JPH03139908A - ソースフォロワ回路 - Google Patents
ソースフォロワ回路Info
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- JPH03139908A JPH03139908A JP27609789A JP27609789A JPH03139908A JP H03139908 A JPH03139908 A JP H03139908A JP 27609789 A JP27609789 A JP 27609789A JP 27609789 A JP27609789 A JP 27609789A JP H03139908 A JPH03139908 A JP H03139908A
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- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 18
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
この発明は、トランジスタによるソースフォロワ回路に
関し、特にトランジスタの闇値のばらつきに起因するソ
ースフォロワ出力のオフセットのばらつきを除去するよ
うにしたソースフォロワ回路に関する。
関し、特にトランジスタの闇値のばらつきに起因するソ
ースフォロワ出力のオフセットのばらつきを除去するよ
うにしたソースフォロワ回路に関する。
ソースフォロワ回路は、ドレインを交流的に接地し、ゲ
ートに入力を加え、ソースから出力を取り出すMOSト
ランジスタの使用方法であり、電圧利得は1以下である
が、出力インピーダンスが非常に小さいので、バッファ
としてよく使用されている。
ートに入力を加え、ソースから出力を取り出すMOSト
ランジスタの使用方法であり、電圧利得は1以下である
が、出力インピーダンスが非常に小さいので、バッファ
としてよく使用されている。
第7図は、従来のソースフォロワ回路の一例を示す概略
的な回路構成図である。同図において、101はNチャ
ネルMO3I−ランジスタで、富亥トランジスタ101
のゲートには信号電圧102が接続され、ドレインは電
源103に接続され、ソースは定電流源104に接続さ
れている。そして信号電圧102に対応する電圧はトラ
ンジスタ101のソースに接続された出力端子105か
ら取り出されるようになっている。同様に信号電圧10
6はNチャネルMOSトランジスタ107のゲーI・に
接続され、該トランジスタ107のドlツインは電源1
03に接続され、ソースは定電流源108に接続されて
いる。そして信号電圧106に対応する電圧はトランジ
スタ107のソースに接続された出力端子109から取
り出されるように構成されている。
的な回路構成図である。同図において、101はNチャ
ネルMO3I−ランジスタで、富亥トランジスタ101
のゲートには信号電圧102が接続され、ドレインは電
源103に接続され、ソースは定電流源104に接続さ
れている。そして信号電圧102に対応する電圧はトラ
ンジスタ101のソースに接続された出力端子105か
ら取り出されるようになっている。同様に信号電圧10
6はNチャネルMOSトランジスタ107のゲーI・に
接続され、該トランジスタ107のドlツインは電源1
03に接続され、ソースは定電流源108に接続されて
いる。そして信号電圧106に対応する電圧はトランジ
スタ107のソースに接続された出力端子109から取
り出されるように構成されている。
〔発明が解決しようとする課題]
上記のように構成されたソースフォロワ回路において、
信号電圧102の電圧を■9、出力端子105の出力電
圧をV。tl□、定電流源104の電流値1.、トラン
ジスタ101の闇値と変換コンダクタンスを、それぞれ
VT+とβ、/2 とすると、電流(a l l は、
11−(β1/2)・(V、−V。。ア+ Vy+)
”・・・・・・(1) と表され、したがって出力電圧■。IIT+は、Vou
t+=V+ VT+ (21+/β、)!/!・・
・・・・(2) と表される。一方、信号電圧106の電圧を■2、出力
端子109の出力電圧を■。、J71、定電流1xos
の電流値It、)’ランジスタ107の闇値と変換コン
ダクタンスを、それぞれ■T!とβ□/2 とすると、
電流値■2は、 l2=(β2/2)・(V、−V。。アZ VTり”
・・・・・・(3) と表され、したが、って出力電圧V。UTtは、Vou
vt=Vz Vtz (21t/β2)し1・・・
・・・(4) と表される。よって出力電圧■。1171及び■。ut
tには、それぞれのソースフォロワ用トランジスタ10
1.。
信号電圧102の電圧を■9、出力端子105の出力電
圧をV。tl□、定電流源104の電流値1.、トラン
ジスタ101の闇値と変換コンダクタンスを、それぞれ
VT+とβ、/2 とすると、電流(a l l は、
11−(β1/2)・(V、−V。。ア+ Vy+)
”・・・・・・(1) と表され、したがって出力電圧■。IIT+は、Vou
t+=V+ VT+ (21+/β、)!/!・・
・・・・(2) と表される。一方、信号電圧106の電圧を■2、出力
端子109の出力電圧を■。、J71、定電流1xos
の電流値It、)’ランジスタ107の闇値と変換コン
ダクタンスを、それぞれ■T!とβ□/2 とすると、
電流値■2は、 l2=(β2/2)・(V、−V。。アZ VTり”
・・・・・・(3) と表され、したが、って出力電圧V。UTtは、Vou
vt=Vz Vtz (21t/β2)し1・・・
・・・(4) と表される。よって出力電圧■。1171及び■。ut
tには、それぞれのソースフォロワ用トランジスタ10
1.。
107の閾値及び変換コンダクタンスの影響が現れ、出
力電圧■。LIT+、■。u7□は闇値及び変換コンダ
クタンスのそれぞれの値がばらつくと、それに対応して
ばらつくという問題点を有していた。
力電圧■。LIT+、■。u7□は闇値及び変換コンダ
クタンスのそれぞれの値がばらつくと、それに対応して
ばらつくという問題点を有していた。
本発明は、従来のソースフォロワ回路の上記問題点を解
決するためになされたものであり、複数のソースフォロ
ワ回路が共存する回路構成においても、それぞれのソー
スフォロワ用トランジスタの特性のばらつきが、出力の
ばらつきとなって現れないようにしたソースフォロワ回
路を提供することを目的とする。
決するためになされたものであり、複数のソースフォロ
ワ回路が共存する回路構成においても、それぞれのソー
スフォロワ用トランジスタの特性のばらつきが、出力の
ばらつきとなって現れないようにしたソースフォロワ回
路を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕上記問題点を解
決4″るため、本発明は、ソースフォロワ回路を構成す
るソースフォロワ用トランジスタと、該トランジスタの
特性のばらつき情報を予め保持するだめの蓄積手段と、
該蓄積手段に前記ばらつき情報を保持させるための参照
電圧源と、該参照電圧源を前記ソースフォロワ用トラン
ジスタのゲート端子に印加して前記蓄積手段にばらつき
情報を保持し、且つ該蓄積手段に保持したばらつき情報
を被検出信号電圧に重畳して前記ソースフォロワ用トラ
ンジスタのゲート端子に印加するためのスイッチ群とで
ソースフォロワ回路を構成するものである。
決4″るため、本発明は、ソースフォロワ回路を構成す
るソースフォロワ用トランジスタと、該トランジスタの
特性のばらつき情報を予め保持するだめの蓄積手段と、
該蓄積手段に前記ばらつき情報を保持させるための参照
電圧源と、該参照電圧源を前記ソースフォロワ用トラン
ジスタのゲート端子に印加して前記蓄積手段にばらつき
情報を保持し、且つ該蓄積手段に保持したばらつき情報
を被検出信号電圧に重畳して前記ソースフォロワ用トラ
ンジスタのゲート端子に印加するためのスイッチ群とで
ソースフォロワ回路を構成するものである。
このように構成したソースフォロワ回路においては、ス
イッチ群の操作により、まずソースフォロワ回路に用い
るトランジスタのソースフォロワ回路動作における特性
のばらつき情報を予め別途設けた蓄積手段に保持し、次
いで該蓄積手段に保持したばらづき情報を被検出信号電
圧に重畳し2て、該ソースフォロワ用トランジスタのゲ
ート端子に印加する。これにより、該ソースフォロワ用
トランジスタのソース端子には、該ソースフォロワ用ト
ランジスタの特性に依存せず被検出信号電圧に対応した
出力電圧が得られる。
イッチ群の操作により、まずソースフォロワ回路に用い
るトランジスタのソースフォロワ回路動作における特性
のばらつき情報を予め別途設けた蓄積手段に保持し、次
いで該蓄積手段に保持したばらづき情報を被検出信号電
圧に重畳し2て、該ソースフォロワ用トランジスタのゲ
ート端子に印加する。これにより、該ソースフォロワ用
トランジスタのソース端子には、該ソースフォロワ用ト
ランジスタの特性に依存せず被検出信号電圧に対応した
出力電圧が得られる。
以下、実施例について説明する。第1図は、本発明によ
るソースフォロワ回路の第1実施例を示す回路構成図で
ある。第1図において、1はソースフォロワ用トランジ
スタで、該トランジスタ1のドレインは電源(Vo)2
に接続され、そのゲートはトランジスタ特性保持用の容
量3の一端と、第3のスイッチ(SW3)9を介して基
準(参照)電圧fi(V+1iy) 4にそれぞれ接続
されている。またソースフォロワ用トランジスタ1のソ
ースは、ソースフォロワの負荷となる定電流源5と接続
されて出力端子6として取り出され、且つ第1のスイッ
チ(SWI)7を介して前記トランジスタ特性保持用容
M3の他端に接続され、更に第2のスイッチ(SW2)
8を介して被検出信号電圧(Vs+G) 10と接続さ
れている。
るソースフォロワ回路の第1実施例を示す回路構成図で
ある。第1図において、1はソースフォロワ用トランジ
スタで、該トランジスタ1のドレインは電源(Vo)2
に接続され、そのゲートはトランジスタ特性保持用の容
量3の一端と、第3のスイッチ(SW3)9を介して基
準(参照)電圧fi(V+1iy) 4にそれぞれ接続
されている。またソースフォロワ用トランジスタ1のソ
ースは、ソースフォロワの負荷となる定電流源5と接続
されて出力端子6として取り出され、且つ第1のスイッ
チ(SWI)7を介して前記トランジスタ特性保持用容
M3の他端に接続され、更に第2のスイッチ(SW2)
8を介して被検出信号電圧(Vs+G) 10と接続さ
れている。
次にこのように構成されたソースフォロワ回路の動作に
ついて説明する。第2図は、第1図に示したソースフォ
ロワ回路の動作を説明するためのタイミングチャートで
ある。まず1.の時点において第1のスイッチ(SWL
)7がON、第2のスイッチ(SW2)8がOFF、第
3のスイッチ(SW3)9がONとなると、ソースフォ
ロワ用トランジスタlは基準電圧源(V*zr) 4の
電圧■え、Fをゲート電圧とするソースフォロワ動作と
なり、出力端子6の電圧を■。ut−□2、定電流源5
の電流(tIを1、ソースフォロワ用トランジスタ1の
閾値と変換コンダクタンスをそれぞれ■7とβ/2とす
ると、ソースフォロワ用トランジスタ1の特性は、 1=(β/2)・(V□、−V。1.ア−air V
t)”・・・・・・(5) と表されるので、トランジスタ特性保持用容量3の両端
には、 ΔV=V、、、−V。LIT−IEF= Vt+ (2
I /β)1″・・・・・・(6) の充電電圧が現れる。
ついて説明する。第2図は、第1図に示したソースフォ
ロワ回路の動作を説明するためのタイミングチャートで
ある。まず1.の時点において第1のスイッチ(SWL
)7がON、第2のスイッチ(SW2)8がOFF、第
3のスイッチ(SW3)9がONとなると、ソースフォ
ロワ用トランジスタlは基準電圧源(V*zr) 4の
電圧■え、Fをゲート電圧とするソースフォロワ動作と
なり、出力端子6の電圧を■。ut−□2、定電流源5
の電流(tIを1、ソースフォロワ用トランジスタ1の
閾値と変換コンダクタンスをそれぞれ■7とβ/2とす
ると、ソースフォロワ用トランジスタ1の特性は、 1=(β/2)・(V□、−V。1.ア−air V
t)”・・・・・・(5) と表されるので、トランジスタ特性保持用容量3の両端
には、 ΔV=V、、、−V。LIT−IEF= Vt+ (2
I /β)1″・・・・・・(6) の充電電圧が現れる。
次にL2の時点において、第1のスイッチ(SWl)7
がOFF、第2のスイッチ(SW2)8がON、第3の
スイッチ(SW3)9がOFFとなると、ソースフォロ
ワ用トランジスタ1は、被検出信号電圧(VsIc、)
10にトランジスタ特性保持用容量3に蓄積された電
圧Δ■が重畳された電圧をゲート電圧とするソースフォ
ロワ動作となる。その際の出力端子6の電圧をVOII
Tとすると、1−(β/2)・(V sla+ΔV−V
。、ア〜Vt)t・・・・・・(7) と表されるから、出力電圧■。utは、Vouy−Vs
+s+AV−Vt (2I/β)1″−V、Ic
・・・・・・(8)となる、すなわち
出力端子6に現れる出力電圧V。IITはソースフォロ
ワ用トランジスタ1の特性に依存せず、被検出信号電圧
(Vs+G) ioと同一の電圧となる。またこの場合
、(8)式から明らかなようにソースフォロワの負荷と
なる定電流源5の電流値Iがばらついても出力信号には
影響を与えない。
がOFF、第2のスイッチ(SW2)8がON、第3の
スイッチ(SW3)9がOFFとなると、ソースフォロ
ワ用トランジスタ1は、被検出信号電圧(VsIc、)
10にトランジスタ特性保持用容量3に蓄積された電
圧Δ■が重畳された電圧をゲート電圧とするソースフォ
ロワ動作となる。その際の出力端子6の電圧をVOII
Tとすると、1−(β/2)・(V sla+ΔV−V
。、ア〜Vt)t・・・・・・(7) と表されるから、出力電圧■。utは、Vouy−Vs
+s+AV−Vt (2I/β)1″−V、Ic
・・・・・・(8)となる、すなわち
出力端子6に現れる出力電圧V。IITはソースフォロ
ワ用トランジスタ1の特性に依存せず、被検出信号電圧
(Vs+G) ioと同一の電圧となる。またこの場合
、(8)式から明らかなようにソースフォロワの負荷と
なる定電流源5の電流値Iがばらついても出力信号には
影響を与えない。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。
第3図は、第2実施例の回路構成図である。第3図にお
いて、11はソースフォロワ用トランジスタで、該トラ
ンジスタ11のドレインは電fi(VD) 12に接続
され、そのゲートはトランジスタ特性保持用の容113
の一端と、第3のスイッチ(SW3H9を介して被検出
信号電圧(VsIc)14にそれぞれ接続され、またソ
ースフォロワ用トランジスタ11のソースは、ソースフ
ォロワの負荷となる定電流源15と接続されて出力端子
16として取り出され、且つ第1のスイッチ(SWI)
17を介して前記トランジスタ特性保持用容量13の他
端、及び更に第2のスイッチ(SW208を介して前記
被検出信号電圧(Vs盲G)14と接続されている。
いて、11はソースフォロワ用トランジスタで、該トラ
ンジスタ11のドレインは電fi(VD) 12に接続
され、そのゲートはトランジスタ特性保持用の容113
の一端と、第3のスイッチ(SW3H9を介して被検出
信号電圧(VsIc)14にそれぞれ接続され、またソ
ースフォロワ用トランジスタ11のソースは、ソースフ
ォロワの負荷となる定電流源15と接続されて出力端子
16として取り出され、且つ第1のスイッチ(SWI)
17を介して前記トランジスタ特性保持用容量13の他
端、及び更に第2のスイッチ(SW208を介して前記
被検出信号電圧(Vs盲G)14と接続されている。
次に第2実施例の動作について説明する。第4図は、第
3図に示した第2実施例のソースフォロワ回路の動作を
説明するためのタイミングチャートである。まず1.の
時点において第1のスイッチ(SWI)17がON、第
2のスイッチ(SW2NBがOFF、第3のスイッチ(
SW3)19がONとなると、ソースフォロワ用トラン
ジスタ11は被検出信号電圧(VsIc) 14をゲー
ト電圧とするソースフォロワ動作となり、出力端子16
の電圧をVot+y−s+c、定電流源15の電流値を
■、ソースフォロワ用トランジスタ11の闇値と変換コ
ンダクタンスをそれぞれvTとβ/2とすると、ソース
フォロワ用トランジスタ11の特性は、 1=(β/ 2) ・(Vs+GVouy−s+c
Vt)!・・・・・・(9) と表されるので、トランジスタ特性保持用容量13の両
端には、 ΔV”’V31G VOtlアー310=Vア+(2
I/β)1′t・・・・・・QO) の充電電圧が現れる。
3図に示した第2実施例のソースフォロワ回路の動作を
説明するためのタイミングチャートである。まず1.の
時点において第1のスイッチ(SWI)17がON、第
2のスイッチ(SW2NBがOFF、第3のスイッチ(
SW3)19がONとなると、ソースフォロワ用トラン
ジスタ11は被検出信号電圧(VsIc) 14をゲー
ト電圧とするソースフォロワ動作となり、出力端子16
の電圧をVot+y−s+c、定電流源15の電流値を
■、ソースフォロワ用トランジスタ11の闇値と変換コ
ンダクタンスをそれぞれvTとβ/2とすると、ソース
フォロワ用トランジスタ11の特性は、 1=(β/ 2) ・(Vs+GVouy−s+c
Vt)!・・・・・・(9) と表されるので、トランジスタ特性保持用容量13の両
端には、 ΔV”’V31G VOtlアー310=Vア+(2
I/β)1′t・・・・・・QO) の充電電圧が現れる。
次にり、の時点において、第1のスイッチ(SW 1
”) 17がOFF、第2のスイッチ(SW2)1Bが
ON、第3のスイッチ(SW3H9がOFFとなると、
ソースフォロワ用トランジスタ11は、被検出信号電圧
(Vs+c) 14にトランジスタ特性保持用容1t1
3に蓄積された電圧ΔVが重畳された電圧をゲート電圧
とするソースフォロワ動作となる。その際の出力端子1
6の出力電圧を■。Uアとすると、1=(β/2)’(
V310+ΔV Voot VT)”・・・・・・
00 と表されるから、出力電圧■。LITは、VOLIT”
V31G+Δ” VT (21/β)+7=VSI
G ・・・・・・0りとなる。す
なわち出力端子16に現れる出力電圧■。UTはソース
フォロワ用トランジスタ11の特性に依存せず、被検出
信号電圧(V31G) 14と同一の電圧となる。また
この場合、QTJ式から明らかなようにソースフォロワ
の負荷となる定電流源15の電流値■がばらついても出
力信号には影響を与えない。
”) 17がOFF、第2のスイッチ(SW2)1Bが
ON、第3のスイッチ(SW3H9がOFFとなると、
ソースフォロワ用トランジスタ11は、被検出信号電圧
(Vs+c) 14にトランジスタ特性保持用容1t1
3に蓄積された電圧ΔVが重畳された電圧をゲート電圧
とするソースフォロワ動作となる。その際の出力端子1
6の出力電圧を■。Uアとすると、1=(β/2)’(
V310+ΔV Voot VT)”・・・・・・
00 と表されるから、出力電圧■。LITは、VOLIT”
V31G+Δ” VT (21/β)+7=VSI
G ・・・・・・0りとなる。す
なわち出力端子16に現れる出力電圧■。UTはソース
フォロワ用トランジスタ11の特性に依存せず、被検出
信号電圧(V31G) 14と同一の電圧となる。また
この場合、QTJ式から明らかなようにソースフォロワ
の負荷となる定電流源15の電流値■がばらついても出
力信号には影響を与えない。
この第2実施例では、第1実施例に比べMOSトランジ
スタの闇値電圧■、に対する基板電圧効果の影響を受け
にくいという特徴を存する。MOSトランジスタの基板
電圧効果は、[−ランジスタの基板電位を基準電圧とす
れば、トランジスタのソース電位がv3のときトランジ
スタの闇値電圧が、 ΔV r = A・(V3)””
・・・・・・03)だけ上昇する現象である。ここでA
は比例定数である。したがって第1実施例の場合は、基
!p!電圧源(Vwtr) 4を用いてトランジスタ1
の闇値ばらつきをトランジスタ特性保持用容量3に保持
した際のソース電位と、実際の被検出信号電圧(Vs+
G)10に対応する電位を出力する際のソース電位の差
により、トランジスタの闇値が基板効果により変動する
ため、 VEIRO1l=A ’ (V31G+ VT Vx
zr)””・・・・・・θ4 で表される被検出信号電圧■39.と基準電圧V RE
Fの差の1/2乗に比例した誤差電圧■□や。1を生じ
る。
スタの闇値電圧■、に対する基板電圧効果の影響を受け
にくいという特徴を存する。MOSトランジスタの基板
電圧効果は、[−ランジスタの基板電位を基準電圧とす
れば、トランジスタのソース電位がv3のときトランジ
スタの闇値電圧が、 ΔV r = A・(V3)””
・・・・・・03)だけ上昇する現象である。ここでA
は比例定数である。したがって第1実施例の場合は、基
!p!電圧源(Vwtr) 4を用いてトランジスタ1
の闇値ばらつきをトランジスタ特性保持用容量3に保持
した際のソース電位と、実際の被検出信号電圧(Vs+
G)10に対応する電位を出力する際のソース電位の差
により、トランジスタの闇値が基板効果により変動する
ため、 VEIRO1l=A ’ (V31G+ VT Vx
zr)””・・・・・・θ4 で表される被検出信号電圧■39.と基準電圧V RE
Fの差の1/2乗に比例した誤差電圧■□や。1を生じ
る。
これに対して第2実施例の構成の場合は、基板効果によ
るトランジスタの闇値変動によって生じる誤差電圧V□
え。えは、 VElllIOII=A・(VT)”” ・
・・・・・09となり、被検出信号電圧V sIGの大
きさに依存しなくなる。すなわち第2実施例の場合の方
が第1実施例の場合に比べ、入出力間の線形性が海かに
良好に保たれることになる。また更に第2実施例の場合
は、トランジスタの闇値ばらつきをトランジスタ特性保
持用容量への保持のための基準(参照)電圧源が不要と
なり、回路構成が容易になるという特徴も併せて有して
いる。
るトランジスタの闇値変動によって生じる誤差電圧V□
え。えは、 VElllIOII=A・(VT)”” ・
・・・・・09となり、被検出信号電圧V sIGの大
きさに依存しなくなる。すなわち第2実施例の場合の方
が第1実施例の場合に比べ、入出力間の線形性が海かに
良好に保たれることになる。また更に第2実施例の場合
は、トランジスタの闇値ばらつきをトランジスタ特性保
持用容量への保持のための基準(参照)電圧源が不要と
なり、回路構成が容易になるという特徴も併せて有して
いる。
次に本発明の第3実施例について説明する。第5図は、
本発明によるソースフォロワ回路の第3実施例の回路構
成を示す図である。第5図において、21はソースフォ
ロワ用トランジスタで、該トランジスタ21のドレイン
には電源(■l1l)22が接続され、そのゲートには
第5のスイッチ(SW5)31を介して基準電圧源(■
□F)23が接続され、且つ該トランジスタ21のゲー
トには第3のスイッチ(SW3)29を介し7てl・ラ
ンジスタ特性保持用容量24の一端が接続されている。
本発明によるソースフォロワ回路の第3実施例の回路構
成を示す図である。第5図において、21はソースフォ
ロワ用トランジスタで、該トランジスタ21のドレイン
には電源(■l1l)22が接続され、そのゲートには
第5のスイッチ(SW5)31を介して基準電圧源(■
□F)23が接続され、且つ該トランジスタ21のゲー
トには第3のスイッチ(SW3)29を介し7てl・ラ
ンジスタ特性保持用容量24の一端が接続されている。
またソースフォロワ用トランジスタ21のソースには、
ソースフォロワの負荷となる定電流源25が接続されて
、その接続点が出力端子26として取り出され、且つ第
1のスイッチ(SWI)27を介して前記トランジスタ
特性保持用容量24の他端に接続されている。またトラ
ンジスタ特性保持用容量24の前記第3のス・インチ(
SW3)29に接続されている端子は、更に第4のスイ
ッチ(SW4)30を介して接地され、一方トランジス
タ特性保持用容量24の第1のスイッチ(SWl)27
に接続されている端子は、第2のスイッチ(SW2)2
8を介して被検出信号電圧(Vi+J 32に接続され
ている。
ソースフォロワの負荷となる定電流源25が接続されて
、その接続点が出力端子26として取り出され、且つ第
1のスイッチ(SWI)27を介して前記トランジスタ
特性保持用容量24の他端に接続されている。またトラ
ンジスタ特性保持用容量24の前記第3のス・インチ(
SW3)29に接続されている端子は、更に第4のスイ
ッチ(SW4)30を介して接地され、一方トランジス
タ特性保持用容量24の第1のスイッチ(SWl)27
に接続されている端子は、第2のスイッチ(SW2)2
8を介して被検出信号電圧(Vi+J 32に接続され
ている。
次にこのように構成された第3実施例のソースフォロワ
回路の動作について説明する。第6回は、第5図に示し
たソースフォロワ回路の動作を説明するためのタイミン
グチャートである。まずtlの時点において第1のスイ
ッチ(SWI)27がON、第2のスイッチ(SW2)
28がOFF、第3のスイッチ(SW3)29がOFF
、第4のスイッチ(SW4)30がON、第5のスイッ
チ(SW5)31がONとなると、ソースフォロワ用ト
ランジスタ21は基準電圧′a、(Vxty) 23の
電圧■随EFをゲート電圧とするソースフォロワ動作と
なり、出力端子26の電圧を■。07′ 、定電流源2
5の電流値をI、ソースフォロワ用トランジスタ21の
闇値と変換コンダクタンスを、それぞれ■、とβ/2と
すると、ソースフォロワ用トランジスタ21の特性は、
1=(β/ 2> ・(Viyy−V+yur’ V
y)’・・・・・・qつ と表されるので、トランジスタ特性保持用容量24の両
端には、 V(ILI?’ = V++tFVt (21/β
)1″・・・・・・04) の充電電圧が現れる。
回路の動作について説明する。第6回は、第5図に示し
たソースフォロワ回路の動作を説明するためのタイミン
グチャートである。まずtlの時点において第1のスイ
ッチ(SWI)27がON、第2のスイッチ(SW2)
28がOFF、第3のスイッチ(SW3)29がOFF
、第4のスイッチ(SW4)30がON、第5のスイッ
チ(SW5)31がONとなると、ソースフォロワ用ト
ランジスタ21は基準電圧′a、(Vxty) 23の
電圧■随EFをゲート電圧とするソースフォロワ動作と
なり、出力端子26の電圧を■。07′ 、定電流源2
5の電流値をI、ソースフォロワ用トランジスタ21の
闇値と変換コンダクタンスを、それぞれ■、とβ/2と
すると、ソースフォロワ用トランジスタ21の特性は、
1=(β/ 2> ・(Viyy−V+yur’ V
y)’・・・・・・qつ と表されるので、トランジスタ特性保持用容量24の両
端には、 V(ILI?’ = V++tFVt (21/β
)1″・・・・・・04) の充電電圧が現れる。
次に1tの時点において、第1のスイッチ(SW 1
) 27がOFF、第2のスイッチ(SW2)2BがO
N、第3のスイッチ(SW3)29がON、第4のスイ
ッチ(SW4)30がOFF、第5のスイッチ(SW5
)31がOFFとなると、ソースフォロワ用トランジス
タ21は、被検出信号電圧(Vs+c) 32にトラン
ジスタ特性保持用容量24に蓄積された電圧が逆に重畳
された電圧を、ゲート電圧とするソースフォロワ動作と
なる。この際の出力端子26の電圧を■。1.とすると
、 1=(β/2)・(■8.。−■。0アーvout’
Vア)t・・・・・・05) と表されるから、出力電圧■。U、は、VOLIT=V
3111 Vouy’ −VT−(21/β)1
″=Vs+e v*gr ・・・・・・
06)となる。すなわち出力端子26に現れる出力電圧
■。utはソースフォロワ用トランジスタ21の特性に
依存せず、被検出信号電圧(Vs+*)32と基準電圧
源(V xzy) 23の電圧■1.との差電圧となる
。またこの場合、06)弐から明らかなようにソースフ
ォロワの負荷となる定電流源25の電流値■がばらつい
ても出力信号には影響を与えない。
) 27がOFF、第2のスイッチ(SW2)2BがO
N、第3のスイッチ(SW3)29がON、第4のスイ
ッチ(SW4)30がOFF、第5のスイッチ(SW5
)31がOFFとなると、ソースフォロワ用トランジス
タ21は、被検出信号電圧(Vs+c) 32にトラン
ジスタ特性保持用容量24に蓄積された電圧が逆に重畳
された電圧を、ゲート電圧とするソースフォロワ動作と
なる。この際の出力端子26の電圧を■。1.とすると
、 1=(β/2)・(■8.。−■。0アーvout’
Vア)t・・・・・・05) と表されるから、出力電圧■。U、は、VOLIT=V
3111 Vouy’ −VT−(21/β)1
″=Vs+e v*gr ・・・・・・
06)となる。すなわち出力端子26に現れる出力電圧
■。utはソースフォロワ用トランジスタ21の特性に
依存せず、被検出信号電圧(Vs+*)32と基準電圧
源(V xzy) 23の電圧■1.との差電圧となる
。またこの場合、06)弐から明らかなようにソースフ
ォロワの負荷となる定電流源25の電流値■がばらつい
ても出力信号には影響を与えない。
この第3実施例においては、出力電圧が06)式で表さ
れるように被検出信号電圧(V31G) 32と基準電
圧■□、の差電圧となるので、被検出信号電圧(V31
G) 32にDC的なオフセット成分があり、真の信号
電圧成分が被検出信号電圧(Vs+e) 32に比べて
小さい場合でも、基準電圧源(Viyy) 23の電圧
■。1を適宜設定することにより、ソースフォロワ用ト
ランジスタ21の動作点を好適なバイアスに設定するこ
とが可能となる。このため不必要に電源22の電圧■、
を高く設定する必要がなくなり、駆動の容易化、回路動
作の低消費電力化が可能となる。
れるように被検出信号電圧(V31G) 32と基準電
圧■□、の差電圧となるので、被検出信号電圧(V31
G) 32にDC的なオフセット成分があり、真の信号
電圧成分が被検出信号電圧(Vs+e) 32に比べて
小さい場合でも、基準電圧源(Viyy) 23の電圧
■。1を適宜設定することにより、ソースフォロワ用ト
ランジスタ21の動作点を好適なバイアスに設定するこ
とが可能となる。このため不必要に電源22の電圧■、
を高く設定する必要がなくなり、駆動の容易化、回路動
作の低消費電力化が可能となる。
以上、各実施例においては、ソースフォロワ用トランジ
スタとしてNチャネルのMO3型電界効果トランジスタ
を用いて説明したが、電源などの接続を変更すればPチ
ャネルのMO3型電界効果トランジスタを用いた回路構
成でも、同様な作用効果が得られることは勿論、接合型
電界効果トランジスタあるいは高い電流増幅率を有する
バイポーラトランジスタ等の5橿管特性を示すデバイス
も利用可能であることは明らかである。
スタとしてNチャネルのMO3型電界効果トランジスタ
を用いて説明したが、電源などの接続を変更すればPチ
ャネルのMO3型電界効果トランジスタを用いた回路構
成でも、同様な作用効果が得られることは勿論、接合型
電界効果トランジスタあるいは高い電流増幅率を有する
バイポーラトランジスタ等の5橿管特性を示すデバイス
も利用可能であることは明らかである。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、ソースフォロワ回路に用いるトランジスタのソースフ
ォロワ回路動作における特性ばらつきを予め別途設けた
蓄積手段に保持し、該蓄積手段に保持したばらつき情報
を被検出信号電圧に重畳して、該ソースフォロワ用トラ
ンジスタのゲート端子に印加するように構成したので、
該ソースフォロワ用トランジスタのソース端子に該ソー
スフォロワ用トランジスタの特性に依存せず、被検出信
号電圧に対応した電圧を得ることが可能となる。
、ソースフォロワ回路に用いるトランジスタのソースフ
ォロワ回路動作における特性ばらつきを予め別途設けた
蓄積手段に保持し、該蓄積手段に保持したばらつき情報
を被検出信号電圧に重畳して、該ソースフォロワ用トラ
ンジスタのゲート端子に印加するように構成したので、
該ソースフォロワ用トランジスタのソース端子に該ソー
スフォロワ用トランジスタの特性に依存せず、被検出信
号電圧に対応した電圧を得ることが可能となる。
第1図は、本発明に係るソースフォロワ回路の第1実施
例を示す回路構成図、第2図は、第1実施例の動作を説
明するためのタイミングチャート、第3図は、第2実施
例を示す回路構成図、第4図は、第2実施例の動作を説
明するためのタイミングチャート、第5図は、第3実施
例を示す回路構成図、第6図は、第3実施例の動作を説
明するためのタイミングチャート、第7図は、従来のソ
ースフォロワ回路の構成例を示す回路構成図である。 図において、 lはソースフォロワ用MOSトラ ンジスタ、 2はt源、 3はトランジスタ特性保持 用容量、 4は基準電圧源、 5は定電流源、 6は出 力端子、 7は第1のスイッチ、 8は第2のスイン 9は第3のスイッチ、 10は被検出信号電圧を 示す。
例を示す回路構成図、第2図は、第1実施例の動作を説
明するためのタイミングチャート、第3図は、第2実施
例を示す回路構成図、第4図は、第2実施例の動作を説
明するためのタイミングチャート、第5図は、第3実施
例を示す回路構成図、第6図は、第3実施例の動作を説
明するためのタイミングチャート、第7図は、従来のソ
ースフォロワ回路の構成例を示す回路構成図である。 図において、 lはソースフォロワ用MOSトラ ンジスタ、 2はt源、 3はトランジスタ特性保持 用容量、 4は基準電圧源、 5は定電流源、 6は出 力端子、 7は第1のスイッチ、 8は第2のスイン 9は第3のスイッチ、 10は被検出信号電圧を 示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被検出信号電圧に対応する電圧をバッファ出力する
ソースフォロワ回路において、前記ソースフォロワ回路
を構成するソースフォロワ用トランジスタと、該トラン
ジスタの特性のばらつき情報を予め保持するための蓄積
手段と、該蓄積手段に前記ばらつき情報を保持させるた
めの参照電圧源と、該参照電圧源を前記ソースフォロワ
用トランジスタのゲート端子に印加して前記蓄積手段に
前記ばらつき情報を保持し、且つ該蓄積手段に保持した
ばらつき情報を被検出信号電圧に重畳して前記ソースフ
ォロワ用トランジスタのゲート端子に印加するためのス
イッチ群を備えていることを特徴とするソースフォロワ
回路。 2、前記トランジスタ特性のばらつき情報を予め蓄積手
段に保持させる際に用いる参照電圧源として、被検出信
号電圧を用いることを特徴とする請求項1記載のソース
フォロワ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27609789A JPH03139908A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | ソースフォロワ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27609789A JPH03139908A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | ソースフォロワ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03139908A true JPH03139908A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=17564759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27609789A Pending JPH03139908A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | ソースフォロワ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03139908A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-10-25 JP JP27609789A patent/JPH03139908A/ja active Pending
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