JP2006127990A - 光電子増倍管及び放射線検出装置 - Google Patents

光電子増倍管及び放射線検出装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 ステムの内側の面に対して設置される電子増倍部と光電面との間の位置精度を高めて所定の特性を得ると共に、電子増倍部の着座性、光電子増倍管全長の寸法精度、光電子増倍管を表面実装する際の取付性を高める。
【解決手段】 ステムピン6を通すと共に押え材15,16がその両面に接合されたベース材14に、当該ベース材14の溶融による融着によってステムピン6及び押え材15,16を接合し、ステム5を、ベース材14を押え材15,16で挟んで成る少なくとも三層以上の構成とし、ステム5をガラス材の単層としこれを溶融してステムピン6を融着して成る従来品に比して、ステム5両面の位置精度、平坦度、水平度を高める。
【選択図】 図3

Description

本発明は、光電効果を用いる光電子増倍管及びこれを用いた放射線検出装置に関する。
光電子増倍管として、筒状を成す側管の一側の端部に受光面板を、他側の端部にステムを各々備えて真空密封容器を構成し、受光面板の内側の面に光電面を設けると共に、この光電面に対向して複数段のダイノードを有する電子増倍部及び陽極を積層して配設し、これらの各段のダイノード及び陽極に各々接続した複数のステムピンを密封容器内から外部に導出するようにしてステムに挿着する構成を具備し、受光面板を通して入射した入射光を光電面で電子に変換し、この光電面から放出された電子を、各ステムピンを介して所定の電圧が印加された各ダイノードを有する電子増倍部で順次増倍し、この増倍されて陽極に達した電子を電気信号としてステムピンの一つであるアノードピンを介して取り出す所謂ヘッドオン型の光電子増倍管が知られている。
このような光電子増倍管にあっては、各ステムピンを、各テーパー状ハーメチックガラスを介して金属製のステムに各々挿着し、複数のステムピン上に陽極及び電子増倍部を積層したものや、各ステムピンを、大形のテーパー状ハーメチックガラスより成るステムに直接挿着し、当該ステム上に陽極及び電子増倍部を積層したものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−290793号公報(図1、図7)
ここで、上記前者(特許文献1の図1に記載のもの)にあっては、ステムピンに対応した個数のハーメチックガラスが必要であると共にこれらの各々をステムピンと共にステムのステムピン挿通位置にセットする工程が必要であるため、部品点数及び製造工程が多くなるという問題があり、さらには、複数のステムピン上に陽極及び電子増倍部を積層するため、振動耐性が低く、例えばステムピンへの機械的ストレスによって、ハーメチックガラスが欠け落ちるといった問題が生じる。
一方、後者(特許文献1の図7に記載のもの)にあっては、一枚のテーパー状ハーメチックガラスをステムとして各ステムピンを挿着すると共に、当該テーパー状ハーメチックガラス上に陽極及び電子増倍部を積層するため、前者の問題は改善されるが、このテーパー状ハーメチックガラスと各ステムピンとの接合はハーメチックガラスの溶融による融着で行うのが一般的であるため、ハーメチックガラスより成るステムの両面(図における上下面)の位置精度、平坦度、水平度が低く、以下の問題を生じる。
すなわち、ステムの内側の面(上面)の位置精度、平坦度、水平度の低下により、ステムの内側の面に対して設置される電子増倍部と光電面との間の位置精度が低下して特性が悪化すると共に電子増倍部の着座性が低下し、一方、ステムの外側の面(下面)の位置精度、平坦度、水平度の低下により、光電子増倍管全長の寸法精度が低下すると共に光電子増倍管を例えば回路基板等に表面実装する際の取付性が低下するという問題がある。
本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、光電面と電子増倍部との間の位置精度が高められ所定の特性が得られると共に、電子増倍部の着座性、光電子増倍管全長の寸法精度、光電子増倍管を表面実装する際の取付性が高められる光電子増倍管及びこれを備えた放射線検出装置を提供することを目的とする。
本発明による光電子増倍管は、真空状態とされた密封容器内に設けられ、当該密封容器の一側の端部を構成する受光面板を通して入射した入射光を電子に変換する光電面と、密封容器内に設けられ、光電面から放出された電子を増倍する電子増倍部及び当該電子増倍部により増倍された電子を出力信号として取り出すための陽極と、密封容器の他側の端部を構成するステムと、ステムに挿着されて密封容器内から外部に導出すると共に陽極及び電子増倍部に電気的に接続された複数のステムピンと、を具備した光電子増倍管において、ステムは、ステムピンを貫通させて接合する絶縁性のベース材と、ベース材より高い融点を有し、ベース材の内側の面及び外側の面の両面に各々接合された押え材と、を少なくとも備える三層以上の構造とされ、ステムの内側の面に対して電子増倍部及び陽極が積層され、ベース材と押え材、ベース材とステムピンとの接合が、ベース材の溶融による融着とされていることを特徴としている。
このような光電子増倍管によれば、ステムピンを貫通させ固定するベース材が、当該ベース材の溶融による融着によってステムピン及び押え材を接合し、ステムは、ベース材を押え材で挟んで成る少なくとも三層以上の構成とされるため、ステムをガラス材の単層としこれを溶融してステムピンを融着して成る従来品に比して、ステム両面の位置精度、平坦度、水平度が高められる。その結果、ステムの内側の面に対して設置される電子増倍部と光電面との間の位置精度が高められ所定の特性が得られると共に、電子増倍部の着座性、光電子増倍管全長の寸法精度、光電子増倍管を表面実装する際の取付性が高められる。
ここで、押え材は、ベース材に接合されたステムピンを挿通させる開口を備えると共に、その開口のうちの少なくとも二箇所が、上記開口より大径とされていると、当該開口への位置決め用治具の進入が可能となり、ベース材と押え材との位置決めが容易とされ製造コストの低減が図られる。また、このように、ステムピンを挿通させる開口を大径として当該開口に位置決め用治具が進入しベース材と押え材とが位置決めされるため、ステムピンと押え材の開口との同軸度が確保される。なお、押え材に対して他の部材を接合し四層以上のステムとした場合には、この他の部材にも、押え材と同様に、ベース材に接合されたステムピンを挿通させる開口を備えると共に、その開口のうちの少なくとも二箇所が、上記開口より大径とされる構成を採用するのが好ましい。
また、押え材の少なくとも一方には、ベース材が溶融により浸出するベース材浸出開口が設けられていると、ベース材の溶融時のボリュームが当該ベース材浸出開口に良好に逃げるため、ステム両面の位置精度、平坦度、水平度が一層高められる。
ここで、従来のテーパー状ハーメチックガラスによりステムピンを挿着する構成では、テーパー状ハーメチックガラスのステムピンに対する接合縁部が鋭角の盛り上がり部とされ、ステムピンに曲げが作用すると当該テーパー状ハーメチックガラスにクラックが生じ、密封容器の機能不良になると共に外観不良となる。また、トリプルジャンクションが剥き出しの位置にあると、電圧耐性が低下してしまう。
そこで、ステムは、その内側の面及び外側の面におけるステムピンの貫通部の全周囲が、ベース材を底面とする凹部とされているのが好ましい。
このような構成を採用した場合、ステムピンに対するベース材の接合縁部は、ステムに形成された凹部の底面となり、ベース材はステムピンを緩やかな角度(上記鋭角に比して鈍い角度)で接合すると共に、ステムピンに曲げが作用しても凹部の開放側の周縁部にステムピンが当接してそれ以上のステムピンの曲げが阻止されるため、ベース材のステムピン接合部の両側でクラックが発生することが防止され、密封容器の気密性及び良好な外観が確保される。また、導電性のステムピン、ステムピンを接合した絶縁性のベース材、真空が交わるポイントであるトリプルジャンクションが、凹部内に位置するため、隠蔽されるが如き状態とされ、所定の電圧耐性が確保される。
また、密封容器を構成すると共にステムをその側方から包囲する導電性を有する側管を備え、ステムは、ベース材より内側の部材が絶縁性を有していると、上記のようにトリプルジャンクションが凹部内に位置しているため、トリプルジャンクションが剥き出しの位置にある場合に比して、側管からトリプルジャンクション迄の沿面距離が長くされ、所定の電圧耐性が一層確保される。
ここで、上記光電子増倍管の受光面板の外側に、放射線を光に変換して放出するシンチレータを設置すれば、上記作用を奏する好適な放射線検出装置が得られる。
このような光電子増倍管及び放射線検出装置によれば、所定の特性を得ることが可能となると共に、電子増倍部の着座性、光電子増倍管全長の寸法精度、光電子増倍管を表面実装する際の取付性を高めることが可能となる。
以下、図面を参照しながら本発明に係る光電子増倍管及び放射線検出装置の好適な実施形態について説明する。なお、以下の説明における「上」、「下」等の語は図面に示す状態に基づく便宜的なものである。また、各図において同一又は相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1及び図2は、本発明に係る光電子増倍管の一実施形態を示す平面図及び底面図であり、図3は図1におけるIII-III線に沿う断面図である。図1〜図3において、光電子増倍管1は、外部から入射した光によって電子を放出し、その電子を増倍させて信号として出力させるための装置として構成されている。
図1〜図3に示すように、光電子増倍管1は略円筒形状をなす金属製の側管2を有している。図3に示すように、この側管2の上側(一側)の開口端にはガラス製の受光面板3が気密に固定され、受光面板3の内側表面には受光面板3を通して入射した光を電子に変換するための光電面4が形成されている。また、側管2の下側(他側)の開口端には、図2及び図3に示すように、円板状のステム5が配置されている。このステム5には略円状の位置に周方向に互いに離間して配置された複数(15本)の導電性のステムピン6が気密に挿着されていると共に、このステム5を側方から包囲するように金属製のリング状側管7が気密に固定されている。そして、図3に示すように、上側の側管2の下端部に形成されたフランジ部2aと下側のリング状側管7の上端部に形成された同径のフランジ部7aとが溶接され、側管2とリング状側管7とが気密に固定されることで、内部が真空状態に保たれた密封容器8が形成されている。
このように形成された密封容器8内には、光電面4から放出された電子を増倍するための電子増倍部9が収容されている。この電子増倍部9は、電子増倍孔を多数有する薄板状のダイノード10が複数段(本実施形態では10段)に積層されてブロック状に形成され、ステム5の上面に設置されている。各ダイノード10の所定の縁部には、図1及び図3に示すように、外側に突出するダイノード接続片10cがそれぞれ形成され、各ダイノード接続片10cの下面側にはステム5に挿着された所定のステムピン6の先端部分が溶接固定されている。これにより、各ダイノード10と各ステムピン6との電気的な接続がなされている。
さらに、図3に示すように、密封容器8内において、電子増倍部9と光電面4との間には、光電面4から放出された電子を電子増倍部9に収束させて導くための平板状の収束電極11が設置され、最終段のダイノード10bの一段上の段には、電子増倍部9により増倍され最終段のダイノード10bより放出された電子を出力信号として取り出すための平板状アノード(陽極)12が積層されている。図1に示すように、収束電極11の四隅には外側に突出する突出片11aがそれぞれ形成され、この各突出片11aに所定のステムピン6が溶接固定されることでステムピン6と収束電極11との電気的な接続がなされている。また、アノード12の所定の縁部にも外側に突出するアノード接続片12aが形成され、このアノード接続片12aにステムピン6の一つであるアノードピン13が溶接固定されることでアノードピン13とアノード12との電気的な接続がなされている。そして、図示しない電源回路に接続したステムピン6によって電子増倍部9及びアノード12に所定の電圧が印加されると、光電面4と収束電極11とは同電位に設定され、各ダイノード10は積層順に上段から下段に行くに従って高電位となるように設定される。また、アノード12は最終段のダイノード10bよりも高電位に設定される。本実施形態においては、ステム5の上面に対して、最終段のダイノード10bを直接載置し、固定する構成としているが、例えばステム5の上面に設置した支持部材によって最終段のダイノード10bを支持し、最終段のダイノード10bとステム5の上面との間に空間が介在している構成としても良い。
以上のように構成された光電子増倍管1では、受光面板3側から光電面4に光(hν)が入射すると、この光電面4において光が光電変換されて密封容器8内に電子(e)が放出される。放出された電子は、収束電極11によって電子増倍部9の一段目のダイノード10aに収束される。そして、電子は電子増倍部9内で順次増倍されていき、最終段のダイノード10bから2次電子群が放出される。この2次電子群はアノード12に導かれ、このアノード12と接続されたアノードピン13を介して外部に出力される。
続いて、上述したステム5の構成について更に詳細に説明する。ここで、ステム5において、光電子増倍管1の密封容器8形成時に真空となる側を内側(上側)とする。
図3に示すように、ステム5は、ベース材14と、ベース材14の上側(内側)に接合された上側押え材15と、ベース材14の下側(外側)に接合された下側押え材16とによる3層構造とされ、その側面には上述したリング状側管7が固定されている。本実施形態においては、ステム5を構成するベース材14の側面とリング状側管7の内壁面とを接合することにより、リング状側管7に対してステム5を固定している。ここで、下側押え材16の下側(外側)の面は、リング状側管7の下端よりも下側に突出しているが、リング状側管7に対するステム5の固定位置は上記形態に限られるものではない。
ベース材14は、例えばコバールを主成分とし、融点が約780度とされた絶縁性ガラスから構成された円板状の部材であり、下面側からの光が密封容器8内に透過しない程度の黒色とされている。また、図4に示すように、ベース材14にはステムピン6の外径とほぼ同径の開口14aがベース材14の外周部に沿うように複数(15個)形成されている。
上側押え材15は、コバールに例えばアルミナ系粉末を添加することにより、例えば融点が約1100度とベース材14より高融点とされた絶縁性ガラスから構成された円板状の部材であり、密封容器8内の発光を効果的に吸収すべく黒色とされている。また、図5に示すように、上側押え材15にはベース材14と同様に配置された複数(15個)の開口15aが形成されている。各開口15aはベース材14に形成された開口14aよりも大径とされ、さらに、開口15aのうちの少なくとも二箇所以上の所定箇所はベース材14に対する位置決め用治具(後述)18の進入を可能とすべく、他の開口15aよりも更に大径の大径開口15bとされている。上側押え材15においては、大径開口15bはアノードピン13が挿通する開口15aを除く3箇所に90度の位相角をもって配置されている。また、上側押え材15は、アノードピン13が挿通する開口15a近傍の縁部が面取り形状15cとされている。
下側押え材16は、上側押え材15と同様に、コバールに例えばアルミナ系粉末を添加することにより、融点が約1100度とベース材14より高融点とされた絶縁性ガラスから構成された円板状の部材であり、添加するアルミナ系粉末の組成の違いにより白色を呈すると共に、ベース材14及び上側押え材15よりも高い物理的強度を有している。また、図6に示すように、下側押え材16にも上側押え材15と同様の開口16aが形成され、この開口16aのうちの少なくとも二箇所以上の所定箇所は位置決め用治具18の進入を可能とすべく大径開口16bとされている。下側押え材16においては、大径開口16bはアノードピン13が挿通する開口16aを含む4箇所に90度の位相角をもって配置され、アノードピン13が挿通する大径開口16b以外の三箇所の大径開口16bは上側押え材15の大径開口15bと同軸に配置されている。さらに、下側押え材16の中央部分には円形状のベース材浸出開口16cが形成されている。
そして、図3に示すように、これらのベース材14、上側押え材15、及び下側押え材16は、各開口14a,15a,16a及び各大径開口15b,16bの軸心位置を合わせた状態で重ね合わされ、各開口14a,15a,16a,15b,16bにそれぞれステムピン6を挿通させた状態で、ベース材14の溶融によって融着接合されている。より具体的には、ベース材14の両面に上側押え材15及び下側押え材16が密着して接合されていると共に、各ステムピン6が上側押え材15及び下側押え材16の各開口15a,16a,15b,16bを挿通してステム5の上側(内側)の面及び下側(外側)の面の両面における各ステムピン6の貫通部の全周囲にベース材14を底面とする凹部5aが形成され、各ステムピン6はこの凹部5aの底面においてベース材14に密着して接合されている。
続いて、上述のように構成されたステム5の製造例について図7及び図8を参照しながら説明する。
ステム5の製造にあたっては、図7(a)及び図7(b)に示すように、ベース材14、上側押え材15、下側押え材16、及び各ステムピン6を位置決めした状態で挟み込んで保持する一対の位置決め用治具18を用いる。
この位置決め用治具18は、例えば1100度以上の融点を有する耐熱性の高いカーボンからなるブロック状の部材であり、その一面側にはステムピン6を挿入させて支持する挿入孔18aが各ステムピン6の配置に対応させて形成されている。また、各挿入孔18aのうち、上側押え材15の大径開口15b及び下側押え材16の大径開口16bに対応する挿入孔18aの開口縁部には、大径開口15b,16b内に進入してベース材14に対して上側押え材15及び下側押え材16を位置決めし、ベース材14を通る各ステムピン6と各開口15a,16aとの同軸度を確保するための略円筒状の突起部18bが形成されている。
この位置決め用治具18を用いてステム5のセットを行う場合、まず、突起部18bを上面に向けた状態で位置決め用治具18の一方(図示下側)を作業面(図示しない)に載置し、位置決め用治具18の挿入孔18aにそれぞれステムピン6を差し込んで固定する。次に、位置決め用治具18に固定された各ステムピン6を開口16aに通しつつ、位置決め用治具18の突起部18bに大径開口16bを進入させて、位置決め用治具18の上に下側押え材16を載置する。さらに、下側押え材16の各開口16a及び大径開口16bに対して各開口14a,15a及び各大径開口15bの軸心位置を大まかに合わせながら、各開口14a,15a及び大径開口15bにステムピン6を通して下側押え材16の上にベース材14及び上側押え材15をこの順に重ね合わせた後、ベース材14にリング状側管7を嵌め込む。最後に、上側押え材15から突出している各ステムピン6を挿入孔18aに差し込みながら、上側押え材15の大径開口15bに突起部18bを進入させて、上側押え材15の上にもう一方(図示上側)の位置決め用治具18を載置する。これによりステム5のセットが完了する。なお、セットするリング状側管7と各ステムピン6とには、ベース材14との溶着性を高めるべく予め表面酸化処理を施しておく。
続いて、セットしたステム5を位置決め用治具18ごと電気炉(図示しない)に投入し、約850度〜900度の温度(ベース材14の融点より高く、上側押え材15及び下側押え材16の融点よりも低い温度)で位置決め用治具18でステム5を挟むように加圧しながら焼結させる。この焼結処理により、図8(a)及び図8(b)に示すように、融点が約780度であるベース材14のみが溶融し、ベース材14と各押え材15,16、ベース材14と各ステムピン6、及びベース材14とリング状側管7とが融着される。このとき、ベース材14は各部品との密着性を高めるため、ボリュームが多めに調整されているが、図8(b)に示すように、位置決め用治具18の突起部18bの端面によって大径開口15b〜16b内でのベース材14の高さ方向の位置決めがなされ、溶融したベース材14の余分なボリュームは下側押え材16のベース材浸出開口16c内に逃がされる。焼結処理が終了した後ステム5を電気炉から取り出し、上下の位置決め用治具18を取り外すとステム5の製造が完了する。
このようなステム5の製造方法によれば、位置決め用治具18の突起部18bを上側押え材15の大径開口15b及び下側押え材16の大径開口16bに進入させることで、ベース材14に対して上側押え材15及び下側押え材16を容易に位置決めできるため、製造工程が簡素化されて製造コストの低減が図られる。また、位置決め用治具18により、各ステムピン6と各開口15a,16aとの同軸度も確保される。そして、このように得られたステム組のステム5の内側(上側)の面に対して積層されたダイノード10、収束電極11、及びアノード12を、ダイノード接続片10a、アノード接続片12a、収束電極11に具備された突出片11aの各々とこれらに対応するステムピン6とを溶接することで固定し、さらに、受光面板3が固定された側管2を真空状態でリング状側管7に対して溶接固定して組み立てることで、図1〜図3に示す所謂ヘッドオン型の光電子増倍管1が得られる。
このような光電子増倍管1の構成によれば、ステムピン6を通すと共に押え材15,16がその両面に接合されたベース材14が、当該ベース材14の溶融による融着によってステムピン6及び押え材15,16を接合する構成のため、ステム5をガラス材の単層としこれを溶融してステムピン6を挿着して成るような従来品に比して、ステム5両面の位置精度、平坦度、水平度が高められる。その結果、光電子増倍管1では、ステム5の上面(内側の面)に対して設置される電子増倍部9と光電面4との間の位置精度や電子増倍部9の着座性が高められるため、光電変換効率といった特性が良好に得られると共に、光電子増倍管1全長の寸法精度、光電子増倍管1を表面実装する際の取付性が高められる。
また、下側押え材16にはベース材浸出開口16c(図6参照)が形成されているため、溶融したベース材14の余分なボリュームをベース材浸出開口16c内に良好に逃がすことができる。このため、ベース材14の溶融の際に、上側押え材15の開口15a及び下側押え材16の開口16aを通じてベース材14がステム5の表面にはみ出すことは殆ど無く、ステム5両面の位置精度、平坦度、水平度が確保されている。
また、光電子増倍管1においては、上側押え材15及び下側押え材16の各開口15a,16a及び大径開口15b,16bによって、その上側(内側)の面及び下側(外側)の面におけるステムピン6の貫通部の全周囲がベース材14を底面とする凹部5aとされている。これにより、ステムピン6に対するベース材14の接合縁部は、ステム5に形成された凹部5aの底面となり、ベース材14はステムピン6を緩やかな角度(ほぼ直角)で接合すると共に、ステムピン6に曲げが作用しても凹部5aの開放側の周縁部にステムピン6が当接してそれ以上のステムピン6の曲げが阻止されるため、ベース材14とステムピン6との接合部分の両側でクラックが発生することが防止され、密封容器8の気密性及び良好な外観が確保される。
さらに、光電子増倍管1においては、上述のようにステム5のステムピン6の貫通部の全周囲がベース材14を底面とする凹部5aとされている他、ベース材14よりも上側の部材である上側押え材15が絶縁性を有している。また、上側押え材15において、アノードピン13が挿通する開口15a近傍の縁部が面取り形状15c(図5参照)とされている。係る構成の作用について図9及び図10を用いて詳細に説明する。
図9は本実施形態におけるアノードピン13近傍を示す要部拡大断面図であり、図10は比較例におけるアノードピン13近傍を示す要部拡大断面図である。比較例では、ステム5におけるアノードピン13を含むステムピン6の貫通部に凹部5aが形成されておらず、また、アノードピン13近傍に面取り形状15cが形成されていない上側押え材17が用いられている。説明の都合上各部材は破線で示している。
図9に示すように、本実施形態ではステム5におけるアノードピン13を含むステムピン6の貫通部の全周囲がベース材14を底面とする凹部5aとされているため、導電性のアノードピン13を含むステムピン6、アノードピン13を含むステムピン6を接合した絶縁性のベース材14、真空が交わるポイントであるトリプルジャンクションX1はステム5における凹部5aの底面とアノードピン13を含むステムピン6との接合縁部に位置し、この凹部5a内に隠蔽されるが如き状態とされている。このようにトリプルジャンクションX1を凹部5a内に隠蔽することで、図10に示す比較例におけるトリプルジャンクションX2のように上側押え材17の上面に剥き出し状態とされている場合と比べて沿面放電の発生が抑制され、光電子増倍管1の電圧耐性が高められている。なお、トリプルジャンクションX1の凹部5aによる隠蔽に関しては、ベース材14よりも上側の部材である上側押え材15が導電性であっても良い。
また、トリプルジャンクションX1からリング状側管7までの絶縁体に沿う沿面距離Y1は、図10に示す比較例におけるトリプルジャンクションX2から側管2までの絶縁体に沿う沿面距離Y2と比べて凹部5aの高さ分だけ長尺化されている。このように沿面距離Y1を長尺化することで沿面放電の発生が一層抑制され、光電子増倍管1の電圧耐性がより高められる。なお、この凹部5aの形成によりステムピン6,6間での絶縁体に沿う沿面距離も同時に長尺化されるため、光電子増倍管1の電圧耐性は一層高いものとなる。さらに、アノードピン13近傍に関しては、特に、上側押え材15の面取り形状15cに沿う距離分だけ沿面距離Y1が長尺化されているため、アノードピン13近傍での沿面放電を原因とする絶縁破壊や漏電電流がより確実に防止され、アノードピン13から取り出される電気信号に対するノイズの混入防止が図られている。
なお、位置決め用治具18により各ステムピン6と上側押え材15の各開口15a及び下側押え材16の各開口16aとの同軸度が確保されるため、ステムピン6が開口15a,16aの内壁面に近接することが防止できるため、トリプルジャンクションX1を凹部5a内に確実に隠蔽することができ、光電子増倍管1の電圧耐性が一層確保される。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば上側押え材15の上面に更に別の層を設けてステム5全体を4層以上とし、この別の層の上面に電子増倍部9を設置するようにしても良い。この場合には、上側押え材15と同様に、この別の層もベース材14に接合されたステムピン6を挿通させる開口を備えると共に、その開口のうちの少なくとも二箇所が、ベース材14に対する位置決め用治具18の進入を可能とすべく他の開口より大径とされる構成を採用するのが好ましい。
また、上記実施形態では、下側押え材16にのみベース材浸出開口16cを設けているが、このようなベース材浸出開口は押え材の少なくとも一方に設けていれば良く、例えば上側押え材15にのみ設けていても良いし、上側押え材15及び下側押え材16の双方に設けていても良い。
また、上記実施形態では上側押え材15として絶縁性のガラスを用いているが、ステム5を4層以上とする場合を含め、上側押え材15とダイノード10bとを電気的に絶縁することが可能な構成であればベース材14の両面に接合される層の材質は金属、又は金属を含む材料としても良い。この場合、沿面距離は多少短縮されるものの、ステム5両面の位置精度、平坦度、水平度は十分に確保される。さらに、ステム5両面の位置精度、平坦度、水平度の確保の観点から言えば、各押え材15,16や4層以上の場合に用いられる別の層には、ステムピン6を必ずしも通していなくても良い。
また、本実施形態の変形例として、図11に示すように、ステム5の中央部分に金属製の排気管19を設けた光電子増倍管20を採用しても良い。この排気管19は、光電子増倍管20の組み立て終了後に密封容器8の内部を真空ポンプ(図示しない)等によって排気して真空状態にするために利用することができる。さらに別の変形例として、図12に示すように、その下端にフランジ部を設けたリング状側管7に、側管2よりも長尺の側管27を嵌め合わせて互いのフランジ部を溶接固定した構成を有する光電子増倍管26を採用しても良い。
次に、図1〜図3に示した光電子増倍管1を備えた放射線検出装置の例について説明する。図13及び図14に示す例に係る放射線検出装置21では、光電子増倍管1の受光面板3の外側に放射線を光に変換して放出するシンチレータ22が設置され、光電子増倍管1が、処理回路23を下面側に備えた回路基板24上に実装されて構成されている。また、図15及び図16に示す他の例に係る放射線検出装置25では、回路基板24上に処理回路23が設置され、この処理回路23をステムピン6で取り囲むようにして光電子増倍管1が回路基板24上に実装されている。以上のような構成より、上述した作用効果を奏し、特に表面実装する際に好適な放射線検出装置21,25を得ることができる。すなわち、光電子増倍管1は、ステム5がベース材14を押え材15,16で挟んで成る少なくとも3層以上の構成とされているため、ステム5下面(外面)の平坦度、水平度、及び光電子増倍管1の全長の寸法精度が高められることにより、処理回路23又は回路基板24上に表面実装する際の取付性が高められ、ソケット等の部材を用いることなく好適な実装が可能となる。例えば、ステム5の下面(外面)を処理回路23又は回路基板24の表面に近接させて実装したり、実装の際に光電子増倍管1を含めた放射線検出装置21,25の高さ位置を調整する手間を軽減することが可能となる。。
本発明に係る光電子増倍管の一実施形態を示す平面図である。 図1に示した光電子増倍管の底面図である。 図1に示した光電子増倍管のIII-III線断面図である。 ベース部材の平面図である。 上側押え材の平面図である。 下側押え材の平面図である。 ステムの製造例を示した図であり、(a)は焼結前のステムの状態を示す側断面図、(b)はその要部拡大図である。 ステムの製造例を示した図であり、(a)は焼結後のステムの状態を示す側断面図、(b)はその要部拡大図である。 図3に示した光電子増倍管におけるトリプルジャンクション及び沿面距離を示したアノードピン近傍の要部拡大図である。 比較例におけるトリプルジャンクション及び沿面距離を示したアノードピン近傍の要部拡大図である。 変形例に係る光電子増倍管を示した側断面図である。 別の変形例に係る光電子増倍管を示した側断面図である。 放射線検出装置の一例を示す側面図である。 図13に示した放射線検出装置の要部断面図である。 放射線検出装置の他の例を示す側面図である。 図15に示した放射線検出装置の要部断面図である。
符号の説明
1,20,26…光電子増倍管、2,27…側管、3…受光面板、4…光電面、5…ステム、5a…凹部、6…ステムピン、7…リング状側管(側管)、8…密封容器、9…電子増倍部、12…アノード(陽極)、13…アノードピン(ステムピン)、14…ベース材、15…上側押え材(押え材)、15c…面取り形状、16…下側押え材(押え材)、14a〜16a…開口、15b,16b…大径開口、16c…ベース材浸出開口、18…位置決め用治具、21,25…放射線検出装置、22…シンチレータ。

Claims (6)

  1. 真空状態とされた密封容器内に設けられ、当該密封容器の一側の端部を構成する受光面板を通して入射した入射光を電子に変換する光電面と、前記密封容器内に設けられ、前記光電面から放出された電子を増倍する電子増倍部及び当該電子増倍部により増倍された電子を出力信号として取り出すための陽極と、前記密封容器の他側の端部を構成するステムと、前記ステムに挿着されて前記密封容器内から外部に導出すると共に前記陽極及び前記電子増倍部に電気的に接続された複数のステムピンと、を具備した光電子増倍管において、
    前記ステムは、前記ステムピンを貫通させて接合する絶縁性のベース材と、
    前記ベース材より高い融点を有し、前記ベース材の内側の面及び外側の面の両面に各々接合された押え材と、を少なくとも備える三層以上の構造とされ、
    前記ステムの内側の面に対して前記電子増倍部及び前記陽極が積層され、
    前記ベース材と前記押え材、前記ベース材と前記ステムピンとの接合が、前記ベース材の溶融による融着とされていることを特徴とする光電子増倍管。
  2. 前記押え材は、前記ベース材に接合された前記ステムピンを挿通させる開口を備えると共に、その開口のうちの少なくとも二箇所が、前記開口より大径とされていることを特徴とする請求項1記載の光電子増倍管。
  3. 前記押え材の少なくとも一方には、前記ベース材が溶融により浸出するベース材浸出開口が設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の光電子増倍管。
  4. 前記ステムは、その内側の面及び外側の面における前記ステムピンの貫通部の全周囲が、前記ベース材を底面とする凹部とされていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の光電子増倍管。
  5. 前記密封容器を構成すると共に前記ステムをその側方から包囲する導電性を有する側管を備え、
    前記ステムは、前記ベース材より内側の部材が絶縁性を有していることを特徴とする請求項4記載の光電子増倍管。
  6. 請求項1〜5の何れか一項に記載の光電子増倍管の前記受光面板の外側に、放射線を光に変換して放出するシンチレータを設置して成る放射線検出装置。
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