JPH0795437B2

JPH0795437B2 - 光電子増倍管

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Publication number: JPH0795437B2
Application number: JP62095874A
Authority: JP
Inventors: 浩之久嶋; 公嗣中村; 隆仁加藤
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1987-04-18
Filing date: 1987-04-18
Publication date: 1995-10-11
Anticipated expiration: 2010-10-11
Also published as: JPS63261664A; GB8809074D0; GB2205438A; US4881008A; GB2205438B

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ガンマ線などの放射線粒子を検出するための
シンチレーション検出器に用いられる光電子増倍管に関
し、特に放射線の入射位置を検出するための光電子増倍
管に関する。

〔従来の技術〕

従来、シンチレーション検出器に用いられ、ガンマ線な
どの放射線の入射位置を検出する光電子増倍管が知られ
ている。

第５図（ａ），（ｂ）はそれぞれ、シンチレーション検
出器の正面図、側面図である。第５図（ａ），（ｂ）に
おいてシンチレーション検出器100は、ガンマ線などの
放射線粒子の入射する２つのシンチレータ101,102と、
シンチレータ101,102の下方に位置決めされている光電
子増倍管103とを備えている。

シンチレータ101,102は、ビスマス、ゲルマニウム、オ
キサイド（Bi₄Ge₃O₁₂）からなる発光物質で形成されて
いる。シンチレータ101,102にガンマ線などの放射線粒
子が入射すると、シンチレータ101,102は420ナノｍの波
長の光を発生し、この光がシンチレータ101,102の下方
に位置決めされている光電子増倍管103によって電気信
号に変換され増倍されてバルス電流として出力されるよ
うになっている。また放射線粒子の入射位置検出は、シ
ンチレータ101,102のいずれに放射線粒子が入射したか
を検出することによってなされるようなっている。

光電子増倍管103は、放射線粒子がシンチレータ101に入
射したのかあるいはシンチレータ102に入射したのかを
検出するため、２つのシンチレータ101,102のそれぞれ
に対応した２つの分割された光電面104,105を備えてい
る。光電面104,105は、角形の気密管球106の上端に設け
られている透明な入光窓107の内面108,109にそれぞれ形
成されている。

光電子増倍管103にはまた、２つの光電面104,105に対応
させて、２つの集束電極110,111と、２組のダイノード
列112乃至118,120乃至126と、２つの網状のアノード電
極127,128とが設けられている。すなわち、光電面104に
入射した光によって光電面104から放出される光電子
は、集束電極110,ダイノード列112乃至118,アノード電
極127により増倍されて出力される一方、光電面105に入
射した光によって光電面105から放出される光電子は、
集束電極111,ダイノード列120乃至126,アノード電極128
により増倍されて出力されるようになっている。

集束電極110,111は、光電面104,105からの光電子をそれ
ぞれに対応するダイノード列112乃至118,120乃至126に
確実に案内するためのものであり、集束電極110,111の
互いに隣接する部分129,130は、２つの光電面104,105の
いずれか一方から放出された光電子を他方のダイノード
列に入射させないための隔壁として機能するようになっ
ている。

またダイノード列112乃至118,120乃至126は、支持部材1
31,132に所定の形状に弯曲されて取付けられている。第
５図（ａ）に示すように、ダイノード列112乃至118,120
乃至126の長手方向に垂直な入光窓107の内面108,109の
断面形状、光電面104,105の断面形状は、所定の曲率
（曲率半径R1）を有しており、その曲率の中心がそれぞ
れ集束電極110,111の中心軸線Ａ−Ａ上、中心軸線Ｂ−
Ｂ上となるような設計されている。また第５図（ｂ）に
示すように、ダイノード列112乃至118,120乃至126の長
手方向と平行な入光窓108の内面108,109の断面形状、光
電面104,105の断面形状も、所定の曲率（曲率半径R2）
を有しており、その曲率中心が、集束電極110,111の中
心軸線Ａ−A,B−Ｂ上となるように設計されている。

このような構成の光電子増倍管103を備えたシンチレー
タ検出器100では、例えばシンチレータ101の方にガンマ
線Аγ_１が入射すると、ガンマ線γ_１はシンチレータ10
1と衝突し、シンチレータ101は光l₁₁,l₁₂を発生する。
光l₁₁は光電子増倍管103の光電面104に直接入射し、こ
れにより光電面104からは光電子P₁₁が放出される。また
光l₁₂はシンチレータ101の側壁で反射されて光電子増倍
管103の光電面104の入射し、これにより光電面104から
は光電子P₁₂が放出される。

光電面104から放出された光電子P₁₁,P₁₂は、光電面104
の断面形状（曲率半径R1,R2）と集束電極110とによって
ダイノード列112乃至118の最初のダイノード112に向か
って集束され、ダイノード112に入射する。これによ
り、ダイノード112からは二次電子が放出され、この二
次電子はダイノード列112乃至118によって増倍されてア
ノード電極127の出力端子OT1からパルス電流として取出
される。

同様にして、シンチレータ102の方にガンマ線γ_２が入
射すると、ガンマ線γ_２はシンチレータ102と衝突し、
シンチレータ102は光l₂₁,l₂₂を発生する。光l₂₁は光電
子増倍管103の光電面105に直接入射し、これにより光電
面105からは光電子P₂₁が放出される。また光l₂₂はシン
チレータ101の側壁で反射されて光電子増倍管103の光電
面105に入射し、これにより光電面105からは光電子P₂₂
が放出される。

光電面105から放出された光電子P₂₁,P₂₂は、光電面104
と同様な光電面105の断面形状（曲率半径R1,R2）と集束
電極111とによってダイノード列120乃至126の最初のダ
イノード120に向かって集束され、ダイノード120に入射
する。これによりダイノード120からは二次電子が放出
され、この二次電子はダイノード列120乃至126によって
増倍されてアノード電極128の出力端子OT2からパルス電
流として取出される。

このようにして、アノード電極127,128の出力端子OT1,O
T2から取出されたパルス電流は、図示しないが電流計あ
るいはパルス計数器に送られ、シンチレータ101（また
は102）に入射したガンマ線γ_１（またはγ_２）に対応
する電流あるいはパルス数を検出することができる。す
なわち、パルス電流が出力信号OT1,OT2のいずれから何
個取出されたかを検出することによって、ガンマ線がシ
ンチレータ101,102のいずれにどのくらいの個数、入射
したかを判別することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第５図（ａ），（ｂ）に示す従来の光電子増倍管103で
は、集束電極110,111の隔壁129,130によって、光電面10
4から放出される光電子が他方のダイノード列120乃至12
6に入射したり、あるいはこれと反対に光電面105から放
出される光電子が他方のダイノード列112乃至118に入射
したりするのを阻止するようになっている。しかしなが
ら、従来の光電子増倍管103では、入光窓107の２つの内
面104,105がそれぞれ所定の曲率をもち互いに隣接して
配置されているので、入光窓107の厚さは２つの光電面1
04,105の境界で大きくなる。このために、従来の光電子
増倍管103では、一方のシンチレータ（例えばシンチレ
ータ101）から発生する光が、入光窓107の内面104,105
の境界付近を通過するときに、一方の光電面（例えば光
電面104）ではなく、他方の光電面（例えば光電面105）
に向かう所謂光の混入が生じて、入射位置の検出誤りを
生じされる恐れがあった。

また、当業者間には、ガンマ線などの放射線粒子の入射
位置検出精度をさらに向上させたいという強い要請があ
る。入射位置検出精度をさらに高まるために、入光窓、
光電面の小さな小型の光電子増倍管を多数密集させて配
列したインチレーション検出器や、第５図（ａ），
（ｂ）に示す構造の光電子増倍管103を改良し、光電面
をさらに複数に分割した光電子増倍管を備えるシンチレ
ーション検出器が提案された。

しかしながら、小型の光電子増倍管を多数密集させて配
列した型式のシンチレーション検出器では、光電子増倍
管の所定の性能を維持しつつ光電子増倍管を小型化する
には限界があり、また光電面に対する光電子増倍管の外
形比が大きくなるので、シンチレータからの光を光電面
で受光する確率が減少し、入射位置検出精度を著しく高
めることは野めない。また第５図（ａ），（ｂ）に示す
構造を改良した型式の光電子増倍管を備えたシンチレー
ション検出器では、前述のように光の混入が生ずること
によって位置検出を確実に行なうには限界があり、さら
に光電面の分割数に応じた個数のダイノード列およびア
ノード電極を設ける必要があるので、構造が複雑となり
小型化するには適しないという問題があった。

本発明は、ガンマ線などの放射線粒子の入射位置検出精
度をさらに向上させることが可能な小型でかつ構造の簡
単な光電子増倍管を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は長方形の入光窓と、該入射窓の長手方向に沿っ
て所定の間隔をへだてて形成されている複数の光電面
と、該複数の光電面のそれぞれに対応して設けられてい
る複数の集束電極と、前記各光電面のいずれかから放出
された光電子がそれに対応した集束電極以外の集束電極
に混入するのを阻止するために、前記集束電極間に入光
窓内面に接するように配置された隔壁と、前記複数の光
電面に共通しており、前記入射窓の長手方向に沿って長
手方向部分が位置決めされている複数のダイノード部材
と、前記複数の光電面のそれぞれに対応して設けられて
いる複数のアノード電極とを備え、前記長方形の入射窓
はその長手方向に沿って厚さが一様である一方、長手方
向と垂直な方向に所定の曲率をもって弯曲しており、前
記複数のダイノード部材の各々は、前記複数の光電面の
それぞれに対応させて、分離手段により互いに分離され
ている複数の放出面を備えていることを特徴とする光電
子増倍管によって、上記従来技術の問題点を改善しよう
とするものである。

〔作用〕

本発明では、長方形の入光窓の所定位置に入射した光
は、この入光窓を透過して、入光窓の長手方向に沿って
形成されている複数の光電面のうちの１つに入射する。
なお、長方形の入光窓の長手方向に沿った厚さは一様に
なっているので、光が対応する光電面以外の光電面に入
射するようなことはない。１つの光電面に入射した光に
より光電面からは光電子が放出され、光電子は、所定の
集束電極によって集束されて、複数の光電面に共通した
複数のダイノード部材に入射する。この際、集束電極間
には、入光窓内面に接するように隔壁が配置されている
ので、各光電面のいずれかから放出された光電子がそれ
に対応した集束電極以外の集束電極に混入するのを阻止
することができる。また、光電面は入光窓の長手方向と
垂直な方向に所定の曲率をもって弯曲しているので、光
電子を一層集束させてダイノード部材に入射させること
ができる。光電面からの光電子はこの光電面に対応した
最初のダイノード部材の放出面に入射し、放出面からは
二次電子が放出される。ところで複数のダイノード部材
の各々の複数の放出面は、複数の光電面のそれぞれに対
応させて、分離手段により互いに分離されているので、
光電子および二次電子は、１つの光電面に対応した複数
のダイノード部材の放出面によって増倍され、所定のア
ノード電極に到達する。すなわち複数のダイノード部材
の放出面間での光電子、二次電子の混入を生じさせず
に、入光窓の所定位置に入射した光を所定のアノード電
極から電流として取出すことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ、本発明の第１の実施
例の光電子増倍管の正面図、側面図である。

第１図（ａ），（ｂ）において光電子増倍管１は、４つ
に分割された光電面２乃至５を備えている。光電面２乃
至５は、角形の気密管球６の上端に設けられている長方
形の透明な入光窓７の内面８に所定の間隔をへだてて形
成されている。入光窓７は、従来の光電子増倍管103の
入光窓107と異なり、光電面２乃至５が並置されている
方向すなわち長手方向に沿っては凹凸を有しておらず、
長手方向とは垂直な方向に所定の曲率（曲率半径R3）で
弯曲している。なお、入光窓７のこの曲率の中心は、光
電子増倍管の中心軸線Ｄ−Ｄよりも第１ダイノード部材
20側にずれた位置にある。

光電子増倍管１はまた、４つの光電面２乃至５のそれぞ
れに対応した４つの集束電極10乃至13と、光電面２乃至
５に対して共通の第１ダイノード部材20乃至第10ダイノ
ード部材29と、光電面２乃至５のそれぞれに対応した４
つのアノード電極30乃至33とを備えている。

また各光電面２乃至５、各集束電極10乃至13の間には、
光電面２乃至５のいずれかから放出された光電子がそれ
に対応した集束電極以外の集束電極に混入するのを阻止
するための隔壁14乃至16が設けられている。各隔壁14乃
至16の上端部は、入光窓７の内面８に密接し、下端部は
集束電極10乃至13を載置している基板17には接触せずス
ペーサ50乃至55を介して集束電極10乃至13に固定されて
いる。各集束電極10乃至13は、各隔壁14乃至16にスペー
50乃至55を介して連結されており、これにより各集束電
極10乃至13を各光電面２乃至５間の間隔とほぼ同じ間隔
に保持している。

基板17には、一対の支持部材18,19が連結されており、
支持部材18,19には、第１ダイノード部材20乃至第10ダ
イノード部材29が取付けられている。第１ダイノード部
材20乃至第10ダイノード部材29の各々を４つの光電面２
乃至５に対して共通のものとするために、第１ダイノー
ド部材20乃至第10ダイノード部材29はこれらの長手方向
部分が長方形の入光窓７の長手方向と平行になるよう位
置決めされている。

この第１の実施例では、第２図に示すような構造の第１
ダイノード部材20が用いられている。第１の実施例の第
１ダイノード部材20の内面34には、所定の二次電子放出
比をもつ放出面35乃至38が光電面２乃至５のそれぞれに
対応した位置に形成され、また二次電子放出比の小さな
（仕事関数の大きな）材料からなる帯状部分39乃至41が
隔壁14乃至16に対応した位置に形成されている。第２ダ
イノード部材21乃至第10ダイノード部材29にも第１ダイ
ノード部材20と同様の放出面、帯状部分がそれぞれ形成
されている。このような帯状部分39乃至41を各放出面35
乃至38間に形成することで、各光電面２乃至５からの光
電子およびこれにより第１ダイノード部材20から放出さ
れる二次電子を各光電面２乃至５に対応したアノード電
極30乃至33まで混入させずに確実に案内することができ
るようになっている。

このような構成の第１の実施例の光電子増倍管１では、
入光窓７の上方に４つのシンチレータ（図示せず）を光
電面２乃至５のそれぞれに対応させて配置し、光電子増
倍管１の光電面２乃至５、集束電極10乃至13,第１ダイ
ノード部材20乃至第10ダイノード部材29,アノード電極3
0乃至33にそれぞれ、外部回路（図示せず）から所定の
接続用ピン、リード線（図示せず）を介して所定の電圧
を印加する。

４つのシンチレータのいずれかにガンマ線などの放射線
粒子が入射すると、放射線粒子はシンチレータに衝突
し、シンチレータは光を発生する。この光は光電子増倍
管１の入光窓７に直接にあるいはシンチレータの側壁で
反射されて入射する。その際、本実施例の入射窓７は、
長手方向に沿っては凹凸を有しておらず、従来の光電子
増倍管103と異なり、長手方向に沿っては厚さが変化せ
ず、厚さを一様に薄くすることができるので、所定のシ
ンチレータで発生した光をそのシンチレータに対応した
光電面に確実に案内することができる。これによって対
応した光電面以外の光電面に光が入射する所謂光の混入
を有効に防止することができる。

一つのシンチレータに入射した光がこれに対応した光電
面、例えば光電面２に入射すると、この光電面２からは
光電子が放出される。この光電子は集束電極10により集
束されて第１ダイノード部材20に入射する。ところで、
本実施例では、入光窓７は、その長手方向と垂直な方向
に、所定の曲率で弯曲しており、その曲率中心が光電子
増倍管１の中心軸線Ｄ−Ｄよりも第１ダイノード部材20
側にずれた位置にあるので、光電子を第１ダイノード部
材20の放出面35に確実に入射させることができる。な
お、光電面２と光電面３との間、集束電極10と集束電極
11との間には隔壁14が設けられているので、光電面２か
ら放出された光電子が隣の集束電極11の方に混入するこ
とはない。入光窓７の曲率すなわち光電面２の曲率と集
束電極11とによって集束された光電子は、そのほとんど
が第１ダイノード部材20の放出面35に入射するが、一部
のものは放出面35と放出面36との境界にも入射し、この
境界から放出される二次電子が第２ダイノード部材21の
対応しない放出面に入射して混入を生じさせる恐れがあ
る。ところで、第１の実施例では、放出面35と放出面36
との間には二次電子放出比の小さな帯状部分39が形成さ
れているので、この帯状部分39に入射した光電子によっ
ては二次電子が放出されない。これにより、隣接する放
出面間を分離し、第１ダイノード部材20から放出される
二次電子を第２ダイノード部材21の対応した放出面に確
実に向かわせ、混入を有効に阻止することができる。第
２ダイノード部材21乃至第10ダイノード部材29にも、同
様の帯状部分が形成されているので、第１ダイノード部
材20の放出面35に入射した光電子によって放出面35から
放出される二次電子は、混入を生ずることなく対応した
アノード電極30まで増倍されて到達する。

このようにして、例えば光電面２に対応したシンチレー
タ（図示せず）に入射した放射線粒子をこれに対応した
アノード電極30からパルス電流として確実に取出すこと
ができて、光電面２に対応したシンチレータに入射した
放射線粒子が他のアノード電極30,32,33から取出される
ことのないようにすることができる。

また、光電面3,4,5から放出される光電子は、これらに
対応した第１ダイノード部材20の放出面36,37,38に入射
するが、放出面36,37,38間には二次電子放出比の小さな
帯状部分40,41が形成され、放出面36,37,38間は互いに
分離されているので、上述したと同様にして、混入を阻
止することができて、光電面3,4,5から放出される光電
子および放出面36,37,38から放出される二次電子を、こ
れらに対応したアノード電極31,32,33まで確実に到達さ
せることができる。

本発明の第２の実施例の光電子増倍管では、第１の実施
例の第１ダイノード部材20のかわりに、第３図に示す構
造の第１ダイノード部材20′が用いられ、第１の実施例
の第２ダイノード部材21乃至第10ダイノード部材29のか
わりに第４図に示す構造の第２ダイノード部材21′乃至
第10ダイノード部材29′が用いられる。なお、第２の実
施例の光電子増倍管は、第１ダイノード部材20′乃至第
10ダイノード部材29′を除いて、第１の実施例の光電子
増倍管１と全く同じ構成をしているので、その全体の構
成は図示せず、また詳細な説明は省略する。

第２の実施例の第１ダイノード部材20′の内面34′に
は、所定の二次電子放出比をもつ放出面35′乃至38′が
光電面２乃至５のそれぞれに対応した位置に形成され、
また隔壁14乃至16に対応した位置に金属の障壁43乃至45
が設けられている。これらの金属の障壁43乃至45は、プ
レス加工などにより第１ダイノード部材20′の内面34′
にしっかりと取付けられている。

また第２の実施例の第２ダイノード部材21′乃至第10ダ
イノード部材29′の内面にも隔壁14乃至16に対応した位
置に第４図に示すような金属の障壁46乃至48が取付けら
れている。

このような構成の第２の実施例の光電子増倍管では、所
定の光電面から放出された光電子は、そのほとんどがそ
れに対応する第１ダイノード部材20′の放出面、例えば
放出面35′に入射するが、一部のものは放出面35′と放
出面36′との境界にも入射し、この境界から放出される
二次電子が第２ダイノード部材21′の対応しない放出面
に入射して混入を生じさせる恐れがある。ところで第２
の実施例では、放出面35′と放出面36′との間に、障壁
43を設けているので、放出面35′と放出面36′との境界
に入射した光電子は障壁43によって対応する放出面35′
に確実に入射する。また放出面35′から放出される二次
電子は障壁43によって第２ダイノード部材21′の対応し
た放出面に確実に向かうので、これにより隣接する放出
面間を分離し、混入を有効に阻止することができる。第
２ダイノード部材21′乃至第10ダイノード部材29′にも
第４図に示すような障壁46が設けられているので、第１
ダイノード部材20′の放出面35′に入射した光電子によ
って放出面35′から放出される二次電子は、障壁に遮ら
れ混入を生ずることなく対応したアノード電極まで増倍
されて到達する。

同様にして、第１ダイノード部材20′の放出面36′,3
7′または38′に入射する光電子は、障壁44,45によって
対応する放出面36′,37′または38′に確実に到達す
る。さらに第１ダイノード部材20′の放出面36′,37′
または38′から放出される二次電子は、第１ダイノード
部材20′の障壁44,45と、第２ダイノード部材21′乃至
第10ダイノード部材29′のそれぞれに設けられている第
４図に示すような障壁47,48とによって混入を生ずるこ
となく、対応したアノード電極まで増倍されて到達す
る。

このようにして所定のシンチレータ（図示せず）に入射
した放射線粒子を対応したアノード電極からパルス電流
として確実に取出すことができて、対応したアノード電
極以外のアノード電極から取出されることのないように
している。

以上のように、第１および第２の実施例によれば、複数
の光電面の形成される入光窓７の長手方向に沿った厚さ
を一様に薄くすることができるので、シンチレータから
の光を、混入を生じさせることなく対応する光電面に確
実に入射させることができる。また長手方向と垂直な方
向の曲率中心位置が、光電子増倍管１の中心軸線Ｄ−Ｄ
よりも第１ダイノード部材側にずれた位置にあるので、
所定の光電面から放出される光電子を所定の集束電極を
介して第１ダイノード部材20,20′の対応する放出面に
集束させて確実に入射させることができる。

さらに、複数の光電面に共通したダイノード部材に二次
電子放出比の小さな帯状部分、あるいは障壁の分離手段
を設けることによって、所定の光電面から放出された光
電子およびその光電面に対応したダイノード部材の放出
面からの二次電子を各放電面間で分離して所定のアノー
ド電極まで、確実に増倍させることができる。なお、ダ
イノード部材を複数の光電面に共通のものとしても、各
放出面間での二次電子の混入を阻止することができるの
で、従来の光電子増倍管103の構造に比べて、ダイノー
ドの個数、リード線の本数などを著しく減少させること
が可能となる。このように、隣接する光電面間、放出面
間を分離することができるので、所定のシンチレータに
入射した放射線粒子を対応したアノード電極から確実に
取出すことができて、入射位置検出精度を著しく向上さ
せることができる。

なお、第２図乃至第４図には、ライン形ダイノードが示
されているが、ライン形ダイノードのかわりにボックス
アンドグリッド形ダイノード、サーキュラゲージ形ダイ
ノードを用いても良い。

〔発明の効果〕

以上に説明したように、本発明によれば、長方形の入光
窓は長手方向に沿って厚さが一様で、また長手方向と垂
直な方向に所定の曲率で弯曲しており、複数のダイノー
ド部材には、複数の光電面のそれぞれに対応させて、分
離手段によって互いに分離された複数の放出面が形成さ
れているので、ガンマ線などの放射線粒子に基づいて入
光窓の所定位置に入射した光を所定のアノード電極から
確実に取出し、入射位置検出精度を著しく向上させるこ
とができるとともに、ダイノード部材は複数の光電面に
共通なものとなっているので、光電子増倍管の構造を簡
単にかつ小型にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
の光電子増倍管の正面図、側面図、第２図は第１の実施
例の光電子増倍管の第１ダイノード部材の斜視図、第３
図は第２の実施例の光電子増倍管の第１ダイノード部材
の斜視図、第４図は第２の実施例の光電子増倍管の第２
ダイノード部材乃至第10ダイノード部材の構造を示す斜
視図、第５図（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の光電子増
倍管の正面図、側面図である。１……光電子増倍管、２乃至５……光電面、７……入光
窓、10乃至13……集束電極、20乃至29,20′乃至29′…
…ダイノード部材、30乃至33……アノード電極、34,3
4′……内面、35乃至38,35′乃至38′……放出面、39乃
至41……帯状部分、43乃至45,46乃至48……障壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者加藤隆仁静岡県浜松市市野町1126番地の１浜松ホトニクス株式会社内 (56)参考文献特開昭53−23556（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−16666（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−194445（ＪＰ，Ａ) 実開昭53−108859（ＪＰ，Ｕ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】長方形の入光窓と、該入光窓の長手方向に
沿い、所定の間隔をへだてて形成されている複数の光電
面と、該複数の光電面のそれぞれに対応して設けられて
いる複数の集束電極と、前記各光電面のいずれかから放
出された光電子がそれに対応した集束電極以外の集束電
極に混入するのを阻止するために、前記集束電極間に入
光窓内面に接するように配置された隔壁と、前記複数の
光電面に共通しており、前記入光窓の長手方向に沿って
長手方向部分が位置決めされている複数のダイノード部
材と、前記複数の光電面のそれぞれに対応して設けられ
ている複数のアノード電極とを備え、前記長方形の入光
窓は長手方向に沿って厚さが一様である一方、長手方向
と垂直な方向に所定の曲率をもって弯曲しており、前記
複数のダイノード部材の各々は、前記複数の光電面のそ
れぞれに対応させて、分離手段により互いに分離されて
いる複数の放出面を備えていることを特徴とする光電子
増倍管。
【請求項２】前記分離手段は、前記複数のダイノード部
材の各々の内面に形成される二次電子放出比の小さな帯
状部分であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の光電子増倍管。
【請求項３】前記分離手段は、前記複数のダイノード部
材の各々の内面に取付けられる金属の障壁であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光電子増倍
管。