CN1422435A - 电子倍增管及光电倍增管 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 179
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 38
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 235000013351 cheese Nutrition 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/506—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect
- H01J31/507—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect using a large number of channels, e.g. microchannel plates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
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Abstract
在构成电子倍增管或光电倍增管的倍增管电极(8)上形成8列隧道(15)，各隧道(15)由倍增管电极(8)的外框(16)和隔离部(17)形成。在各隧道(15)上配置多个电子倍增孔(14)。在倍增管电极(8)的外框(167)及隔离部(17)的规定位置上，与倍增管电极(8)成一整体地设置形成比外框(16)及隔离部(17)的宽度宽的玻璃支承部(21)。玻璃部(22)被接合到这些玻璃支承部(21)的全体上。玻璃部(22)通过涂布玻璃使之硬化被接合到玻璃支承部(21)上，呈向上凸出的大致为半球形的圆顶状。在形成圆顶状的玻璃部(22)被接合到玻璃支承部(21)上之后，将各个倍增管电极(8)叠层。
Description
技术领域
本发明涉及配备有将倍增管电极叠层成多级形成的电子倍增部的电子倍增管和光电倍增管。所谓光电倍增管是一种配备有受光面板，光电面，电子倍增部及阳极部的真空管，用于检测入射到受光面板上的光。电子倍增管基本上由光电倍增管的电子倍增部及阳极部构成，使离子、电子等入射到电子倍增部的初级进行检测。
背景技术
作为这种电子倍增管及光电倍增管，例如，已知有在特公昭56-1741号公报所公开的产品。特公昭56-1741号公报所公开的光电倍增管具有多个其上配置有将入射的电子倍增的多个电子倍增孔的金属板(倍增管电极)。在该金属板的输出侧或者输入侧的整个面上形成玻璃层，金属板中间经过所形成的玻璃层叠层。
但是，在上述结构的光电倍增管中，由于在金属板(倍增管电极)的输出侧或输入侧的整个面上形成玻璃层，所以，由于金属板与玻璃层的热膨胀系数不同，存在着在金属板上发生弯曲叠层比较困难的问题。
发明的公开
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的是提供一种能够容易地叠层倍增管电极的电子倍增管和光电倍增管。
本发明的电子倍增管为一种配备有把倍增管电极叠层成多级形成的电子倍增部的电子倍增管，所述倍增管电极配置有把入射的电子倍增的多个倍增孔，其特征为，在倍增管电极的规定位置上接合有形成圆顶状的玻璃部，经由玻璃部将倍增管电极叠层。
根据本发明的电子倍增管，由于在倍增管电极的规定位置上接合有形成圆顶状的玻璃部，倍增管电极经由玻璃部叠层，所以玻璃部接合到倍增管电极的一部分上，倍增管电极与玻璃部的接合面积少。结果是，可以抑制倍增管电极产生弯曲，可以容易地将倍增管电极叠层。
此外，优选地，在倍增管电极上设置隔离电子倍增孔的隔离部，将玻璃部接合到隔离部上。这样，通过在倍增管电极上设置隔离电子倍增孔的隔离部，将玻璃部接合到隔离部上，可以抑制电子倍增孔配置的部分的面积、即有感受光面积的减少，将玻璃部接合到倍增管电极上。
此外，优选地，在倍增管电极上设置隔离电子倍增孔的隔离部，在隔离部的一部分上设置形成比隔离部的宽度大的玻璃支承部，作为规定的位置，将玻璃部接合到整个玻璃支承部上。在设置与玻璃部接合的玻璃支承部的情况下，虽然配置有电子倍增孔的部分的面积减少，但如上面所述，通过在隔离部的一部分上设置与该隔离部相比形成较大宽度的玻璃支承部，可以极大地抑制配置有电子倍增孔的部分的面积的减少，即抑制有感受光面积的减少。此外，通过形成宽度大的玻璃支承部，可以将接合到该玻璃支承部上的玻璃部的高度设定得比较高，在可以确保倍增管电极的间隙的同时，还可以很容易进行玻璃部向玻璃支承部上的接合作业。
此外，优选地，在倍增管电极上设置隔离电子倍增孔的隔离部，在隔离部的一部分上设置形成比隔离部的宽度大的玻璃支承部，作为规定的位置，将玻璃部接合到玻璃支承部中的一部分上。在设置玻璃部与之接合的玻璃支承部的情况下，会减少设置电子倍增孔的部分的面积，但如上面所述，通过在隔离部的一部分上设置形成比该隔离部宽度大的玻璃支承部，可以极大地抑制配置有电子倍增孔的部分的面积的减少、即抑制有感受光面积的减少。此外，通过玻璃支承部形成较大的宽度，可以将接合到该玻璃支承部上的玻璃部的高度设定得较高，在可以确保叠层的倍增管电极的间隙的同时，还可以容易进行玻璃部向玻璃支承部上的接合作业。进而，由于玻璃部被结合到玻璃支承部中的一部分上，所以，可以进一步减少倍增管电极与玻璃部的接合面积，能够更加可靠地抑制倍增管电极产生弯曲。
此外，优选地，在倍增管上配置有电子倍增孔的部分的一部分上设置玻璃支承部，作为规定位置，玻璃部被结合到玻璃支承部上。在设置玻璃部接合的玻璃支承部的情况下，虽然配置有电子倍增孔的部分的面积减少，但如上面所述，通过在倍增电极上配置有电子倍增孔的部分的一部分上设置玻璃支承部，可以进一步抑制配置有电子倍增孔的部分的面积减少、即抑制有感受光面积的减少。
此外，优选地，玻璃部的表面是粗糙的。在玻璃部处的沿面放电是通过从倍增管电极与玻璃部的交界部分开始的放电沿着玻璃部的表面传导到叠层的倍增管电极上而产生。如上所述，通过将玻璃的表面粗化，加长在玻璃部的表面上的沿面放电距离，抑制经由玻璃部的倍增管电极间产生的放电，可以降低因这种放电引起的噪音。
此外，优选地，玻璃部与倍增管电极的接合面积小于玻璃部的平面外形面积。这样，通过使玻璃部与倍增管电极的接合面积小于玻璃部的平面外形面积，降低倍增管电极间的电场强度，提高放电开始电压，进一步抑制经由玻璃部的倍增管电极间产生的放电，能够可靠地降低由这种放电引起的噪音。
进而，本发明的电子倍增管为一种配备有把倍增管电极叠层成多级形成的电子倍增部的电子倍增管，所述倍增管电极配置有把入射的电子倍增的多个倍增孔，其特征为，在多级的倍增管电极中的相邻的两个倍增管电极的一个倍增管电极的第一个面上接合有多个玻璃部，相邻的两个倍增管电极中另一个倍增管电极与多个玻璃部的每一个大致为点接触。
根据本发明的电子倍增管，由于在相邻的两个倍增管电极的一个倍增管电极的第一个面上接合有多个玻璃部，处于与玻璃部大致点接触状态的相邻的两个倍增管电极中的另一个倍增管电极被叠层，所以倍增管电极与玻璃部的接合面积小。从而，可以抑制倍增管电极产生弯曲，可以很容易地将倍增管电极叠层。
此外，本发明的电子倍增管为一种配备有把倍增管电极叠层成多级形成的电子倍增部的电子倍增管，所述倍增管电极配置有把入射的电子倍增的多个倍增孔，其特征为，在多级的倍增管电极中相邻的两个倍增管电极的一个倍增管电极的第一个面上接合有多个玻璃部，相邻的两个倍增管电极中的另一个倍增管电极与多个玻璃部中的每一个大致为线接触。
根据本发明的电子倍增管，由于在相邻的两个倍增管电极的一个倍增管电极的第一个面上接合有多个玻璃部，在与玻璃部大致为线接触的状态下相邻的两个倍增管电极中的另一个倍增管电极被叠层，所以倍增管电极与玻璃部的接合面积小。从而，可以抑制倍增管电极发生弯曲，可以容易进行倍增管电极的叠层。
根据本发明的光电倍增管的特征为，在权利要求1～权利要求9中任一个所述的电子倍增管中，还配备有光电面。
根据本发明的光电倍增管，倍增管电极与玻璃部的接合面积小，可以抑制倍增管电极发生弯曲，能够容易地将倍增管电极叠层。
附图的简单说明
图1是表示根据本发明的实施形式的光电倍增管的透视图。
图2是沿图1的II-II线的剖面图。
图3是表示包含在根据本发明的实施形式的光电倍增管中的倍增管电极的俯视图。
图4是图3的主要部分的放大俯视图。
图5是图4的V-V线的剖面图。
图6是表示倍增管电极的其他实施形式的剖面图。
图7是表示倍增管电极的另外一个实施形式的俯视图。
图8是表示倍增管电极的另外一个实施形式的俯视图。
图9是表示倍增管电极的另外一个实施形式的俯视图。
图10是表示倍增管电极的另外一个实施形式的俯视图。
图11是图10的主要部分的放大俯视图。
实施发明的优选形式
下面参照附图详细说明根据本发明的电子倍增管及光电倍增管的优选实施形式。此外，在各个附图中，相同的部件赋予相同的标号并省略对它们的重复说明。本实施形式表示把本发明应用于放射线检测装置等中使用的光电倍增管上的例子。
图1是表示根据第一种实施形式的光电倍增管的透视图，图2是沿图1的II-II线的剖视图。示于这些附图中的光电倍增管1具有大致为正四边筒状的金属制(例如科瓦铁镍钴合金制或不锈钢制)的侧管2，在该侧管2的一侧的开口端A上熔融固定有玻璃制(例如科瓦铁镍钴合金玻璃制及石英玻璃制)的受光面板3。在该受光面板3的内表面上形成把光变换成电子的光电面3a，该光电面3a通过使碱金属与预先蒸镀在受光面板3上的锑反应而形成。此外，在侧管2的开口端B上熔融固定有金属制(例如科瓦铁镍钴合金金属制及不锈钢制)的芯柱板4。这样，由侧管2和受光面板3及芯柱4构成密封容器5，该密封容器5为高度10mm左右的极薄型的容器。此外，受光面板3的形状并不局限于正方形，可以是长方形及六边形等多边形。
此外，金属制排气管6固定在芯柱板4的中央。在光电倍增管1组装结束后，利用该排气管6借助真空泵(图未示出)将密封容器5的内部排气抽成真空状态，并且也利用该排气管6作为在成形光电面3a时将碱金属蒸气导入密封容器5内的管。
在密封容器5内以块状设置叠层型的电子倍增部9，该电子倍增部9是通过将10块(10级)板状的倍增管电极8叠层构成的。电子倍增部9由贯穿芯柱4的方式设置的科瓦铁镍钴合金金属制的芯柱销10支承在密封容器5内，各芯柱销10的前端与各个倍增管电极8电连接。此外，在芯柱板4上，形成使各芯柱销10贯穿用的销孔4a，在各销孔4a内填充科瓦铁镍钴合金玻璃制的作为气密性封接用的料片11。各芯柱销10中间经由料片11固定在芯柱板4上。此外，各芯柱销10有的用于倍增管电极，有的用于阳极。
在电子倍增部9上，位于其下方位置上并列地设置固定到芯柱销10的上端的阳极12。此外，在电子倍增部9的最上一级，于光电面3a与电子倍增部9之间配置平板状的聚焦电极板13。在该聚焦电极板13上形成多个狭缝状开口部13a，各开口部13a全部沿同一方向延伸配置。同样地，在电子倍增部9的各倍增管电极8上形成配置多个使电子倍增用的狭缝状电子倍增孔14。
同时，通过使沿着级的方向分别配置各个倍增管电极8的各个电子倍增孔14构成的各个电子倍增路径L与聚焦电极13的各个开口部13a一一对应，在电子倍增部9上形成多个隧道。此外，并列设置在电子倍增部9上的各阳极12，以对应于每一规定数目的隧道的方式设置8×8个，通过把各个阳极12连接到个芯柱销10上，经由各个芯柱销10将各自的输出提取到外部。
这样，电子倍增部9具有多个线性隧道。并且，利用连接到图中未示出的分压电路上的规定芯柱销10向电子倍增部9及倍增管电极12供应规定的电压，光电面3a与聚焦电极板13被设定为相同的电位，各倍增管电极8及阳极12从上级开始依次设定为高电位。从而，入射到受光面板3上的光在光电面3a上变换成电子，该电子借助由聚焦电极板13与叠层在电子倍增部9的最上一级的第一级倍增管电极8形成的电子透镜效应，入射到规定的隧道内。同时，在电子入射的隧道内，电子一面通过倍增管电极8的电子倍增路径L，一面被各个倍增管电极8多级倍增，入射到阳极12，对于每一规定的隧道，每一个的输出被从阳极12送出。
下面，根据图3～图5详细说明上述倍增管电极8的结构。图3是表示倍增管电极8的俯视图，图4是图3的主要部分的放大俯视图，图5是沿图4的V-V线的剖面图。
在各个倍增管电极8上形成8列隧道15，各个隧道15由倍增管电极8的外框16和隔离部17形成。在各隧道15上，设置与聚焦电极13的开口部13a同样条数的电子倍增孔14，各个电子倍增孔14全部向同一方向延伸，沿与纸面垂直的方向配置多列。此外，电子倍增孔14相互之间用线状的倍增孔交界部分18隔离。隔离部17的宽度与阳极12彼此之间的间隔对应地决定，同时，大于倍增孔交界部分18的宽度。
与外框16及隔离部17相比以较宽的宽度形成的玻璃支承部21与倍增管电极8成一整体地设置在各倍增管电极8的外框16及隔离部17的规定位置上。相对于一个外框16或隔离部17设置9个玻璃支承部21，共计设置81个。玻璃部22接合到全部这些玻璃支承部21上。玻璃部22通过涂布玻璃并使之硬化接合到玻璃支承部21上，呈向上凸出的大致为半球状的圆顶形。各个倍增管电极8在形成圆顶状的玻璃部接合到玻璃支承部21上之后被叠层。借此，电子倍增部9通过将倍增管电极8中间经由玻璃部22叠层而构成。
这样，由于在各个倍增管电极8的外框16及隔离部17的规定位置设置玻璃支承部21，形成圆顶状的玻璃部22被接合到该玻璃支承部21上，倍增管电极8经由该玻璃部22被叠层，所以，通过玻璃部22被接合到倍增管电极8的一部分上，减少倍增管电极8与玻璃部22的接合面积。结果是，可以抑制倍增管电极8发生弯曲，可以容易进行倍增管电极8的叠层。
光电面3a及倍增管电极8的制造(激活)，必须将碱金属(蒸气)导入到密封容器5内，通过升温使锑和碱金属发生反应。当在倍增管电极8的一个面的整个面上紧密地接合玻璃时，玻璃与碱金属反应，玻璃表面的电阻下降，在倍增管电极8中间，以及倍增管电极8与阳极12之间流过较大的漏电流。光电面3a及倍增管电极8的激活，通过控制光电倍增管1的输出电流，导入碱金属(蒸气)，一直到规定的灵敏度为止，但当如上所述，发生漏电流时，输出电流的控制成为不可能。从而，通过减少倍增管电极8与玻璃部22的接合面积，并且使叠层的倍增管电极8与玻璃部22基本上为点接触，可抑制上述漏电流的发生，可以控制输出电流，可以适当地进行光电面3a及倍增管电极8的激活。
此外，在设置接合有玻璃部22的玻璃支承部21的情况下，配置电子倍增孔14的部分(隧道15)的面积减少，但如上面所述，通过在外框16和隔离部17的一部分上设置形成比该外框16及隔离部17宽度宽的玻璃支承部21，可以极大地抑制配置电子倍增孔14的部分(隧道15)的面积的减少，即，抑制在电子倍增部9(光电倍增管1)上有感受光面积的减少。
进而，通过形成宽度大的玻璃支承部21，可以设定较高的接合该玻璃支承部21上的玻璃部22的高度，在可以确保叠层的倍增管电极8的间隙的同时，也可以很容易地进行向玻璃部22的玻璃支承部上的涂布等作业。
玻璃部22的表面利用氢氟酸溶解被制成粗糙的状态。通过从玻璃支承部21(倍增管电极9)和玻璃部22与密封容器5内的真空空间的交界部分(三接点)开始的放电在玻璃部22的表面传播到达上方的叠层的倍增管8，发生在玻璃部22处的沿面放电。从而，通过如上面所述将玻璃部22的表面粗化，将玻璃部22的表面上的沿面放电距离加长，抑制经由玻璃部22的倍增管电极8之间放电的发生，可以降低因这种放电造成的噪音。
此外，在利用氢氟酸等溶解玻璃部22时，由于呈锐角的玻璃部22的外周端部比其它部分更容易溶解，所以，玻璃部22的截面形状如图5所示，呈蘑菇状，玻璃部22与玻璃支承部21(倍增管电极8)的接合面积比玻璃部22的平面外形面积小。这样，通过使玻璃部22与玻璃支承部21(倍增管电极8)的接合面积小于玻璃部22的平面外形面积，降低倍增管电极8之间，特别是在玻璃支承部21(倍增管电极8)、玻璃部22与密封容器5内的状况空间的交界部分(三接点)附近的电场强度，提高放电开始电压，进一步抑制经由玻璃部22的倍增管电极8之间产生放电，能可靠地降低因这种放电造成的噪音。
为了使玻璃部22与玻璃支承部21(倍增管电极8)的接合面积小于玻璃部22的平面外形面积，除上述溶解玻璃部22的方法之外，也可以采用溶解倍增管电极8的方法。在采用溶解倍增管电极8的表面的情况下，如图6所示，在玻璃部22接合的玻璃支承部21(倍增管电极8)上形成阶梯部21a，玻璃部22与玻璃支承部21(倍增管电极8)的阶梯部21a的接合面积小于玻璃部22的平面外形的面积。
这里，如图7所示，作为倍增管电极8所另外的一个例子，可以采用将玻璃部22接合到玻璃支承部21中的一部分上的结构。在这种情况下，设置25个玻璃部22。这样，由于玻璃部22被接合到玻璃支承部21中的一部分上，所以，可以进一步减少倍增管电极8与玻璃部22的接合面积，能够可靠地抑制倍增管电极8发生弯曲。此外，进一步抑制发生上述漏电流，能够控制输出电流，可以更恰当地进行光电面3a及倍增管电极8的激活。
此外，并不一定必须把玻璃支承部21设置在外框16及隔离部17上，也可以如图8所示，把形成圆顶状的玻璃部31接合设定到外框16及隔离部17的规定位置上。在这种情况下，玻璃部31相对于一个外框16或隔离部17设置9个，共计81个。此外，玻璃部31的形状呈大致半圆柱形的圆顶状。在这种情况下，叠层的倍增管电极8与玻璃部22大致为线接触。这样，通过在外框16及隔离部17的规定位置上设置形成圆顶状的玻璃部31，在可以抑制电子倍增孔14的配置部分(隧道15)的面积减少、即抑制电子倍增部9(光电倍增管1)处的有感受光面积的减少的情况下，将玻璃部31接合到倍增管电极8上。
图8所示的玻璃部31的底面为长方形，其宽度方向的尺寸大致与外框16及隔离部17的宽度相等，但也可以如图9所示，使玻璃部31的底面宽度方向的尺寸稍大于外框16及隔离部17的宽度。在这种情况下，在外框16和隔离部17上形成宽度大的玻璃支承部21。
此外，可以把本发明应用于具有没有隔离部17的类型的倍增管电极的电子倍增部(光电倍增管)上。如图10及图11所示，倍增管电极8具有外框16，并且，通过形成与开口部13a数目相同的多个狭缝状电子倍增孔14进行配置。各个电子倍增孔14全部在对向的外框16之间沿同一方向延伸。在各倍增管电极8的配置外框16及电子倍增孔14的部分的规定位置上，与倍增管电极8成一整体地设置形成宽度大于外框16的玻璃支承部41。在这种情况下，玻璃支承部41设置25个。玻璃部22接合到所有这些玻璃支承部41上。
在设置接合有玻璃部22的玻璃支承部41的情况下，配置有电子倍增孔14的部分的面积减少，但如上面所述，通过在配置有外框16及电子倍增孔14的部分的一部分上设置玻璃支承部41，可以进一步抑制配置有电子倍增孔14的部分的面积减少，即，可以抑制电子倍增管部9(光电倍增管1)处的有感受光面积的减少。
本发明并不局限于上述实施形式。例如，玻璃部22，31的形状为大致的半球形或半圆柱形的圆顶形，但只要是叠层的倍增管电极部与玻璃部大致为点接触或大致为线接触的圆顶形即可。圆顶形的外形轮廓不必是绝对的圆弧形，也可以其顶部形成平坦的形状。此外，其结构为在外框16上设置玻璃支承部21，41，但并不一定必须把玻璃支承部21，41设置在外框16上。
此外，本实施形式表示的是用于配备有光电面3a的光电倍增管1的例子，但是，不言而喻，本发明也适用于电子倍增管。
如上面所详细描述的，根据本发明，可以提供一种抑制倍增管电极发生弯曲、可容易将倍增管电极叠层的电子倍增管及光电倍增管。
工业上的可利用性
根据本发明的电子倍增管及光电倍增管，广泛用于低照度领域的摄像装置，例如放射线检测器等。
Claims (10)
1、一种电子倍增管，所述电子倍增管配备有把倍增管电极(8)叠层成多级形成的电子倍增部(9)，所述倍增管电极(8)上配置有把入射的电子倍增的多个电子倍增孔(14)，其特征为，
在前述倍增管电极(8)的规定位置上接合有形成圆顶状的玻璃部(22)，前述倍增管电极(8)中间经由前述玻璃部(22)被叠层。
2、如权利要求1所述的电子倍增管，其特征为，在前述倍增管电极(8)上设置隔离前述电子倍增孔(14)的隔离部(17)，前述玻璃部(22)接合到前述隔离部(17)上。
3、如权利要求1所述的电子倍增管，其特征为，
在前述倍增管电极(8)上设置隔离前述电子倍增孔(14)的具有一定宽度的隔离部(17)，
在前述隔离部(17)的一部分上设置形成比前述隔离部(17)的宽度宽的玻璃支承部(21)，
作为前述规定位置，前述玻璃部(22)被接合到前述整个玻璃支承部(21)上。
4、如权利要求1所述的电子倍增管，其特征为，
在前述倍增管电极(8)上设置隔离前述电子倍增孔(14)的具有一定宽度的隔离部(17)，
在前述隔离部(17)的一部分上设置形成比前述隔离部(17)的宽度宽的玻璃支承部(21)，
作为前述规定位置，前述玻璃部(22)被接合到前述玻璃支承部(21)中的一部分上。
5、如权利要求1所述的电子倍增管，其特征为，
在前述倍增管电极(8)上配置有前述电子倍增孔(14)的一部分上设置玻璃支承部(21)，
作为前述规定位置，前述玻璃部(22)被接合到前述玻璃支承部(21)上。
6、如权利要求1～权利要求5中的任何一个所述的电子倍增管，其特征为，前述玻璃部(22)的表面是粗糙的。
7、如权利要求1～权利要求6中的任何一个所述的电子倍增管，其特征为，前述玻璃部(22)与前述倍增管电极(8)的接合面积小于前述玻璃部(22)的平面外形面积。
8、一种电子倍增管，所述电子倍增管配备有把倍增管电极(8)叠层成多级形成的电子倍增部(9)，所述倍增管电极(8)上配置有把入射的电子倍增的多个电子倍增孔，其特征为，
多个玻璃部(22)被接合到前述多级倍增管电极(8)中相邻的两个倍增管电极的一个倍增管电极的第一个面上，相邻的两个倍增管电极中的另一个倍增管电极与前述多个玻璃部(22)的每一个大致为点接触。
9、一种电子倍增管，所述电子倍增管配备有把倍增管电极(8)叠层成多级形成的电子倍增部(9)，所述倍增管电极(8)上配置有把入射的电子倍增的多个电子倍增孔，其特征为，
多个玻璃部(22)被接合到前述多级倍增管电极(8)中相邻的两个倍增管电极的一个倍增管电极的第一个面上，相邻的两个倍增管电极中的另一个倍增管电极与前述多个玻璃部(22)的每一个大致为线接触。
10、一种光电倍增管，其特征为，在权利要求1～权利要求9中的任何一个所述的电子倍增管中，还配备有光电面。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101099A JP4246879B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 電子増倍管及び光電子増倍管 |
| JP101099/00 | 2000-04-03 | ||
| JP101099/2000 | 2000-04-03 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006101420994A Division CN1941265B (zh) | 2000-04-03 | 2001-04-03 | 电子倍增管及光电倍增管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1422435A true CN1422435A (zh) | 2003-06-04 |
| CN1287415C CN1287415C (zh) | 2006-11-29 |
Family
ID=18615209
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN01807655.6A Expired - Lifetime CN1287415C (zh) | 2000-04-03 | 2001-04-03 | 电子倍增管及光电倍增管 |
| CN2006101420994A Expired - Lifetime CN1941265B (zh) | 2000-04-03 | 2001-04-03 | 电子倍增管及光电倍增管 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006101420994A Expired - Lifetime CN1941265B (zh) | 2000-04-03 | 2001-04-03 | 电子倍增管及光电倍增管 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6841935B2 (zh) |
| EP (2) | EP1560254B1 (zh) |
| JP (1) | JP4246879B2 (zh) |
| CN (2) | CN1287415C (zh) |
| AU (1) | AU2001244718A1 (zh) |
| DE (1) | DE60112069T2 (zh) |
| WO (1) | WO2001075933A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1642449A1 (en) * | 2003-07-09 | 2006-04-05 | Council For The Central Laboratory Of The Research Councils | Image machine using a large area electron multiplier |
| JP4689234B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-05-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
| JP4754804B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
| JP4754805B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
| FR2888037B1 (fr) * | 2005-06-29 | 2007-10-05 | Photonis Sas Soc Par Actions S | Tube photomultiplicateur compact |
| FR2888036B1 (fr) * | 2005-06-29 | 2007-10-05 | Photonis Sas Soc Par Actions S | Cassette pour tube phothomultiplicateur |
| US7323674B2 (en) * | 2005-07-25 | 2008-01-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector using photomultiplier and gain control method |
| JP4804173B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| JP4711420B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| JP4804172B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
| JP4849521B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| CN101750622B (zh) * | 2009-12-28 | 2011-07-06 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 多级分离式倍增极电子倍增器的加速退化试验方法 |
| EP2560189B1 (de) * | 2011-08-16 | 2020-06-17 | Leica Microsystems CMS GmbH | Detektorvorrichtung |
| JP5827076B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2015-12-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電極構造体 |
| JP5829460B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2015-12-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器 |
| CN111261490B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-07-08 | 北方夜视技术股份有限公司 | 用于光电倍增管的球形倍增器及光电倍增管 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3229143A (en) | 1961-10-06 | 1966-01-11 | Nuclide Corp | Electron multiplier device |
| GB1401969A (en) | 1971-11-17 | 1975-08-06 | Mullard Ltd | Electron multipliers |
| GB1402549A (en) | 1971-12-23 | 1975-08-13 | Mullard Ltd | Electron multipliers |
| GB2023332B (en) * | 1978-06-14 | 1982-10-27 | Philips Electronic Associated | Electron multipliers |
| GB2143077A (en) * | 1983-07-08 | 1985-01-30 | Philips Electronic Associated | Colour display tube |
| GB2154053A (en) * | 1984-02-08 | 1985-08-29 | Philips Electronic Associated | High resolution channel multiplier dynodes |
| FR2644932B1 (fr) * | 1989-03-24 | 1991-07-26 | Radiotechnique Compelec | Tube photomultiplicateur rapide a grande homogeneite de collection |
| JP3078905B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2000-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器を備えた電子管 |
| DE69404079T2 (de) * | 1993-04-28 | 1997-11-06 | Hamamatsu Photonics Kk | Photovervielfacher |
| JP3401044B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2003-04-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| JP3434574B2 (ja) * | 1994-06-06 | 2003-08-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP3598173B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2004-12-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器及び光電子増倍管 |
| JP3640464B2 (ja) * | 1996-05-15 | 2005-04-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器及び光電子増倍管 |
| AU5098798A (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Nanosystems, Inc. | Microdynode integrated electron multiplier |
| JP3919332B2 (ja) | 1998-05-18 | 2007-05-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及び分光測定装置 |
| JP4108905B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2008-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | ダイノードの製造方法及び構造 |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000101099A patent/JP4246879B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-03 US US10/240,568 patent/US6841935B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-03 EP EP05005945.0A patent/EP1560254B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-03 WO PCT/JP2001/002896 patent/WO2001075933A1/ja active IP Right Grant
- 2001-04-03 DE DE60112069T patent/DE60112069T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-03 EP EP01917809A patent/EP1276135B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-03 CN CN01807655.6A patent/CN1287415C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-03 AU AU2001244718A patent/AU2001244718A1/en not_active Abandoned
- 2001-04-03 CN CN2006101420994A patent/CN1941265B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-09 US US11/007,243 patent/US6998778B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-10-11 US US11/246,528 patent/US7042155B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60112069T2 (de) | 2006-05-18 |
| JP4246879B2 (ja) | 2009-04-02 |
| CN1941265B (zh) | 2010-08-11 |
| JP2001283766A (ja) | 2001-10-12 |
| EP1276135B1 (en) | 2005-07-20 |
| EP1276135A4 (en) | 2003-06-04 |
| CN1287415C (zh) | 2006-11-29 |
| US20030102802A1 (en) | 2003-06-05 |
| EP1276135A1 (en) | 2003-01-15 |
| US6998778B2 (en) | 2006-02-14 |
| AU2001244718A1 (en) | 2001-10-15 |
| US20060028134A1 (en) | 2006-02-09 |
| EP1560254B1 (en) | 2014-03-12 |
| WO2001075933A1 (fr) | 2001-10-11 |
| EP1560254A2 (en) | 2005-08-03 |
| DE60112069D1 (de) | 2005-08-25 |
| US6841935B2 (en) | 2005-01-11 |
| CN1941265A (zh) | 2007-04-04 |
| US20050110379A1 (en) | 2005-05-26 |
| EP1560254A3 (en) | 2008-10-01 |
| US7042155B2 (en) | 2006-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20061129 |