JP2001283766A - 電子増倍管及び光電子増倍管 - Google Patents
電子増倍管及び光電子増倍管Info
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Abstract
子増倍管及び光電子増倍管を提供すること。 【解決手段】 ダイノード8には8列のチャンネル15
が形成されており、各チャンネル15はダイノード8の
外枠16と仕切部17とで作り出されている。各チャン
ネル15には、電子増倍孔14が複数配列されている。
ダイノード8の外枠16及び仕切部17の所定の位置に
は、外枠16及び仕切部17に比して幅広に形成された
ガラス受け部21がダイノード8と一体に設けられてい
る。これらのガラス受け部21の全てには、ガラス部2
2が接合されている。ガラス部22は、ガラス受け部2
1にガラスを塗布して硬化させることにより接合されて
おり、上向きに凸とされた略半球状のドーム形状を呈し
ている。各ダイノード8は、ガラス受け部21にドーム
状に形成されたガラス部22が接合された後に積層され
る。
Description
段に積層して形成された電子増倍部を備えた、電子増倍
管及び光電子増倍管に関する。
して、たとえば特公昭56−1741号公報に開示され
たようなものが知られている。この特公昭56−174
1号公報に開示された光電子増倍管は、入射された電子
を増倍する複数の電子増倍孔が配列された複数の金属プ
レート(ダイノード)を有している。この金属プレート
の出力側、あるいは、入力側の全面には、ガラス層が形
成されており、金属プレートは形成されたガラス層を介
して積層されている。
た構成の光電子増倍管にあっては、金属プレート(ダイ
ノード)の出力側、あるいは、入力側の全面にガラス層
が形成されているので、金属プレートとガラス層との熱
膨張係数の違いにより、金属プレートに反りが発生して
積層することが困難であるという問題点を有しているこ
とが判明した。
で、ダイノードを容易に積層することが可能な電子増倍
管及び光電子増倍管を提供することを目的とする。
は、入射された電子を増倍する複数の電子増倍孔が配列
されたダイノードを複数段に積層して形成された電子増
倍部を備えた光電子増倍管であって、ダイノードの所定
の位置には、ドーム状に形成されたガラス部が接合され
ており、ガラス部を介してダイノードが積層されている
ことを特徴としている。
の所定の位置にはドーム状に形成されたガラス部が接合
されており、ガラス部を介してダイノードが積層されて
いるので、ダイノードの一部にガラス部が接合されるこ
とになり、ダイノードとガラス部との接合面積が少な
い。この結果、ダイノードの反りの発生を抑制すること
ができ、ダイノードを容易に積層することができる。
る仕切部が設けられ、仕切部にガラス部が接合されてい
ることが好ましい。このように、ダイノードに電子増倍
孔を仕切る仕切部が設けられ、仕切部にガラス部が接合
されることにより、電子増倍孔が配列された部分の面
積、すなわち有感受光面積の減少を抑制した上で、ダイ
ノードにガラス部を接合することができる。
る仕切部が設けられ、仕切部の一部には、仕切部に比し
て幅広に形成されたガラス受け部が設けられており、所
定の位置として、ガラス受け部の全てにガラス部が接合
されていることが好ましい。ガラス部が接合されるガラ
ス受け部を設ける場合に、電子増倍孔が配列された部分
の面積が減少することになるが、上述したように、仕切
部の一部に、この仕切部に比して幅広に形成されたガラ
ス受け部を設けることにより、電子増倍孔が配列された
部分の面積、すなわち有感受光面積の減少を極力抑制す
ることができる。また、ガラス受け部が幅広に形成され
ていることにより、このガラス受け部に接合されるガラ
ス部の高さを高く設定することが可能となり、積層され
たダイノードの間隙を確保することができると共に、ガ
ラス部のガラス受け部への接合作業も容易に行うことが
できる。
る仕切部が設けられ、仕切部の一部には、仕切部に比し
て幅広に形成されたガラス受け部が設けられており、所
定の位置として、ガラス受け部のうちの一部にガラス部
が接合されていることが好ましい。ガラス部が接合され
るガラス受け部を設ける場合に、電子増倍孔が配列され
た部分の面積が減少することになるが、上述したよう
に、仕切部の一部に、この仕切部に比して幅広に形成さ
れたガラス受け部を設けることにより、電子増倍孔が配
列された部分の面積、すなわち有感受光面積の減少を極
力抑制することができる。また、ガラス受け部が幅広に
形成されていることにより、このガラス受け部に接合さ
れるガラス部の高さを高く設定することが可能となり、
積層されたダイノードの間隙を確保することができると
共に、ガラス部のガラス受け部への接合作業も容易に行
うことができる。更に、ガラス受け部のうちの一部にガ
ラス部が接合されるので、ダイノードとガラス部との接
合面積をより一層低減することができ、ダイノードの反
りの発生をより確実に抑制することができる。
ている部分の一部には、ガラス受け部が設けられてお
り、所定の位置として、ガラス受け部にガラス部が接合
されていることが好ましい。ガラス部が接合されるガラ
ス受け部を設ける場合に、電子増倍孔が配列された部分
の面積が減少することになるが、上述したように、ダイ
ノードの電子増倍孔が配列されている部分の一部にガラ
ス受け部を設けることにより、電子増倍孔が配列された
部分の面積、すなわち有感受光面積の減少をより一層抑
制することができる。
とが好ましい。ガラス部における沿面放電は、ダイノー
ドと、ガラス部との境界部分から始まった放電がガラス
部の表面を伝わり積層されたダイノードに達することに
より発生する。上述したように、ガラス部の表面が荒ら
されることにより、ガラス部の表面における沿面放電距
離が長くなり、ガラス部を介したダイノード間の放電の
発生を抑制し、この放電に起因するノイズの発生を低減
することができる。
は、ガラス部の平面外形面積よりも小さいことが好まし
い。このように、ガラス部とダイノードとの接合面積が
ガラス部の平面外形面積よりも小さいことにより、ダイ
ノード間の電界強度が低下して放電開始電圧が高くな
り、ガラス部を介したダイノード間の放電の発生をより
一層抑制し、この放電に起因するノイズの発生を確実に
低減することができる。
請求項7のいずれか一項に記載の電子増倍管において、
光電面を更に備えたことを特徴としている。
ドとガラス部との接合面積が少なくなり、ダイノードの
反りの発生を抑制することができ、ダイノードを容易に
積層することができる。
による電子増倍管及び光電子増倍管の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。なお、各図において同一要素に
は同一符号を付して説明を省略する。本実施形態は、本
発明を放射線検出装置等に用いられる光電子増倍管に適
用した例を示している。
を示す斜視図であり、図2は、図1のII−II線に沿う断
面図である。これらの図面に示す光電子増倍管1は、略
正四角筒形状の金属製(たとえば、コバール金属製やス
テンレス製)の側管2を有し、この側管2の一側の開口
端Aには、ガラス製(たとえば、コバールガラス製や石
英ガラス製)の受光面板3が融着固定されている。この
受光面板3の内表面には、光を電子に変換する光電面3
aが形成され、この光電面3aは、受光面板3に予め蒸
着させておいたアンチモンにアルカリ金属を反応させる
ことで形成される。また、側管2の開口端Bには、金属
製(たとえば、コバール金属製やステンレス製)のステ
ム板4が溶接固定されている。このように、側管2と受
光面板3とステム板4とによって密封容器5が構成さ
れ、この密封容器5は、高さが10mm程度の極薄タイ
プのものである。なお、受光面板3の形状は、正方形に
限定されるものでは無く、長方形や六角形等の多角形で
あってもよい。
管6が固定されている。この排気管6は、光電子増倍管
1の組立て作業終了後、密封容器5の内部を真空ポンプ
(図示せず)によって排気して真空状態にするのに利用
されると共に、光電面3aの成形時にアルカリ金属蒸気
を密封容器5内に導入させる管としても利用される。
プの電子増倍器7が設けられ、この電子増倍器7は、1
0枚(10段)の板状のダイノード8を積層させた電子
増倍部9を有している。電子増倍器7は、ステム板4を
貫通するように設けられたコバール金属製のステムピン
10によって密封容器5内で支持され、各ステムピン1
0の先端は各ダイノード8と電気的に接続されている。
また、ステム板4には、各ステムピン10を貫通させる
ためのピン孔4aが設けられ、各ピン孔4aには、コバ
ールガラス製のハーメチックシールとして利用されるタ
ブレット11が充填されている。各ステムピン10は、
このタブレット11を介してステム板4に固定される。
なお、各ステムピン10には、ダイノード用のものとア
ノード用のものとがある。
位置してステムピン10の上端に固定したアノード12
が並設されている。また、電子増倍器7の最上段におい
て、光電面3aと電子増倍部9との間には平板状の集束
電極板13が配置されている。この集束電極板13に
は、スリット状の開口部13aが複数本形成され、各開
口部13aは全て同一方向に延在した配列をなす。同様
に、電子増倍部9の各ダイノード8には、電子を増倍さ
せるためのスリット状電子増倍孔14が複数本形成され
ることにより配列されている。
4を段方向にそれぞれ配列してなる各電子増倍経路L
と、集束電極板13の各開口部13aとを一対一で対応
させることによって、電子増倍器7には、複数のチャン
ネルが形成されることになる。また、電子増倍器7に設
けられた各アノード12は所定数のチャンネル毎に対応
するように8×8個設けられ、各アノード12を各ステ
ムピン10にそれぞれ接続させることで、各ステムピン
10を介して外部に個別的な出力を取り出している。
ア型チャンネルを有している。そして、図示しないブリ
ーダ回路に接続した所定のステムピン10によって、電
子増倍部9及びアノード12には所定の電圧が供給さ
れ、光電面3aと集束電極板13とは、同じ電位に設定
され、各ダイノード8とアノード12は、上段から順に
高電位の設定がなされている。したがって、受光面板3
に入射した光は、光電面3aで電子に変換され、その電
子が、集束電極板13と電子増倍器7の最上段に積層さ
れている第1段のダイノード8とによって形成される電
子レンズ効果により、所定のチャンネル内に入射するこ
とになる。そして、電子の入射したチャンネルにおい
て、電子は、ダイノード8の電子増倍経路Lを通りなが
ら、各ダイノード8で多段増倍されて、アノード12に
入射し、所定のチャンネル毎に個別的な出力が各アノー
ド12から送出されることになる。
3〜図5に基づいて詳細に説明する。図3は、ダイノー
ド8を示す平面図であり、図4は、図3の要部拡大平面
図であり、図5は、図4のV−V線に沿う断面図である。
5が形成されており、各チャンネル15は、ダイノード
8の外枠16と仕切部17とで作り出されている。各チ
ャンネル15には、電子増倍孔14が集束電極板13の
開口部13aと同数本並設され、各電子増倍孔14はす
べて同一方向に延在し、紙面と垂直な方向に複数配列さ
れている。また、電子増倍孔14同士は、線状の増倍孔
境界部分18で仕切られている。仕切部17の幅は、ア
ノード12同士の間隔に対応して決定されると共に、増
倍孔境界部分18より広い幅で形成されている。
の所定の位置には、外枠16及び仕切部17に比して幅
広に形成されたガラス受け部21がダイノード8と一体
に設けられている。ガラス受け部21は、1つの外枠1
6あるいは仕切部17に対して9個、全81個設けられ
ている。これらのガラス受け部21の全てには、ガラス
部22が接合されている。ガラス部22は、ガラス受け
部21にガラスを塗布して硬化させることにより接合さ
れており、上向きに凸とされた略半球状のドーム形状を
呈している。各ダイノード8は、ガラス受け部21にド
ーム状に形成されたガラス部22が接合された後に積層
される。これにより、電子増倍部9は、ガラス部22を
介して各ダイノード8が積層されることにより構成され
ることになる。
び仕切部17の所定の位置には、ガラス受け部21が設
けられており、このガラス受け部21にドーム状に形成
されたガラス部22が接合され、このガラス部22を介
してダイノード8が積層されているので、ダイノード8
の一部にガラス部22が接合されることになり、ダイノ
ード8とガラス部22との接合面積が少なくなる。この
結果、ダイノード8の反りの発生を抑制することがで
き、ダイノード8の積層を容易に行うことができる。
性)は、密封容器5内にアルカリ金属(蒸気)を導入し
て昇温することによりアンチモンとアルカリ金属とを反
応させる必要がある。ダイノード8の一方の面の全面に
ガラスが接合されて密着していると、ガラスとアルカリ
金属とが反応してガラスの表面の電気抵抗が低下し、ダ
イノード8間、及び、ダイノード8とアノード12との
間に大きなリーク電流が流れることになる。光電面3a
及びダイノード8の活性は、光電子増倍管1の出力電流
をモニターすることにより、光電面3a及びダイノード
8における感度が所定の感度に達するまでアルカリ金属
(蒸気)を導入するが、上述したようにリーク電流が発
生すると、出力電流のモニターが不可能となる。したが
って、ダイノード8とガラス部22との接合面積が少な
くなると共に、積層されたダイノード8とガラス部22
とが略点接触することにより、上述したリーク電流の発
生が抑制され、出力電流のモニターが可能となり、光電
面3a及びダイノード8の活性を適切に行うことができ
る。
け部21を設ける場合に、電子増倍孔14が配列された
部分(チャンネル15)の面積が減少することになる
が、上述したように、外枠16及び仕切部17の一部
に、この外枠16及び仕切部17に比して幅広に形成さ
れたガラス受け部21を設けることにより、電子増倍孔
14が配列された部分(チャンネル15)の面積、すな
わち電子増倍器7(光電子増倍管1)における有感受光
面積の減少を極力抑制することができる。
ていることにより、このガラス受け部21に接合される
ガラス部22の高さを高く設定することが可能となり、
積層されたダイノード8の間隙を確保することができる
と共に、ガラス部22のガラス受け部への塗布等の接合
作業も容易に行うことができる。
かされて荒らされた状態とされる。ガラス部22におけ
る沿面放電は、ガラス受け部21(ダイノード8)と、
ガラス部22と、密封容器5内の真空空間との境界部分
(トリプルジャンクション)から始まった放電がガラス
部22の表面を伝わり上方に積層されたダイノード8に
達することにより発生する。したがって、ガラス部22
の表面が上述したように荒らされることにより、ガラス
部22の表面における沿面放電距離が長くなり、ガラス
部22を介したダイノード8間の放電の発生を抑制し、
この放電に起因するノイズの発生を低減することができ
る。
される際に、鋭角なガラス部22の外周端部がその他の
部分よりもよく溶けるために、ガラス部22の断面形状
が、図5に示されるように、キノコ形状を呈し、ガラス
部22とガラス受け部21(ダイノード8)との接合面
積は、ガラス部22の平面外形面積よりも小さくなる。
このように、ガラス部22とガラス受け部21(ダイノ
ード8)との接合面積がガラス部22の平面外形面積よ
りも小さいことにより、ダイノード8間、特に、ガラス
受け部21(ダイノード8)と、ガラス部22と、密封
容器5内の真空空間との境界部分(トリプルジャンクシ
ョン)近傍の電界強度が低下して放電開始電圧が高くな
り、ガラス部22を介したダイノード8間におけるの放
電の発生をより一層抑制し、この放電に起因するノイズ
の発生を確実に低減することができる。
ード8)との接合面積をガラス部22の平面外形面積よ
りも小さくするためには、上述したガラス部22を溶か
す手法以外に、ダイノード8の表面を溶かす手法を用い
るようにしてもよい。ダイノード8の表面を溶かす手法
を用いた場合には、図6に示されるように、ガラス部2
2が接合されるガラス受け部21(ダイノード8)に段
部21aが形成されて、ガラス部22とガラス受け部2
1(ダイノード8)の段部21aとの接合面積がガラス
部22の平面外形面積より小さくなる。
ド8の他の例として、ガラス受け部21のうちの一部に
ガラス部22を接合するように構成してもよい。この場
合、ガラス部22は、25個設けられることになる。こ
のように、ガラス受け部21のうちの一部にガラス部2
2が接合されるので、ダイノード8とガラス部22との
接合面積をより一層低減することができ、ダイノード8
の反りの発生をより確実に抑制することができる。ま
た、上述したリーク電流の発生がより一層抑制され、出
力電流のモニターが可能となり、光電面3a及びダイノ
ード8の活性をより適切に行うことができる。
ガラス受け部21を設ける必要はなく、図8に示される
ように、外枠16及び仕切部17の所定の位置にドーム
状に形成されたガラス部31を接合して設けるようにし
てもよい。この場合、ガラス部31は、1つの外枠16
あるいは仕切部17に対して9個、全81個設けられて
いる。また、ガラス部31の形状は、略半円柱状のドー
ム形状を呈している。この場合には、積層されたダイノ
ード8とガラス部22とは略線接触することになる。こ
のように、外枠16及び仕切部17の所定の位置にドー
ム状に形成されたガラス部31を設けることにより、電
子増倍孔14が配列された部分(チャンネル15)の面
積、すなわち電子増倍器7(光電子増倍管1)における
有感受光面積の減少を抑制した上で、ダイノード8にガ
ラス部31を接合することができる。
ドを有する電子増倍部(光電子増倍管)に本発明を適用
することが可能である。図9及び図10に示されるよう
に、ダイノード8は、外枠16を有すると共に、開口部
13aと同数のスリット状電子増倍孔14が複数本形成
されることにより配列されている。各電子増倍孔14は
すべて、対向する外枠16間にわたって同一方向に延び
ている。各ダイノード8の外枠16及び電子増倍孔14
が配列された部分の所定の位置には、外枠16に比して
幅広に形成されたガラス受け部41がダイノード8と一
体に設けられている。この場合、ガラス受け部41は、
25個設けられている。これらのガラス受け部41の全
てには、ガラス部22が接合されている。
1を設ける場合に、電子増倍孔14が配列された部分の
面積が減少することになるが、上述したように、外枠1
6及び電子増倍孔14が配列された部分の一部にガラス
受け部41を設けることにより、電子増倍孔14が配列
された部分の面積、すなわち電子増倍器7(光電子増倍
管1)における有感受光面積の減少をより一層抑制する
ことができる。
ものではない。たとえば、ガラス部22,31の形状を
略半球状あるいは略半円柱状のドーム形状としたが、積
層されたダイノードとガラス部とが略点接触あるいは略
線接触するようなドーム形状であればよい。また、外枠
16にもガラス受け部21,41を設けるよう構成して
いるが、必ずしもガラス受け部21,41を外枠16に
設けるように構成する必要はない。
光電子増倍管1に適用した例を示しているが、もちろん
本発明は電子増倍管にも適用することができる。
よれば、ダイノードの反りの発生が抑制され、ダイノー
ドを容易に積層することが可能な電子増倍管及び光電子
増倍管を提供することができる。
視図である。
る、ダイノードを示す平面図である。
る。
ある。
ある。
ある。
ステム板、5…密封容器、6…排気管、7…電子増倍
器、8…ダイノード、9…電子増倍部、10…ステムピ
ン、11…タブレット、12…アノード、13…集束電
極板、14…電子増倍孔、15…チャンネル、16…外
枠、17…仕切部、21,41…ガラス受け部、22,
31…ガラス部。
Claims (8)
- 【請求項1】 入射された電子を増倍する複数の電子増
倍孔が配列されたダイノードを複数段に積層して形成さ
れた電子増倍部を備えた電子増倍管であって、 前記ダイノードの所定の位置には、ドーム状に形成され
たガラス部が接合されており、前記ガラス部を介して前
記ダイノードが積層されていることを特徴とする電子増
倍管。 - 【請求項2】 前記ダイノードには、前記電子増倍孔を
仕切る仕切部が設けられ、前記仕切部に前記ガラス部が
接合されていることを特徴とする請求項1に記載の電子
増倍管。 - 【請求項3】 前記ダイノードには、前記電子増倍孔を
仕切る仕切部が設けられ、 前記仕切部の一部には、前記仕切部に比して幅広に形成
されたガラス受け部が設けられており、 前記所定の位置として、前記ガラス受け部の全てに前記
ガラス部が接合されていることを特徴とする請求項1に
記載の電子増倍管。 - 【請求項4】 前記ダイノードには、前記電子増倍孔を
仕切る仕切部が設けられ、 前記仕切部の一部には、前記仕切部に比して幅広に形成
されたガラス受け部が設けられており、 前記所定の位置として、前記ガラス受け部のうちの一部
に前記ガラス部が接合されていることを特徴とする請求
項1に記載の電子増倍管。 - 【請求項5】 前記ダイノードの前記電子増倍孔が配列
されている部分の一部には、ガラス受け部が設けられて
おり、 前記所定の位置として、前記ガラス受け部に前記ガラス
部が接合されていることを特徴とする請求項1に記載の
電子増倍管。 - 【請求項6】 前記ガラス部の表面が荒らされているこ
とを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記
載の電子増倍管。 - 【請求項7】 前記ガラス部と前記ダイノードとの接合
面積は、前記ガラス部の平面外形面積よりも小さいこと
を特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載
の電子増倍管。 - 【請求項8】 請求項1〜請求項7のいずれか一項に記
載の電子増倍管において、光電面を更に備えたことを特
徴とする光電子増倍管。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
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JP4108905B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2008-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | ダイノードの製造方法及び構造 |
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Cited By (4)
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JP2006127990A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
JP4689234B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-05-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
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