JP3916274B2 - サンプルホールド回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はサンプルホールド回路の分野にかかり、特に、ホールド電圧をMOSFETのゲート端子に入力するサンプルホールド回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、サンプルホールド回路はA・Dコンバーター等の変換装置の入力段に設けられており、所定のタイミングで入力電圧をサンプリングし、次いで、次段に設けられた変換装置が変換作業を完了するまで、そのサンプリングした電圧をホールドする回路である。そのようなサンプルホールド回路のうち、2入力・1出力の従来技術のものを図3の符号102に示す。
【0003】
このサンプルホールド回路102は、大きく分けて差動段と出力段とで構成されており、差動段は、pチャネルMOSFETによって構成された定電流源141と、2つのサンプル電圧Vin1、Vin2が個別に入力される2系統の差動ブロック151、161と、nチャネルMOSFET144、145によって構成されたカレントミラー143とを有している。
出力段は、pチャネルMOSFETによって構成された定電流源142と、nチャネルMOSFETで構成された出力トランジスタ147とを有している。
【0004】
その2系統の差動ブロック151(第1系統)、161(第2系統)は、pチャネルMOSFETで構成されたスイッチ152、162と差動回路153、163とをそれぞれ有しており、各差動回路153、163はスイッチ152、162を介して同じ定電流源141に接続されている。
【0005】
スイッチ152、162のゲート端子には、その論理レベルが互いに逆となるXSEL1信号とXSEL2信号とがそれぞれ入力されており、いずれか一方のスイッチだけがONできるようにされている。従って、差動回路の一方に電流が供給されるときは、他方の差動回路には電流は供給されないようになっている。
【0006】
第1系統の差動回路153は、pチャネルMOSFET154、155がソース端子を共通にして構成されており、また、第2系統の差動回路163は、pチャネルMOSFET164、165がソース端子を共通にして構成されている。各差動ブロック151、161が有するホールド容量CH1、CH2の一端は、pチャネルMOSFET154、164のゲート端子にそれぞれ接続されている。
【0007】
第1、第2系統の差動回路153、163は、それぞれ共通するカレントミラー143を負荷として同じ出力トランジスタ147を駆動するように構成されており、各差動回路153、163の一方のpチャネルMOSFET155、165のゲート端子には、その出力トランジスタ147の出力端子が接続されており、他方のpチャネルMOSFET154、164のゲート端子には第1、第2系統のホールド容量CH1、CH2の一端が接続されている。
【0008】
各ホールド容量CH1、CH2の一端とpチャネルMOSFET154、164のゲート端子の接続中点には、スイッチSW1、SW2がそれぞれ設けられており、各スイッチSW1、SW2をONさせるとサンプリングすべき電圧Vin1、Vin2でホールド容量CH1、CH2を充放電させられるように構成されている。
【0009】
いま、第1系統の差動ブロック151側のスイッチSW1がON、その差動ブロック151内のスイッチ152がOFFしており、第2系統の差動ブロック161側のスイッチSW2がOFF、その差動ブロック161内のスイッチ162がONしているものとする。このとき、第1系統のホールド容量CH1には、スイッチSW1を介して印加されたサンプリング電圧Vin1がホールド電圧として現れており(サンプル動作)、スイッチSW2はOFFしているため、第2系統のホールド容量C H2 にはサンプリング電圧電圧Vin2は印加されていない(ホールド動作)。
【0010】
その状態からスイッチ162がOFFし、第2系統の差動ブロック161の動作が停止され、続いてSW1がOFFし、第1系統のホールド容量CH1がサンプリング電圧Vin1から開放された後、スイッチ152がONし、第1系統の差動ブロック151に電流が供給されると、その第1系統の差動ブロック151内の差動回路153の動作が開始する。
【0011】
このサンプルホールド回路102は、ホールド容量CH1、CH2の電圧のうち、動作している方の差動ブロック内のホールド容量の電圧が出力トランジスタ147の出力電圧Voutとして出力されるボルテージフォロワーの構成にされており、いま、第1系統のスイッチ152がONしており、第1系統の差動回路153が動作しているため、出力電圧Voutには第1系統のホールド電圧VCH1が現れている。
【0012】
他方、第2系統のスイッチ162はOFFし、第2系統の差動回路163は停止している。このとき、第2系統のスイッチSW2はONしており、ホールド容量CH2にはサンプリング電圧Vin2が印加され、その電圧で充放電されている。
【0013】
この状態は、サンプルホールド回路102の次段に設けられた変換回路が第1系統のホールド電圧VCH1の値を変換し終わるまで維持され、その後、第1系統のスイッチ152がOFFし、第1系統の差動回路153の動作は停止する。次いで、第2系統のスイッチSW2がOFFし、ホールド容量CH2をサンプリング電圧Vin2から開放した後、スイッチ162がONすると、第2系統の差動回路163が動作を開始する。
【0014】
スイッチ162のONにより、第2系統のホールド容量CH2に接続されたpチャネルMOSFET164が動作を開始するが、そのpチャネルMOSFET164は、図4(a)に示すように、P型シリコン基板に不純物が拡散されて形成されており、n-領域(nウェル)がバックゲートB、該バックゲートB(nウェル)内に拡散された2個のp+層がソース領域Sとドレイン領域Dにされ、また、ゲート酸化膜を介して設けられたポリシリコン膜によってゲート電極Gが形成されて構成されている。
【0015】
このような図4(a)の構成から、一般的なMOSFETでは、ゲート電極GとバックゲートB、ゲート電極Gとソース領域S、ゲート電極とドレイン領域Dとの間には、それぞれ寄生容量CGB、CGS、CGDが形成されてしまうことが知られている。上述のpチャネルMOSFET164では、これら寄生容量CGB、CGS、CGDは、同図(b)に示すような状態で接続されている。
【0016】
これら寄生容量CGS、CGD、CGBとホールド容量CH2の一端は、全てpチャネルMOSFET164のゲート電極G(ゲート端子)に接続されている。第2系統の差動ブロック161が停止しており、pチャネルMOSFET164がOFFの状態では、pチャネルMOSFET165のゲート端子に第1系統の差動ブロック151のホールド電圧VCH1と同じ電圧であるVOUTが印加されるため、一般的に寄生容量CGS、CGBのソース端子側の電位はVCH1+Vthとなる(VthはpチャネルMOSFET165のスレッショルド電圧)。
【0017】
また、pチャネルMOSFET164のドレイン端子はpチャネルMOSFET154のドレイン端子に接続されているため、第1系統の差動ブロック151が動作しているときのpチャネルMOSFET164のドレイン端子の電圧は、出力トランジスタ147が第1系統のホールド電圧VCH1を出力するときのゲート端子の電位Vx1となる。従って、寄生容量CGDのドレイン側の電位はVX1である。
このときの各寄生容量CGS、CGD、CGBは、ホールド容量CH2に対し、図4(c)に示すような電位の関係にある。
【0018】
その状態からスイッチSW2がOFFした後、スイッチ162がONし、第2系統の差動ブロック161がサンプル状態からホールド状態に移行し、第2系統の差動回路163に電流が供給され始めると、各寄生容量CGS、CGBの一端の電位はVCH1+Vthから定電流源141のドレイン端子の電位まで上昇する。また、寄生容量CGDの一端の電位は、前述の電位Vx1から、出力トランジスタ147が第2系統のホールド電位VCH2を出力するときのゲート端子の電位Vx2へと変化してしまう。
【0019】
このように、サンプル状態からホールド状態に移行する際に、ホールド容量CH2に接続されたpチャネルMOSFET164の端子電位が変化するため、そのpチャネルMOSFET164の寄生容量CGS、CGD、CGBを充放電させるための電流がホールド容量CH2を介して流れてしまい、ホールド状態に移行した後のホールド容量CH2の電圧がサンプル状態にあったときのホールド容量CH2の電圧と異なってしまい、検出電圧に誤差を生じる原因となっていた。
【0020】
このような寄生容量CGS、CGD、CGBのうち、ゲート・バックゲート間の寄生容量CGBについては、バックゲートBに電源電圧Veeを印加しておけば、サンプル状態とホールド状態とで電位の変動はないので、その影響を除くことは可能である。
【0021】
しかし、サンプル状態にある側のホールド容量に接続されたMOSFETのソース端子とドレイン端子の電位については、他方のホールド状態にある系統が出力する出力電圧Voutの値に影響されるので、寄生容量CGS、CGDの影響を除くことはできず、解決が望まれていた。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたもので、その目的は、寄生容量の影響を受けないサンプルホールド回路を提供することにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1のサンプルホールド回路は、ホールドキャパシタと、ゲート端子が上記キャパシタの一方の端子に接続される第1のMOSトランジスタと、上記キャパシタに接続され、サンプル状態時に上記キャパシタにサンプルされる信号を上記キャパシタに接続し、ホールド状態時に上記キャパシタをサンプルされる信号から切り離すスイッチと、上記第1のMOSトランジスタの第1の端子に接続される第1及び第2の定電流源と上記第1のMOSトランジスタの第2の端子に接続される第1及び第2の負荷回路とを有し、上記サンプル状態における上記第1のMOSトランジスタの端子間電圧が上記ホールド状態における上記第1のMOSトランジスタの端子間電圧に実質的に等しくなるように維持するために上記第1のMOSトランジスタに接続され、それによって上記第1のMOSトランジスタの寄生容量の電圧がサンプルされた信号を実質的に変えない変遷制御回路とを有する。
【0024】
また、本発明の第2のサンプルホールド回路は、第1のホールドキャパシタと、第1の信号入力端子と上記第1のホールドキャパシタとの間に接続された第1のスイッチと、第1及び第2のMOSトランジスタを有し、上記第1のMOSトランジスタのゲート端子が上記第1のホールドキャパシタに接続されている第1の差動回路と、第1の定電流源と、上記第1の定電流源と上記第1の差動回路との間に接続され、上記第1のスイッチと相補的に導通状態となる第2のスイッチと、第2の定電流源と、上記第2の定電流源と上記第1の差動回路との間に接続される第3のスイッチと、電流源と、上記第1の差動回路と上記電流源との間に接続され、上記第1のスイッチと相補的に導通状態となる第4のスイッチと、第1の負荷回路と、上記第1のMOSトランジスタと上記第1の負荷回路との間に接続され、上記第2のスイッチと相補的に導通状態となる第5のスイッチとを有する。
【0025】
更には、本発明の第2のサンプルホールド回路は、更に、上記第1の差動回路に電気的に接続される出力回路を有する。
また、本発明の第2のサンプルホールド回路は、更に、第2のホールドキャパシタと、第2の信号入力端子と上記第2のホールドキャパシタとの間に接続される第6のスイッチと、第3及び第4のMOSトランジスタを有し、上記第3のMOSトランジスタのゲート端子が上記第2のホールドキャパシタに接続されている第2の差動回路と、上記第1の定電流源と上記第2の差動回路との間に接続され、上記第2のスイッチと相補的に導通状態となる第7のスイッチと、第3の定電流源と、上記第3の定電流源と上記第2の差動回路との間に接続される第8のスイッチと、上記第2の差動回路と上記電流源との間に接続され、上記第4のスイッチと相補的に導通状態となる第9のスイッチと、第2の負荷回路と、上記第3のMOSトランジスタと上記第2の負荷回路との間に接続され、上記第5のスイッチと相補的に導通状態となる第10のスイッチとを有する。
【0026】
また、本発明の第2のサンプルホールド回路は、上記電流源が第5及び第6のMOSトランジスタを有するカレントミラー回路であり、上記第4のスイッチが、上記第1のMOSトランジスタと上記第5のMOSトランジスタとの間に接続される第7のMOSトランジスタと、上記第2のMOSトランジスタと上記第6のMOSトランジスタとの間に接続される第8のMOSトランジスタとを有し、上記第9のスイッチが、上記第3のMOSトランジスタと上記第5のMOSトランジスタとの間に接続される第9のMOSトランジスタと、上記第4のMOSトランジスタと上記第6のMOSトランジスタとの間に接続される第10のMOSトランジスタとを有し、上記第2、第3、第5、第7、第8及び第10のスイッチがそれぞれMOSトランジスタで構成される。
【0027】
上述した本発明のサンプルホールド回路では、ホールド容量と、該ホールド容量の一端にゲート端子が接続されたMOSFETとを有しており、そのホールド容量は、サンプル状態にあるときはサンプリングすべき電圧で充放電され、ホールド状態にあるときはサンプリングすべき電圧から切り離され、その切り離されたホールド容量に接続されたMOSFETが動作してホールド容量に現れたホールド電圧に対応する電圧がドレイン端子を介して出力されるように構成されており、ホールド容量とMOSFETとを所定タイミングでサンプル状態からホールド状態に移行させるようにすれば、移行の際にホールド容量に入力されていた電圧をサンプリング・ホールドすることができる。
【0028】
そのMOSFETについては、サンプル状態にあるときとホールド状態にあるときとで略等しい大きさの電流を流せるようにしたので、サンプル状態でのMOSFETの動作状態とホールド状態でのMOSFETの動作状態を同じにすることができる。従って、サンプル状態からホールド状態に移行する際に、ホールド容量に接続されたMOSFETの端子間電圧に変化は生じず、寄生容量の充放電を防止することができる。
【0029】
そのようなサンプルホールド回路のうち、ホールド容量とMOSFETとを複数有し、サンプル状態にあるときに各ホールド容量がサンプリングすべき電圧でそれぞれ充放電され、ホールド状態にあるときは各ホールド容量はサンプリングすべき電圧から切り離され、その切り離されたホールド容量に接続されたMOSFETのうち、選択されたMOSFETを動作させ、そのゲート端子に接続されたホールド容量の電圧に対応する電圧がドレイン端子から出力されるように構成されたサンプルホールド回路については、各MOSFETがサンプル状態にあるときとホールド状態にあるときとで略等しい大きさの電流を流せるようにしておけば、サンプル状態での各MOSFETの動作状態とホールド状態での各MOSFETの動作状態とを同じにすることができるので、サンプル状態からホールド状態に移行する際の寄生容量の充放電を防止でき、ホールド容量の電圧誤差を小さくすることができる。
【0030】
ゲート端子がホールド容量に接続されたMOSFETのソース端子については、サンプル状態にあるときとホールド状態にあるときとで略等しい電位に置けるように構成しておけば、サンプル状態からホールド状態に移行する際に、ゲート・ソース間の寄生容量がホールド容量に与える影響を無くすことができる。
【0031】
このようにソース端子の電位をサンプル状態とホールド状態とで略等しくなるようにしておく場合には、バックゲートをソース端子と短絡させれば、MOSFETのバックゲートの電位を電源電圧でクランプしておかなくても、ゲート・バックゲート間の寄生容量の充放電を防止できる。
【0032】
更に、そのMOSFETのドレイン端子についても、サンプル状態にあるときとホールド状態にあるときとで略等しい電位に置けるように構成しておけば、サンプル状態からホールド状態に移行する際に、ゲート・ドレイン間の寄生容量がホールド容量に与える影響を無くすことができる。
【0033】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
図1を参照し、符号2は、本発明の一例のサンプルホールド回路であり、図3に示した従来技術のサンプルホールド回路102と同様に、大きく分けて差動段と出力段とで構成されている。
【0034】
その差動段は、定電流源41と、第1、第2系統の差動ブロック51、61と、カレントミラー回路43と、バイアス電流供給回路3と、選択回路4と、電位調整回路5とを有しており、第1、第2系統の差動ブロック51、61によって、2系統のサンプリング電圧Vin1、Vin2をサンプル・ホールドできるように構成されている。
【0035】
他方、出力段は、定電流源42と出力トランジスタ47とを有しており、第1、第2系統の差動ブロック51、61のいずれか一方の出力を、定電流源42を負荷として、出力トランジスタ47の出力端子から出力できるように構成されている。
【0036】
バイアス電流供給回路3は、定電流源11、21を有しており、前述の定電流源41、42を含め、各定電流源11、21、41、42はそれぞれpチャネルMOSFETで構成されている。それら各pチャネルMOSFETのソース端子には、電源電圧Veeが印加されており、ゲート端子には、定電圧Vbiasが印加されている。従って、定電圧Vbiasの値とpチャネルMOSFETのチャネル長及びチャネル幅で決まる大きさの電流が各定電流源11、21、41、42のドレイン端子から供給されるように構成されている。
【0037】
第1、第2系統の差動ブロック51、61は、スイッチ52、62と、差動回路53、63とをそれぞれ有している。
【0038】
スイッチ52、62は、それぞれpチャネルMOSFETで構成されている。第1系統の差動回路53はソース端子が共通のpチャネルMOSFET54、55から構成されており、第2系統の差動回路63は、ソース端子が共通のpチャネルMOSFET64、65から構成されている。
【0039】
他方、バイアス電流供給回路3内には、スイッチ12、22が設けられている。第1、第2系統の差動回路53、63は、それぞれスイッチ12、22を介して定電流源11、21に接続されており、同時にそれぞれスイッチ52、62を介して同じ定電流源41に接続されている。
【0040】
バイアス電流供給回路3内のスイッチ12、22はpチャネルMOSFETで構成されており、そのゲート端子はグラウンド電位に接続され、各スイッチ12、22は常時ON状態になるようにされており、各定電流源11、21から差動回路53、63に常時定電流を供給できるように構成されている。
【0041】
第1、第2差動ブロック51、61内のスイッチ52、62のゲート端子には、その論理レベルが互いに相補(反対)の関係にあるXSEL1信号とXSEL2信号がそれぞれ入力されており、スイッチ52、62のいずれか一方がON状態になるようにされている。従って、定電流源41からは、差動回路53、63のうち、いずれか一方の差動回路のみに定電流が供給されるように構成されている。
【0042】
第1、第2系統の差動ブロック51、61は、選択回路4を介して、カレントミラー回路43と電位調整回路5とに接続されている。
【0043】
カレントミラー回路43は、nチャネルMOSFET44、45を有しており、そのnチャネルMOSFET44、45のゲート端子は互いに接続され、nチャネルMOSFET45のゲート・ドレイン間は短絡されて構成されている。この2個のnチャネルMOSFET44、45のソース端子はグラウンド電位に接続されており、nチャネルMOSFET45に流れた電流と同じ大きさの電流をnチャネルMOSFET44に流せるように構成されている。
【0044】
電位調整回路5は、ソース端子がグラウンド電位に接続され、ゲート・ドレイン間がそれぞれ短絡されたnチャネルMOSFET19、29を有しており、各nチャネルMOSFET19、29に、カレントミラー回路43のnチャネルMOSFET44、45に流れる電流と同じ大きさの電流が流されたときに、そのnチャネルMOSFET19、29のドレイン端子の電位が、nチャネルMOSFET44、45のドレイン端子の電位と同じになるように構成されている。
【0045】
選択回路4は、スイッチ16〜18とスイッチ26〜28とを有している。カレントミラー回路43を構成するnチャネルMOSFET44、45は、スイッチ16、17を介して第1系統の差動回路53を構成するpチャネルMOSFET54、55にそれぞれ接続され、同時に、スイッチ26、27を介して第2系統の差動回路63を構成するpチャネルMOSFET64、65にそれぞれ接続されている。また、電位調整回路5内のnチャネルMOSFET19、29は、スイッチ18、28を介してpチャネルMOSFET54、64にそれぞれ接続されている。
【0046】
第1、第2系統の差動ブロック51、61内にはホールド容量CH1、CH2が設けられており、各ホールド容量CH1、CH2の一端には、スイッチSW1、SW2を介してサンプル電圧Vin1、Vin2を印加できるように構成されている。そのホールド容量CH1、CH2の他端は、第1、第2系統の差動回路53、63内の一方のpチャネルMOSFET54、64のゲート端子に接続されており、各ホールド容量CH1、CH2が印加されたサンプル電圧Vin1、Vin2によって充放電されたときに、pチャネルMOSFET54、64のゲート端子にホールド容量CH1、CH2の電圧が印加されるように構成されている。
【0047】
第1、第2系統の差動回路53、63内の他方のpチャネルMOSFET55、65のゲート端子には、出力トランジスタ47の出力電圧Voutが入力されている。その出力トランジスタ47はnチャネルMOSFETで構成されており、そのソース端子はグラウンド電位に接続され、ドレイン端子は定電流源42のドレイン端子に接続されている。また、そのゲート端子はカレントミラー回路43のnチャネルMOSFET44のドレイン端子に接続されている。
【0048】
以上説明した接続により、定電流源11、21、41、42と、差動ブロック51、61と、カレントミラー回路43と、出力トランジスタ47とで増幅器が構成されており、差動回路53、63の一方のpチャネルMOSFET54、64のゲート端子が、その増幅器の非反転入力端子となり、他方のpチャネルMOSFET55、65のゲート端子が反転入力端子となるようにされている。そして、出力電圧Voutがそのまま反転入力端子に入力されているので、差動ブロック51、61のうち、いずれか一方の差動ブロックが動作したときに、その差動ブロックで構成される増幅器が、非反転入力端子を構成するpチャネルMOSFET54又はpチャネルMOSFET64のゲート端子に入力される電圧のボルテージフォロワーになるようにされている。
【0049】
いずれの差動ブロックを動作させるかは、外部から入力されるSEL1信号、SEL2信号、XSEL1信号、XSEL2信号の論理状態によって切換えられる。そのSEL1信号とSEL2信号とは、外部回路によって論理状態が互いに反転(相補)関係になるようにされており、また、XSEL1信号とXSEL2信号とも、その論理状態が互いに反転(相補)関係になるようにされている。更に、SEL1信号とXSEL1信号とも、その論理状態が互いに反転(相補)関係になるようにされている。
【0050】
スイッチ16、17のゲート端子とスイッチ26、27のゲート端子には、SEL1信号とSEL2信号とがそれぞれ入力されており、また、スイッチ18、28のゲート端子には、前述のスイッチ52、62と共に、XSEL1信号とXSEL2信号とがそれぞれ入力されている。
【0051】
それらSEL1信号、SEL2信号、XSEL1信号、及びXSEL2信号のタイミングチャートを図2に示す。SEL1信号がロー状態のときはSEL2信号はハイ状態であり、その状態ではスイッチ16、17がOFFし、スイッチ26、27がONするので、カレントミラー回路43には第2系統の差動回路63が接続される。このSEL1信号がロー状態であってSEL2信号がハイ状態のときは、XSEL1信号はハイ状態、XSEL2信号はロー状態になるので、スイッチ52はOFF、スイッチ62はONし、定電流源41からは第2系統の差動回路63に電流が供給される。なお、この状態では、第1系統の差動回路53はカレントミラー回路43に接続されておらず、定電流源41からも電流は供給されない。
【0052】
従って、第1系統の差動回路53は動作せず、第2系統の差動回路63が動作しており、そのpチャネルMOSFET64、65がカレントミラー回路43を負荷としてゲート端子に入力された電圧の差を出力トランジスタ47に出力している。
【0053】
この、SEL1信号がロー状態のときは、スイッチSW1がONし、スイッチSW2がOFFするようにされており、第1系統の差動ブロック51はサンプル状態に置かれ、第1系統のホールド容量CH1にはサンプリング電圧Vin1が印加されている。他方、第2系統の差動ブロック61はホールド状態(動作状態)に置かれ、第2のホールド容量CH2はサンプリング電圧Vin2から切り離されている。
【0054】
このとき、第2のホールド容量CH2には直流的には電流が流れる経路がないので、ホールド容量CH2の電圧は保持され、動作状態にある第2系統の差動ブロック61内のpチャネルMOSFET64のドレイン端子を介して、そのホールド容量CH2に現れたホールド電圧の値が出力電圧Voutとして出力される。
【0055】
このときはスイッチ16、17、52はOFFしており、第1系統の差動ブロック51は動作できないが、このサンプルホールド回路2には、バイアス電流供給回路3と電位調整回路5とが設けられており、ハイ状態のXSEL1信号によってスイッチ18がONし、pチャネルMOSFET54のドレイン端子は電位調整回路5のnチャネルMOSFET19を介してグラウンド電位に接続されている。また、pチャネルMOSFET54のゲート端子には、ホールド容量CH1の電圧が印加されており、そのため、バイアス電流供給回路3内の定電流源11から供給された定電流は、pチャネルMOSFET54を通ってnチャネルMOSFET19へと流れることができる。従って、第1系統の差動回路53のpチャネルMOSFET55はOFFしているが、pチャネルMOSFET54は動作したときと同じ状態になっている。
【0056】
その状態のpチャネルMOSFET54のドレイン電流をId、定電流源11の供給する電流をI1とすると、
Id = I1
である。
【0057】
次に、出力すべき電圧(ホールド電圧)を切換えるために、SEL1信号がハイ、XSEL1信号がロー、SEL2信号がロー、XSEL2信号がハイの状態になると、スイッチ26、27がOFF、スイッチ16、17がONするため、第2系統の差動ブロック61はカレントミラー回路43から切り離され、第1系統の差動ブロック51がカレントミラー回路43に接続される。
【0058】
このときスイッチ18がOFFし、第1系統の差動回路53内のpチャネルMOSFET54は電位調整回路5から切り離され、また、スイッチ52がON、スイッチ62がOFFし、第1系統の差動回路53が定電流源41に接続される。
【0059】
いま、定電流源41の供給する定電流I0が、定電流源11の供給する電流I1と等しく、
I0 = I1
である場合、動作状態にある差動回路53には、定電流源41と定電流源11とからI1×2の量の電流が供給される。他方、差動回路53の負荷はカレントミラー回路43であり、平衡状態ではpチャネルMOSFET54、55に流れる電流は同じ値になるため、pチャネルMOSFET54、55に流れる電流の大きさは共にI1と等しくなる。従って、pチャネルMOSFET54には、第1系統の差動ブロック51がサンプル状態にあるときでもホールド状態にあるときでも同じ大きさの電流I1が流れていることになり、端子間電圧はサンプル状態にあるときとホールド状態にあるときとで略等しくなる。
【0060】
このようなpチャネルMOSFET54の端子の電位について説明すると、そのpチャネルMOSFET54のソース端子には、サンプル状態ではスイッチ12と定電流源11とを介して電源電圧Veeが印加されており、ホールド状態ではスイッチ12と定電流源11とを介して電源電圧Veeが印加されると共にスイッチ52と定電流源41とを介して電源電圧Veeが印加されている。
【0061】
サンプル状態とホールド状態とでpチャネルMOSFET54に流れる電流は同じ値I1であるため、定電流源11、41を構成するpチャネルMOSFETのチャネル長及びチャネル幅を同じにし、また、スイッチ12、52を構成するpチャネルMOSFETのチャネル長及びチャネル幅を同じにしておけば、定電流源11とスイッチ12との電圧ドロップと、定電流源41とスイッチ52との電圧ドロップとが略等しくなるため、pチャネルMOSFET54のソース端子の電位は、サンプル状態にあるときと、そのサンプル状態から移行してホールド状態にあるときとで略等しくすることができる。
【0062】
また、pチャネルMOSFET54のドレイン端子は、サンプル状態ではスイッチ18とnチャネルMOSFET19とを介してグラウンド電位に接続されており、ホールド状態ではスイッチ16とnチャネルMOSFET44を介してグラウンド電位に接続されている。
【0063】
従って、スイッチ18、16を構成するnチャネルMOSFETのチャネル長及びチャネル幅を同じにし、また、nチャネルMOSFET19、44のチャネル長及びチャネル幅を同じにしておけば、スイッチ18とnチャネルMOSFET19の電圧ドロップと、スイッチ16とnチャネルMOSFET44の電圧ドロップとは略等しくなるので、pチャネルMOSFET54のドレイン端子の電位を、サンプル状態と、そのサンプル状態から移行したホールド状態との間で略等しくすることができる。
【0064】
なお、このpチャネルMOSFET54のバックゲートはソース端子と短絡されているため、以上のように、ソース端子とドレイン端子の電位がサンプル状態にあるときとホールド状態にあるときとで略等しくなるようにしておくと、サンプル状態からホールド状態に移行する際の各寄生容量CGD、CGS、CGBの充放電は小さくなり、正確なサンプルホールドを行うことができる。
【0065】
以上の電位関係は第1系統の差動ブロック51内のpチャネルMOSFET54について説明したが、第2系統の差動ブロック61内のpチャネルMOSFET64についても同様であり、第2系統の差動ブロック61がサンプル状態からホールド状態に移行する際に、pチャネルMOSFET64の寄生容量の充放電によってホールド容量CH2に電流が流れることがない。
【0066】
また、本発明が適用できるサンプルホールド回路の出力段は、定電流源42と出力トランジスタ47とで構成される場合に限定されるものではなく、種々のものを用いることができる。また、本発明は、ホールド容量に接続されたMOSFETがpチャネルMOSFETである場合に限定されるものではなく、nチャネルMOSFETであってもよい。
【0067】
このサンプルホールド回路2は、2系統の差動ブロック51、61を有する場合であったが、1系統の差動ブロックを有する場合であっても、上述したように、ホールド容量がゲート端子に接続されたMOSFETの寄生容量の充放電を防止することができ、正確なサンプルホールドを行うことが可能となる。
【0068】
他方、3系統以上の差動ブロックを有するサンプルホールド回路についても同様に本発明を用い、寄生容量の影響のないサンプルホールドを行うことができる。
【0069】
なお、上述のサンプルホールド回路2のスイッチ12、22は、スイッチ52、62に生じる電圧ドロップを補償し、サンプル状態とホールド状態とで、pチャネルMOSFET54、64のソース電位が一定になるようにするために設けたものであるが、そのスイッチ12、22は、必ずしも常時ONしている必要はない。
【0070】
例えば、スイッチ12についてはスイッチSW1がOFFする直前にONし、スイッチ22についてはスイッチSW2がOFFする直前にONするようにすれば、各差動ブロックがサンプル状態からホールド状態に移行する際のpチャネルMOSFET54、64のソース電位が一定値に保たれるので、寄生容量の充放電を防止することができる。この場合には、サンプル状態にある期間の少なくとも前半は定電流源11、21から電流を供給させないようにできるので、低消費電力化を図れて都合がよい。
【0071】
そのようにスイッチ12、22を制御する場合には、スイッチ12、22を構成するpチャネルMOSFETのゲート端子に印加する電圧を制御すればよい。
【0072】
【発明の効果】
サンプル状態からホールド状態に移行する際に、ホールド容量の電圧が寄生容量の影響を受けないで済む。
従って、正確なサンプルホールドを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一例のサンプルホールド回路を示す回路図
【図2】 その動作を説明するためのタイミングチャート
【図3】 従来技術のサンプルホールド回路を示す回路図
【図4】(a):pチャネルMOSFETの拡散構造を示す断面図
(b):MOSFETに生じる寄生容量を説明するための図
(c):寄生容量とホールド容量の電位の関係を説明するための図
【符号の説明】
2……サンプルホールド回路 54、64……MOSFET
CH1、CH2……ホールド容量
Claims (5)
- ホールドキャパシタと、
ゲート端子が上記キャパシタの一方の端子に接続される第1のMOSトランジスタと、
上記キャパシタに接続され、サンプル状態時に上記キャパシタにサンプルされる信号を上記キャパシタに接続し、ホールド状態時に上記キャパシタをサンプルされる信号から切り離すスイッチと、
上記第1のMOSトランジスタの第1の端子に接続される第1及び第2の定電流源と上記第1のMOSトランジスタの第2の端子に接続される第1及び第2の負荷回路とを有し、上記サンプル状態における上記第1のMOSトランジスタの端子間電圧が上記ホールド状態における上記第1のMOSトランジスタの端子間電圧に実質的に等しくなるように維持するために上記第1のMOSトランジスタに接続され、それによって上記第1のMOSトランジスタの寄生容量の電圧がサンプルされた信号を実質的に変えない変遷制御回路と、
を有するサンプルホールド回路。 - 第1のホールドキャパシタと、
第1の信号入力端子と上記第1のホールドキャパシタとの間に接続された第1のスイッチと、
第1及び第2のMOSトランジスタを有し、上記第1のMOSトランジスタのゲート端子が上記第1のホールドキャパシタに接続されている第1の差動回路と、
第1の定電流源と、
上記第1の定電流源と上記第1の差動回路との間に接続され、上記第1のスイッチと相補的に導通状態となる第2のスイッチと、
第2の定電流源と、
上記第2の定電流源と上記第1の差動回路との間に接続される第3のスイッチと、
電流源と、
上記第1の差動回路と上記電流源との間に接続され、上記第1のスイッチと相補的に導通状態となる第4のスイッチと、
第1の負荷回路と、
上記第1のMOSトランジスタと上記第1の負荷回路との間に接続され、上記第2のスイッチと相補的に導通状態となる第5のスイッチと、
を有するサンプルホールド回路。 - 上記第1の差動回路に電気的に接続される出力回路を有する請求項2に記載のサンプルホールド回路。
- 第2のホールドキャパシタと、
第2の信号入力端子と上記第2のホールドキャパシタとの間に接続される第6のスイッチと、
第3及び第4のMOSトランジスタを有し、上記第3のMOSトランジスタのゲート端子が上記第2のホールドキャパシタに接続されている第2の差動回路と、
上記第1の定電流源と上記第2の差動回路との間に接続され、上記第2のスイッチと相補的に導通状態となる第7のスイッチと、
第3の定電流源と、
上記第3の定電流源と上記第2の差動回路との間に接続される第8のスイッチと、
上記第2の差動回路と上記電流源との間に接続され、上記第4のスイッチと相補的に導通状態となる第9のスイッチと、
第2の負荷回路と、
上記第3のMOSトランジスタと上記第2の負荷回路との間に接続され、上記第5の スイッチと相補的に導通状態となる第10のスイッチと、
を有する請求項2又は3に記載のサンプルホールド回路。 - 上記電流源が第5及び第6のMOSトランジスタを有するカレントミラー回路であり、
上記第4のスイッチが、上記第1のMOSトランジスタと上記第5のMOSトランジスタとの間に接続される第7のMOSトランジスタと、上記第2のMOSトランジスタと上記第6のMOSトランジスタとの間に接続される第8のMOSトランジスタとを有し、
上記第9のスイッチが、上記第3のMOSトランジスタと上記第5のMOSトランジスタとの間に接続される第9のMOSトランジスタと、上記第4のMOSトランジスタと上記第6のMOSトランジスタとの間に接続される第10のMOSトランジスタとを有し、
上記第2、第3、第5、第7、第8及び第10のスイッチがそれぞれMOSトランジスタで構成される請求項4に記載のサンプルホールド回路。
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