JP2008293917A - 電子管 - Google Patents

電子管 Download PDF

Info

Publication number
JP2008293917A
JP2008293917A JP2007140848A JP2007140848A JP2008293917A JP 2008293917 A JP2008293917 A JP 2008293917A JP 2007140848 A JP2007140848 A JP 2007140848A JP 2007140848 A JP2007140848 A JP 2007140848A JP 2008293917 A JP2008293917 A JP 2008293917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dynode
dynodes
insulating member
electron
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007140848A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4921248B2 (ja
Inventor
Hideki Shimoi
英樹 下井
Hiroyuki Kushima
浩之 久嶋
Takayuki Omura
孝幸 大村
Hiroto Yokota
浩人 横田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2007140848A priority Critical patent/JP4921248B2/ja
Publication of JP2008293917A publication Critical patent/JP2008293917A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4921248B2 publication Critical patent/JP4921248B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】検出信号におけるノイズを低減しながら検出感度の安定化を図ることが可能な電子管を提供すること。
【解決手段】この光電子増倍管1は、複数段に積層され、入射電子を増倍する電子増倍孔9を有するダイノード10を備えた電子管であって、隣接するダイノード10間には、表面に孔部17が形成された絶縁部材12が設けられており、隣接するダイノード10は、それぞれ、前段側の面10a及び後段側の面10b上のそれぞれに形成された突起部13a,13b及び突起部13c,13dを有し、後段のダイノード10の突起部13a,13b、及び前段のダイノード10の突起部13c,13dが孔部17に嵌合された状態で、絶縁部材12を介して積み重ねられている。
【選択図】図4

Description

本発明は、多段に積層させたダイノードによって入射電子流を増倍する電子管に関するものである。
従来、ダイノードが積層構造を有する電子管に関して、複数のダイノード間の絶縁を確保しつつそれらを所定間隔で積層するために、ダイノード支持材の間にガラス製の球を配置させた装置や、チャンネルを形成する孔が形成された導電層とライン状のセパレータ層とが交互に配置された装置、隣接するダイノード間にガラスエナメルで固着された球状離間部材を有する装置等が知られている(下記特許文献1〜3参照)。これらの装置には、隣接するダイノードとの間を絶縁した状態で各ダイノードを配置させるための部材として、球状部材やライン状の部材が用いられている。さらに、特許文献1に記載の装置では、ダイノード支持材側にガラス球を保持するための孔部が設けられ、この孔部によりガラス球がダイノード支持材に対して保持される。
米国特許第3229143号 特開昭48−74167号公報 特公昭62−41378号公報
ここで、複数段で構成されたダイノードに形成された電子増倍用のチャネルにおいて入射電子を安定して出力側に導くためには、チャネル構造の安定化のために組立時のチャネル構成部材間の位置のずれを少なくすることが要求される。上記従来の装置では、隣接するダイノードを球状部材やライン状部材を挟んで積層させる際に、積層方向に垂直な方向の位置ずれが生じやすい傾向にある。また、ダイノード側に設けられた孔部にガラス球を保持させる場合は、隣接するダイノード間の位置決め精度は向上するが、ガラス球の表面に沿ってダイノード間に放電が生じやすくなる結果、放電による発光に起因して検出信号にノイズを生じさせてしまう場合があった。
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、検出信号におけるノイズを低減しながら検出感度の安定化を図ることが可能な電子管を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の電子管は、複数段に積層され、入射電子を増倍する電子増倍孔を有するダイノードを備えた電子管であって、隣接するダイノード間には、表面に孔部が形成された絶縁部材が設けられており、隣接するダイノードは、それぞれ、前段側及び後段側のそれぞれの面上に形成された第1及び第2の突起部を有し、後段のダイノードの第1の突起部、及び前段のダイノードの第2の突起部が孔部に嵌合された状態で、絶縁部材を介して積み重ねられている。
このような電子管によれば、積層方向に隣接する2つのダイノードは、第1及び第2の突起部が絶縁部材の孔部に嵌め合わされた状態で、絶縁部材を介して積み重ねられるので、積層方向に対して垂直な方向にダイノードどうしが確実に位置合わせされ、検出感度を安定化することができる。また、ダイノードの突起部が絶縁部材の孔の内部に収められるので、隣接するダイノード間で放電が生じても放電による発光が電子管内に漏れることが防止され、検出信号におけるノイズの発生を低減することができる。
絶縁部材の孔部の周縁部には隆起部が形成され、隣接するダイノードは、隆起部に当接した状態で互いに積み重ねられていることが好ましい。この場合、ダイノードが積層された状態では、ダイノードが絶縁部材の孔部の周縁に形成された隆起部に接することになるので、隣接するダイノード間における絶縁部材の孔部に対して外側の側面に沿った延面距離が長くされて、ダイノード間の耐電圧を高くすることができる。
また、第1及び第2の突起部の中央には、平坦面が形成されていることも好ましい。かかる構成を備えれば、ダイノードの突起部とその突起部側の隣接ダイノードとの距離が長くされ、隣接するダイノード間の放電を抑制することができる。
また、ダイノードの前段側の面上における第2の突起部に対して反対側の位置、及びダイノードの後段側の面上における第1の突起部に対して反対側の位置には、窪み部が設けられていることも好ましい。こうすれば、ダイノードの突起部の形成面と反対側の面と、隣接ダイノードとの距離が長くされるので、ダイノード間の耐電圧を高くすることができる。
さらに、絶縁部材には、少なくとも2つの孔部が形成されており、隣接するダイノードは、後段のダイノードの第1の突起部が、絶縁部材の一方の孔部に嵌合され、且つ前段のダイノードの第2の突起部が他方の孔部に嵌合された状態で、絶縁部材を介して積み重ねられていることが好ましい。この場合、隣接する2つのダイノードの第1の突起部及び第2の突起部が、1つの絶縁部材の別々の孔部に収められるので、第1の突起部と第2の突起部とが向かい合うことによってダイノード間の距離が短くなることがない。従って、隣接するダイノード間を絶縁部材を介して確実に位置決めをすることができるとともに、ダイノード間の耐電圧をより高くすることができる。
またさらに、絶縁部材は、ダイノードの電子増倍孔が形成された領域を取り囲むような枠状の形状を有することも好ましい。かかる構成を採れば、ダイノード間の位置決めの精度を向上させることができるとともに、隣接するダイノード間の絶縁部材を伝わって流れる放電による発光が積層されたダイノードの外側空間に漏れることをより確実に防止することができる。
本発明によれば、検出信号におけるノイズを低減しながら検出感度の安定化を図ることが可能な電子管を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ本発明に係る電子管の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の好適な一実施形態に係る電子管である光電子増倍管1の管軸方向に沿った端面図である。この光電子増倍管1は、入射光を受ける円形状の透光性を有する受光面板2、その受光面板2の外縁部に取り付けられた円筒状の金属側管3、及び金属側管3を挟んで受光面板2に対面して配置された円形のステム4によって構成された真空容器5と、この真空容器5内に配設された収束電極6、電子増倍部7、及びアノード8とを備えている。この光電子増倍管1のサイズとしては特定のサイズには限定されないが、例えば、真空容器5の管軸Z方向の長さが12mm、管軸Zに垂直な方向の幅が15mmである。
受光面板2の内面には、光電陰極2aが設けられ、この光電陰極2aと電子増倍部7との間において、管軸Z方向に対して垂直な方向(図1のX軸方向)に略等間隔に並ぶように線状の収束電極6が設けられている。この収束電極6は、外部から受光面板2への光の入射に伴い光電陰極2aから真空容器5内に放出された電子を、その軌道を収束させることにより電子増倍部7に入射させる。
電子増倍部7は、多数の電子増倍孔9を有するダイノード10が、管軸Z方向に複数段で積層されて構成されており、最終段のダイノード10の後段側には、最終段のダイノード10の電子増倍孔9に対向して略矩形状のアノード8が配設されている。また、ステム4には、外部の電圧端子と接続して、光電陰極2a、収束電極6、各ダイノード10、及びアノード8に所定の電圧を印加するステムピン11が貫通して設けられている。このダイノード10の段数及びステムピン11への印加電圧は様々に設定されうるが、例えば、ダイノード10は8段で積層され、光電陰極2a、収束電極6、各ダイノード10、及びアノード8への印加電圧は、それぞれ、0V、0V、160〜720V(80V間隔)、800Vと、光電陰極2aからアノード8に向かうに従って高くなるように設定されている。これにより、入射電子流は、電子増倍経路における上流から下流に向かうにつれて、具体的には初段のダイノード10から最終段のダイノード10に向かうにつれて増倍されて、アノード8で検出信号として外部に取り出される。
各ダイノード10は、略矩形状のステンレス、アルミニウム等の金属製の平板電極に、管軸Z方向に対して垂直な方向(図1のY軸方向)に沿って互いに並列にスリット状の電子増倍孔9が複数形成されて成る。そして、これらの複数のダイノード10が、枠状の絶縁部材12を介して互いに所定の間隔を空けて積み重ねられている。このとき、隣接する2つのダイノード10は、絶縁部材12を介して積み重ねられることにより、管軸Zに対して垂直な平面(X−Y平面)に沿った方向に互いに位置合わせされる。これにより、ダイノード10に形成された電子増倍孔9は、その前段側(収束電極6側)の開口9aが前段のダイノード10の電子増倍孔9の後段側(アノード8側)の開口9bの延長線上に位置するように設定され、管軸Z方向に沿ったジグザグ状の電子増倍用チャネルを並列に形成する。
このような構造のダイノード10としては、例えば、9mm四方、厚さ0.1mmのステンレス平板に1mm間隔で電子増倍孔9を形成したものを、0.8mmピッチで積層したものが使用される。
次に、図2〜4を参照して、電子増倍部7の積層構造について詳細に説明する。図2は、図1の電子増倍部7の平面図、図3は、図2の電子増倍部7の一部のIII-III線に沿った端面図、図4は、図2の電子増倍部7の一部を示す分解斜視図である。
ダイノード10の前段側の表面10aの4隅のうちの対角線上の2隅には、2つの突起部13a,13bが形成され、表面10aの別の対角線上に位置する2隅には、2つの窪み部14c,14dが形成されている。また、同一のダイノード10の後段側の表面10bにおける突起部13a,13bに対して反対側の位置には、それぞれ、突起部13a,13bとほぼ同一の大きさを有する窪み部14a,14bが形成され、表面10bにおける窪み部14c,14dに対して反対側の位置には、それぞれ、窪み部14c,14dとほぼ同一の大きさを有する突起部13c,13dが形成されている。つまり、ダイノード10の所定位置における面10a及び面10bの両面に突起部または窪み部が形成されることはない。これらの突起部13a,13b,13c,13dは略円形状に突出し、それらの中央には平坦面15が形成されている。同様に、窪み部14a,14b,14c,14dは略円形状に窪んだ形状を有し、それらの中央には平坦面16が形成されている。
絶縁部材12は、ダイノード10の縁形状とほぼ同一の縁形状を有するようにセラミック等の絶縁材料により枠状に形成された部材である。この絶縁部材12は、2つのダイノード10の間に配置された際に電子増倍部7の電子増倍孔9の領域A(図1参照)にかからないように、当該領域Aを取り囲むのに十分な大きさでその中央部が矩形状に切り抜かれている。また、この絶縁部材12には、2つのダイノード10間に配置される際に突起部13a,13b,13c,13dに対向する4隅の位置において、前段側の面12aから後段側の面12bまで貫通する孔部17が穿たれている。そして、これらの孔部17の面12a,12b側の周縁部には、それぞれ、円形状の隆起部18が形成されている。
上述した形状を有する2つのダイノード10が絶縁部材12を介して積層される際には、前段のダイノード10の突起部13c,13dが、絶縁部材12の対角線上の2つの孔部17に嵌め合わされ、後段のダイノード10の突起部13a,13bが、絶縁部材12の別の対角線上の2つの孔部17に嵌め合わされることによって互いに積み重ねられる(図4)。この場合、隣接する2段のダイノード10は、それぞれ、その面10a,10bを孔部17の周縁部の隆起部18に当接させた状態で互いに固定される。ここで、孔部17の内径は、突起部13a,13b,13c,13dの外径とほぼ同一の径を有するので、隣接する2つのダイノードは、互いに管軸Zに垂直な方向における位置合わせがなされる。このようにして、初段のダイノード10から最終段のダイノード10までが絶縁部材12を介して積み重ねられている。
以上説明した光電子増倍管1によれば、積層方向に隣接する2つのダイノード10は、突起部13a,13b,13c,13dが絶縁部材12の孔部17に嵌め合わされた状態で、絶縁部材12を介して積み重ねられるので、管軸Z方向に対して垂直なX−Y平面に沿った方向にダイノード10どうしが確実に位置合わせされる。その結果、電子増倍用チャネルの組立精度が向上するので、検出感度を安定化することができる。また、ダイノード10の突起部13a,13b,13c,13dが絶縁部材12の孔部17の内部に収められるので、隣接するダイノード10間で孔部17の内壁に沿った放電が生じても放電による発光が孔部17に閉じ込められ易く、真空容器5内の光電陰極2a側に漏れることが防止される。従って、ステムピン11を介して出力される検出信号におけるノイズの発生を低減することができる。
特に、絶縁部材12には、4隅に4つの貫通する孔部17が形成されており、隣接する2段のダイノード10は、後段のダイノード10の突起部13a,13bが絶縁部材12の対角線上の2隅の孔部17に嵌合され、前段のダイノード10の突起部13c,13dが別の対角線上の孔部17に嵌合される。従って、隣接する2つのダイノード10の突起部13a,13bと突起部13c,13dとが1つの絶縁部材12の別々の孔部17に収められるので、突起部どうしが向かい合うことによってダイノード間の距離が短くなることがない。従って、隣接するダイノード10間を絶縁部材12を介して確実に位置決めをすることができるとともに、ダイノード10間の耐電圧をより高くすることができる。
また、ダイノード10は、絶縁部材12の孔部17の周縁部に形成された隆起部18に当接した状態で互いに積み重ねられているので、隣接するダイノード10間における絶縁部材の孔部17に対して外側の側面20(図5参照)に沿った延面距離が長くされて、ダイノード10間の耐電圧を高くすることができる。
また、突起部13a,13b,13c,13d及び窪み部14a,14b,14c,14dの中央には、平坦面15,16が形成されているので、隣接する2段のダイノード10の突起部13a,13b,13c,13dと窪み部14a,14b,14c,14dとの距離が長くされ、隣接するダイノード10間の放電をより抑制することができる。
また、各ダイノード10の面10a,10bにおいて、突起部13a,13b,13c,13dは、窪み部14a,14b,14c,14dのそれぞれの位置の反対側に形成されているので、隣接する2段のダイノード10間の距離が長くされ、ダイノード間の耐電圧をより高くすることができる。
また、絶縁部材12は、ダイノード10の電子増倍孔9が形成された領域Aを取り囲むような枠状の形状を有するので、それぞれのダイノード10を対面するダイノード10に対して2隅で位置合わせすることによって、ダイノード10間の位置決めの精度を向上させることができる。さらに、隣接するダイノード10間の絶縁部材12を伝わって流れる放電による発光がダイノード10が積層された電子増倍部7の外側空間に漏れることをより確実に防止することができるので、検出信号のノイズを一層低減することが可能になる。
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、ダイノード間に配置される絶縁部材の形状としては、図6(a)に示すような絶縁部材12の1辺が取り除かれたようなU字型の形状や、図6(b)に示すような絶縁部材12の2辺が取り除かれたようなL字型の形状、図6(c)に示すような絶縁部材12の2辺が取り除かれたようなI字型の形状等、様々な形状を採用することができる。ただし、位置決め精度の向上の観点、及び部品点数の削減の観点から、絶縁部材の1部材あたりの孔部17の数は3以上であることが好ましく、特にダイノード間の耐電圧を確保しつつ絶縁部材の両面での2点での嵌め込みによる位置決め精度の向上が可能という点で、孔部17の数は4であることがより好ましい。また、ダイノード10の形状も略矩形状に限らず、例えば略円形でも良い。この場合、円の中心を通る対角線上に突起部および窪み部が形成されるのが好ましい。
また、絶縁部材12の面12a,12b上に形成された孔部17は、反対側の面に貫通しないような窪みが絶縁部材12の両面に形成されたものであってもよい。また、孔部17、ダイノード10上に形成された突起部13a,13b,13c,13d、及び窪み部14a,14b,14c,14dの縁形状も円形には限定されず、矩形、楕円形等の他の形状を有していてもよい。ただし、プレス加工等による加工の容易性や角状の端部がなく放電しにくい点から、円形であることがより好ましい。
また、孔部17の周縁に設けられる隆起部18は円形状には限定されず、複数の円弧状の形状や、ドット状の形状で形成されていてもよい。ただし、孔部17内の放電による発光の漏れを防止する点からは、隆起部18は孔部17の周縁部の全周にわたって円形状で形成されていることが好ましい。
また、以上説明した実施形態では、電子増倍部を備えた電子管として光電子増倍管を示したが、それ以外にも光電陰極を有さない電子増倍管、入力光像を輝度増幅するイメージ増倍管等の電子増倍部を備えた電子管であってもよい。
本発明の好適な一実施形態に係る光電子増倍管の管軸方向に沿った端面図である。 図1の電子増倍部の平面図である。 図2の電子増倍部のIII-III線に沿った端面図である。 図2の電子増倍部の一部を示す分解斜視図である。 図3の電子増倍部の一部を拡大して示す端面図である。 本発明の変形例にかかる絶縁部材の平面図である。
符号の説明
1…光電子増倍管、9…電子増倍孔、10…ダイノード、10a…前段側面、10b…後段側面、12…絶縁部材、12a,12b…表面、13a,13b,13c,13d…突起部、14a,14b,14c,14d…窪み部、15,16…平坦面、17…孔部、18…隆起部、A…電子増倍孔領域。

Claims (6)

  1. 複数段に積層され、入射電子を増倍する電子増倍孔を有するダイノードを備えた電子管であって、
    隣接する前記ダイノード間には、表面に孔部が形成された絶縁部材が設けられており、
    隣接する前記ダイノードは、それぞれ、前段側及び後段側のそれぞれの面上に形成された第1及び第2の突起部を有し、後段の前記ダイノードの前記第1の突起部、及び前段の前記ダイノードの前記第2の突起部が前記孔部に嵌合された状態で、前記絶縁部材を介して積み重ねられている、
    ことを特徴とする電子管。
  2. 前記絶縁部材の前記孔部の周縁部には隆起部が形成され、
    前記隣接するダイノードは、前記隆起部に当接した状態で互いに積み重ねられている、
    ことを特徴とする請求項1記載の電子管。
  3. 前記第1及び第2の突起部の中央には、平坦面が形成されている、
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の電子管。
  4. 前記ダイノードの前段側の面上における前記第2の突起部に対して反対側の位置、及び前記ダイノードの後段側の面上における前記第1の突起部に対して反対側の位置には、窪み部が設けられている、
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子管。
  5. 前記絶縁部材には、少なくとも2つの孔部が形成されており、
    隣接する前記ダイノードは、後段の前記ダイノードの前記第1の突起部が、前記絶縁部材の一方の前記孔部に嵌合され、且つ前段の前記ダイノードの前記第2の突起部が他方の前記孔部に嵌合された状態で、前記絶縁部材を介して積み重ねられている、
    ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子管。
  6. 前記絶縁部材は、前記ダイノードの前記電子増倍孔が形成された領域を取り囲むような枠状の形状を有する、
    ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子管。
JP2007140848A 2007-05-28 2007-05-28 電子管 Active JP4921248B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007140848A JP4921248B2 (ja) 2007-05-28 2007-05-28 電子管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007140848A JP4921248B2 (ja) 2007-05-28 2007-05-28 電子管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008293917A true JP2008293917A (ja) 2008-12-04
JP4921248B2 JP4921248B2 (ja) 2012-04-25

Family

ID=40168420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007140848A Active JP4921248B2 (ja) 2007-05-28 2007-05-28 電子管

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4921248B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009152121A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Hamamatsu Photonics Kk 電子増倍管
JP2013045748A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Hamamatsu Photonics Kk 電子増倍器
JP2013045758A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Hamamatsu Photonics Kk 電極構造体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62150644A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Hamamatsu Photonics Kk 電子放出電極の支持構造
JPH087825A (ja) * 1994-06-20 1996-01-12 Hamamatsu Photonics Kk 電子増倍管
JP2006127990A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hamamatsu Photonics Kk 光電子増倍管及び放射線検出装置
JP2006127970A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hamamatsu Photonics Kk 光電子増倍管及び放射線検出装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62150644A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Hamamatsu Photonics Kk 電子放出電極の支持構造
JPH087825A (ja) * 1994-06-20 1996-01-12 Hamamatsu Photonics Kk 電子増倍管
JP2006127990A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hamamatsu Photonics Kk 光電子増倍管及び放射線検出装置
JP2006127970A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hamamatsu Photonics Kk 光電子増倍管及び放射線検出装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009152121A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Hamamatsu Photonics Kk 電子増倍管
JP2013045748A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Hamamatsu Photonics Kk 電子増倍器
JP2013045758A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Hamamatsu Photonics Kk 電極構造体

Also Published As

Publication number Publication date
JP4921248B2 (ja) 2012-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5452038B2 (ja) 電子増倍器及び電子検出器
JP5771447B2 (ja) 電子増倍器
JP5290805B2 (ja) 光電子増倍管
JP4921248B2 (ja) 電子管
EP1995760B1 (en) Photomultiplier and radiation sensor
WO2007099956A1 (ja) 光電子増倍管および放射線検出装置
KR20140006638A (ko) 메쉬 전극 접합 구조체, 전자 방출 소자, 및 전자 방출 소자를 포함하는 전자 장치
JP5479946B2 (ja) マイクロチャンネルプレートアセンブリ
US20160172169A1 (en) Electron multiplier and photomultiplier including the same
JP5330083B2 (ja) 光電子増倍管
JP4402478B2 (ja) 光電子増倍管
US6650050B1 (en) Photomultiplier tube
US8587196B2 (en) Photomultiplier tube
JP4863931B2 (ja) 電子管
JPH113677A (ja) 電子増倍管
JP2009218001A (ja) マイクロチャネルプレート組立体
JP5284635B2 (ja) 電子増倍管
JP5829460B2 (ja) 電子増倍器
JP5772258B2 (ja) ガス増幅を用いた放射線検出器、及びガス増幅を用いた放射線の検出方法
JPH06314551A (ja) 電子増倍管
JP5497331B2 (ja) 光電子増倍管
JP5065171B2 (ja) 光電子増倍管
JP5827076B2 (ja) 電極構造体
JP2006093036A (ja) 画像表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120131

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4921248

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210

Year of fee payment: 3