JP3434576B2 - 電子増倍管 - Google Patents
電子増倍管Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層に積層されたダイ
ノードによって入射電子流、イオンを増倍する電子増倍
管に関する。
ノードによって入射電子流、イオンを増倍する電子増倍
管に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子増倍管における電子増倍部は、複数
のダイノードを所定の間隔をあけて多段に積層して構成
している。米国特許第３２２９１４３号には、間に絶縁
球を介在させ、ダイノードを多段に積層させて電子増倍
部を構成する例が開示されている。図７にこの構成の要
部を示す。各段のダイノードの端部に固定されたサポー
ト板１０１には、それぞれ貫通孔１０３が形成されてお
り、貫通孔１０３の開孔端に絶縁球１０２の一部が嵌合
する状態で、各サポート板１０１の間に介在している。
絶縁球１０２は、パイレックスガラスで形成されてお
り、貫通孔１０３の内径よりも大なる径を有し、対する
貫通孔１０３は内径が一定した円筒孔を形成している。
のダイノードを所定の間隔をあけて多段に積層して構成
している。米国特許第３２２９１４３号には、間に絶縁
球を介在させ、ダイノードを多段に積層させて電子増倍
部を構成する例が開示されている。図７にこの構成の要
部を示す。各段のダイノードの端部に固定されたサポー
ト板１０１には、それぞれ貫通孔１０３が形成されてお
り、貫通孔１０３の開孔端に絶縁球１０２の一部が嵌合
する状態で、各サポート板１０１の間に介在している。
絶縁球１０２は、パイレックスガラスで形成されてお
り、貫通孔１０３の内径よりも大なる径を有し、対する
貫通孔１０３は内径が一定した円筒孔を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の電子
増倍管の製造では、サポート板１０１に形成された貫通
孔１０３の上に絶縁球１０２を置き、その上に上層のダ
イノードのサポート板１０１を載せる工程を有する。し
かしながら、この工程の際に絶縁球１０２の位置がずれ
て、貫通孔１０３から絶縁球１０２が外れてしまうこと
があった。このような事態が起きると上下のダイノード
の間隔が不均一となり、電子の増倍率（ゲイン）にバラ
ツキが生じ問題であった。
増倍管の製造では、サポート板１０１に形成された貫通
孔１０３の上に絶縁球１０２を置き、その上に上層のダ
イノードのサポート板１０１を載せる工程を有する。し
かしながら、この工程の際に絶縁球１０２の位置がずれ
て、貫通孔１０３から絶縁球１０２が外れてしまうこと
があった。このような事態が起きると上下のダイノード
の間隔が不均一となり、電子の増倍率（ゲイン）にバラ
ツキが生じ問題であった。
【０００４】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、各段のダイノードの間隔を一定にす
ることにより、電子増倍率のバラツキの少ない電子増倍
管を提供することを目的とする。
されたものであり、各段のダイノードの間隔を一定にす
ることにより、電子増倍率のバラツキの少ない電子増倍
管を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電子増倍管は、入射した電子流を増倍する
複数の第１のダイノードと、第１のダイノードの各々と
交互に積層され、入射した電子流を増倍する複数の第２
のダイノードと、第１のダイノードの所定位置に配設さ
れ、第１のダイノードと第２のダイノード間に所定の間
隙を形成する絶縁性の球体とを備える。第１のダイノー
ドは上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板
の下面の球体の配設位置と下部電極板の上面の配設位置
に対応する位置には厚さ方向に狭くなるテーパ状の貫通
孔がそれぞれ形成されている。また、第２のダイノード
には球体の配設位置に対応する位置に貫通孔が形成され
ている。球体は第１のダイノードの両貫通孔から一部を
突出させて第１のダイノードの貫通孔同士を合わせた空
間内に固定され、第１のダイノードの両貫通孔から突出
した球体の一部は隣接する第２のダイノードの貫通孔に
当接するよう構成されている。ここで、第２のダイノー
ドの貫通孔に上面側から当接する球体と下面側から当接
する球体とが第２のダイノードの貫通孔内で互いに接し
ていてもよい。
に、本発明の電子増倍管は、入射した電子流を増倍する
複数の第１のダイノードと、第１のダイノードの各々と
交互に積層され、入射した電子流を増倍する複数の第２
のダイノードと、第１のダイノードの所定位置に配設さ
れ、第１のダイノードと第２のダイノード間に所定の間
隙を形成する絶縁性の球体とを備える。第１のダイノー
ドは上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板
の下面の球体の配設位置と下部電極板の上面の配設位置
に対応する位置には厚さ方向に狭くなるテーパ状の貫通
孔がそれぞれ形成されている。また、第２のダイノード
には球体の配設位置に対応する位置に貫通孔が形成され
ている。球体は第１のダイノードの両貫通孔から一部を
突出させて第１のダイノードの貫通孔同士を合わせた空
間内に固定され、第１のダイノードの両貫通孔から突出
した球体の一部は隣接する第２のダイノードの貫通孔に
当接するよう構成されている。ここで、第２のダイノー
ドの貫通孔に上面側から当接する球体と下面側から当接
する球体とが第２のダイノードの貫通孔内で互いに接し
ていてもよい。
【０００６】また球体の代わりに、絶縁性の円柱体を備
えて構成されていてもよい。すなわち、第１のダイノー
ドは上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板
の下面の円柱体の配設位置と下部電極板の上面の配設位
置に対応する位置には厚さ方向に狭くなるＶ溝状の貫通
溝がそれぞれ形成されている。また、第２のダイノード
には円柱体の配設位置に対応する位置に貫通溝が形成さ
れている。円柱体は第１のダイノードの両貫通溝から一
部を突出させて第１のダイノードの貫通溝同士を合わせ
た空間内にＶ溝の長手方向と中心軸方向を一致させて固
定され、第１のダイノードの両貫通溝から突出した円柱
体の一部は隣接する第２のダイノードの貫通溝に当接す
るように構成されている。ここで、第２のダイノードの
貫通溝に上面側から当接する円柱体と下面側から当接す
る円柱体とが第２のダイノードの貫通溝内で互いに接し
ていてもよい。
えて構成されていてもよい。すなわち、第１のダイノー
ドは上部電極板と下部電極板から構成され、上部電極板
の下面の円柱体の配設位置と下部電極板の上面の配設位
置に対応する位置には厚さ方向に狭くなるＶ溝状の貫通
溝がそれぞれ形成されている。また、第２のダイノード
には円柱体の配設位置に対応する位置に貫通溝が形成さ
れている。円柱体は第１のダイノードの両貫通溝から一
部を突出させて第１のダイノードの貫通溝同士を合わせ
た空間内にＶ溝の長手方向と中心軸方向を一致させて固
定され、第１のダイノードの両貫通溝から突出した円柱
体の一部は隣接する第２のダイノードの貫通溝に当接す
るように構成されている。ここで、第２のダイノードの
貫通溝に上面側から当接する円柱体と下面側から当接す
る円柱体とが第２のダイノードの貫通溝内で互いに接し
ていてもよい。
【０００７】なお、いずれの電子増倍管も、内部に光電
陰極を備えた光電子増倍管として構成することもでき
る。
陰極を備えた光電子増倍管として構成することもでき
る。
【０００８】
【作用】本発明の第１の電子増倍管によれば、第１のダ
イノードの上部電極板と下部電極板で挟んで球体を固定
しているので、第１のダイノードと第２のダイノードと
を交互に積層させる際に球体が貫通孔から外れることが
ない。このため、各層のダイノードの間隔を均一に保つ
ことができ、ダイノードの間隔の不均一によって電子の
増倍率（ゲイン）がバラつくといった問題は生じない。
特に、従来のように複数のダイノードを積層させる際に
球体をダイノード上に並べる必要がないので、製造が容
易になる。
イノードの上部電極板と下部電極板で挟んで球体を固定
しているので、第１のダイノードと第２のダイノードと
を交互に積層させる際に球体が貫通孔から外れることが
ない。このため、各層のダイノードの間隔を均一に保つ
ことができ、ダイノードの間隔の不均一によって電子の
増倍率（ゲイン）がバラつくといった問題は生じない。
特に、従来のように複数のダイノードを積層させる際に
球体をダイノード上に並べる必要がないので、製造が容
易になる。
【０００９】また、本発明は第１のダイノードの両貫通
孔から突出した球体の一部が隣接する第２のダイノード
の貫通孔に当接するように構成されているので、上下に
連続する各球体の中心と貫通孔の中心とが一致し、各段
のダイノードの水平方向の位置合わせが行われることに
なる。
孔から突出した球体の一部が隣接する第２のダイノード
の貫通孔に当接するように構成されているので、上下に
連続する各球体の中心と貫通孔の中心とが一致し、各段
のダイノードの水平方向の位置合わせが行われることに
なる。
【００１０】さらに、第２のダイノード内で球体同士を
互いに当接させれば、ダイノードの積層方向に加わった
力の大部分は一連の球体に加えられ、ダイノードに余分
な応力が加わることはない。
互いに当接させれば、ダイノードの積層方向に加わった
力の大部分は一連の球体に加えられ、ダイノードに余分
な応力が加わることはない。
【００１１】また、本発明の第２の電子増倍管は、球体
に変えて絶縁性の円柱体を用いたものであり、第１の電
子増倍管と実質的に同様な作用を奏するものである。
に変えて絶縁性の円柱体を用いたものであり、第１の電
子増倍管と実質的に同様な作用を奏するものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例について添付図面を
参照して説明する。図１は、本実施例に係る電子増倍管
の構造を示す斜視図である。同図より、本実施例の電子
増倍管は、円柱形状の真空容器１０の内部に入射電子流
を増倍する電子増倍部２０が配設された構成を有してい
る。真空容器１０は、円筒形の金属側管１１と、金属側
管１１の一端に設けられた円形の受光面板１２と、金属
側管１１の他端に設けられた基台部を構成する円形のス
テム１３とから構成されている。受光面板１２の下面に
は光電陰極２１が設けられ、この光電陰極２１と電子増
倍部２０との間には収束電極２２が配設されている。
参照して説明する。図１は、本実施例に係る電子増倍管
の構造を示す斜視図である。同図より、本実施例の電子
増倍管は、円柱形状の真空容器１０の内部に入射電子流
を増倍する電子増倍部２０が配設された構成を有してい
る。真空容器１０は、円筒形の金属側管１１と、金属側
管１１の一端に設けられた円形の受光面板１２と、金属
側管１１の他端に設けられた基台部を構成する円形のス
テム１３とから構成されている。受光面板１２の下面に
は光電陰極２１が設けられ、この光電陰極２１と電子増
倍部２０との間には収束電極２２が配設されている。
【００１３】電子増倍部２０は、多数の電子増倍孔２３
を有するダイノード２４，２５を交互に積層して構成さ
れており、これらの積層したダイノード２４，２５の下
部には、アノード２６と、最終段のダイノード２７とが
順に配設されている。そして、各ダイノード２４とアノ
ード２６にはセラミック製の絶縁球２８が組み込まれて
いる。
を有するダイノード２４，２５を交互に積層して構成さ
れており、これらの積層したダイノード２４，２５の下
部には、アノード２６と、最終段のダイノード２７とが
順に配設されている。そして、各ダイノード２４とアノ
ード２６にはセラミック製の絶縁球２８が組み込まれて
いる。
【００１４】基台部となるステム１３は、外部の電圧端
子と接続され、各ダイノード２４，２５，２７などに所
定の電圧を与える計１２本のステムピン１４が貫通して
いる。各ステムピン１４は、テーパ状のハーメチックガ
ラス１５によってステム１３に固定されている。また、
各ステムピン１４は接続すべきダイノードに至る長さを
有し、その先端は対応する各ダイノード２４，２５，２
７の接続端子２９と抵抗溶接されている。
子と接続され、各ダイノード２４，２５，２７などに所
定の電圧を与える計１２本のステムピン１４が貫通して
いる。各ステムピン１４は、テーパ状のハーメチックガ
ラス１５によってステム１３に固定されている。また、
各ステムピン１４は接続すべきダイノードに至る長さを
有し、その先端は対応する各ダイノード２４，２５，２
７の接続端子２９と抵抗溶接されている。
【００１５】図２（ａ）に本実施例に係る電子増倍管の
側面図を、図２（ｂ）に本実施例に係る電子増倍管の上
面図をそれぞれ示す。受光面板１２に入射した光３０は
下面の光電陰極２１内の電子を励起して、真空中に光電
子を放出する。光電陰極２１から放出された光電子は格
子状の収束電極２２（図２（ｂ）参照）によって最上層
のダイノード２４上に収束され、二次増倍が行われる。
最上層のダイノード２４から放出された二次電子は下層
の各ダイノード２５に与えられて二次電子放出を繰り返
し、最終段のダイノード２７から放出された二次電子群
がアノード２６より取り出される。そして、取り出され
た二次電子群はアノード２６と接続されたステムピン１
４を介して外部に出力される。
側面図を、図２（ｂ）に本実施例に係る電子増倍管の上
面図をそれぞれ示す。受光面板１２に入射した光３０は
下面の光電陰極２１内の電子を励起して、真空中に光電
子を放出する。光電陰極２１から放出された光電子は格
子状の収束電極２２（図２（ｂ）参照）によって最上層
のダイノード２４上に収束され、二次増倍が行われる。
最上層のダイノード２４から放出された二次電子は下層
の各ダイノード２５に与えられて二次電子放出を繰り返
し、最終段のダイノード２７から放出された二次電子群
がアノード２６より取り出される。そして、取り出され
た二次電子群はアノード２６と接続されたステムピン１
４を介して外部に出力される。
【００１６】図３に電子増倍部２０の側部断面図を示
す。同図より、電子増倍部２０は最終段のダイノード２
７の上に、アノード２６及びダイノード２４，２５が順
に積層された構成を有している。各ダイノード２４及び
アノード２６（以下、ダイノード２４等という）の外縁
部の配設部位には絶縁球２８が組み込まれており、絶縁
球２８の突出部分によってダイノード２４等の上下層は
一定の間隔が保持される。絶縁球２８はダイノード２４
等の外縁部に沿って複数個配置されており、さらに上下
層の絶縁球２８は互いに接しているので、ダイノード２
４等の積層方向に加わった力の大部分は一連の絶縁球２
８に吸収される。このため、積層方向に力が加わっても
ダイノード２４等に余分な力が加わることはない。ま
た、ダイノード２４等は上部電極板２４ａと下部電極板
２４ｂとが接合して構成されており、各電極板２４ａ，
２４ｂには湾曲する内側面を持つ電子増倍孔２３が形成
されている。同様に、ダイノード２５も上部電極板２５
ａと下部電極板２５ｂとが接合して構成されており、各
電極板２５ａ，２５ｂには湾曲する内側面を持つ電子増
倍孔２３が形成されている。
す。同図より、電子増倍部２０は最終段のダイノード２
７の上に、アノード２６及びダイノード２４，２５が順
に積層された構成を有している。各ダイノード２４及び
アノード２６（以下、ダイノード２４等という）の外縁
部の配設部位には絶縁球２８が組み込まれており、絶縁
球２８の突出部分によってダイノード２４等の上下層は
一定の間隔が保持される。絶縁球２８はダイノード２４
等の外縁部に沿って複数個配置されており、さらに上下
層の絶縁球２８は互いに接しているので、ダイノード２
４等の積層方向に加わった力の大部分は一連の絶縁球２
８に吸収される。このため、積層方向に力が加わっても
ダイノード２４等に余分な力が加わることはない。ま
た、ダイノード２４等は上部電極板２４ａと下部電極板
２４ｂとが接合して構成されており、各電極板２４ａ，
２４ｂには湾曲する内側面を持つ電子増倍孔２３が形成
されている。同様に、ダイノード２５も上部電極板２５
ａと下部電極板２５ｂとが接合して構成されており、各
電極板２５ａ，２５ｂには湾曲する内側面を持つ電子増
倍孔２３が形成されている。
【００１７】図４（ａ）（ｂ）及び図５（ｃ）（ｄ）
は、本実施例の特徴部分であるダイノード２４，２５の
絶縁球２８配設部位を示す部分断面図である。これらの
図を用いて、ダイノード２４，２５の製造工程について
説明する。まず図４（ａ）より、ダイノード２４の上部
電極板２４ａには貫通孔２４ａ1 が形成されており、こ
の貫通孔２４ａ1 と対応する下部電極板２４ｂの位置に
貫通孔２４ｂ1 が形成されている。貫通孔２４ａ1 の側
壁は下方向に拡がるテーパ状に加工されており、貫通孔
２４ａ1 の上部開口の径は絶縁球２８の直径より小さ
く、貫通孔２４ａ1の下部開口の径は絶縁球２８の直径
より大きくなるよう調整されている。また、貫通孔２４
ｂ1 の側壁は上方向に拡がるテーパ状に加工されてお
り、貫通孔２４ｂ1 の上部開口の径は絶縁球２８の直径
より大きく、貫通孔２４ｂ1 の下部開口の径は絶縁球２
８の直径より小さくなるよう調整されている。このた
め、絶縁球２８を下部電極板２４ｂの貫通孔２４ｂ1 に
入れると、絶縁球２８は貫通孔２４ｂ1 のテーパ状の側
壁に挟まれ、絶縁球２８の下約１／３が貫通孔２４ｂ1
の下部開口から突出した状態で保持される。
は、本実施例の特徴部分であるダイノード２４，２５の
絶縁球２８配設部位を示す部分断面図である。これらの
図を用いて、ダイノード２４，２５の製造工程について
説明する。まず図４（ａ）より、ダイノード２４の上部
電極板２４ａには貫通孔２４ａ1 が形成されており、こ
の貫通孔２４ａ1 と対応する下部電極板２４ｂの位置に
貫通孔２４ｂ1 が形成されている。貫通孔２４ａ1 の側
壁は下方向に拡がるテーパ状に加工されており、貫通孔
２４ａ1 の上部開口の径は絶縁球２８の直径より小さ
く、貫通孔２４ａ1の下部開口の径は絶縁球２８の直径
より大きくなるよう調整されている。また、貫通孔２４
ｂ1 の側壁は上方向に拡がるテーパ状に加工されてお
り、貫通孔２４ｂ1 の上部開口の径は絶縁球２８の直径
より大きく、貫通孔２４ｂ1 の下部開口の径は絶縁球２
８の直径より小さくなるよう調整されている。このた
め、絶縁球２８を下部電極板２４ｂの貫通孔２４ｂ1 に
入れると、絶縁球２８は貫通孔２４ｂ1 のテーパ状の側
壁に挟まれ、絶縁球２８の下約１／３が貫通孔２４ｂ1
の下部開口から突出した状態で保持される。
【００１８】次に、図４（ｂ）に示すように、貫通孔２
４ａ1 と貫通孔２４ｂ1 を一致させて、下部電極板２４
ｂと上部電極板２４ａを接合すると、絶縁球２８は貫通
孔２４ａ1 のテーパ状の側壁に挟まれ、絶縁球２８の上
約１／３が貫通孔２４ａ1 の上部開口から突出した状態
で完全に固定される。貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ1 の側壁
はそれぞれテーパ状に加工されているので、貫通孔２４
ａ1 と貫通孔２４ｂ1で囲まれた空間に絶縁球２８を納
めるだけでテーパ状の側壁に沿って自動的に位置合せが
行われ、上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂを正確に
一致させることができる。そして、絶縁球２８が貫通孔
２４ａ1 ，２４ｂ1 内に固定された状態で、絶縁球２８
周辺の上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂとを抵抗溶
接して、ダイノード２４の製造が終了する。このように
してダイノード２４を製造することにより、ダイノード
２４と絶縁球２８は一体化するので、ダイノード２４か
ら絶縁球２８が外れて落下することはない。
４ａ1 と貫通孔２４ｂ1 を一致させて、下部電極板２４
ｂと上部電極板２４ａを接合すると、絶縁球２８は貫通
孔２４ａ1 のテーパ状の側壁に挟まれ、絶縁球２８の上
約１／３が貫通孔２４ａ1 の上部開口から突出した状態
で完全に固定される。貫通孔２４ａ1 ，２４ｂ1 の側壁
はそれぞれテーパ状に加工されているので、貫通孔２４
ａ1 と貫通孔２４ｂ1で囲まれた空間に絶縁球２８を納
めるだけでテーパ状の側壁に沿って自動的に位置合せが
行われ、上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂを正確に
一致させることができる。そして、絶縁球２８が貫通孔
２４ａ1 ，２４ｂ1 内に固定された状態で、絶縁球２８
周辺の上部電極板２４ａと下部電極板２４ｂとを抵抗溶
接して、ダイノード２４の製造が終了する。このように
してダイノード２４を製造することにより、ダイノード
２４と絶縁球２８は一体化するので、ダイノード２４か
ら絶縁球２８が外れて落下することはない。
【００１９】次に、図５（ｃ）に示すように、貫通孔２
５ａ1 が形成された上部電極板２５ａと貫通孔２５ｂ1
が形成された下部電極板２５ｂとを抵抗溶接してダイノ
ード２５を製造する。貫通孔２５ａ1 の側壁は上方向に
拡がるテーパ状に、貫通孔２５ｂ1 の側壁は下方向に拡
がるテーパ状にそれぞれ加工されており、上部電極板２
５ａと下部電極板２５ｂとは貫通孔２５ａ1 と貫通孔２
５ｂ1 の中心が一致するように合わせて接合されてい
る。このため、貫通孔２５ａ1 と貫通孔２５ｂ1からな
る貫通孔の側面は両表面方向に広く中心方向に狭いテー
パ状となる。
５ａ1 が形成された上部電極板２５ａと貫通孔２５ｂ1
が形成された下部電極板２５ｂとを抵抗溶接してダイノ
ード２５を製造する。貫通孔２５ａ1 の側壁は上方向に
拡がるテーパ状に、貫通孔２５ｂ1 の側壁は下方向に拡
がるテーパ状にそれぞれ加工されており、上部電極板２
５ａと下部電極板２５ｂとは貫通孔２５ａ1 と貫通孔２
５ｂ1 の中心が一致するように合わせて接合されてい
る。このため、貫通孔２５ａ1 と貫通孔２５ｂ1からな
る貫通孔の側面は両表面方向に広く中心方向に狭いテー
パ状となる。
【００２０】次に、絶縁球２８が組み込まれたダイノー
ド２４の上にダイノード２５を載せる。載せる際には、
貫通孔２４ａ1 から突出した絶縁球２８の一部が上段の
ダイノード２５の貫通孔２５ｂ1 に納まるよう調整して
行う。ここで、貫通孔２５ｂ1 の下部開口の径は絶縁球
２８の直径より小さいので、貫通孔２５ｂ1 のテーパ状
の側壁と絶縁球２８の上面が接触し、ダイノード２５は
ダイノード２４と一定の間隔を有した状態で固定され
る。
ド２４の上にダイノード２５を載せる。載せる際には、
貫通孔２４ａ1 から突出した絶縁球２８の一部が上段の
ダイノード２５の貫通孔２５ｂ1 に納まるよう調整して
行う。ここで、貫通孔２５ｂ1 の下部開口の径は絶縁球
２８の直径より小さいので、貫通孔２５ｂ1 のテーパ状
の側壁と絶縁球２８の上面が接触し、ダイノード２５は
ダイノード２４と一定の間隔を有した状態で固定され
る。
【００２１】さらに、図５（ｄ）に示すように、ダイノ
ード２４とダイノード２５を交互に積層していく。積層
の際には、ダイノード２４に組み込まれた絶縁球２８の
上面及び下面が上下層のダイノード２５の貫通孔２５ａ
1 ，ｂ1 に納まるよう調整して行う。このように調整し
て積層すれば、一連の絶縁球２８の中心が同一の直線３
１上に位置することとなる。
ード２４とダイノード２５を交互に積層していく。積層
の際には、ダイノード２４に組み込まれた絶縁球２８の
上面及び下面が上下層のダイノード２５の貫通孔２５ａ
1 ，ｂ1 に納まるよう調整して行う。このように調整し
て積層すれば、一連の絶縁球２８の中心が同一の直線３
１上に位置することとなる。
【００２２】なお、貫通孔２４ａ1 の径、その開孔部の
大きさ、及びテーパ状の側壁の傾斜角は全ての上部電極
板２４ａで同一であり、貫通孔２４ｂ1 〜２５ｂ1 につ
いてもそれぞれ同一である。さらに、相対する各絶縁球
２８の大きさ（直径）も全て同一である。従って、各貫
通孔２４ａ1 〜２５ｂ1 の中心軸と絶縁球２８の中心軸
とが、常に一致することになり、この結果、各ダイノー
ド２４，２５，２７の水平方向の位置ずれがなくなり、
しかも、積層間隔も一定となる。本実施例では、直径
１．３２ｍｍの絶縁球２８を用いており、上下に隣設す
るダイノード間隔は、０．２５ｍｍとなっている。この
ような構成とすることよって、ダイノード２４，２５，
２７、アノード２６及び収束電極２２を容易に、しかも
正確に組み立てることができる。
大きさ、及びテーパ状の側壁の傾斜角は全ての上部電極
板２４ａで同一であり、貫通孔２４ｂ1 〜２５ｂ1 につ
いてもそれぞれ同一である。さらに、相対する各絶縁球
２８の大きさ（直径）も全て同一である。従って、各貫
通孔２４ａ1 〜２５ｂ1 の中心軸と絶縁球２８の中心軸
とが、常に一致することになり、この結果、各ダイノー
ド２４，２５，２７の水平方向の位置ずれがなくなり、
しかも、積層間隔も一定となる。本実施例では、直径
１．３２ｍｍの絶縁球２８を用いており、上下に隣設す
るダイノード間隔は、０．２５ｍｍとなっている。この
ような構成とすることよって、ダイノード２４，２５，
２７、アノード２６及び収束電極２２を容易に、しかも
正確に組み立てることができる。
【００２３】また、絶縁球２８の表面に沿ったダイノー
ド間沿面距離が、従来に比べて大となるので、沿面放電
を抑制することができ、この放電によるノイズを減少さ
せることができる。
ド間沿面距離が、従来に比べて大となるので、沿面放電
を抑制することができ、この放電によるノイズを減少さ
せることができる。
【００２４】本実施例では、絶縁性のスペーサとして絶
縁球２８を用いたが、このような球体に限らず、図６に
示すような、絶縁性の円柱体４０として形成しても良
い。この形に形成しても同様の作用・効果が得られる。
この場合には、相対するダイノード２４の貫通孔２４ａ
1 ，２４ｂ1 の形状、およびダイノード２５の貫通孔２
５ａ1 ，２５ｂ1 の形状も、この円柱体４０の側面に沿
う形（Ｖ溝状）・位置に設ければ良い。
縁球２８を用いたが、このような球体に限らず、図６に
示すような、絶縁性の円柱体４０として形成しても良
い。この形に形成しても同様の作用・効果が得られる。
この場合には、相対するダイノード２４の貫通孔２４ａ
1 ，２４ｂ1 の形状、およびダイノード２５の貫通孔２
５ａ1 ，２５ｂ1 の形状も、この円柱体４０の側面に沿
う形（Ｖ溝状）・位置に設ければ良い。
【００２５】また、本実施例では、光電陰極２２を備え
た光電子増倍管として例示したが、勿論、光電陰極２２
を有していない電子増倍管内に配設することも可能であ
る。
た光電子増倍管として例示したが、勿論、光電陰極２２
を有していない電子増倍管内に配設することも可能であ
る。
【００２６】さらに、本実施例では、ダイノードに貫通
孔を形成する例を示したが、ダイノードを保持するサポ
ート板（図７参照）に貫通孔を形成しても良い。
孔を形成する例を示したが、ダイノードを保持するサポ
ート板（図７参照）に貫通孔を形成しても良い。
【００２７】さらにまた、本実施例のダイノード２５は
上部電極板２５ａと下部電極板２５ｂとから構成されて
いるが、一枚の電極板で構成されていてもよい。また、
ダイノード２５の貫通孔の側壁はテーパ状に加工されて
なくてもよい。
上部電極板２５ａと下部電極板２５ｂとから構成されて
いるが、一枚の電極板で構成されていてもよい。また、
ダイノード２５の貫通孔の側壁はテーパ状に加工されて
なくてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の電
子増倍管であれば、第１のダイノードの上部電極板と下
部電極板で挟んで球体或いは円柱体（以下球体等とい
う）を固定しているので、複数のダイノードを積層させ
る際に球体等がずれることがない。このため、各層のダ
イノードの間隔を均一に保つことができ、ダイノードの
間隔の不均一によって電子の増倍率（ゲイン）がバラつ
くといった問題は生じない。特に、従来のように複数の
ダイノードを積層させる際に球体をダイノード上に並べ
る必要がないので、製造が容易になる。
子増倍管であれば、第１のダイノードの上部電極板と下
部電極板で挟んで球体或いは円柱体（以下球体等とい
う）を固定しているので、複数のダイノードを積層させ
る際に球体等がずれることがない。このため、各層のダ
イノードの間隔を均一に保つことができ、ダイノードの
間隔の不均一によって電子の増倍率（ゲイン）がバラつ
くといった問題は生じない。特に、従来のように複数の
ダイノードを積層させる際に球体をダイノード上に並べ
る必要がないので、製造が容易になる。
【００２９】また、積層した状態で、各球体等の中心と
各貫通孔の中心とが一致することになり、各ダイノード
の水平方向の位置ずれを防止でき、これによって電子の
増倍率のバラツキも低減できる。
各貫通孔の中心とが一致することになり、各ダイノード
の水平方向の位置ずれを防止でき、これによって電子の
増倍率のバラツキも低減できる。
【００３０】さらに、球体等同士を互いに当接させて構
成すれば、この球体等に積層方向の力が加わった場合に
も、この力の大部分は一連の球体等に加えられ、ダイノ
ードが変形するおそれはない。従って、各ダイノードの
間隔を一定に保つことができる。
成すれば、この球体等に積層方向の力が加わった場合に
も、この力の大部分は一連の球体等に加えられ、ダイノ
ードが変形するおそれはない。従って、各ダイノードの
間隔を一定に保つことができる。
【図１】本実施例に係る電子増倍管の構造を示す斜視図
である。
である。
【図２】本実施例に係る電子増倍管の側面図及び上面図
である。
である。
【図３】電子増倍部の側部断面図である。
【図４】ダイノードの絶縁球配設部位を示す部分断面図
である。
である。
【図５】ダイノードの絶縁球配設部位を示す部分断面図
である。
である。
【図６】ダイノードと円柱体を拡大して示す斜視図であ
る。
る。
【図７】ダイノードの間に絶縁球を介在させた、従来の
電子増倍部の構造を示す側面図である。
電子増倍部の構造を示す側面図である。
１０…真空容器、１１…金属側管、１２…受光面板、１
３…ステム、１４…ステムピン、１５…ハーメチックガ
ラス、２０…電子増倍部、２１…光電陰極、２２…収束
電極、２３…電子増倍孔、２４，２５，２７…ダイノー
ド、２６…アノード、２８…絶縁球、２９…接続端子、
４０…円柱体。
３…ステム、１４…ステムピン、１５…ハーメチックガ
ラス、２０…電子増倍部、２１…光電陰極、２２…収束
電極、２３…電子増倍孔、２４，２５，２７…ダイノー
ド、２６…アノード、２８…絶縁球、２９…接続端子、
４０…円柱体。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 名倉 康二
静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松
ホトニクス株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−310085（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−182642（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−16392（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−150644（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 43/00 - 43/30
Claims (5)
- 【請求項１】 入射した電子流を増倍する複数の第１の
ダイノードと、 前記第１のダイノードの各々と交互に積層され、入射し
た電子流を増倍する複数の第２のダイノードと、 前記第１のダイノードの所定位置に配設され、前記第１
のダイノードと前記第２のダイノード間に所定の間隙を
形成する絶縁性の球体とを備え、 前記第１のダイノードは上部電極板と下部電極板から構
成され、前記上部電極板の下面の前記球体の配設位置と
前記下部電極板の上面の前記配設位置に対応する位置に
は厚さ方向に狭くなるテーパ状の貫通孔がそれぞれ形成
されており、 前記第２のダイノードには前記球体の配設位置に対応す
る位置に貫通孔が形成されており、 前記球体は前記第１のダイノードの両貫通孔から一部を
突出させて前記第１のダイノードの貫通孔同士を合わせ
た空間内に固定され、前記第１のダイノードの両貫通孔
から突出した前記球体の一部は隣接する前記第２のダイ
ノードの貫通孔に当接していることを特徴とする電子増
倍管。 - 【請求項２】 前記第２のダイノードの貫通孔に上面側
から当接する前記球体と下面側から当接する前記球体と
が前記第２のダイノードの貫通孔内で互いに接している
ことを特徴とする請求項１記載の電子増倍管。 - 【請求項３】 入射した電子流を増倍する複数の第１の
ダイノードと、 前記第１のダイノードの各々と交互に積層され、入射し
た電子流を増倍する複数の第２のダイノードと、 前記第１のダイノードの所定位置に配設され、前記第１
のダイノードと前記第２のダイノード間に所定の間隙を
形成する絶縁性の円柱体とを備え、 前記第１のダイノードは上部電極板と下部電極板から構
成され、前記上部電極板の下面の前記円柱体の配設位置
と前記下部電極板の上面の前記配設位置に対応する位置
には厚さ方向に狭くなるＶ溝状の貫通溝がそれぞれ形成
されており、 前記第２のダイノードには前記円柱体の配設位置に対応
する位置に貫通溝が形成されており、 前記円柱体は前記第１のダイノードの両貫通溝から一部
を突出させて前記第１のダイノードの貫通溝同士を合わ
せた空間内にＶ溝の長手方向と中心軸方向を一致させて
固定され、前記第１のダイノードの両貫通溝から突出し
た前記円柱体の一部は隣接する前記第２のダイノードの
貫通溝に当接していることを特徴とする電子増倍管。 - 【請求項４】 前記第２のダイノードの貫通溝に上面側
から当接する前記円柱体と下面側から当接する前記円柱
体とが前記第２のダイノードの貫通溝内で互いに接して
いることを特徴とする請求項３記載の電子増倍管。 - 【請求項５】 前記電子増倍管は、光電陰極を備えた光
電子増倍管であることを特徴とする請求項１から請求項
４のいずれかに記載の電子増倍管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13762794A JP3434576B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 電子増倍管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13762794A JP3434576B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 電子増倍管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087825A JPH087825A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3434576B2 true JP3434576B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=15203086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13762794A Expired - Fee Related JP3434576B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 電子増倍管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3434576B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4108905B2 (ja) | 2000-06-19 | 2008-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | ダイノードの製造方法及び構造 |
| JP2005011592A (ja) | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子増倍管 |
| JP4849521B2 (ja) | 2006-02-28 | 2012-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| JP4804173B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| JP4804172B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
| JP4711420B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| JP4921248B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2012-04-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
| WO2014146673A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Cern - European Organization For Nuclear Research | A wall-less electron multiplier assembly |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13762794A patent/JP3434576B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH087825A (ja) | 1996-01-12 |
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