JP3312770B2 - 電子増倍管 - Google Patents
電子増倍管Info
- Publication number
- JP3312770B2 JP3312770B2 JP10466793A JP10466793A JP3312770B2 JP 3312770 B2 JP3312770 B2 JP 3312770B2 JP 10466793 A JP10466793 A JP 10466793A JP 10466793 A JP10466793 A JP 10466793A JP 3312770 B2 JP3312770 B2 JP 3312770B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dynode
- dynodes
- electron multiplier
- welding
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多段に積層させたダイ
ノードによって、入射電子流或いはイオンを増倍する電
子増倍管に関する。
ノードによって、入射電子流或いはイオンを増倍する電
子増倍管に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子増倍管及びその細部の構成を
図９に示す。この電子増倍管は、有底円筒状の真空容器
１０５内に、ダイノード１０２を複数段に積層させた電
子増倍部１０７及びアノード１０３を配設している。ま
た、光電面板１０１の内面には、光電陰極１０６を備え
ており、光電子増倍管を構成している。各ダイノード１
０２は、その間に円板状のセラミックスペーサ１０８を
介在させて、所定の間隔を空けて積層されている。
図９に示す。この電子増倍管は、有底円筒状の真空容器
１０５内に、ダイノード１０２を複数段に積層させた電
子増倍部１０７及びアノード１０３を配設している。ま
た、光電面板１０１の内面には、光電陰極１０６を備え
ており、光電子増倍管を構成している。各ダイノード１
０２は、その間に円板状のセラミックスペーサ１０８を
介在させて、所定の間隔を空けて積層されている。
【０００３】図１０に示すように、各ダイノード１０２
は、２枚のダイノード薄板１０２ａ，１０２ｂを溶接し
て一体化しており、このように２枚のダイノード薄板を
接合することにより、一枚のダイノードを形成してい
る。これは、ダイノードに開孔部１１０を形成する際
に、現在のエッチング技術では、隣設する下部開孔端の
間隔ｌの最小値が、ダイノードの厚さに依存して決定さ
れるためである。即ち、この下部開孔端の間隔ｌを長く
形成する場合には、厚いダイノード基板に対して、直
接、エッチングを施せば良いが、この間隔ｌが短い、高
い開孔率を有するダイノードを形成する場合には、厚さ
が薄いダイノード薄板に予めエッチングを施して開孔部
を形成し、この後、図１０に示すように、互いに積層し
て一体化する方法がとられている。
は、２枚のダイノード薄板１０２ａ，１０２ｂを溶接し
て一体化しており、このように２枚のダイノード薄板を
接合することにより、一枚のダイノードを形成してい
る。これは、ダイノードに開孔部１１０を形成する際
に、現在のエッチング技術では、隣設する下部開孔端の
間隔ｌの最小値が、ダイノードの厚さに依存して決定さ
れるためである。即ち、この下部開孔端の間隔ｌを長く
形成する場合には、厚いダイノード基板に対して、直
接、エッチングを施せば良いが、この間隔ｌが短い、高
い開孔率を有するダイノードを形成する場合には、厚さ
が薄いダイノード薄板に予めエッチングを施して開孔部
を形成し、この後、図１０に示すように、互いに積層し
て一体化する方法がとられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来では、このよう
に、複数のダイノード薄板を接合して一体化して構成す
ることがあったが、この接合は、通常、溶接によって行
われる。この溶接部位Ａは、ダイノード１０２の周囲に
設けられ（図１１）、この溶接跡は、ダイノード１０２
表面から突出した突起として形成される（図１２参
照）。一方、各ダイノード１０２は、同じ位置関係で積
層されるため、図１２に示すように、上下に隣設する溶
接部位Ａが互いに接近することとなり、この部分で電界
放電が起こり、ノイズが発生する欠点があった。
に、複数のダイノード薄板を接合して一体化して構成す
ることがあったが、この接合は、通常、溶接によって行
われる。この溶接部位Ａは、ダイノード１０２の周囲に
設けられ（図１１）、この溶接跡は、ダイノード１０２
表面から突出した突起として形成される（図１２参
照）。一方、各ダイノード１０２は、同じ位置関係で積
層されるため、図１２に示すように、上下に隣設する溶
接部位Ａが互いに接近することとなり、この部分で電界
放電が起こり、ノイズが発生する欠点があった。
【０００５】さらに、ダイノード１０２の間隔が0.16〜
0.17ｍｍ程度の小型の電子増倍管を形成する場合には、
この上下に隣設する溶接部位Ａ同士の間隔が一層狭くな
り、より電界放電が発生し易すくなり、小型の電子増倍
管を製造する上で大きな問題となっていた。
0.17ｍｍ程度の小型の電子増倍管を形成する場合には、
この上下に隣設する溶接部位Ａ同士の間隔が一層狭くな
り、より電界放電が発生し易すくなり、小型の電子増倍
管を製造する上で大きな問題となっていた。
【０００６】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、その目的は、小形化した場合にも、
溶接部位での電界放電の発生を抑制し、ノイズを抑える
ことができる電子増倍管を提供することにある。
されたものであり、その目的は、小形化した場合にも、
溶接部位での電界放電の発生を抑制し、ノイズを抑える
ことができる電子増倍管を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明にかかる
電子増倍管は、積層する各ダイノードは、所定の溶接部
位において、開孔部が形成された複数のダイノード薄板
を溶接して一体化したものであり、互いに隣設する各ダ
イノードの溶接部位が、このダイノードの積層方向に対
して異なる位置となるように、各ダイノードを積層して
構成する。
電子増倍管は、積層する各ダイノードは、所定の溶接部
位において、開孔部が形成された複数のダイノード薄板
を溶接して一体化したものであり、互いに隣設する各ダ
イノードの溶接部位が、このダイノードの積層方向に対
して異なる位置となるように、各ダイノードを積層して
構成する。
【０００８】また、ダイノードを構成する各ダイノード
薄板は、その外周部に、外方に突出する突出片を有して
おり、各ダイノード薄板は、この突出片において溶接し
て一体化する構成としても良い。
薄板は、その外周部に、外方に突出する突出片を有して
おり、各ダイノード薄板は、この突出片において溶接し
て一体化する構成としても良い。
【０００９】さらに、各ダイノードには、その一部を切
除した切欠部が形成されており、この切欠部に相対する
位置に、その前段と後段のダイノードの溶接部位を配設
して積層することが好ましい。
除した切欠部が形成されており、この切欠部に相対する
位置に、その前段と後段のダイノードの溶接部位を配設
して積層することが好ましい。
【００１０】なお、このような電子増倍管は、光電陰極
を備えた光電子増倍管として構成することもできる。
を備えた光電子増倍管として構成することもできる。
【００１１】
【作用】各ダイノードの溶接部位を、積層方向に対して
互いに異なる位置となるように、位置をずらして積層す
ることにより、上下に隣設するダイノードの溶接部位
が、互いに接近して配設される構成が回避される。
互いに異なる位置となるように、位置をずらして積層す
ることにより、上下に隣設するダイノードの溶接部位
が、互いに接近して配設される構成が回避される。
【００１２】また、この溶接を、ダイノードの外周部に
突出する突出片に対して施すことにより、この突出片に
突起状の溶接跡が形成されるが、この溶接跡の上方及び
下方には、隣設するダイノードが存在しない構造とな
り、隣設するダイノードの各段の溶接部位の間隔を大き
くとることができる。
突出する突出片に対して施すことにより、この突出片に
突起状の溶接跡が形成されるが、この溶接跡の上方及び
下方には、隣設するダイノードが存在しない構造とな
り、隣設するダイノードの各段の溶接部位の間隔を大き
くとることができる。
【００１３】さらに、各溶接部位に対して前段と次段に
位置する各ダイノードの対応部位を切除することによ
り、この両溶接部位の上方及び下方に十分な間隙が形成
される。
位置する各ダイノードの対応部位を切除することによ
り、この両溶接部位の上方及び下方に十分な間隙が形成
される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１５】図１、２に、本実施例にかかる光電子増倍
管を示す。この光電子増倍管は、入射光を受ける円形の
受光面板１、その外周部に配設する円筒形の金属側管
３、及び基台部を構成する円形のステム４によって真空
容器を形成し、この内部に、入射電子流を増倍する電子
増倍部５を配設している。
管を示す。この光電子増倍管は、入射光を受ける円形の
受光面板１、その外周部に配設する円筒形の金属側管
３、及び基台部を構成する円形のステム４によって真空
容器を形成し、この内部に、入射電子流を増倍する電子
増倍部５を配設している。
【００１６】受光面板１の下面には光電陰極２を設け、
この光電陰極２と電子増倍部５との間には収束電極６を
配設している。従って、光電陰極６から放出された各電
子は、収束電極６の影響によってその軌道が収束され、
電子増倍部５の所定の領域内に入射する。
この光電陰極２と電子増倍部５との間には収束電極６を
配設している。従って、光電陰極６から放出された各電
子は、収束電極６の影響によってその軌道が収束され、
電子増倍部５の所定の領域内に入射する。
【００１７】基台部となるステム４には、外部の電圧端
子と接続して、各ダイノード７、１０などに所定の電圧
を与える計１２本のステムピン１１が貫通している。各
ステムピン１１は、テーパ状のハーメチックガラス１２
によってステム４に固定されている。また、接続すべき
ダイノードに至る長さを有し、その先端は対応する各ダ
イノードに形成したＵ字型の接続端子２０と抵抗溶接さ
れている。
子と接続して、各ダイノード７、１０などに所定の電圧
を与える計１２本のステムピン１１が貫通している。各
ステムピン１１は、テーパ状のハーメチックガラス１２
によってステム４に固定されている。また、接続すべき
ダイノードに至る長さを有し、その先端は対応する各ダ
イノードに形成したＵ字型の接続端子２０と抵抗溶接さ
れている。
【００１８】電子増倍部５は、多数の電子増倍孔８を有
するダイノード７を、複数段に積層して構成しており、
これら積層したダイノード７の下部には、アノード９、
及び最終段のダイノード１０を順に配設している。
するダイノード７を、複数段に積層して構成しており、
これら積層したダイノード７の下部には、アノード９、
及び最終段のダイノード１０を順に配設している。
【００１９】図３に、電子増倍部５を構成する、連続す
る３段のダイノード７を取り出して示す。各ダイノード
７は、それぞれ、上部電極７ａと下部電極７ｂとを溶接
して一体化して形成しており、各ダイノード７の上面と
下面には、突起状の溶接跡３０が形成されている。
る３段のダイノード７を取り出して示す。各ダイノード
７は、それぞれ、上部電極７ａと下部電極７ｂとを溶接
して一体化して形成しており、各ダイノード７の上面と
下面には、突起状の溶接跡３０が形成されている。
【００２０】ここで、図４（ａ）には、電子増倍部５を
構成する第ｎ段のダイノードｎの平面図を示し、（ｂ）
には、その次段の第ｎ＋１段のダイノードｎ＋１の平面
図を示す。各ダイノードは、略正方形を呈しており、各
ダイノードを一体化する溶接は、一方の対角線方向に相
対する隅部に施している。従って、ダイノードｎには、
この相対する隅部に突起状の溶接跡３０が形成されてい
る。また、次段のダイノードｎ＋１には、他方の対角線
方向に相対する隅部に溶接を施しており、この位置にも
突起状の溶接跡３０が形成されている。電子増倍部５を
構成すダイノードは、このようにして、順に溶接跡３０
の位置を交互に変えて各ダイノードを積層している。従
って、図３に示すように、中段に位置するダイノード７
に形成された溶接跡３０と、その上段、下段に位置する
ダイノード７の溶接跡３０とが、積層方向に対して一致
することはない。
構成する第ｎ段のダイノードｎの平面図を示し、（ｂ）
には、その次段の第ｎ＋１段のダイノードｎ＋１の平面
図を示す。各ダイノードは、略正方形を呈しており、各
ダイノードを一体化する溶接は、一方の対角線方向に相
対する隅部に施している。従って、ダイノードｎには、
この相対する隅部に突起状の溶接跡３０が形成されてい
る。また、次段のダイノードｎ＋１には、他方の対角線
方向に相対する隅部に溶接を施しており、この位置にも
突起状の溶接跡３０が形成されている。電子増倍部５を
構成すダイノードは、このようにして、順に溶接跡３０
の位置を交互に変えて各ダイノードを積層している。従
って、図３に示すように、中段に位置するダイノード７
に形成された溶接跡３０と、その上段、下段に位置する
ダイノード７の溶接跡３０とが、積層方向に対して一致
することはない。
【００２１】他の実施例を図５（ａ），（ｂ）に示す。
各ダイノードは、前述の実施例と同様に、溶接部位を対
角線方向に沿って交互に変えて積層しているが、この場
合には、ダイノードｎの溶接跡３０に相対するダイノー
ドｎ＋１の部位を切除して構成している。従って、各ダ
イノードは、溶接を施さない、他方の対角線方向の隅部
に切欠部３１を形成している。このように形成したダイ
ノードを順に積層することにより、各段のダイノードの
溶接跡３０の上方及び下方には、隣設するダイノードが
位置せず、そのさらに前段及び後段のダイノードとの間
に、大きな空隙が形成されることとなる。
各ダイノードは、前述の実施例と同様に、溶接部位を対
角線方向に沿って交互に変えて積層しているが、この場
合には、ダイノードｎの溶接跡３０に相対するダイノー
ドｎ＋１の部位を切除して構成している。従って、各ダ
イノードは、溶接を施さない、他方の対角線方向の隅部
に切欠部３１を形成している。このように形成したダイ
ノードを順に積層することにより、各段のダイノードの
溶接跡３０の上方及び下方には、隣設するダイノードが
位置せず、そのさらに前段及び後段のダイノードとの間
に、大きな空隙が形成されることとなる。
【００２２】また、他の実施例を図７（ａ），（ｂ）に
示す。この場合には、ダイノード７の外周部に突出片３
３を突設しており、各ダイノード７は、この突出片３３
にて、上部電極７ａと下部電極７ｂとを溶接して一体化
している。また、この突出片３３は、上下に隣設される
各ダイノード７ごとに、位置をずらして形成しており、
連続する前段と後段のダイノードで、突出片３３が重な
り合うことがないように配設されている。例えば、図８
に示すように、突出片３３を一段おきに同じ位置に設け
ることにより、溶接跡３０の上方及び下方には、ダイノ
ードが位置せず、そのさらに前段及び後段のダイノード
との間に、大きな空隙が形成されることとなる。また、
ダイノードの外周部に沿って、突出片３３を各段毎に序
々に位置をずらして設けることもできる。このように配
設した場合、突設片３３は、図２に示した接続端子２０
のように、電子増倍部５の外周部に放射状に突出する状
態となる。
示す。この場合には、ダイノード７の外周部に突出片３
３を突設しており、各ダイノード７は、この突出片３３
にて、上部電極７ａと下部電極７ｂとを溶接して一体化
している。また、この突出片３３は、上下に隣設される
各ダイノード７ごとに、位置をずらして形成しており、
連続する前段と後段のダイノードで、突出片３３が重な
り合うことがないように配設されている。例えば、図８
に示すように、突出片３３を一段おきに同じ位置に設け
ることにより、溶接跡３０の上方及び下方には、ダイノ
ードが位置せず、そのさらに前段及び後段のダイノード
との間に、大きな空隙が形成されることとなる。また、
ダイノードの外周部に沿って、突出片３３を各段毎に序
々に位置をずらして設けることもできる。このように配
設した場合、突設片３３は、図２に示した接続端子２０
のように、電子増倍部５の外周部に放射状に突出する状
態となる。
【００２３】以上説明した各実施例では、各段のダイノ
ードを上部電極と下部電極との２枚を接合して構成する
例を示したが、３枚以上を接合して構成する場合も同様
である。この場合にも、実施例で示した各溶接部位にお
いて、それそれ該当する枚数の上部電極などを構成する
ダイノード薄板が溶接されることになる。
ードを上部電極と下部電極との２枚を接合して構成する
例を示したが、３枚以上を接合して構成する場合も同様
である。この場合にも、実施例で示した各溶接部位にお
いて、それそれ該当する枚数の上部電極などを構成する
ダイノード薄板が溶接されることになる。
【００２４】また、各実施例では、略正方形状のダイノ
ードのみを例示したが、この形状に限定するものではな
く、例えば、ダイノードの形状は円盤形状であってもよ
い。さらに、各実施例では、各ダイノードは、上部電極
７ａと下部電極７ｂを２カ所で溶接する例を示したが、
３カ所以上であっても良い。また、図４及び図５の例で
は、ダイノードの隅部に溶接位置を施す場合を示した
が、ダイノードの外縁部に沿った位置に溶接することも
可能であり、いずれの場合にも、上下に隣設するダイノ
ードの溶接部位が、互いに重ならない位置であれば良
い。なお、各実施例では、各ダイノードは、光電陰極を
備えた光電子増倍管内に配設する例を示したが、勿論、
電子増倍管に配設することも可能である。
ードのみを例示したが、この形状に限定するものではな
く、例えば、ダイノードの形状は円盤形状であってもよ
い。さらに、各実施例では、各ダイノードは、上部電極
７ａと下部電極７ｂを２カ所で溶接する例を示したが、
３カ所以上であっても良い。また、図４及び図５の例で
は、ダイノードの隅部に溶接位置を施す場合を示した
が、ダイノードの外縁部に沿った位置に溶接することも
可能であり、いずれの場合にも、上下に隣設するダイノ
ードの溶接部位が、互いに重ならない位置であれば良
い。なお、各実施例では、各ダイノードは、光電陰極を
備えた光電子増倍管内に配設する例を示したが、勿論、
電子増倍管に配設することも可能である。
【００２５】
【発明の効果】本発明にかかる電子増倍管では、互いに
隣設する各ダイノードの溶接部位が、このダイノードの
積層方向に対して異なる位置となるように積層するの
で、上下に隣設するダイノードの溶接部位が、互いに接
近して配置される構成を回避することができる。従っ
て、各段の突起状の溶接跡が互いに接近することはな
く、従来、この部位で発生していた電界放電を抑制する
ことができ、この放電に起因するノイズの発生を低減す
ることができる。
隣設する各ダイノードの溶接部位が、このダイノードの
積層方向に対して異なる位置となるように積層するの
で、上下に隣設するダイノードの溶接部位が、互いに接
近して配置される構成を回避することができる。従っ
て、各段の突起状の溶接跡が互いに接近することはな
く、従来、この部位で発生していた電界放電を抑制する
ことができ、この放電に起因するノイズの発生を低減す
ることができる。
【００２６】また、このような構成は、電子増倍管を小
形化した場合に特に有効である。すなわち、小型化に伴
って各ダイノードの間隔が一層狭くなるため、溶接跡同
士が互いに接近して電界放電が発生し易くなる。しか
し、このような構成を採用することによって、溶接跡同
士の間隔が広がるため、この放電の発生を抑制すること
が可能となる。
形化した場合に特に有効である。すなわち、小型化に伴
って各ダイノードの間隔が一層狭くなるため、溶接跡同
士が互いに接近して電界放電が発生し易くなる。しか
し、このような構成を採用することによって、溶接跡同
士の間隔が広がるため、この放電の発生を抑制すること
が可能となる。
【図１】本発明にかかる光電子増倍管を示し、金属側管
を破断してその内部構造を示す側面図である。
を破断してその内部構造を示す側面図である。
【図２】図１に示す光電子増倍管の上面図である。
【図３】図１に示す光電子増倍管にうち、電子増倍部を
構成するダイノードを示す端面図である。
構成するダイノードを示す端面図である。
【図４】（ａ）は、第ｎ段のダイノードを示す平面図、
（ｂ）は第ｎ＋１段のダイノードを示す平面図である。
（ｂ）は第ｎ＋１段のダイノードを示す平面図である。
【図５】図５は、他のダイノードの実施例を示し、
（ａ）は第ｎ段のダイノードを示す平面図、（ｂ）は第
ｎ＋１段のダイノードを示す平面図である。
（ａ）は第ｎ段のダイノードを示す平面図、（ｂ）は第
ｎ＋１段のダイノードを示す平面図である。
【図６】電子増倍部を構成するダイノード示す端面図で
ある。
ある。
【図７】図７は、他のダイノードの実施例を示し、
（ａ）は第ｎ段のダイノードを示す平面図、（ｂ）は第
ｎ＋１段のダイノードを示す平面図である。
（ａ）は第ｎ段のダイノードを示す平面図、（ｂ）は第
ｎ＋１段のダイノードを示す平面図である。
【図８】電子増倍部を構成するダイノードを示す端面図
である。
である。
【図９】従来の電子増倍管を示す側面図である。
【図１０】図９の電子増倍管に備えられたダイノードを
示す端面図である。
示す端面図である。
【図１１】図９の電子増倍管に備えられたダイノードを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図１２】図９の電子増倍管内に積層されたダイノード
を示す端面図である。
を示す端面図である。
５…電子増倍部、７、１０…ダイノード、７ａ…上部電
極（ダイノード薄板）、 ７ｂ…下部電極（ダイノード
薄板）、３０…溶接跡、３１…切欠部、３３…突出片。
極（ダイノード薄板）、 ７ｂ…下部電極（ダイノード
薄板）、３０…溶接跡、３１…切欠部、３３…突出片。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−150644（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182642（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−55186（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 43/20
Claims (4)
- 【請求項１】 ダイノードを複数段に積層して構成する
電子増倍管において、 前記各ダイノードは、所定の溶
接部位において、開孔部が形成された複数のダイノード
薄板を溶接して一体化したものであり、 互いに隣設する前記各ダイノードの溶接部位が、このダ
イノードの積層方向に対して異なる位置となるように、
前記各ダイノードを積層してなる電子増倍管。 - 【請求項２】 前記ダイノードを構成する前記各ダイノ
ード薄板は、その外周部に、外方に突出する突出片を有
しており、 前記各ダイノード薄板は、この突出片において溶接され
たものであることを特徴とする請求項１記載の電子増倍
管。 - 【請求項３】 前記各ダイノードには、その一部を切除
した切欠部が形成されており、この切欠部に相対する位
置に、その前段と後段の前記ダイノードの溶接部位を配
設してなる請求項１記載の電子増倍管。 - 【請求項４】 前記電子増倍管は、光電陰極を備えた光
電子増倍管であることを特徴をする請求項１乃至３のい
ずれか１項に記載の電子増倍管。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466793A JP3312770B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 電子増倍管 |
| DE69404080T DE69404080T2 (de) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Photovervielfacher |
| US08/234,152 US5491380A (en) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Photomultiplier including an electron multiplier for cascade-multiplying an incident electron flow using a multilayered dynode |
| DE69404079T DE69404079T2 (de) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Photovervielfacher |
| US08/234,157 US5510674A (en) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Photomultiplier |
| EP94303077A EP0622826B1 (en) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Photomultiplier |
| EP94303103A EP0622828B1 (en) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Photomultiplier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466793A JP3312770B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 電子増倍管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314551A JPH06314551A (ja) | 1994-11-08 |
| JP3312770B2 true JP3312770B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=14386822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10466793A Expired - Lifetime JP3312770B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-30 | 電子増倍管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3312770B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4146529B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2008-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP4108905B2 (ja) | 2000-06-19 | 2008-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | ダイノードの製造方法及び構造 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP10466793A patent/JP3312770B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06314551A (ja) | 1994-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4804172B2 (ja) | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 | |
| EP1276135B1 (en) | Electron multiplier and photomultiplier | |
| JPH06310084A (ja) | 電子増倍管 | |
| EP1304718B1 (en) | Photomultiplier tube and production method therefor | |
| US4806827A (en) | Multiplier element of the aperture plate type, and method of manufacture | |
| JP4711420B2 (ja) | 光電子増倍管および放射線検出装置 | |
| JP3312770B2 (ja) | 電子増倍管 | |
| JP4627470B2 (ja) | 光電子増倍管 | |
| JP4108905B2 (ja) | ダイノードの製造方法及び構造 | |
| US6650050B1 (en) | Photomultiplier tube | |
| EP0349081A1 (en) | Electron tube | |
| JP4921248B2 (ja) | 電子管 | |
| JP4146529B2 (ja) | 電子増倍管 | |
| JP3260902B2 (ja) | 電子増倍管 | |
| JP2810629B2 (ja) | 光電子増倍管およびその組立方法 | |
| JP2956590B2 (ja) | 支柱材整列用治具 | |
| KR100242515B1 (ko) | 전계 방출 음극 지지 구조 | |
| JP5284635B2 (ja) | 電子増倍管 | |
| JP2006127983A (ja) | 光電子増倍管及び放射線検出装置 | |
| JPH08171870A (ja) | 電子銃構体およびその組立方法 | |
| JPH06251697A (ja) | 電極間の絶縁接合構造及び電極間の絶縁接合方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100531 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110531 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110531 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120531 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130531 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |