JPH0314541A - シクロペンテノロン誘導体の製造法 - Google Patents
シクロペンテノロン誘導体の製造法Info
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- JPH0314541A JPH0314541A JP1147518A JP14751889A JPH0314541A JP H0314541 A JPH0314541 A JP H0314541A JP 1147518 A JP1147518 A JP 1147518A JP 14751889 A JP14751889 A JP 14751889A JP H0314541 A JPH0314541 A JP H0314541A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ピレトリン類の合成中間体として有用なシク
ロペンテノロン誘導体の製造l去に関する。
ロペンテノロン誘導体の製造l去に関する。
さらに詳しくは、後記の一般式(II3で示されるペン
ター4−エンー2−イニルシク口ペンテノロン誘導体の
有利な製造法に関する。
ター4−エンー2−イニルシク口ペンテノロン誘導体の
有利な製造法に関する。
く従来の技術〉
従来、ペンター4−エンー2−イニルシクロベンテノロ
ン誘導体の製造法としては、J. Chem.Soc.
, 1956. 3963−3971に記載の方法が
知らレテいる。
ン誘導体の製造法としては、J. Chem.Soc.
, 1956. 3963−3971に記載の方法が
知らレテいる。
く発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、該方法は用いられるオクト7−エンー5
−イン−2−オンの調製が煩雑であること等の問題があ
り、満足すべきものとは言い難い。
−イン−2−オンの調製が煩雑であること等の問題があ
り、満足すべきものとは言い難い。
く課題を解決するための手段〉
本発明者らは、こうした課題を解決すべく鋭意検討した
結果、一般式〔!〕 C式中、Rは有機残基を表す。〕 で示されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導体とビ
ニルハライドとを、パラジウム系触媒、銅系触媒および
アルキルアミンの存在下に反応させることにより一般式
〔■〕 〔式中、Rは有機残基を表す。〕 で示されるシクロペンテノロン誘導体が容易に製造され
ることを見出し本発明に至った。
結果、一般式〔!〕 C式中、Rは有機残基を表す。〕 で示されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導体とビ
ニルハライドとを、パラジウム系触媒、銅系触媒および
アルキルアミンの存在下に反応させることにより一般式
〔■〕 〔式中、Rは有機残基を表す。〕 で示されるシクロペンテノロン誘導体が容易に製造され
ることを見出し本発明に至った。
本発明で用いられるビニルハライドとしては塩化ビニル
、臭化ビニルおよび沃化ビニルが挙げられ、その使用量
は一般式CI)で示されるフロパルギルシク口ペンテノ
ロン誘導体1当量に対して通常1〜20当量である。
、臭化ビニルおよび沃化ビニルが挙げられ、その使用量
は一般式CI)で示されるフロパルギルシク口ペンテノ
ロン誘導体1当量に対して通常1〜20当量である。
パラジウム系触媒としては、例えばテトラキス(トリフ
エニルホスフィン)パラジウム、ビス(トリフエニルホ
スフィン)パラジウムジクロリド、ビス(ジフエニルホ
スフィノ)エタンパラジウムジクロリド等のパラジウム
ホスフィン錯体などが挙げられ、その使用量は一般式〔
■〕で示されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導体
1モルに対して通常0.001〜0.5モルである。
エニルホスフィン)パラジウム、ビス(トリフエニルホ
スフィン)パラジウムジクロリド、ビス(ジフエニルホ
スフィノ)エタンパラジウムジクロリド等のパラジウム
ホスフィン錯体などが挙げられ、その使用量は一般式〔
■〕で示されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導体
1モルに対して通常0.001〜0.5モルである。
銅系触媒としては通常ハロゲン化銅が用いられ、特に沃
化銅の使用が好ましく、その使用量は一般式〔■〕で示
されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導体1モルに
対して通常0.001〜0.5モルである。
化銅の使用が好ましく、その使用量は一般式〔■〕で示
されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導体1モルに
対して通常0.001〜0.5モルである。
また、アルキルアミンとしては例えばn−プチルアミン
、ジエチルアミンなどが挙げられ、その使用量は一般式
[I]で示されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導
体1モルに対して通常1−10モルである。
、ジエチルアミンなどが挙げられ、その使用量は一般式
[I]で示されるプロバルギルシク口ペンテノロン誘導
体1モルに対して通常1−10モルである。
反応温度は通常5〜50°C、好ましくは15〜25℃
であり、反応時間は通常24時間以内である。
であり、反応時間は通常24時間以内である。
本反応は通常トルエン、ベンセン等の芳香族炭化水素類
、テトラヒド口フラン等のエーテル類、アセトニトリル
、ジメチルホルムアミドなどの溶媒中で行われる。
、テトラヒド口フラン等のエーテル類、アセトニトリル
、ジメチルホルムアミドなどの溶媒中で行われる。
尚、一般式(1)で示されるプロパルギルシク口ペンテ
ノロン誘導体は、例えば特公昭6126975号公報に
記載の方法などにより得ることができる。
ノロン誘導体は、例えば特公昭6126975号公報に
記載の方法などにより得ることができる。
一般式〔I〕中のRとしては、メチル基等のアルキル基
のみならず、上記のパラジウム系触媒によるカップリン
グ反応に不活性な任意の有機残基が挙げられ、例えば3
−(2−メチルーl−プロペニル)−2.2−ジメチル
ンク口プロビル基、3−(2−メトキシ力ルボニル−■
−プロペニル)−2.2−ジメチルシク口プロピル基、
3−(2−エトキシ力ルボニル−1プロペニル)−2.
2−ジメチルシク口プロピル基等のピレスロイド酸残基
でもよい。
のみならず、上記のパラジウム系触媒によるカップリン
グ反応に不活性な任意の有機残基が挙げられ、例えば3
−(2−メチルーl−プロペニル)−2.2−ジメチル
ンク口プロビル基、3−(2−メトキシ力ルボニル−■
−プロペニル)−2.2−ジメチルシク口プロピル基、
3−(2−エトキシ力ルボニル−1プロペニル)−2.
2−ジメチルシク口プロピル基等のピレスロイド酸残基
でもよい。
一般式(II3で示されるシクロペンテノロン誘導体は
、例えば低級アルコール中炭酸アルカリ等の塩基存在下
で鹸化することにより、2一メチル−3−(ペンター4
−エンー2−イニル)シクロペンタ−2−エンー4−オ
ン−■一オールに導かれる。該鹸化反応は、通常メタノ
ールまたはエタノール中、一般式(II)で示されるシ
クロペンテノロン誘導体に対して0.01−1倍モルの
炭酸カリウムまたは炭酸ナトリウム存在下に0〜50℃
、好ましくは209C付近で2〜24時間かけて行われ
る。
、例えば低級アルコール中炭酸アルカリ等の塩基存在下
で鹸化することにより、2一メチル−3−(ペンター4
−エンー2−イニル)シクロペンタ−2−エンー4−オ
ン−■一オールに導かれる。該鹸化反応は、通常メタノ
ールまたはエタノール中、一般式(II)で示されるシ
クロペンテノロン誘導体に対して0.01−1倍モルの
炭酸カリウムまたは炭酸ナトリウム存在下に0〜50℃
、好ましくは209C付近で2〜24時間かけて行われ
る。
2−メチル−3−(ペンター4−エンー2一イニル)シ
クロペンタ−2−エンー4−オンーI−オールはリンド
ラー触媒による還元等の既知の方法により、容易にピレ
スロロンに導かれる( J. Chern. Soc.
, 1956. 3963 )。
クロペンタ−2−エンー4−オンーI−オールはリンド
ラー触媒による還元等の既知の方法により、容易にピレ
スロロンに導かれる( J. Chern. Soc.
, 1956. 3963 )。
尚、本発明の製造法において、光学活性な一般式〔I〕
で示されるプロパルギルシク口ペンテノロン誘導体を用
いることにより、光学活性な一般式〔■〕で示されるシ
クロペンテノロン誘導体を得ることができ、さらに光学
活性なピレスロロンが得られる。
で示されるプロパルギルシク口ペンテノロン誘導体を用
いることにより、光学活性な一般式〔■〕で示されるシ
クロペンテノロン誘導体を得ることができ、さらに光学
活性なピレスロロンが得られる。
〈実施例〉
以下、本発明を製造例にて説明する。
また、一般式(Illで示されるシクロペンテノロン誘
導体の鹸化反応の例を参考例として示す。
導体の鹸化反応の例を参考例として示す。
製造例l
(+)− (S)−4−オキソー2−メチルー3−プル
パルギル−2−シクロペンテニル アセタート0. 5
0 gをベンゼン10mlに溶解し、テトラキス(トリ
フエニルホスフィン)パラジウム0.15g,沃化第一
銅0. 05 gおよびn−プチルアミン0. 38
gを順次加えた。この混合液にビニルブロミド2.8g
を速やかに加え、窒素雰囲気下室温にて一夜攪拌し、希
塩酸に注加した。ベンゼン層を分取し、水層よりさらに
ベンゼン抽出した。ベンゼン層を合わせ、飽和食塩水で
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下
に溶媒を留去して得た残渣をシリカゲル薄層クロマトグ
ラフィーにて処理し(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル
=2 + 1) 、目的とする(+)− (S)−4−
オキソー2−メチル−3(ペンター4一二ンー2−イニ
ル)−2−シクロペンテニル アセタート0. 32
gを得た。
パルギル−2−シクロペンテニル アセタート0. 5
0 gをベンゼン10mlに溶解し、テトラキス(トリ
フエニルホスフィン)パラジウム0.15g,沃化第一
銅0. 05 gおよびn−プチルアミン0. 38
gを順次加えた。この混合液にビニルブロミド2.8g
を速やかに加え、窒素雰囲気下室温にて一夜攪拌し、希
塩酸に注加した。ベンゼン層を分取し、水層よりさらに
ベンゼン抽出した。ベンゼン層を合わせ、飽和食塩水で
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下
に溶媒を留去して得た残渣をシリカゲル薄層クロマトグ
ラフィーにて処理し(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル
=2 + 1) 、目的とする(+)− (S)−4−
オキソー2−メチル−3(ペンター4一二ンー2−イニ
ル)−2−シクロペンテニル アセタート0. 32
gを得た。
n D ” ’ 1. 5231
((Z) o ” +33.0° ( C = 1.
0 , CHClz)H−NMR (CDCI,中、
TMS内部標準)δ値(ppm) 2.05 〜2.4
5(m,7H) 2.88(dd,IH)3.26(s
,2H) 5.30 〜5.70(m,4H)参考例
l 製造例1で得た(+)− (S)−4−オキソー2−メ
チル−3−(ペンター4−エンー2一イニル)−2−シ
クロベンテニル アセタート0. 30 gをメタノー
ル30m lに溶解し、炭酸カリウム20mgを加え、
室温で2時間攪拌した。次いで減圧下に溶媒を留去し、
残渣をジクロ口メタンに溶解して飽和食塩水で2回洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留
去して目的とする(+)− (S)−2−メチル−3−
(ベンター4−エンー2−イニル)シクロペンタ−2−
エンー4−オン−1−オール0. 24 gを得た。
0 , CHClz)H−NMR (CDCI,中、
TMS内部標準)δ値(ppm) 2.05 〜2.4
5(m,7H) 2.88(dd,IH)3.26(s
,2H) 5.30 〜5.70(m,4H)参考例
l 製造例1で得た(+)− (S)−4−オキソー2−メ
チル−3−(ペンター4−エンー2一イニル)−2−シ
クロベンテニル アセタート0. 30 gをメタノー
ル30m lに溶解し、炭酸カリウム20mgを加え、
室温で2時間攪拌した。次いで減圧下に溶媒を留去し、
残渣をジクロ口メタンに溶解して飽和食塩水で2回洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留
去して目的とする(+)− (S)−2−メチル−3−
(ベンター4−エンー2−イニル)シクロペンタ−2−
エンー4−オン−1−オール0. 24 gを得た。
n o ”” 1. 5578
Cα) ,” +23.0° ( c = 1, 1
, CHCI3)H − N M R (CDCIa
中、TMS内部標準)δ値(ppm) 2. 15 〜
2. 38(m. 4H)2. 65 〜2. 93(
m, 21{) 3. 20(s, 2H)4.70(
m,IH) 5.26〜5,73(m,3}1)製造
例2 (RS)−4−オキソー2−メチル−3−プルパルギル
−2−シクロペンテニル アセター1− 1.0gを
ベンゼン20m lに溶解し、テトラキス(トリフエニ
ルホスフィン)パラジウム0. 30 g、沃化第一銅
0.10gおよびn−プチルアミン0.76gを順次加
えた。この混合液にビニルブロミド5.6gを速やかに
加え、窒素雰囲気下室温にて一夜攪拌し、希塩酸に注加
した。ベンゼン層を分取し、水層よりさらにベンゼン抽
出した。ベンゼン層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留
去して得た残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィーに
て処理し(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=2 :
l) 、目的とする(RS)4−オキソー2−メチル,
3− (ペンター4一エンー2−イニル)−2−シクロ
ペンテニルアセタート0.61gを得た。
, CHCI3)H − N M R (CDCIa
中、TMS内部標準)δ値(ppm) 2. 15 〜
2. 38(m. 4H)2. 65 〜2. 93(
m, 21{) 3. 20(s, 2H)4.70(
m,IH) 5.26〜5,73(m,3}1)製造
例2 (RS)−4−オキソー2−メチル−3−プルパルギル
−2−シクロペンテニル アセター1− 1.0gを
ベンゼン20m lに溶解し、テトラキス(トリフエニ
ルホスフィン)パラジウム0. 30 g、沃化第一銅
0.10gおよびn−プチルアミン0.76gを順次加
えた。この混合液にビニルブロミド5.6gを速やかに
加え、窒素雰囲気下室温にて一夜攪拌し、希塩酸に注加
した。ベンゼン層を分取し、水層よりさらにベンゼン抽
出した。ベンゼン層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留
去して得た残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィーに
て処理し(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=2 :
l) 、目的とする(RS)4−オキソー2−メチル,
3− (ペンター4一エンー2−イニル)−2−シクロ
ペンテニルアセタート0.61gを得た。
nD工4・● l.5229
H−NMR (CDCI,中、TMS内部標準)δ値(
ppm) 2.05 〜2.45(m,7H) 2.8
8(dd,IH)3.26(s,2t{) 5.30
〜5.70(m,4}1)参考例2 製造例lで得た(RS)−4−オキソー2=メチル−3
−(ペンター4−エンー2−イニル)一2−シクロペン
テニル アセタート0. 50 gをメタノール50m
1に溶解し、炭酸カリウム30mgを加え、室温で2時
間攪拌した。次いで減圧下に溶媒を留去し、残渣をジク
ロロメタンに溶解して飽和食塩水で2回先浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去して目的
とする(RS)−2−メチル−3−(ペンター4−エン
ー2−イニル)シクロペンタ−2−エン−4−オン−1
−オール0.38gを得た。
ppm) 2.05 〜2.45(m,7H) 2.8
8(dd,IH)3.26(s,2t{) 5.30
〜5.70(m,4}1)参考例2 製造例lで得た(RS)−4−オキソー2=メチル−3
−(ペンター4−エンー2−イニル)一2−シクロペン
テニル アセタート0. 50 gをメタノール50m
1に溶解し、炭酸カリウム30mgを加え、室温で2時
間攪拌した。次いで減圧下に溶媒を留去し、残渣をジク
ロロメタンに溶解して飽和食塩水で2回先浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去して目的
とする(RS)−2−メチル−3−(ペンター4−エン
ー2−イニル)シクロペンタ−2−エン−4−オン−1
−オール0.38gを得た。
n . 21・’ 1. 5581
H−NMR (CDCI,中、TMS内部標準)δ値(
ppm) 2. 15 〜2. 38(m. 4H)2
. 65 〜2. 93(m, 2H) 3. 20(
s, 2H)4.70(m,IH) 5.26 〜5
.73(m,3H)〈発明の効果〉 本発明方法により、一般式(II)で示されるシクロペ
ンテノロン誘導体が容易に製造できる。
ppm) 2. 15 〜2. 38(m. 4H)2
. 65 〜2. 93(m, 2H) 3. 20(
s, 2H)4.70(m,IH) 5.26 〜5
.73(m,3H)〈発明の効果〉 本発明方法により、一般式(II)で示されるシクロペ
ンテノロン誘導体が容易に製造できる。
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは有機残基を表す。〕 で示されるプロパルギルシクロペンテノロン誘導体とビ
ニルハライドとを、パラジウム系触媒、銅系触媒および
アルキルアミンの存在下に反応させることを特徴とする
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは有機残基を表す。〕 で示されるシクロペンテノロン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1147518A JPH0314541A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | シクロペンテノロン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1147518A JPH0314541A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | シクロペンテノロン誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0314541A true JPH0314541A (ja) | 1991-01-23 |
Family
ID=15432147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1147518A Pending JPH0314541A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | シクロペンテノロン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0314541A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225605A (en) * | 1991-07-01 | 1993-07-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing pyrethrolone and its intermediate compound |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1147518A patent/JPH0314541A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225605A (en) * | 1991-07-01 | 1993-07-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing pyrethrolone and its intermediate compound |
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