JPH03150869A - メモリモジュール - Google Patents
メモリモジュールInfo
- Publication number
- JPH03150869A JPH03150869A JP1290869A JP29086989A JPH03150869A JP H03150869 A JPH03150869 A JP H03150869A JP 1290869 A JP1290869 A JP 1290869A JP 29086989 A JP29086989 A JP 29086989A JP H03150869 A JPH03150869 A JP H03150869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor memory
- memory device
- pin arrangement
- wirings
- mirror inversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はメモリモジュールに関する。
第4図は従来のメモリモジュールを示す平面図で、図に
おいて、(1)は従来のピン配置をした半導体記憶装置
、(3)はモジュール基板である。第4図は従来のピン
配置をした半導体記憶装置(1)のパッケージの構造を
示す部分断面斜視図で、図において、(4)はリードフ
レーム、(5)はワイヤー、(6)はチップである。
おいて、(1)は従来のピン配置をした半導体記憶装置
、(3)はモジュール基板である。第4図は従来のピン
配置をした半導体記憶装置(1)のパッケージの構造を
示す部分断面斜視図で、図において、(4)はリードフ
レーム、(5)はワイヤー、(6)はチップである。
従来のメモリモジュールは半導体記憶装置のピン配置が
一種類しかないため、第4図のように構成されており、
配線が長くなり交差するという問題点があり、また半導
体記憶装置のピン配置が一種類しかなかったので両面実
装には適さなかった。
一種類しかないため、第4図のように構成されており、
配線が長くなり交差するという問題点があり、また半導
体記憶装置のピン配置が一種類しかなかったので両面実
装には適さなかった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、メモリモジュールの配線の交差を無くして配
線の長さを短かくしするとともに、また両面実装に適し
たメモリモジュールを得ることを目的とする。
たもので、メモリモジュールの配線の交差を無くして配
線の長さを短かくしするとともに、また両面実装に適し
たメモリモジュールを得ることを目的とする。
第1の発明に係るメモリモジュールは、従来のピン配置
をした第1の半導体記憶装置と、この第1の半導体記憶
装置のピン配置をミラー反転させたピン配置をした第2
の半導体記憶装置とを交互に隣り合わせて配置したもの
である。
をした第1の半導体記憶装置と、この第1の半導体記憶
装置のピン配置をミラー反転させたピン配置をした第2
の半導体記憶装置とを交互に隣り合わせて配置したもの
である。
第1の発明におけるメモリモジュールは、従来のピン配
置をした第1の半導体記憶装置とこの第1の半導体記憶
装置のピン配置をミラー反転させたビン配Δをした第2
の半導体記憶装置とを交互に隣り合わせて配置すること
により、配線の交差を無・くし配線を短かくする。
置をした第1の半導体記憶装置とこの第1の半導体記憶
装置のピン配置をミラー反転させたビン配Δをした第2
の半導体記憶装置とを交互に隣り合わせて配置すること
により、配線の交差を無・くし配線を短かくする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図、第2図はこの発明の一実施例を示すメモリモジュー
ルの平面図および側面図で、図において、(1)は従来
のピン配置をした第1の半導体記憶装で、(2)は第1
の半導体記憶装置のピン配置をミラー反転させたピン配
置をした第2の半導体記憶装置、(3)はモジュール基
板である。
図、第2図はこの発明の一実施例を示すメモリモジュー
ルの平面図および側面図で、図において、(1)は従来
のピン配置をした第1の半導体記憶装で、(2)は第1
の半導体記憶装置のピン配置をミラー反転させたピン配
置をした第2の半導体記憶装置、(3)はモジュール基
板である。
第3図は第2の半導体記憶装置のバ、、ケージ構造を示
す部分断面斜視図で、(4)はリードフレーム。
す部分断面斜視図で、(4)はリードフレーム。
(5)はワイヤー、(6)はチップである。図に示すよ
うに、リードフレーム(4)を従来とは逆向き(上向き
に曲げることにより、従来のピン配置をミラー反転させ
たピン配置を実現している。この誹りに、第1の半導体
記憶装置と第2の半導体記憶装置とは、モジュール基板
を挾んで両面に配置したものとなっている。
うに、リードフレーム(4)を従来とは逆向き(上向き
に曲げることにより、従来のピン配置をミラー反転させ
たピン配置を実現している。この誹りに、第1の半導体
記憶装置と第2の半導体記憶装置とは、モジュール基板
を挾んで両面に配置したものとなっている。
以上のようにこの発明によれば、メモリモジュールの配
線の交差を無くし配線が短かくなるという効果と、両面
実装に適するという効果がある。
線の交差を無くし配線が短かくなるという効果と、両面
実装に適するという効果がある。
第1図、第2図はこの発明に係るメモリモジュールの一
実施例を示す平面図および側面図、第3図はこの発明の
一実施例である第1の半導体記憶装置のピン配置をミラ
ー反転させたピン配−をした第2の半導体記憶装置のパ
ッケージ構造を示す部分断面斜視図、第4図は従来のメ
モリモジュールの平面図、第5図は従来の半導体記憶装
置のパッケージ構造を示す部分断面斜視図である。図に
おいて、(1)は第1の半導体記憶装置、(2)は第2
の半導体記憶装置、(3)はモジュール基板、(4)は
リードフレーム、(5)はワイヤー、(6)はチップを
示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
実施例を示す平面図および側面図、第3図はこの発明の
一実施例である第1の半導体記憶装置のピン配置をミラ
ー反転させたピン配−をした第2の半導体記憶装置のパ
ッケージ構造を示す部分断面斜視図、第4図は従来のメ
モリモジュールの平面図、第5図は従来の半導体記憶装
置のパッケージ構造を示す部分断面斜視図である。図に
おいて、(1)は第1の半導体記憶装置、(2)は第2
の半導体記憶装置、(3)はモジュール基板、(4)は
リードフレーム、(5)はワイヤー、(6)はチップを
示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1) ピン配置をした第1の半導体記憶装置と、上記
第1の半導体記憶装置のピン配置をミラー反転させたピ
ン配置をした第2の半導体記憶装置とが交互に隣り合わ
せて配置されたことを特徴とするメモリモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290869A JPH03150869A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | メモリモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290869A JPH03150869A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | メモリモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03150869A true JPH03150869A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17761555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1290869A Pending JPH03150869A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | メモリモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03150869A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141458A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積装置 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP1290869A patent/JPH03150869A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141458A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積装置 |
JP4606567B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2011-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積装置 |
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