JPS60254547A - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
- Publication number
- JPS60254547A JPS60254547A JP60105765A JP10576585A JPS60254547A JP S60254547 A JPS60254547 A JP S60254547A JP 60105765 A JP60105765 A JP 60105765A JP 10576585 A JP10576585 A JP 10576585A JP S60254547 A JPS60254547 A JP S60254547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- dynode
- anode
- mesh member
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光電子増倍管に関するもので、更に具体的に
はアノードと幾つかの２次ダイノードとを含む複数個の
電極を有し、この電極のうちの少くとも１個には基準手
段が形成されると共にメソシュ部材が取付けられている
ような管に関するものである。このメツシュ部材は、こ
の部材を基準手段に整列させるための位置決め手段を持
っている。各電極には、これら全支持する支持板に近１
７：−して停止位置を形成する支持７ｆ１Ｔ部が形成さ
れてＵて、メツシュ部材が支持板に接触しないように力
っている。
はアノードと幾つかの２次ダイノードとを含む複数個の
電極を有し、この電極のうちの少くとも１個には基準手
段が形成されると共にメソシュ部材が取付けられている
ような管に関するものである。このメツシュ部材は、こ
の部材を基準手段に整列させるための位置決め手段を持
っている。各電極には、これら全支持する支持板に近１
７：−して停止位置を形成する支持７ｆ１Ｔ部が形成さ
れてＵて、メツシュ部材が支持板に接触しないように力
っている。
容量の大きな光電子増倍管の製造に際しては互に相反す
る目的に遭遇することが多い。この様な管は、観察しよ
うとする現象を正確にかつ再現性良く測定できるように
設計せねばならぬが、一方製造原価は安くなければなら
ない。この前者の目的に応じるには、管の各素子の位置
を他の素子に対して正確に固定する要があるが、これを
多数の高価な精密部品を使うことなく実現せねばならな
い。まだ上記の後者の目的を達成するには、難かしい時
間のかかる組立て技法を必要としないように、組立て容
易な構造でなければならない。
る目的に遭遇することが多い。この様な管は、観察しよ
うとする現象を正確にかつ再現性良く測定できるように
設計せねばならぬが、一方製造原価は安くなければなら
ない。この前者の目的に応じるには、管の各素子の位置
を他の素子に対して正確に固定する要があるが、これを
多数の高価な精密部品を使うことなく実現せねばならな
い。まだ上記の後者の目的を達成するには、難かしい時
間のかかる組立て技法を必要としないように、組立て容
易な構造でなければならない。
ティ？ ン（Ｔｉｍａｎ）氏の米国特許第４１２５７９
３号には、ダイノードを相互に一定の空間的関係にしっ
かりと支持する絶縁性の側方支持体で支持されていない
浮動（フローティング）アノードを持った、ボックス−
グリッド（すなわちダイノード・メツシュ）構造を有す
る光電子増倍管が開示されている。この（動アノードの
目的は、オーム漏洩電流または漏洩電流を流すことが判
った側方支持体からアノードを絶縁することである。こ
の側方支持体にダイノードを固着す′る方法について、
まだは側方支持体による変形を起さずにメツシュをダイ
ノードに対して正しく位置利けしかつ整列させることの
必吸性について、は何も示されていない。
３号には、ダイノードを相互に一定の空間的関係にしっ
かりと支持する絶縁性の側方支持体で支持されていない
浮動（フローティング）アノードを持った、ボックス−
グリッド（すなわちダイノード・メツシュ）構造を有す
る光電子増倍管が開示されている。この（動アノードの
目的は、オーム漏洩電流または漏洩電流を流すことが判
った側方支持体からアノードを絶縁することである。こ
の側方支持体にダイノードを固着す′る方法について、
まだは側方支持体による変形を起さずにメツシュをダイ
ノードに対して正しく位置利けしかつ整列させることの
必吸性について、は何も示されていない。
上記の米国特許に示されているようなダイノードを横断
してダイノード・メソシュが設けられている電子増倍器
構造では、メソシュの整列状態が不適正であるとメツシ
ュが絶縁性側方支持体に接触してこの支持体のために変
形し、ダイノードの静電界を変えて管の特性を低下させ
ることが屡々ある。メツシュがひどく変形すると、更に
附近の電極に接触して電気的短絡を起すこともある。
してダイノード・メソシュが設けられている電子増倍器
構造では、メソシュの整列状態が不適正であるとメツシ
ュが絶縁性側方支持体に接触してこの支持体のために変
形し、ダイノードの静電界を変えて管の特性を低下させ
ることが屡々ある。メツシュがひどく変形すると、更に
附近の電極に接触して電気的短絡を起すこともある。
従って、ダイノード・メツシュをダイノードに対して正
確に整列させて、ダイノード支持用の絶縁性支持体にメ
ツシュが接触しないようにする手段を提供することが望
洩れている。この手段は、原価も安く、かつ複雑で時間
のか゛かる組立て技法を必要としないように簡単に使用
できるものでなければならない。
確に整列させて、ダイノード支持用の絶縁性支持体にメ
ツシュが接触しないようにする手段を提供することが望
洩れている。この手段は、原価も安く、かつ複雑で時間
のか゛かる組立て技法を必要としないように簡単に使用
できるものでなければならない。
この発明によＺ光電子増倍管は、光電子放射陰極、この
陰極から隔てて配置された遮蔽カップおよびこの遮蔽カ
ップに隣接配置された電子増倍器液形構体を収容した排
気された外囲器を持っている。この箱形構体は、それぞ
れ複数個の貫通支持孔を有し横方向に成る間隔をおいて
設けられた１対の絶縁性の支持板を具えている。この支
持板は遮蔽カップに取付けられている。両支持板の間に
は複数個の電極が配置されている。その電極のうちの少
くとも１個のものは基準手段とそれに取付けられたメツ
シュ部材を持っている。これらの電極は活性部分と取付
手段とを有し、後者は支持板に設けられた支持孔に挿入
されて両支持板間にその電極を支持する。これらの電極
には、また、その活性部分と取付手段との間でその両側
に形成された支持肩部も持っている。支持肩部は上記支
持孔の幅よシも広い幅を有し、支持板に近接したストッ
プ位置を定めている。メツシュ部材には、そのメツシュ
を少くとも１個の電極の基準部材と整列させるだめの位
置決め手段がある。
陰極から隔てて配置された遮蔽カップおよびこの遮蔽カ
ップに隣接配置された電子増倍器液形構体を収容した排
気された外囲器を持っている。この箱形構体は、それぞ
れ複数個の貫通支持孔を有し横方向に成る間隔をおいて
設けられた１対の絶縁性の支持板を具えている。この支
持板は遮蔽カップに取付けられている。両支持板の間に
は複数個の電極が配置されている。その電極のうちの少
くとも１個のものは基準手段とそれに取付けられたメツ
シュ部材を持っている。これらの電極は活性部分と取付
手段とを有し、後者は支持板に設けられた支持孔に挿入
されて両支持板間にその電極を支持する。これらの電極
には、また、その活性部分と取付手段との間でその両側
に形成された支持肩部も持っている。支持肩部は上記支
持孔の幅よシも広い幅を有し、支持板に近接したストッ
プ位置を定めている。メツシュ部材には、そのメツシュ
を少くとも１個の電極の基準部材と整列させるだめの位
置決め手段がある。
以下、図面に示す一実施例を参照して詳細に説明する。
第１図に示すこの発明による一例光電子増倍管１０は、
側壁１４を持つ排気された外囲器１２を持っている。外
囲器１２の一端は透明なフェースグレート１６で閉じら
れ他端はステム部分（図示せず）で閉じられている。側
壁１４の内面にはフェースプレート１６に近接したとこ
ろに導電層１８が蒸着されている。フェースプレート１
６の内面および側壁１４の導電層１８の一部分に沿って
光電子放射陰極２０が形成されている。この光電子放射
陰極２ｏは、任意周知のアルカリ−アンチモン化物材料
のようなもので構成できる。光電子放射陰極２０は、そ
こに放射が入射することに応じて光電子を放出する。
側壁１４を持つ排気された外囲器１２を持っている。外
囲器１２の一端は透明なフェースグレート１６で閉じら
れ他端はステム部分（図示せず）で閉じられている。側
壁１４の内面にはフェースプレート１６に近接したとこ
ろに導電層１８が蒸着されている。フェースプレート１
６の内面および側壁１４の導電層１８の一部分に沿って
光電子放射陰極２０が形成されている。この光電子放射
陰極２ｏは、任意周知のアルカリ−アンチモン化物材料
のようなもので構成できる。光電子放射陰極２０は、そ
こに放射が入射することに応じて光電子を放出する。
この光電子放射陰極２０から隔てて遮蔽カソグ２２が設
けられている。遮蔽カップ２２は、はぼ平坦なベース部
分２４とこのベース部分に垂直な環状壁部２６とを有す
るカップ状の′電界形成電極である。遮蔽カップ２２の
ベース部分２４には、その中央部に、はぼ矩形状の開口
２８が貫通している。遮蔽カップ２２は複数個のパルプ
スペーサ２９によって外囲器１２内に中心合わせして配
置されている。開口２８内には開口縁から隔てて１次ダ
イノード３０が設けられている。１次ダイノード３０は
、１９８０年４月１日付でフォーフナ（Ｆａｕｌｋｎｅ
ｒ）氏に与えられた米国再発行特許第３０２４９号に開
示されているものとほぼ同一の断面形状を有し、電子増
倍器箱形構体３２の最初の電極を構成している。１次ダ
イノード３０の入力開口３６には実質的に平坦な１次電
界メツシュ部材３４が取付けられている。１次ダイノー
ド３０は、表面にアルカリ−アンチモン化物の２次電子
放射被覆３８を施したニッケル基板で構成することが好
ましい。或いはまた、べＩＪ ＩＪウム酸化物２次電子
放射表面を持つべＩＪ ＩＪウムー銅材料で仁の１次ダ
イノードを作ることもできる。１次ダイノード３０には
出力開口４０がある。
けられている。遮蔽カップ２２は、はぼ平坦なベース部
分２４とこのベース部分に垂直な環状壁部２６とを有す
るカップ状の′電界形成電極である。遮蔽カップ２２の
ベース部分２４には、その中央部に、はぼ矩形状の開口
２８が貫通している。遮蔽カップ２２は複数個のパルプ
スペーサ２９によって外囲器１２内に中心合わせして配
置されている。開口２８内には開口縁から隔てて１次ダ
イノード３０が設けられている。１次ダイノード３０は
、１９８０年４月１日付でフォーフナ（Ｆａｕｌｋｎｅ
ｒ）氏に与えられた米国再発行特許第３０２４９号に開
示されているものとほぼ同一の断面形状を有し、電子増
倍器箱形構体３２の最初の電極を構成している。１次ダ
イノード３０の入力開口３６には実質的に平坦な１次電
界メツシュ部材３４が取付けられている。１次ダイノー
ド３０は、表面にアルカリ−アンチモン化物の２次電子
放射被覆３８を施したニッケル基板で構成することが好
ましい。或いはまた、べＩＪ ＩＪウム酸化物２次電子
放射表面を持つべＩＪ ＩＪウムー銅材料で仁の１次ダ
イノードを作ることもできる。１次ダイノード３０には
出力開口４０がある。
電子増倍器箱形構体３２には、更に、１次ダイノード３
０の２次電子放射被覆３８から放出される２次電子の受
容部材として働く箱（ボックス）形２次ダイノード４２
がある。ダイノード４２には入力端４４と出力端４６が
ある。２次ダイノード４２の入力端４４を横切ってほぼ
矩形の２次電界メツシュ部桐４８が延びている。この２
次ダイノード４２と最終２次ダイノード５２の間にはほ
ぼ同一形状の箱形２次ダイノード５０が複数個追加配置
されている。２次ダイノード４２と５０はほぼ４分円形
断面を持っている。
０の２次電子放射被覆３８から放出される２次電子の受
容部材として働く箱（ボックス）形２次ダイノード４２
がある。ダイノード４２には入力端４４と出力端４６が
ある。２次ダイノード４２の入力端４４を横切ってほぼ
矩形の２次電界メツシュ部桐４８が延びている。この２
次ダイノード４２と最終２次ダイノード５２の間にはほ
ぼ同一形状の箱形２次ダイノード５０が複数個追加配置
されている。２次ダイノード４２と５０はほぼ４分円形
断面を持っている。
最終２次ダイノードはアノード５４を囲んでいる。
各２次ダイノード４２．５０および５２は、ニッケル製
でその内側表面上にアルカリ−アンチモン化物被覆（図
示せず）が形成されたものであることが好ましく、その
結果陰極２０の電子放射がアノード５４に伝播すること
ができ８゜各２次ダイノード５０はその入力端を横切っ
て配設されたほぼ矩形の電界メツシュ部材５６を持って
いる。１次ダイノード３０．２次ダイノード４２．５０
．５２およびアノード５４は横方向に隔たったほぼ平行
な対をなす絶縁性支持板５８（第１図にはその一方のみ
示す）の間に配設されている。支持板５８には、先端部
５８ａと基端部５８ｂがある。各支持板５８の一側に沿
って遮蔽ノツチ５９が形成されていて、両支持板５８の
間を横切るように延びて箱形構体３２の下端部を閉じて
いる光遮蔽体６２の遮蔽タブ（図示せず）を受入れるよ
うになっている。光遮蔽体６２は第２図に示されるよう
に１対の溶接タブ６４を有し、この光遮蔽体６２の最終
ダイノード５２への取付を容易にしている。
でその内側表面上にアルカリ−アンチモン化物被覆（図
示せず）が形成されたものであることが好ましく、その
結果陰極２０の電子放射がアノード５４に伝播すること
ができ８゜各２次ダイノード５０はその入力端を横切っ
て配設されたほぼ矩形の電界メツシュ部材５６を持って
いる。１次ダイノード３０．２次ダイノード４２．５０
．５２およびアノード５４は横方向に隔たったほぼ平行
な対をなす絶縁性支持板５８（第１図にはその一方のみ
示す）の間に配設されている。支持板５８には、先端部
５８ａと基端部５８ｂがある。各支持板５８の一側に沿
って遮蔽ノツチ５９が形成されていて、両支持板５８の
間を横切るように延びて箱形構体３２の下端部を閉じて
いる光遮蔽体６２の遮蔽タブ（図示せず）を受入れるよ
うになっている。光遮蔽体６２は第２図に示されるよう
に１対の溶接タブ６４を有し、この光遮蔽体６２の最終
ダイノード５２への取付を容易にしている。
第１図と第２図に示されるように、複数個のフラップ６
６よりなる支持板間隔子が、ベース部分２４の中央開口
２８に近接したところに切目を入れることによって、遮
蔽カップ２２の本体から打出し形成されている。フラッ
プ６６は１９８４年５月１８日付のマクド＝ （Ｍｃｄ
ｏｎｉｅ ）氏他の米国特許出願第６１１７５３号の対
応日本出願中に記載されている。各フラップ６６は、２
次ダイノード４２．５０．５２およびアノード５４０幅
すなわち横断寸法よりも僅かに大きな最小幅を持ってい
る。両支持板５８の先端部５８ａの相互間に配置された
光遮蔽体６２の部分の最小横断寸法はフラップ６６のそ
れと等しくされていて、フラップ６６と光７Ｍ体６２が
共同して対をなす支持板５８の間に、２次ダイノード４
２．５０．５２およびアノード５４の横断寸法よりも大
きな、一様な最小横断間隔が形成されるようになってい
る。
６よりなる支持板間隔子が、ベース部分２４の中央開口
２８に近接したところに切目を入れることによって、遮
蔽カップ２２の本体から打出し形成されている。フラッ
プ６６は１９８４年５月１８日付のマクド＝ （Ｍｃｄ
ｏｎｉｅ ）氏他の米国特許出願第６１１７５３号の対
応日本出願中に記載されている。各フラップ６６は、２
次ダイノード４２．５０．５２およびアノード５４０幅
すなわち横断寸法よりも僅かに大きな最小幅を持ってい
る。両支持板５８の先端部５８ａの相互間に配置された
光遮蔽体６２の部分の最小横断寸法はフラップ６６のそ
れと等しくされていて、フラップ６６と光７Ｍ体６２が
共同して対をなす支持板５８の間に、２次ダイノード４
２．５０．５２およびアノード５４の横断寸法よりも大
きな、一様な最小横断間隔が形成されるようになってい
る。
第３図と第４図には２次ダイノード５０のうちの１個が
示されている。ダイノード５０はその対向両側辺に形成
されたタブ６８より成る取付は手段を持っている。更に
ダイノード５０は２次電子放射性の活性部分７０を持っ
ている。活性部分７００対向側辺から１対の支持肩部７
２がタブ６８まで突出しており、このタブは支持肩部７
２から更に外方に延長している。各タブ６８は、各絶縁
性支持板５８にあけられた複数個の支持孔７４のうちの
１個に嵌合するように構成されている。光電子放射陰極
２０、ダイノード３０．４２．５０および５２、および
アノード５４に対する電気的接続はベース８０のピン７
８に接続されたり−ド７６によって行なわれる。基準開
口９０より成る基準手段が各支持肩部７２に設けられて
いる。この基準開口９０は、ダイノード５０の入力端に
取付けられるほぼ矩形のメツシュ部材５６を位置付けし
整列させるのに防用される。
示されている。ダイノード５０はその対向両側辺に形成
されたタブ６８より成る取付は手段を持っている。更に
ダイノード５０は２次電子放射性の活性部分７０を持っ
ている。活性部分７００対向側辺から１対の支持肩部７
２がタブ６８まで突出しており、このタブは支持肩部７
２から更に外方に延長している。各タブ６８は、各絶縁
性支持板５８にあけられた複数個の支持孔７４のうちの
１個に嵌合するように構成されている。光電子放射陰極
２０、ダイノード３０．４２．５０および５２、および
アノード５４に対する電気的接続はベース８０のピン７
８に接続されたり−ド７６によって行なわれる。基準開
口９０より成る基準手段が各支持肩部７２に設けられて
いる。この基準開口９０は、ダイノード５０の入力端に
取付けられるほぼ矩形のメツシュ部材５６を位置付けし
整列させるのに防用される。
ダイノード５０の、両支持肩部７２を横断して測った横
断寸法りは約２１．８４±０．０５ ｍｍ （０，８６
±０．００２インチ）である。基準開口９０の中心間間
隔は、約２０．８３±０．０５ ａｍ （０，８２±０
．００２インチ）である。
断寸法りは約２１．８４±０．０５ ｍｍ （０，８６
±０．００２インチ）である。基準開口９０の中心間間
隔は、約２０．８３±０．０５ ａｍ （０，８２±０
．００２インチ）である。
メソシュ部材５６の横断寸法ｌは約２１．５９ｍｍ （
０，８５インチ）である。矩形状のメツシュ部材５６の
相対向する短辺には１対の位置決めスロット９２が形成
されている。この箱形構体３２の組立て工程中に開口９
０に適当な位置決めピン（図示せず）を挿入することに
よって、メツシュ５６は正確にダイノード５０上に位置
伺けされ、溶接によりそれに固着することができる。
０，８５インチ）である。矩形状のメツシュ部材５６の
相対向する短辺には１対の位置決めスロット９２が形成
されている。この箱形構体３２の組立て工程中に開口９
０に適当な位置決めピン（図示せず）を挿入することに
よって、メツシュ５６は正確にダイノード５０上に位置
伺けされ、溶接によりそれに固着することができる。
前述したマクド二氏の出願中に説明されているように、
両支持板５８相互間の最小横断間隔Ｓは２２．０５±０
．０５πｍ （０，８６８±０．００２インチ）に制限
され・ている。従って支持肩部に基準開口９０の設けら
れたこの発明のダイノード５０を使うと、その支持肩部
７２の端部と支持板５８の内側表面との間に微小横方向
間隙ができる。更にメソシュ部材５６の横断寸法ｌはダ
イノード５０の支持肩部７２の横断寸法りより小さいか
らメツシュ部材５６は支持板５８に接触することができ
ずまたそれによって変形させられることもない。
両支持板５８相互間の最小横断間隔Ｓは２２．０５±０
．０５πｍ （０，８６８±０．００２インチ）に制限
され・ている。従って支持肩部に基準開口９０の設けら
れたこの発明のダイノード５０を使うと、その支持肩部
７２の端部と支持板５８の内側表面との間に微小横方向
間隙ができる。更にメソシュ部材５６の横断寸法ｌはダ
イノード５０の支持肩部７２の横断寸法りより小さいか
らメツシュ部材５６は支持板５８に接触することができ
ずまたそれによって変形させられることもない。
支持肩部７２はダイノード５０の位置決めストップとし
ても働く。各肩部７２０幅Ｗは約７．１１±０．１３ｍ
ｍ （０，２８±Ｏ’、００５インチ）で、支持板５８
に形成された支持孔７４の幅Ｗは約６，３５±０．０８
朋（０，２５±０ 、００３インチ）である。支持肩部
７２の大きな幅Ｗは、ダイノード５０に数句けられたメ
ツシュ部材５６が支持＆５８の内側面に接触することを
防止するだめの、ダイノード５０に対する有効なストッ
プとして作用する。以上、ダイノード５０についてのみ
説明しだが２次ダイノード４２にも上記と同様な支持肩
部と基準構造が設けられている。最終ダイノード５２は
メツシュ部材を使用しないが、代りに、最後から２番目
の２次ダイノード５０とアノード５４の間に大きな入力
開口を持っている。
ても働く。各肩部７２０幅Ｗは約７．１１±０．１３ｍ
ｍ （０，２８±Ｏ’、００５インチ）で、支持板５８
に形成された支持孔７４の幅Ｗは約６，３５±０．０８
朋（０，２５±０ 、００３インチ）である。支持肩部
７２の大きな幅Ｗは、ダイノード５０に数句けられたメ
ツシュ部材５６が支持＆５８の内側面に接触することを
防止するだめの、ダイノード５０に対する有効なストッ
プとして作用する。以上、ダイノード５０についてのみ
説明しだが２次ダイノード４２にも上記と同様な支持肩
部と基準構造が設けられている。最終ダイノード５２は
メツシュ部材を使用しないが、代りに、最後から２番目
の２次ダイノード５０とアノード５４の間に大きな入力
開口を持っている。
第５図と第６図にはアノード５４が示されている。
アノード５４はベース部分９４、このベース部分９４が
らほぼ垂直に延びるフレーム部分９６およびフレーム部
分９６に取付けたアノード・メツシュ部材９８とで構成
されている。メツシュ部材９８は最終ダイノード５２か
らの２次電子を収集するアノードの活性部分である。フ
レーム部分９６には、その下部を貫通する少くとも２個
の開口１００が設けられていて、メツシュ部材９８に対
する基準手段となっている。
らほぼ垂直に延びるフレーム部分９６およびフレーム部
分９６に取付けたアノード・メツシュ部材９８とで構成
されている。メツシュ部材９８は最終ダイノード５２か
らの２次電子を収集するアノードの活性部分である。フ
レーム部分９６には、その下部を貫通する少くとも２個
の開口１００が設けられていて、メツシュ部材９８に対
する基準手段となっている。
これに対応する１対の位置決め用開口１０２がアノード
・メツシュ部材９８の下部に開けられていて、メツシュ
部材９８をフレーム部分９６に整列させやすくしている
。整列は、箱形構体３２の組立過程中に整列用ピン（図
示せず）を使って行なわれる。次いでアノード・メツシ
ュ部材９８はアノード５４のフレーム部分９６に溶接さ
れる。ベース部分９４にはその対向側辺に一体の支持肩
部があり、これは２次ダイノード５０に関連して前述し
た様な形でアノード５４に対する位置決め用ストップと
して働く。ベース部分９４の支持肩部から１対のタブ６
８が突出している。このタブ６８は支持板５８に設けら
れた支持孔７４中に挿入される。第６図に示すように、
アノード５４のベース部分９４の両支持肩部を横切って
測った横断寸法Ｌ′は約２１．８４±Ｑ、Ｑ５ｍｍで、
２次ダイノード５０の場合と同じである。支持板５８相
互間の横断間隔Ｓは約２２．０５±ｏ、ｏｓｍｍである
から、ベース部９４の支持肩部の両端縁と支持板５８の
内側表面との間にも僅かな間隙が生じ、従ってアノード
が支持板５８によって与えられる圧縮力によって変形さ
せられることはない。
・メツシュ部材９８の下部に開けられていて、メツシュ
部材９８をフレーム部分９６に整列させやすくしている
。整列は、箱形構体３２の組立過程中に整列用ピン（図
示せず）を使って行なわれる。次いでアノード・メツシ
ュ部材９８はアノード５４のフレーム部分９６に溶接さ
れる。ベース部分９４にはその対向側辺に一体の支持肩
部があり、これは２次ダイノード５０に関連して前述し
た様な形でアノード５４に対する位置決め用ストップと
して働く。ベース部分９４の支持肩部から１対のタブ６
８が突出している。このタブ６８は支持板５８に設けら
れた支持孔７４中に挿入される。第６図に示すように、
アノード５４のベース部分９４の両支持肩部を横切って
測った横断寸法Ｌ′は約２１．８４±Ｑ、Ｑ５ｍｍで、
２次ダイノード５０の場合と同じである。支持板５８相
互間の横断間隔Ｓは約２２．０５±ｏ、ｏｓｍｍである
から、ベース部９４の支持肩部の両端縁と支持板５８の
内側表面との間にも僅かな間隙が生じ、従ってアノード
が支持板５８によって与えられる圧縮力によって変形さ
せられることはない。
子
第１図はこの発明を実施しだ光電増倍管の一例構造を示
す一部切欠断面図、第２図は電子増倍器憶形構体の側面
図、第３図はメソシュ部材が取付けられた２次ダイノー
ドの頂部を示す電子増倍器箱形構体の要部平面図、第４
図は第３図の４−４線に沿って見た図、第５図はメツシ
ュ部材が取付けられた状態を示す電子増倍器箱形構体の
アノードの正面図、第６図は第５図の６−６線に沼って
見た図である。 １０・・・光電子増倍管、１２・・・外囲器、２０・・
・光電子放射陰極、２２・・・遮蔽カップ、３２・・・
電子増倍器箱形構体、３０．４２．５０．５２．５４・
・・複数の電極（１次ダ・アノード、最初の２次ダイノ
ード、２次ダイノード、最後の２次ダイノード、アノー
ド）、５８・・・絶縁性の支持板、７４・・・支持孔、
５６．９８・・・メツ７ユ部桐、７０．９８・・・活性
部分、６８・・・取付手段（タブ）、７２・・・支持肩
部、９０．１００・・・基準手段（基準開口、開口）、
９２．１０２・・・位置決。 め手段（位置決めスロット、位置決め用開口）。 特ｉｒＩ出ＷＥ 人 アールシーニー コーポレーショ
ン代理人 清水 哲ｅ１力１２名 穿１図
す一部切欠断面図、第２図は電子増倍器憶形構体の側面
図、第３図はメソシュ部材が取付けられた２次ダイノー
ドの頂部を示す電子増倍器箱形構体の要部平面図、第４
図は第３図の４−４線に沿って見た図、第５図はメツシ
ュ部材が取付けられた状態を示す電子増倍器箱形構体の
アノードの正面図、第６図は第５図の６−６線に沼って
見た図である。 １０・・・光電子増倍管、１２・・・外囲器、２０・・
・光電子放射陰極、２２・・・遮蔽カップ、３２・・・
電子増倍器箱形構体、３０．４２．５０．５２．５４・
・・複数の電極（１次ダ・アノード、最初の２次ダイノ
ード、２次ダイノード、最後の２次ダイノード、アノー
ド）、５８・・・絶縁性の支持板、７４・・・支持孔、
５６．９８・・・メツ７ユ部桐、７０．９８・・・活性
部分、６８・・・取付手段（タブ）、７２・・・支持肩
部、９０．１００・・・基準手段（基準開口、開口）、
９２．１０２・・・位置決。 め手段（位置決めスロット、位置決め用開口）。 特ｉｒＩ出ＷＥ 人 アールシーニー コーポレーショ
ン代理人 清水 哲ｅ１力１２名 穿１図
Claims (1)
- （１） 光電子放射陰極と、この陰極から隔てて配置さ
れた遮蔽カップと、この遮蔽カップに隣接配置された電
子増倍器篭形構体とを収容した排気された外囲器を有し
、上記篭形構体が、それぞれ複数個の支持孔を有し横方
向に互に隔てられて上記遮蔽カップに取付けられた絶縁
性の１対の支持板と、この両支持板の間に配設された複
数個の電極とを有し、上記電極は活性部分と上記支持板
の支持孔に挿入されて支持板相互間にこの電極を支持す
るだめの取付は手段とを有し、かつそれら電極のうちの
少くとも１個にはメツシュ部材が取付けられ幅が上記支
持孔の幅よりも大きくて上記支持板に近接したストップ
位置を形成しており、上記電極のうちの少くとも１個は
基準手段を有し、まだ」−記メッシュ部材は位置決め手
段を有し、この位１？７決め手段が上記少くとも１個の
電極の基準手段と整列していることを特徴とする光電子
増倍管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/611,754 US4577137A (en) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | Electrode structure for an electron multiplier cage assembly |
| US611754 | 1984-05-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254547A true JPS60254547A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0650619B2 JPH0650619B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=24450288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60105765A Expired - Lifetime JPH0650619B2 (ja) | 1984-05-18 | 1985-05-16 | 光電子増倍管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4577137A (ja) |
| JP (1) | JPH0650619B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254652A (ja) * | 1987-04-12 | 1988-10-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2633346B1 (fr) * | 1988-06-24 | 1990-10-05 | Radiotechnique Compelec | Dispositif de maintien d'une patte dans une fente amenagee dans une plaquette |
| JP2634353B2 (ja) * | 1992-05-20 | 1997-07-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| US5510674A (en) * | 1993-04-28 | 1996-04-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
| JP3260901B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2002-02-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP3401044B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2003-04-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| JP4549497B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2010-09-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| KR102010820B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2019-08-16 | 주식회사 포스코 | 레이저 회절 입도 분석기를 이용한 입도 분석 장치 및 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US30249A (en) * | 1860-10-02 | Clothes-drier | ||
| US2862135A (en) * | 1956-12-14 | 1958-11-25 | Westinghouse Electric Corp | Ear plate |
| GB976619A (en) * | 1960-03-05 | 1964-12-02 | Emi Ltd | Improvements in or relating to photo-emissive devices |
| US4184098A (en) * | 1976-04-22 | 1980-01-15 | S.R.C. Laboratories, Inc. | Cone type dynode for photomultiplier tube |
| US4125793A (en) * | 1977-02-01 | 1978-11-14 | Dumont Electron Tubes & Devices Corporation | Photomultiplier with dynode support structure |
| US4415832A (en) * | 1981-11-20 | 1983-11-15 | Rca Corporation | Electron multiplier having an improved planar utlimate dynode and planar anode structure for a photomultiplier tube |
-
1984
- 1984-05-18 US US06/611,754 patent/US4577137A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-05-16 JP JP60105765A patent/JPH0650619B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254652A (ja) * | 1987-04-12 | 1988-10-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0650619B2 (ja) | 1994-06-29 |
| US4577137A (en) | 1986-03-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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