段に積層され、入射した電子流を増
倍する複数のダイノードと、 前記ダイノード間での位置が一致するように前記各ダイ
ノードの所定位置に配設され、前記ダイノード間に所定
の間隙を形成する絶縁性の球体とを備え、 前記各ダイノードは上部電極板と下部電極板から構成さ
れ、前記上部電極板の下面の前記球体の配設位置と前記
下部電極板の上面の前記配設位置に対応する位置には厚
さ方向に狭くなるテーパ状の貫通孔がそれぞれ形成され
ており、 前記球体はいずれか一方の前記貫通孔から一部を突出さ
せて前記貫通孔同士を合わせた空間内に固定され、前記
貫通孔から突出した前記球体の一部は隣接する前記ダイ
ノードの前記球体が突出していない側の前記貫通孔に当
接していることを特徴とする電子増倍管。 - 【請求項２】 前記貫通孔から突出した前記球体の一部
は隣接する前記ダイノードの前記貫通孔内の前記球体と
当接していることを特徴とする請求項１記載の電子増倍
管。 - 【請求項３】 複数段に積層され、入射した電子流を増
倍する複数のダイノードと、 前記ダイノード間での位置が一致するように前記各ダイ
ノードの所定位置に配設され、前記ダイノード間に所定
の間隙を形成する絶縁性の円柱体とを備え、 前記各ダイノードは上部電極板と下部電極板から構成さ
れ、前記上部電極板の下面の前記円柱体の配設位置と前
記下部電極板の上面の前記配設位置に対応する位置には
厚さ方向に狭くなるＶ溝状の貫通溝がそれぞれ形成され
ており、 前記円柱体はいずれか一方の前記貫通溝から側面の一部
を突出させて前記貫通溝同士を合わせた空間内にＶ溝の
長手方向と中心軸方向を一致させて固定され、前記貫通
溝から突出した前記円柱体の側面の一部は隣接する前記
ダイノードの前記円柱体が突出していない側の前記貫通
溝に当接していることを特徴とする電子増倍管。 - 【請求項４】 前記貫通溝から突出した前記円柱体の側
面の一部は隣接する前記ダイノードの前記貫通溝内の前
記円柱体の側面と当接していることを特徴とする請求項
３記載の電子増倍管。 - 【請求項５】 前記電子増倍管は、光電陰極を備えた光
電子増倍管であることを特徴とする請求項１から請求項
４のいずれかに記載の電子増倍管。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP12378694A JP3434574B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 電子増倍管 |
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| US08/899,634 US5801511A (en) | 1994-06-06 | 1997-07-24 | Photomultiplier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12378694A JP3434574B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 電子増倍管 |
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|---|---|
| JPH07335174A JPH07335174A (ja) | 1995-12-22 |
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Family
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|---|---|---|---|
| JP12378694A Expired - Fee Related JP3434574B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 電子増倍管 |
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| EP (1) | EP0686996B1 (ja) |
| JP (1) | JP3434574B2 (ja) |
| DE (1) | DE69504139T2 (ja) |
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| JP4246879B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-04-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管及び光電子増倍管 |
| JP4108905B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2008-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | ダイノードの製造方法及び構造 |
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| GB2412231B (en) * | 2004-02-26 | 2008-09-24 | Electron Tubes Ltd | Photomultiplier |
| JP4926392B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2012-05-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
| US7323674B2 (en) | 2005-07-25 | 2008-01-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector using photomultiplier and gain control method |
| US7115854B1 (en) | 2005-07-25 | 2006-10-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier and photodetector including the same |
| JP2016504714A (ja) * | 2012-11-21 | 2016-02-12 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | カーボンナノチューブが用いられた真空電子装置を製作するためのシステム及び方法 |
| ES2751332T3 (es) * | 2013-03-22 | 2020-03-31 | Cern European Organization For Nuclear Res | Un conjunto multiplicador de electrones sin pared |
| US9524855B2 (en) | 2014-12-11 | 2016-12-20 | Thermo Finnigan Llc | Cascaded-signal-intensifier-based ion imaging detector for mass spectrometer |
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|---|---|---|---|---|
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| US3513345A (en) * | 1967-12-13 | 1970-05-19 | Westinghouse Electric Corp | High speed electron multiplier |
| GB1446774A (en) | 1973-04-19 | 1976-08-18 | Mullard Ltd | Electron beam devices incorporating electron multipliers |
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| GB2048561B (en) * | 1979-04-02 | 1983-02-23 | Philips Electronic Associated | Method of forming a secondary emissive coating on a dynode |
| US4419580A (en) * | 1981-06-26 | 1983-12-06 | Control Data Corporation | Electron beam array alignment means |
| FR2549288B1 (fr) * | 1983-07-11 | 1985-10-25 | Hyperelec | Element multiplicateur d'electrons, dispositif multiplicateur d'electrons comportant cet element multiplicateur et application a un tube photomultiplicateur |
| GB2154053A (en) | 1984-02-08 | 1985-08-29 | Philips Electronic Associated | High resolution channel multiplier dynodes |
| GB2170947B (en) * | 1985-02-13 | 1988-12-21 | Philips Electronic Associated | Colour cathode ray tube including a channel plate electron multiplier |
| JPH0647787B2 (ja) | 1985-08-14 | 1994-06-22 | 日華化学株式会社 | シリコ−ン系繊維処理剤 |
| FR2653269B1 (fr) | 1989-10-17 | 1992-05-22 | Radiotechnique Compelec | Tube photomultiplicateur multivoies a fort pouvoir de resolution entre signaux. |
| US5220240A (en) * | 1989-12-21 | 1993-06-15 | Sony Corporation | Planar display apparatus |
| DE69404538T2 (de) * | 1993-04-28 | 1997-12-11 | Hamamatsu Photonics Kk | Photovervielfacher |
| DE69404080T2 (de) * | 1993-04-28 | 1997-11-06 | Hamamatsu Photonics Kk | Photovervielfacher |
| JP3401044B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2003-04-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| EP0622826B1 (en) * | 1993-04-28 | 1997-07-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
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-
1994
- 1994-06-06 JP JP12378694A patent/JP3434574B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-06 DE DE69504139T patent/DE69504139T2/de not_active Expired - Lifetime
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-
1997
- 1997-07-24 US US08/899,634 patent/US5801511A/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0686996A1 (en) | 1995-12-13 |
| US5801511A (en) | 1998-09-01 |
| DE69504139T2 (de) | 1999-01-28 |
| DE69504139D1 (de) | 1998-09-24 |
| JPH07335174A (ja) | 1995-12-22 |
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