JPH03116860A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03116860A JPH03116860A JP1251949A JP25194989A JPH03116860A JP H03116860 A JPH03116860 A JP H03116860A JP 1251949 A JP1251949 A JP 1251949A JP 25194989 A JP25194989 A JP 25194989A JP H03116860 A JPH03116860 A JP H03116860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- bonding
- semiconductor chip
- semiconductor
- bonding pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップの高集積化技術、特に、複数の半
導体チップを1つの封止部材内に実装して高集積化を行
うために用いて効果のある技術に関するものである。
導体チップを1つの封止部材内に実装して高集積化を行
うために用いて効果のある技術に関するものである。
従来より、ICなどの半導体装置は、1つのチップの各
ボンディングパッドにリードをボンディングし、この後
、樹脂モールドなどにより絶縁ならびに固化する工程を
経て作られる。
ボンディングパッドにリードをボンディングし、この後
、樹脂モールドなどにより絶縁ならびに固化する工程を
経て作られる。
ところで、本発明者は、半導体装置の高集積化について
検討した。
検討した。
以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次の通りである。
概要は次の通りである。
すなわち、半導体装置にあって、高集積化を図るには、
チップ内の半導体チップ数を可能な限り増やすことであ
るが、これに伴ってパッド数が増える場合には、リード
ピッチを確保しながらリード数を増やすことは難しい。
チップ内の半導体チップ数を可能な限り増やすことであ
るが、これに伴ってパッド数が増える場合には、リード
ピッチを確保しながらリード数を増やすことは難しい。
そこで、「日経マイクロデバイスJ 1988年5月号
、54頁〜57頁に示すように、グイ・パッドを無くし
、チップの上または下にインナー・リードを引き回して
接続を行う方法が提案されている(この他、特開昭58
−192354号、特開昭61−50295号、特開昭
60−167454号、特開昭61−500245号、
特開昭61−218139号及び特開昭61−2419
59号などがある)。
、54頁〜57頁に示すように、グイ・パッドを無くし
、チップの上または下にインナー・リードを引き回して
接続を行う方法が提案されている(この他、特開昭58
−192354号、特開昭61−50295号、特開昭
60−167454号、特開昭61−500245号、
特開昭61−218139号及び特開昭61−2419
59号などがある)。
しかし、このような半導体装置にあっては、1パツケー
ジ内に1チツプの実装のみとしているため、リード接続
構造に工夫を凝らしても高集積化には限界がある。
ジ内に1チツプの実装のみとしているため、リード接続
構造に工夫を凝らしても高集積化には限界がある。
そこで、複数の半導体チップを非導電性の接着剤などで
一体化し、この−面に設けたリードフレームによって半
導体チップのボンディングパッドの各々にポンディング
ワイヤを接続する構成とし、高集積化を図ることが提案
されでいる。メモリなどでは、アドレスバスやデータバ
スを並列接続することが可能であることから、積層化に
よって高集積化を図ることができる。
一体化し、この−面に設けたリードフレームによって半
導体チップのボンディングパッドの各々にポンディング
ワイヤを接続する構成とし、高集積化を図ることが提案
されでいる。メモリなどでは、アドレスバスやデータバ
スを並列接続することが可能であることから、積層化に
よって高集積化を図ることができる。
しかし、上記した従来の半導体装置にあっては、複数個
の半導体チップの各ボンディングパッドに対するワイヤ
接続は全てリードフレームを始点とし、各リードに複数
のワイヤを接続する構成がとられていた。このために、
ボンディングワイヤの引き回しが複雑化し、ワイヤが長
くなり、さらに各半導体チップに対するワイヤが平行配
設することによりワイヤ接触を生じ、あるいは高速動作
を損なうなどが本発明者によって見出された。
の半導体チップの各ボンディングパッドに対するワイヤ
接続は全てリードフレームを始点とし、各リードに複数
のワイヤを接続する構成がとられていた。このために、
ボンディングワイヤの引き回しが複雑化し、ワイヤが長
くなり、さらに各半導体チップに対するワイヤが平行配
設することによりワイヤ接触を生じ、あるいは高速動作
を損なうなどが本発明者によって見出された。
そこで、本発明の目的は、複数のチップを1つのパッケ
ージに最短のワイヤ接続で実装して高集積化を図ること
のできる技術を提供することにある。
ージに最短のワイヤ接続で実装して高集積化を図ること
のできる技術を提供することにある。
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び
添付図面から明らかになるであろう。
添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
すなわち、同一集積度でサイズのみが異なる2つの半導
体チップの間にリードフレームを介挿し、このリードフ
レームから前記2つの半導体チップの各ボンディングパ
ッドにワイヤを接続するようにしたものである。
体チップの間にリードフレームを介挿し、このリードフ
レームから前記2つの半導体チップの各ボンディングパ
ッドにワイヤを接続するようにしたものである。
上記した手段によれば、同一集積度でサイズのみが異な
る2つの半導体チップの間に配設されたリードフレーム
は、前記2つの半導体チップのパッドに対するワイヤ接
続を互いに異なる方向に伸長した状態で行われる。した
がって、シンプルなワイヤ引き回し構成とすることがで
きる。
る2つの半導体チップの間に配設されたリードフレーム
は、前記2つの半導体チップのパッドに対するワイヤ接
続を互いに異なる方向に伸長した状態で行われる。した
がって、シンプルなワイヤ引き回し構成とすることがで
きる。
〔実施例1〕
第1図は本発明によ7.単週体繋習の一宙施例を示す平
面図、第2図は第1図の主要部を示す正面断面図である
。
面図、第2図は第1図の主要部を示す正面断面図である
。
本発明においては、4Mピッ)DRAM(ダイナミック
・ラム)、16ビツトDRAMなどのメモリモジュール
を構成する場合を例に説明する。
・ラム)、16ビツトDRAMなどのメモリモジュール
を構成する場合を例に説明する。
また、ここでは、共に同一特性、同一回路でサイズのみ
が異なる2つの半導体チップを用いて高集積化を図るも
のとしている。
が異なる2つの半導体チップを用いて高集積化を図るも
のとしている。
第1図及び第2図に示すように、サイズが大きく且つ周
辺部に所定数のボンディングパッド1aの設けられた半
導体チップ1の片面(表面)に絶縁性のフィルム2を接
着固定し、この表面に所定のバクーン形状のリードフレ
ーム3をボンディングパッド1aに対向させて配設し、
接着固定する。
辺部に所定数のボンディングパッド1aの設けられた半
導体チップ1の片面(表面)に絶縁性のフィルム2を接
着固定し、この表面に所定のバクーン形状のリードフレ
ーム3をボンディングパッド1aに対向させて配設し、
接着固定する。
さらにリードフレーム30表面を覆うように絶縁性のフ
ィルム4を配設し、このフィルム4上に半導体チップ1
よりもサイズの小さい半導体チップ5を接着固定する。
ィルム4を配設し、このフィルム4上に半導体チップ1
よりもサイズの小さい半導体チップ5を接着固定する。
半導体チップ5の周辺部には、リードフレーム3及び半
導体チップ1のボンディンゲパ−r V I g I:
″枡曲六仕アボンデノングパ、7V5aが設けられてい
る。
導体チップ1のボンディンゲパ−r V I g I:
″枡曲六仕アボンデノングパ、7V5aが設けられてい
る。
この場合、フィルム2はリードフレーム3の載置幅相当
、フィルム4は半導体チップ5のサイズ相当の大きさと
し、その配置位置もリードフレーム3及び半導体チップ
5の各設置位置に合致させる。また、リードフレーム3
の端部は、半導体チップ1上に一部が露出するように配
設される。
、フィルム4は半導体チップ5のサイズ相当の大きさと
し、その配置位置もリードフレーム3及び半導体チップ
5の各設置位置に合致させる。また、リードフレーム3
の端部は、半導体チップ1上に一部が露出するように配
設される。
ボンディングパッド1a及び5aの各々とリードフレー
ム3とは、ボンディングワイヤ6によって接続される。
ム3とは、ボンディングワイヤ6によって接続される。
このような構成により、各半導体チップに対するボンデ
ィングワイヤ6の引き出し方向が互いに逆方向に展開し
、接触などの恐れがないと共に最短距離でワイヤ接続を
行うことができる。したがって、高速動作にも適してい
る。また、放熱面を表面に出すことができるので、放熱
処理にも有利な形状となる。
ィングワイヤ6の引き出し方向が互いに逆方向に展開し
、接触などの恐れがないと共に最短距離でワイヤ接続を
行うことができる。したがって、高速動作にも適してい
る。また、放熱面を表面に出すことができるので、放熱
処理にも有利な形状となる。
〔実施例2〕
第3図及び第4図は本発明の第2実施例を示す平面図及
び正面断面図である。
び正面断面図である。
本実施例は、前記実施例が半導体チップ間にリードフレ
ーム3を配設していたのに対し、リードフレーム3を基
台とし、このリードフレーム3上にフィルム7を接着固
定し、このフィルム7上に順次半導体チップ1及び半導
体チップ5を固定するようにしたところに特徴がある。
ーム3を配設していたのに対し、リードフレーム3を基
台とし、このリードフレーム3上にフィルム7を接着固
定し、このフィルム7上に順次半導体チップ1及び半導
体チップ5を固定するようにしたところに特徴がある。
この場合、半導体チップlには、リードフレーム3の配
置位置上にボンディングパッドlaが設けられると共に
、このボンディングパッド1aに隣接させてボンディン
グパッド1bが設けられる。
置位置上にボンディングパッドlaが設けられると共に
、このボンディングパッド1aに隣接させてボンディン
グパッド1bが設けられる。
ボンディングパッド1aとボンディングパッド1bとは
、隣接同志が半導体チップl上に形成された配線パター
ン(不図示)によって接続されている。
、隣接同志が半導体チップl上に形成された配線パター
ン(不図示)によって接続されている。
各ボンディングパッドの接続は、リードフレーム3とボ
ンディングパッド1aとをボンディングワイヤ6aで接
続し、ボンディングパッド1bとボンディングパッド5
aとをボンディングワイヤ6bで接続する。
ンディングパッド1aとをボンディングワイヤ6aで接
続し、ボンディングパッド1bとボンディングパッド5
aとをボンディングワイヤ6bで接続する。
〔実施例3〕
第5図及び第6図は本発明の第3実施例を示す平面図及
び正面断面図である。
び正面断面図である。
本実施例は、前記第2実施例がリードフレーム3を半導
体チップ1の背面に設けていたのに対し、小サイズの半
導体チップ5の表面に設けるようにしたところに特徴が
ある。
体チップ1の背面に設けていたのに対し、小サイズの半
導体チップ5の表面に設けるようにしたところに特徴が
ある。
すなわち、半導体チップlに半導体チップ5を接着固定
し、この半導体チップ5の表面にボンディングパッド部
分をはぶいてフィルム8を貼着固定し、このフィルムs
上にリードフレーム3を配設するようにしたものである
。半導体チップ5は、ボンディングパッド5aに隣接さ
せてボンディングパッド5bが設けられている。この場
合も、ボンディングパッド5aとボンディングパッド5
bとは、隣接同志が半導体チップ1上に形成された配線
パターン(不図示)によって接続されている。
し、この半導体チップ5の表面にボンディングパッド部
分をはぶいてフィルム8を貼着固定し、このフィルムs
上にリードフレーム3を配設するようにしたものである
。半導体チップ5は、ボンディングパッド5aに隣接さ
せてボンディングパッド5bが設けられている。この場
合も、ボンディングパッド5aとボンディングパッド5
bとは、隣接同志が半導体チップ1上に形成された配線
パターン(不図示)によって接続されている。
半導体チップ5のボンディングパッド5aは、半導体チ
ップ1のボンディングパッド1aにボンディングワイヤ
6aによって接続され、ボンデインクハツト5bはリー
ドフレーム3にボンディングワイヤ6bによって接続さ
れる。
ップ1のボンディングパッド1aにボンディングワイヤ
6aによって接続され、ボンデインクハツト5bはリー
ドフレーム3にボンディングワイヤ6bによって接続さ
れる。
以上のように本発明では、現在、半導体メモリの開発過
程で、最初に設計されたチップに対し、さらに縮小設計
されたシュリンクチップが開発されていることを利用す
ると、上記各実施例に示したような複数チップによる高
集積化(チップ数nのn倍に集積度を上げることが可)
を容易に達成することができる。
程で、最初に設計されたチップに対し、さらに縮小設計
されたシュリンクチップが開発されていることを利用す
ると、上記各実施例に示したような複数チップによる高
集積化(チップ数nのn倍に集積度を上げることが可)
を容易に達成することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでは無く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでは無く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
なお、前記各実施例においては、半導体チップ1と半導
体チップ5の各ボンディングパッドが同一方向にあるも
のとしたが、一方の半導体チップのボンディングパッド
を90度ずらした方向へ設けるなども可能である。
体チップ5の各ボンディングパッドが同一方向にあるも
のとしたが、一方の半導体チップのボンディングパッド
を90度ずらした方向へ設けるなども可能である。
本馴において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
すなわち、同一集積度でサイズのみが異なる2つの半導
体チップの間にリードフレームを介挿し、このリードフ
レームから前記2つの半導体チップの各ボンディングパ
ッドにワイヤを接続するようにしたので、用途、要求特
性、放熱性などに応じて数種の構成を選択できる共に、
シンプルなワイヤ引き回し構成とすることができる。
体チップの間にリードフレームを介挿し、このリードフ
レームから前記2つの半導体チップの各ボンディングパ
ッドにワイヤを接続するようにしたので、用途、要求特
性、放熱性などに応じて数種の構成を選択できる共に、
シンプルなワイヤ引き回し構成とすることができる。
第1図は本発明による半導体装置の一実施例を示す平面
図、 第2図は第1図の主要部を示す正面断面図、第3図は本
発明の他の実施例を示す平面図、第4図は第3図の主要
部を示す正面断面図、第5図は本発明の他の実施例を示
す平面図、第6図は第5図の主要部を示す正面断面図で
ある。 1.5− ・・半導体チップ、la、lb、5a。 5b・・・ボンディングパッド、2,4,1.8・絶縁
性のフィルム、 リ ードフレー ム、6.5a、 6b・ ・ボンディングワイヤ。 第 ■ 図 第 図 6:ポンディングワイヤ 第 図 第 図
図、 第2図は第1図の主要部を示す正面断面図、第3図は本
発明の他の実施例を示す平面図、第4図は第3図の主要
部を示す正面断面図、第5図は本発明の他の実施例を示
す平面図、第6図は第5図の主要部を示す正面断面図で
ある。 1.5− ・・半導体チップ、la、lb、5a。 5b・・・ボンディングパッド、2,4,1.8・絶縁
性のフィルム、 リ ードフレー ム、6.5a、 6b・ ・ボンディングワイヤ。 第 ■ 図 第 図 6:ポンディングワイヤ 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、同一集積度でサイズのみが異なる2つの半導体チッ
プの間にリードフレームを介挿し、このリードフレーム
から前記2つの半導体チップの各ボンディングパッドに
ワイヤを接続することを特徴とする半導体装置。 2、前記リードフレームの両面に絶縁性のフィルムを介
挿することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 3、同一集積度でサイズのみが異なる大小2つの半導体
チップを各々のボンディングパッドが露出するように重
ね合わせ、その一方の半導体チップとリードフレームと
の間に他方の半導体チップを配設すると共に、この他方
の半導体チップのボンディングパッドから前記一方の半
導体チップ及び前記リードフレームにワイヤを接続する
ことを特徴とする半導体装置。 4、前記他方の半導体チップに2組のボンディングパッ
ドを設け、このパッドを用いて前記一方の半導体チップ
及び前記リードフレームにワイヤを接続することを特徴
とする請求項3記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1251949A JP2918574B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1251949A JP2918574B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116860A true JPH03116860A (ja) | 1991-05-17 |
JP2918574B2 JP2918574B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=17230380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1251949A Expired - Fee Related JP2918574B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2918574B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04252062A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
FR2688629A1 (fr) * | 1992-03-10 | 1993-09-17 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices. |
JPH06209072A (ja) * | 1994-02-03 | 1994-07-26 | Kazumasa Sugano | 半導体集積回路 |
US5585668A (en) * | 1995-01-30 | 1996-12-17 | Staktek Corporation | Integrated circuit package with overlapped die on a common lead frame |
US5847448A (en) * | 1990-12-11 | 1998-12-08 | Thomson-Csf | Method and device for interconnecting integrated circuits in three dimensions |
US6777801B2 (en) | 2000-03-17 | 2004-08-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
KR100906355B1 (ko) * | 2001-10-23 | 2009-07-06 | 내쇼날 스타치 앤드 케미칼 인베스트멘트 홀딩 코포레이션 | 다이 부착용 접착제 웨이퍼 |
JP2010157624A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58130553A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS59145047U (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-28 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPS6094756A (ja) * | 1983-10-29 | 1985-05-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS6387847U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1251949A patent/JP2918574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58130553A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS59145047U (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-28 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPS6094756A (ja) * | 1983-10-29 | 1985-05-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS6387847U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5847448A (en) * | 1990-12-11 | 1998-12-08 | Thomson-Csf | Method and device for interconnecting integrated circuits in three dimensions |
JPH04252062A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
FR2688629A1 (fr) * | 1992-03-10 | 1993-09-17 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices. |
US5400218A (en) * | 1992-03-10 | 1995-03-21 | Thomson-Csf | Device for the 3D encapsulation of semiconductor chips |
JPH06209072A (ja) * | 1994-02-03 | 1994-07-26 | Kazumasa Sugano | 半導体集積回路 |
US5585668A (en) * | 1995-01-30 | 1996-12-17 | Staktek Corporation | Integrated circuit package with overlapped die on a common lead frame |
US6777801B2 (en) | 2000-03-17 | 2004-08-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US6905913B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-06-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US7414320B2 (en) | 2000-03-17 | 2008-08-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
KR100906355B1 (ko) * | 2001-10-23 | 2009-07-06 | 내쇼날 스타치 앤드 케미칼 인베스트멘트 홀딩 코포레이션 | 다이 부착용 접착제 웨이퍼 |
JP2010157624A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2918574B2 (ja) | 1999-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6831353B2 (en) | Interdigitated leads-over-chip lead frame and device for supporting an integrated circuit die | |
US6900530B1 (en) | Stacked IC | |
US6344976B1 (en) | Interdigitated leads-over-chip lead frame device and method for supporting an integrated circuit die | |
KR100328906B1 (ko) | 리드프레임의리드온칩내부리드를결합하는방법및장치 | |
JPH08213546A (ja) | 積層形パッケージ | |
JPH10200039A (ja) | ボトムリードフレーム及びそれを用いたボトムリード半導体パッケージ | |
US6442040B2 (en) | Embedded memory assembly | |
JPH04307943A (ja) | 半導体装置 | |
TW413911B (en) | Semiconductor device having an insulating substrate | |
JPH09307058A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電子装置 | |
JPH03116860A (ja) | 半導体装置 | |
KR100287827B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR940006187Y1 (ko) | 반도체장치 | |
JPH11168150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US5473188A (en) | Semiconductor device of the LOC structure type having a flexible wiring pattern | |
JP2771104B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH0582582A (ja) | 半導体装置 | |
KR200295665Y1 (ko) | 적층형반도체패키지 | |
US20030234434A1 (en) | Semiconductor device | |
JPH02143449A (ja) | 半導体封止容器 | |
JP3078526B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS60200559A (ja) | メモリモジュール | |
US6225691B1 (en) | Integrated circuit packaging structure | |
JPH0369150A (ja) | Lsiの実装構造 | |
JP2004228259A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080423 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |