JP3434576B2 - 電子増倍管 - Google Patents

電子増倍管

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JP3434576B2 JP13762794A JP13762794A JP3434576B2 JP 3434576 B2 JP3434576 B2 JP 3434576B2 JP 13762794 A JP13762794 A JP 13762794A JP 13762794 A JP13762794 A JP 13762794A JP 3434576 B2 JP3434576 B2 JP 3434576B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層に積層されたダイ
ノードによって入射電子流、イオンを増倍する電子増倍
管に関する。
【0002】
【従来の技術】電子増倍管における電子増倍部は、複数
のダイノードを所定の間隔をあけて多段に積層して構成
している。米国特許第3229143号には、間に絶縁
球を介在させ、ダイノードを多段に積層させて電子増倍
部を構成する例が開示されている。図7にこの構成の要
部を示す。各段のダイノードの端部に固定されたサポー
ト板101には、それぞれ貫通孔103が形成されてお
り、貫通孔103の開孔端に絶縁球102の一部が嵌合
する状態で、各サポート板101の間に介在している。
絶縁球102は、パイレックスガラスで形成されてお
り、貫通孔103の内径よりも大なる径を有し、対する
貫通孔103は内径が一定した円筒孔を形成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の電子
増倍管の製造では、サポート板101に形成された貫通
孔103の上に絶縁球102を置き、その上に上層のダ
イノードのサポート板101を載せる工程を有する。し
かしながら、この工程の際に絶縁球102の位置がずれ
て、貫通孔103から絶縁球102が外れてしまうこと
があった。このような事態が起きると上下のダイノード
の間隔が不均一となり、電子の増倍率(ゲイン)にバラ
ツキが生じ問題であった。
【0004】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、各段のダイノードの間隔を一定にす
ることにより、電子増倍率のバラツキの少ない電子増倍
管を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電子増倍管は、入射した電子流を増倍する
複数の第1のダイノードと、第1のダイノードの各々と
交互に積層され、入射した電子流を増倍する複数の第2
のダイノードと、第1のダイノードの所定位置に配設さ
れ、第1のダイノードと第2のダイノード間に所定の間
隙を形成する絶縁性の球体とを備える。第1のダイノー
ドは上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板
の下面の球体の配設位置と下部電極板の上面の配設位置
に対応する位置には厚さ方向に狭くなるテーパ状の貫通
孔がそれぞれ形成されている。また、第2のダイノード
には球体の配設位置に対応する位置に貫通孔が形成され
ている。球体は第1のダイノードの両貫通孔から一部を
突出させて第1のダイノードの貫通孔同士を合わせた空
間内に固定され、第1のダイノードの両貫通孔から突出
した球体の一部は隣接する第2のダイノードの貫通孔に
当接するよう構成されている。ここで、第2のダイノー
ドの貫通孔に上面側から当接する球体と下面側から当接
する球体とが第2のダイノードの貫通孔内で互いに接し
ていてもよい。
【0006】また球体の代わりに、絶縁性の円柱体を備
えて構成されていてもよい。すなわち、第1のダイノー
ドは上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板
の下面の円柱体の配設位置と下部電極板の上面の配設位
置に対応する位置には厚さ方向に狭くなるV溝状の貫通
溝がそれぞれ形成されている。また、第2のダイノード
には円柱体の配設位置に対応する位置に貫通溝が形成さ
れている。円柱体は第1のダイノードの両貫通溝から一
部を突出させて第1のダイノードの貫通溝同士を合わせ
た空間内にV溝の長手方向と中心軸方向を一致させて固
定され、第1のダイノードの両貫通溝から突出した円柱
体の一部は隣接する第2のダイノードの貫通溝に当接す
るように構成されている。ここで、第2のダイノードの
貫通溝に上面側から当接する円柱体と下面側から当接す
る円柱体とが第2のダイノードの貫通溝内で互いに接し
ていてもよい。
【0007】なお、いずれの電子増倍管も、内部に光電
陰極を備えた光電子増倍管として構成することもでき
る。
【0008】
【作用】本発明の第1の電子増倍管によれば、第1のダ
イノードの上部電極板と下部電極板で挟んで球体を固定
しているので、第1のダイノードと第2のダイノードと
を交互に積層させる際に球体が貫通孔から外れることが
ない。このため、各層のダイノードの間隔を均一に保つ
ことができ、ダイノードの間隔の不均一によって電子の
増倍率(ゲイン)がバラつくといった問題は生じない。
特に、従来のように複数のダイノードを積層させる際に
球体をダイノード上に並べる必要がないので、製造が容
易になる。
【0009】また、本発明は第1のダイノードの両貫通
孔から突出した球体の一部が隣接する第2のダイノード
の貫通孔に当接するように構成されているので、上下に
連続する各球体の中心と貫通孔の中心とが一致し、各段
のダイノードの水平方向の位置合わせが行われることに
なる。
【0010】さらに、第2のダイノード内で球体同士を
互いに当接させれば、ダイノードの積層方向に加わった
力の大部分は一連の球体に加えられ、ダイノードに余分
な応力が加わることはない。
【0011】また、本発明の第2の電子増倍管は、球体
に変えて絶縁性の円柱体を用いたものであり、第1の電
子増倍管と実質的に同様な作用を奏するものである。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例について添付図面を
参照して説明する。図1は、本実施例に係る電子増倍管
の構造を示す斜視図である。同図より、本実施例の電子
増倍管は、円柱形状の真空容器10の内部に入射電子流
を増倍する電子増倍部20が配設された構成を有してい
る。真空容器10は、円筒形の金属側管11と、金属側
管11の一端に設けられた円形の受光面板12と、金属
側管11の他端に設けられた基台部を構成する円形のス
テム13とから構成されている。受光面板12の下面に
は光電陰極21が設けられ、この光電陰極21と電子増
倍部20との間には収束電極22が配設されている。
【0013】電子増倍部20は、多数の電子増倍孔23
を有するダイノード24,25を交互に積層して構成さ
れており、これらの積層したダイノード24,25の下
部には、アノード26と、最終段のダイノード27とが
順に配設されている。そして、各ダイノード24とアノ
ード26にはセラミック製の絶縁球28が組み込まれて
いる。
【0014】基台部となるステム13は、外部の電圧端
子と接続され、各ダイノード24,25,27などに所
定の電圧を与える計12本のステムピン14が貫通して
いる。各ステムピン14は、テーパ状のハーメチックガ
ラス15によってステム13に固定されている。また、
各ステムピン14は接続すべきダイノードに至る長さを
有し、その先端は対応する各ダイノード24,25,2
7の接続端子29と抵抗溶接されている。
【0015】図2(a)に本実施例に係る電子増倍管の
側面図を、図2(b)に本実施例に係る電子増倍管の上
面図をそれぞれ示す。受光面板12に入射した光30は
下面の光電陰極21内の電子を励起して、真空中に光電
子を放出する。光電陰極21から放出された光電子は格
子状の収束電極22(図2(b)参照)によって最上層
のダイノード24上に収束され、二次増倍が行われる。
最上層のダイノード24から放出された二次電子は下層
の各ダイノード25に与えられて二次電子放出を繰り返
し、最終段のダイノード27から放出された二次電子群
がアノード26より取り出される。そして、取り出され
た二次電子群はアノード26と接続されたステムピン1
4を介して外部に出力される。
【0016】図3に電子増倍部20の側部断面図を示
す。同図より、電子増倍部20は最終段のダイノード2
7の上に、アノード26及びダイノード24,25が順
に積層された構成を有している。各ダイノード24及び
アノード26(以下、ダイノード24等という)の外縁
部の配設部位には絶縁球28が組み込まれており、絶縁
球28の突出部分によってダイノード24等の上下層は
一定の間隔が保持される。絶縁球28はダイノード24
等の外縁部に沿って複数個配置されており、さらに上下
層の絶縁球28は互いに接しているので、ダイノード2
4等の積層方向に加わった力の大部分は一連の絶縁球2
8に吸収される。このため、積層方向に力が加わっても
ダイノード24等に余分な力が加わることはない。ま
た、ダイノード24等は上部電極板24aと下部電極板
24bとが接合して構成されており、各電極板24a,
24bには湾曲する内側面を持つ電子増倍孔23が形成
されている。同様に、ダイノード25も上部電極板25
aと下部電極板25bとが接合して構成されており、各
電極板25a,25bには湾曲する内側面を持つ電子増
倍孔23が形成されている。
【0017】図4(a)(b)及び図5(c)(d)
は、本実施例の特徴部分であるダイノード24,25の
絶縁球28配設部位を示す部分断面図である。これらの
図を用いて、ダイノード24,25の製造工程について
説明する。まず図4(a)より、ダイノード24の上部
電極板24aには貫通孔24a1 が形成されており、こ
の貫通孔24a1 と対応する下部電極板24bの位置に
貫通孔24b1 が形成されている。貫通孔24a1 の側
壁は下方向に拡がるテーパ状に加工されており、貫通孔
24a1 の上部開口の径は絶縁球28の直径より小さ
く、貫通孔24a1の下部開口の径は絶縁球28の直径
より大きくなるよう調整されている。また、貫通孔24
1 の側壁は上方向に拡がるテーパ状に加工されてお
り、貫通孔24b1 の上部開口の径は絶縁球28の直径
より大きく、貫通孔24b1 の下部開口の径は絶縁球2
8の直径より小さくなるよう調整されている。このた
め、絶縁球28を下部電極板24bの貫通孔24b1
入れると、絶縁球28は貫通孔24b1 のテーパ状の側
壁に挟まれ、絶縁球28の下約1/3が貫通孔24b1
の下部開口から突出した状態で保持される。
【0018】次に、図4(b)に示すように、貫通孔2
4a1 と貫通孔24b1 を一致させて、下部電極板24
bと上部電極板24aを接合すると、絶縁球28は貫通
孔24a1 のテーパ状の側壁に挟まれ、絶縁球28の上
約1/3が貫通孔24a1 の上部開口から突出した状態
で完全に固定される。貫通孔24a1 ,24b1 の側壁
はそれぞれテーパ状に加工されているので、貫通孔24
1 と貫通孔24b1で囲まれた空間に絶縁球28を納
めるだけでテーパ状の側壁に沿って自動的に位置合せが
行われ、上部電極板24aと下部電極板24bを正確に
一致させることができる。そして、絶縁球28が貫通孔
24a1 ,24b1 内に固定された状態で、絶縁球28
周辺の上部電極板24aと下部電極板24bとを抵抗溶
接して、ダイノード24の製造が終了する。このように
してダイノード24を製造することにより、ダイノード
24と絶縁球28は一体化するので、ダイノード24か
ら絶縁球28が外れて落下することはない。
【0019】次に、図5(c)に示すように、貫通孔2
5a1 が形成された上部電極板25aと貫通孔25b1
が形成された下部電極板25bとを抵抗溶接してダイノ
ード25を製造する。貫通孔25a1 の側壁は上方向に
拡がるテーパ状に、貫通孔25b1 の側壁は下方向に拡
がるテーパ状にそれぞれ加工されており、上部電極板2
5aと下部電極板25bとは貫通孔25a1 と貫通孔2
5b1 の中心が一致するように合わせて接合されてい
る。このため、貫通孔25a1 と貫通孔25b1からな
る貫通孔の側面は両表面方向に広く中心方向に狭いテー
パ状となる。
【0020】次に、絶縁球28が組み込まれたダイノー
ド24の上にダイノード25を載せる。載せる際には、
貫通孔24a1 から突出した絶縁球28の一部が上段の
ダイノード25の貫通孔25b1 に納まるよう調整して
行う。ここで、貫通孔25b1 の下部開口の径は絶縁球
28の直径より小さいので、貫通孔25b1 のテーパ状
の側壁と絶縁球28の上面が接触し、ダイノード25は
ダイノード24と一定の間隔を有した状態で固定され
る。
【0021】さらに、図5(d)に示すように、ダイノ
ード24とダイノード25を交互に積層していく。積層
の際には、ダイノード24に組み込まれた絶縁球28の
上面及び下面が上下層のダイノード25の貫通孔25a
1 ,b1 に納まるよう調整して行う。このように調整し
て積層すれば、一連の絶縁球28の中心が同一の直線3
1上に位置することとなる。
【0022】なお、貫通孔24a1 の径、その開孔部の
大きさ、及びテーパ状の側壁の傾斜角は全ての上部電極
板24aで同一であり、貫通孔24b1 〜25b1 につ
いてもそれぞれ同一である。さらに、相対する各絶縁球
28の大きさ(直径)も全て同一である。従って、各貫
通孔24a1 〜25b1 の中心軸と絶縁球28の中心軸
とが、常に一致することになり、この結果、各ダイノー
ド24,25,27の水平方向の位置ずれがなくなり、
しかも、積層間隔も一定となる。本実施例では、直径
1.32mmの絶縁球28を用いており、上下に隣設す
るダイノード間隔は、0.25mmとなっている。この
ような構成とすることよって、ダイノード24,25,
27、アノード26及び収束電極22を容易に、しかも
正確に組み立てることができる。
【0023】また、絶縁球28の表面に沿ったダイノー
ド間沿面距離が、従来に比べて大となるので、沿面放電
を抑制することができ、この放電によるノイズを減少さ
せることができる。
【0024】本実施例では、絶縁性のスペーサとして絶
縁球28を用いたが、このような球体に限らず、図6に
示すような、絶縁性の円柱体40として形成しても良
い。この形に形成しても同様の作用・効果が得られる。
この場合には、相対するダイノード24の貫通孔24a
1 ,24b1 の形状、およびダイノード25の貫通孔2
5a1 ,25b1 の形状も、この円柱体40の側面に沿
う形(V溝状)・位置に設ければ良い。
【0025】また、本実施例では、光電陰極22を備え
た光電子増倍管として例示したが、勿論、光電陰極22
を有していない電子増倍管内に配設することも可能であ
る。
【0026】さらに、本実施例では、ダイノードに貫通
孔を形成する例を示したが、ダイノードを保持するサポ
ート板(図7参照)に貫通孔を形成しても良い。
【0027】さらにまた、本実施例のダイノード25は
上部電極板25aと下部電極板25bとから構成されて
いるが、一枚の電極板で構成されていてもよい。また、
ダイノード25の貫通孔の側壁はテーパ状に加工されて
なくてもよい。
【0028】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の電
子増倍管であれば、第1のダイノードの上部電極板と下
部電極板で挟んで球体或いは円柱体(以下球体等とい
う)を固定しているので、複数のダイノードを積層させ
る際に球体等がずれることがない。このため、各層のダ
イノードの間隔を均一に保つことができ、ダイノードの
間隔の不均一によって電子の増倍率(ゲイン)がバラつ
くといった問題は生じない。特に、従来のように複数の
ダイノードを積層させる際に球体をダイノード上に並べ
る必要がないので、製造が容易になる。
【0029】また、積層した状態で、各球体等の中心と
各貫通孔の中心とが一致することになり、各ダイノード
の水平方向の位置ずれを防止でき、これによって電子の
増倍率のバラツキも低減できる。
【0030】さらに、球体等同士を互いに当接させて構
成すれば、この球体等に積層方向の力が加わった場合に
も、この力の大部分は一連の球体等に加えられ、ダイノ
ードが変形するおそれはない。従って、各ダイノードの
間隔を一定に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例に係る電子増倍管の構造を示す斜視図
である。
【図2】本実施例に係る電子増倍管の側面図及び上面図
である。
【図3】電子増倍部の側部断面図である。
【図4】ダイノードの絶縁球配設部位を示す部分断面図
である。
【図5】ダイノードの絶縁球配設部位を示す部分断面図
である。
【図6】ダイノードと円柱体を拡大して示す斜視図であ
る。
【図7】ダイノードの間に絶縁球を介在させた、従来の
電子増倍部の構造を示す側面図である。
【符号の説明】
10…真空容器、11…金属側管、12…受光面板、1
3…ステム、14…ステムピン、15…ハーメチックガ
ラス、20…電子増倍部、21…光電陰極、22…収束
電極、23…電子増倍孔、24,25,27…ダイノー
ド、26…アノード、28…絶縁球、29…接続端子、
40…円柱体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名倉 康二 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松 ホトニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−310085(JP,A) 特開 昭60−182642(JP,A) 特開 昭55−16392(JP,A) 特開 昭62−150644(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 43/00 - 43/30

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入射した電子流を増倍する複数の第1の
    ダイノードと、 前記第1のダイノードの各々と交互に積層され、入射し
    た電子流を増倍する複数の第2のダイノードと、 前記第1のダイノードの所定位置に配設され、前記第1
    のダイノードと前記第2のダイノード間に所定の間隙を
    形成する絶縁性の球体とを備え、 前記第1のダイノードは上部電極板と下部電極板から構
    成され、前記上部電極板の下面の前記球体の配設位置と
    前記下部電極板の上面の前記配設位置に対応する位置に
    は厚さ方向に狭くなるテーパ状の貫通孔がそれぞれ形成
    されており、 前記第2のダイノードには前記球体の配設位置に対応す
    る位置に貫通孔が形成されており、 前記球体は前記第1のダイノードの両貫通孔から一部を
    突出させて前記第1のダイノードの貫通孔同士を合わせ
    た空間内に固定され、前記第1のダイノードの両貫通孔
    から突出した前記球体の一部は隣接する前記第2のダイ
    ノードの貫通孔に当接していることを特徴とする電子増
    倍管。
  2. 【請求項2】 前記第2のダイノードの貫通孔に上面側
    から当接する前記球体と下面側から当接する前記球体と
    が前記第2のダイノードの貫通孔内で互いに接している
    ことを特徴とする請求項1記載の電子増倍管。
  3. 【請求項3】 入射した電子流を増倍する複数の第1の
    ダイノードと、 前記第1のダイノードの各々と交互に積層され、入射し
    た電子流を増倍する複数の第2のダイノードと、 前記第1のダイノードの所定位置に配設され、前記第1
    のダイノードと前記第2のダイノード間に所定の間隙を
    形成する絶縁性の円柱体とを備え、 前記第1のダイノードは上部電極板と下部電極板から構
    成され、前記上部電極板の下面の前記円柱体の配設位置
    と前記下部電極板の上面の前記配設位置に対応する位置
    には厚さ方向に狭くなるV溝状の貫通溝がそれぞれ形成
    されており、 前記第2のダイノードには前記円柱体の配設位置に対応
    する位置に貫通溝が形成されており、 前記円柱体は前記第1のダイノードの両貫通溝から一部
    を突出させて前記第1のダイノードの貫通溝同士を合わ
    せた空間内にV溝の長手方向と中心軸方向を一致させて
    固定され、前記第1のダイノードの両貫通溝から突出し
    た前記円柱体の一部は隣接する前記第2のダイノードの
    貫通溝に当接していることを特徴とする電子増倍管。
  4. 【請求項4】 前記第2のダイノードの貫通溝に上面側
    から当接する前記円柱体と下面側から当接する前記円柱
    体とが前記第2のダイノードの貫通溝内で互いに接して
    いることを特徴とする請求項3記載の電子増倍管。
  5. 【請求項5】 前記電子増倍管は、光電陰極を備えた光
    電子増倍管であることを特徴とする請求項1から請求項
    4のいずれかに記載の電子増倍管。
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