JPH03126656A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH03126656A JPH03126656A JP1262948A JP26294889A JPH03126656A JP H03126656 A JPH03126656 A JP H03126656A JP 1262948 A JP1262948 A JP 1262948A JP 26294889 A JP26294889 A JP 26294889A JP H03126656 A JPH03126656 A JP H03126656A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁器コンデンサに用いられる誘電体磁器組成物
に関する。特にはP b (M g 1/3 N b
1/s )03−−Pb T i O3系の組成を限定
し、耐熱衝撃性に優れた誘電体磁器組成物に関する。
に関する。特にはP b (M g 1/3 N b
1/s )03−−Pb T i O3系の組成を限定
し、耐熱衝撃性に優れた誘電体磁器組成物に関する。
従来の技術
従来より、磁器コンデンサに用いられる誘電体磁器組成
物として、一般式ARO3(A、Bはそれぞれ金属イオ
ン)で表わされるペロブスカイト型複合酸化物であり、
その中でもチタン酸バリウムB aT i 03やチタ
ン酸ストロンチウムSrTiO3を主成分とするものが
公知である。しかしこれらの組成物は磁器として高密度
化を達成するためには1300〜1400°Cの高温で
焼結しなければならず、内部電極を同時に焼成する積層
型の場合、電極材料として貴金属を用いなければならず
、また焼結炉の発熱体の熱的損傷が大である等の問題が
ある。これに代わる材料として比較的低温で焼結できる
PbTi、Os系ペロブスカイト酸化物が公知であり、
Ti4+サイトを、Mg2+Nb′J+、N12+、l
;’ 6 ”、W6+等のイオンを11量園溶させ、比
誘電率、誘電損失、抵抗率等を制御してコンデンサの実
用に供したものである。またPb2+サイトも一部をB
a”、Sr2+イオンで置換し、電気的特性を向上する
組成物も知られている。 (特開昭55−121959
) 発明が解決しようとする課題 従来のBaTi0zや5rT10iを主組成とする材料
では、高m#I或に伴う弊害があり、また、低温焼結可
能な鉛系ペロブスカイト酸化物材料においては、誘電率
や誘出損失等の電気的特性に関する内容のものが出願さ
れている0例えば特開昭61−275160、特開昭5
’)−105209、特開@54−110500がある
。しかしこれらの鉛系ペロブスカイト酸化物を用いてセ
ラミックコンデンサを製作したものは、fliI!に実
装する際はんだ付けによる熱衝撃によりクラツクを発生
する不具合が生じるという問題がある。この組成のもの
は、熱膨脹係数が高くそのため耐熱衝撃性に劣ると考え
られる。そこで、熱膨脹係数が小で、かつ電気的特性が
優れた組成のものが望ましく、この要請に基づいて新規
の組成物を得ることを目的とする。
物として、一般式ARO3(A、Bはそれぞれ金属イオ
ン)で表わされるペロブスカイト型複合酸化物であり、
その中でもチタン酸バリウムB aT i 03やチタ
ン酸ストロンチウムSrTiO3を主成分とするものが
公知である。しかしこれらの組成物は磁器として高密度
化を達成するためには1300〜1400°Cの高温で
焼結しなければならず、内部電極を同時に焼成する積層
型の場合、電極材料として貴金属を用いなければならず
、また焼結炉の発熱体の熱的損傷が大である等の問題が
ある。これに代わる材料として比較的低温で焼結できる
PbTi、Os系ペロブスカイト酸化物が公知であり、
Ti4+サイトを、Mg2+Nb′J+、N12+、l
;’ 6 ”、W6+等のイオンを11量園溶させ、比
誘電率、誘電損失、抵抗率等を制御してコンデンサの実
用に供したものである。またPb2+サイトも一部をB
a”、Sr2+イオンで置換し、電気的特性を向上する
組成物も知られている。 (特開昭55−121959
) 発明が解決しようとする課題 従来のBaTi0zや5rT10iを主組成とする材料
では、高m#I或に伴う弊害があり、また、低温焼結可
能な鉛系ペロブスカイト酸化物材料においては、誘電率
や誘出損失等の電気的特性に関する内容のものが出願さ
れている0例えば特開昭61−275160、特開昭5
’)−105209、特開@54−110500がある
。しかしこれらの鉛系ペロブスカイト酸化物を用いてセ
ラミックコンデンサを製作したものは、fliI!に実
装する際はんだ付けによる熱衝撃によりクラツクを発生
する不具合が生じるという問題がある。この組成のもの
は、熱膨脹係数が高くそのため耐熱衝撃性に劣ると考え
られる。そこで、熱膨脹係数が小で、かつ電気的特性が
優れた組成のものが望ましく、この要請に基づいて新規
の組成物を得ることを目的とする。
amを解決するための手段
本発明は、Pb (MgI/′3Nb2h)Os −P
bTi03系を主体とする組成物であって、(1,−x
)(Pbl−y My)(Mg’hNbVz)Oxx
(Pbl−y My)Ti13 で表記した場合、×(モル分率)の範囲を0.15≦x
、GO,3(lに定めたものであり、かつPbの一部を
他の金属イオン種Mで置換したものである。ここでMは
Ba、Sr、Caのうち少なくとも一種以上から選ばれ
たものであり、その置換量y(モル分率)の範囲は0.
05璽y & 0.3にしたものである。
bTi03系を主体とする組成物であって、(1,−x
)(Pbl−y My)(Mg’hNbVz)Oxx
(Pbl−y My)Ti13 で表記した場合、×(モル分率)の範囲を0.15≦x
、GO,3(lに定めたものであり、かつPbの一部を
他の金属イオン種Mで置換したものである。ここでMは
Ba、Sr、Caのうち少なくとも一種以上から選ばれ
たものであり、その置換量y(モル分率)の範囲は0.
05璽y & 0.3にしたものである。
組成物の特性として、1100℃以下で焼結でき、電気
的特11も、誘電率(16GOQ〜2410(to )
、誘電損失〈62%)、絶縁抵抗率〈0.5〜1x10
”(3) Ω@I)であるPb (MgvsNbM)Os −Pb
T101系の材料に注目し、この系で熱膨脹係数が負の
PbTiOsの園溶量を柵対的に増やすことにより、金
体としてlI&IIII俤黴が小さくなることを見つけ
た。1!らにPbの一部をBa等に置換することにより
キュリー点(相転移温度)が低温ヘシフトすることがわ
かった。Pb (MgにsbM)Os −PbTiOs
1kにおいてPbTiOsの圓Stを増やしていく上
寿ユリー点は増大する方向となり、これに陣って電気M
llI11も劣化するので、Pbの一部をBa等で意識
すれば、Wa@近でキュリー点を制御し、電気的4It
の劣化を防止することができる。
的特11も、誘電率(16GOQ〜2410(to )
、誘電損失〈62%)、絶縁抵抗率〈0.5〜1x10
”(3) Ω@I)であるPb (MgvsNbM)Os −Pb
T101系の材料に注目し、この系で熱膨脹係数が負の
PbTiOsの園溶量を柵対的に増やすことにより、金
体としてlI&IIII俤黴が小さくなることを見つけ
た。1!らにPbの一部をBa等に置換することにより
キュリー点(相転移温度)が低温ヘシフトすることがわ
かった。Pb (MgにsbM)Os −PbTiOs
1kにおいてPbTiOsの圓Stを増やしていく上
寿ユリー点は増大する方向となり、これに陣って電気M
llI11も劣化するので、Pbの一部をBa等で意識
すれば、Wa@近でキュリー点を制御し、電気的4It
の劣化を防止することができる。
作用
本発明の@酸物は、WIIflIII性を向上させるた
めに熱膨履率を低くしている。Pb (MgにNbVs
>01− P bT i Os系でPbTiOsは50
0℃までは負のll&1IllBl’ll性を示し、従
ってこれを多く固溶することにより系全体の熱膨脹係数
を50〜60X10−7/’C(室温〜400℃)にお
さえてい(4) る、さらにPbTiO2を多くすることによる電気的特
性の低下を、Pbの一部を、Ba、Sr。
めに熱膨履率を低くしている。Pb (MgにNbVs
>01− P bT i Os系でPbTiOsは50
0℃までは負のll&1IllBl’ll性を示し、従
ってこれを多く固溶することにより系全体の熱膨脹係数
を50〜60X10−7/’C(室温〜400℃)にお
さえてい(4) る、さらにPbTiO2を多くすることによる電気的特
性の低下を、Pbの一部を、Ba、Sr。
CaでMl14することによって訪いでいる6次に側處
をIIjl!シた理由に1いて述べる。
をIIjl!シた理由に1いて述べる。
(1−x)(Pbl−、My)(MgvsNbM)Oj
K (P b +−y M Y ) T f Os系に
おいて、Xが0.15より小さくなるときには、熱S*
係数を低くさせるPIoTMOs成分が櫂対陶に少なく
なり、そのためll熱欝撃性肉上の効果がない、また0
、3上り大きくすると、室温において誘電率、誘tf/
A失、絶縁抵抗率いずれも劣化し不適である1Mの量(
すなわちHa、8r、Caのうち少(とも−11以上>
FtIO,O5以下の場合にも電気的特性は劣化する。
K (P b +−y M Y ) T f Os系に
おいて、Xが0.15より小さくなるときには、熱S*
係数を低くさせるPIoTMOs成分が櫂対陶に少なく
なり、そのためll熱欝撃性肉上の効果がない、また0
、3上り大きくすると、室温において誘電率、誘tf/
A失、絶縁抵抗率いずれも劣化し不適である1Mの量(
すなわちHa、8r、Caのうち少(とも−11以上>
FtIO,O5以下の場合にも電気的特性は劣化する。
yffio、3より大きくなると、1100℃以下の#
I成11度では焼結しにくく密度が上がらないため目的
を311戊できない。なお、本来に対し、焼結助剤上し
てマンガン、コバルト、アルミニウム、シリコン、クロ
ミウム、ネオジウム、アンチモン、鉛、ジルコニウム等
の酸化物を一種以上添加してもよく。これによっても効
果に変わりがない、これらの添加物の量は主成分に対し
て0〜10重量%が好ましい。
I成11度では焼結しにくく密度が上がらないため目的
を311戊できない。なお、本来に対し、焼結助剤上し
てマンガン、コバルト、アルミニウム、シリコン、クロ
ミウム、ネオジウム、アンチモン、鉛、ジルコニウム等
の酸化物を一種以上添加してもよく。これによっても効
果に変わりがない、これらの添加物の量は主成分に対し
て0〜10重量%が好ましい。
実施例
(5i&施例1)
出発原料粉末として、−酸化@Pb0(純度・9■%以
上)酸化マグネシウムMgO(純度99.9%以上)、
五酸化ニオブNbxOs(純度99.9%以上)、酸化
チタンTi0z(純J[・91%以上)、炭酸バリウム
(純度99.9%以上〉、炭酸ストロンチウム5rCO
s (純度99.9%以−り、)、j1t6カルシウ
ム(純度99.9%以上)を用いた。ffi威物WjI
木の合或は最終生成物中にペロブスカイト相が多くなる
ように公知のコランバイト波を用いる。處ずMgOとN
bzOsを所定量秤皿し、舎tsmボールで湿式混合(
W媒:イオン交換水116時間)し、この泥しようを1
20℃で1llIIfx、乾燥後、シリコニット電気炉
で900〜1200℃で約4時間熱処理した。この儲艙
W、応物(MgNbxOa第1[1品)に珊定量のPb
O,TlOs 、RaCO5,5rCOs 、CaCO
5等を添加、Zr(7) 02ボールで再び湿式温合する。この泥しようを再びm
sa、乾燥後、前記と同様にシリコニット電気炉で75
0〜850℃、約4時間仮焼する(1[2鈑焼晶)、こ
の反応1ftfti物を再びボールミル(ZrOxボー
ル〉を用い粒径1〜4μma1度に微粉砕し、層着の履
戒物粉末をうる。
上)酸化マグネシウムMgO(純度99.9%以上)、
五酸化ニオブNbxOs(純度99.9%以上)、酸化
チタンTi0z(純J[・91%以上)、炭酸バリウム
(純度99.9%以上〉、炭酸ストロンチウム5rCO
s (純度99.9%以−り、)、j1t6カルシウ
ム(純度99.9%以上)を用いた。ffi威物WjI
木の合或は最終生成物中にペロブスカイト相が多くなる
ように公知のコランバイト波を用いる。處ずMgOとN
bzOsを所定量秤皿し、舎tsmボールで湿式混合(
W媒:イオン交換水116時間)し、この泥しようを1
20℃で1llIIfx、乾燥後、シリコニット電気炉
で900〜1200℃で約4時間熱処理した。この儲艙
W、応物(MgNbxOa第1[1品)に珊定量のPb
O,TlOs 、RaCO5,5rCOs 、CaCO
5等を添加、Zr(7) 02ボールで再び湿式温合する。この泥しようを再びm
sa、乾燥後、前記と同様にシリコニット電気炉で75
0〜850℃、約4時間仮焼する(1[2鈑焼晶)、こ
の反応1ftfti物を再びボールミル(ZrOxボー
ル〉を用い粒径1〜4μma1度に微粉砕し、層着の履
戒物粉末をうる。
このW&末に11当量(0〜20%)の焼成助剤と粘結
刺として3%ポリビニールアルコール水溶液(P、V、
A)を加え、らいかい機で30分混合、32メツシユの
ふるいを全通ずる。この顆粒状粉末を$ 1.7tOn
/alliの圧力でプレスし、直掻60as、厚t&l
om+のディスク状成形体を作る。この成形体をZrO
2を主成分とする敷粉の中に埋めて全体にMgOルツボ
を被せ大気中で950〜1100℃、3時s#&持し本
焼成を行う。この燻lII#を10φ、厚みjamに切
出し7、そのHWMにAu−Pd1llI奢黒着し、電
気的weを脚べた。yj電電率誘電#A灸は周波数I
KHKで絶縁抵抗率は試料に直流50Vを印加して2分
後に漬れる電流値から算出した。
刺として3%ポリビニールアルコール水溶液(P、V、
A)を加え、らいかい機で30分混合、32メツシユの
ふるいを全通ずる。この顆粒状粉末を$ 1.7tOn
/alliの圧力でプレスし、直掻60as、厚t&l
om+のディスク状成形体を作る。この成形体をZrO
2を主成分とする敷粉の中に埋めて全体にMgOルツボ
を被せ大気中で950〜1100℃、3時s#&持し本
焼成を行う。この燻lII#を10φ、厚みjamに切
出し7、そのHWMにAu−Pd1llI奢黒着し、電
気的weを脚べた。yj電電率誘電#A灸は周波数I
KHKで絶縁抵抗率は試料に直流50Vを印加して2分
後に漬れる電流値から算出した。
(8)
試料の熱膨脹率は、褥られた焼結体から3−角201+
長の角柱状に切出した試料を用い測定した。
長の角柱状に切出した試料を用い測定した。
測定は示葺熱膨脹計で行い温度1!囲はIE1〜400
℃まで昇温速度は10℃/+ein 、標準試料として
石英棒を用いた。第1表に本実施例の電気的特性及び熱
膨脹係数を示す、第1表から明らかなように、if主1
1E+Pb (Mgv3NbVs)Os /)焼成比(
1−x)が0.85より大きな組成(試料1161−3
)では置換元素の有無に関係なく、熱膨脹係数がt o
o x t o−y℃−1と大きく、耐熱衝撃性に劣
る。これに対し、0.7≦(1−x)≦0.85の組成
(試料11o4〜22)ただし1104.10,11゜
15.18及び22は除く)では電気的特性の上でもt
r > 10000、 tanδ≦2%、P≧7x1
0−2Ω(7)とコンデンサ材料としては好ましく、か
つ熱膨脹係数αは50〜60 X 10−7℃−1と小
さく耐熱衝撃性に対して優れている。ただしNO,4,
11゜18に示ずようにBa、Sr、Caで置換しない
と好ましい電気的特性をうろことができない。またPb
(Mg+/3Nb2/3)Osが0.7より小さな組
成(試料11a22〜26)でも熱膨脹係数は低いため
耐熱衝撃性の上ではよいが、コンデンサ材料としてmま
しい電気的特性をうろことはできない。
℃まで昇温速度は10℃/+ein 、標準試料として
石英棒を用いた。第1表に本実施例の電気的特性及び熱
膨脹係数を示す、第1表から明らかなように、if主1
1E+Pb (Mgv3NbVs)Os /)焼成比(
1−x)が0.85より大きな組成(試料1161−3
)では置換元素の有無に関係なく、熱膨脹係数がt o
o x t o−y℃−1と大きく、耐熱衝撃性に劣
る。これに対し、0.7≦(1−x)≦0.85の組成
(試料11o4〜22)ただし1104.10,11゜
15.18及び22は除く)では電気的特性の上でもt
r > 10000、 tanδ≦2%、P≧7x1
0−2Ω(7)とコンデンサ材料としては好ましく、か
つ熱膨脹係数αは50〜60 X 10−7℃−1と小
さく耐熱衝撃性に対して優れている。ただしNO,4,
11゜18に示ずようにBa、Sr、Caで置換しない
と好ましい電気的特性をうろことができない。またPb
(Mg+/3Nb2/3)Osが0.7より小さな組
成(試料11a22〜26)でも熱膨脹係数は低いため
耐熱衝撃性の上ではよいが、コンデンサ材料としてmま
しい電気的特性をうろことはできない。
以下余白。
(11)
(12)
(実施例)2
実施例1中の試料No、3.12.20の誘電体粉末を
用いて下記の方法で積層セラミックコンデンサを製作し
た。誘電体粉末にアクリル系有機結合剤を加えzr02
ボールでボールミル混合(18時間)し、このスラリー
を脱泡後、ドクターブレード法によって厚さ30μmの
テープ状シートを得た。・このシートを適当なサイズに
切出し、これにAg−Pdペーストを印刷し、これを積
層し70℃で熱圧着した。これを所定寸法に切出し未焼
成の積層コンデンサを得た。これを300℃、10時間
保持の熱処理条件で有機結合剤(バインダー)をバーン
アウトした。その後、脱脂品を1050℃、4時間保持
で本焼成した。この焼成品をバレル研磨後、両端部にA
gペーストを塗布し、600℃で焼付け、端子電極を形
成し、積層型のセラミックコンデンサを製作した0次に
このコンデンサ100個を300℃に設定した電気炉中
に1時間保持し、水中(20℃)に落下・急冷し、クラ
ックが発生する個数を調査した。
用いて下記の方法で積層セラミックコンデンサを製作し
た。誘電体粉末にアクリル系有機結合剤を加えzr02
ボールでボールミル混合(18時間)し、このスラリー
を脱泡後、ドクターブレード法によって厚さ30μmの
テープ状シートを得た。・このシートを適当なサイズに
切出し、これにAg−Pdペーストを印刷し、これを積
層し70℃で熱圧着した。これを所定寸法に切出し未焼
成の積層コンデンサを得た。これを300℃、10時間
保持の熱処理条件で有機結合剤(バインダー)をバーン
アウトした。その後、脱脂品を1050℃、4時間保持
で本焼成した。この焼成品をバレル研磨後、両端部にA
gペーストを塗布し、600℃で焼付け、端子電極を形
成し、積層型のセラミックコンデンサを製作した0次に
このコンデンサ100個を300℃に設定した電気炉中
に1時間保持し、水中(20℃)に落下・急冷し、クラ
ックが発生する個数を調査した。
第2表にこの結果を示す。
(15)
第2表で明らかなように、熱膨脹係数が50〜60 x
10−y℃−1程度の小さな組成物No、12.20
によるコンデンサでは300℃程度からの急冷では、は
とんどクラックを生じていないのに対し、No、 3を
用いたコンデンサでは急冷時に非常に多くの個数のクラ
ック品を生じ耐熱衝撃の点で劣っていることかわかる。
10−y℃−1程度の小さな組成物No、12.20
によるコンデンサでは300℃程度からの急冷では、は
とんどクラックを生じていないのに対し、No、 3を
用いたコンデンサでは急冷時に非常に多くの個数のクラ
ック品を生じ耐熱衝撃の点で劣っていることかわかる。
以上の実施例で示されているように、本発明の誘電体磁
器組成物では、電気的な良特性を維持し、かつ耐熱衝撃
性にも優れているのでコンデンサとして好適なものと考
えられる。なお、実施例中において、出発原料 分とし
て主成分中には酸化物を、また置換元素には炭酸化物を
それぞれ用いたが、他の形、例えば硝酸化物などを用い
てもよい。
器組成物では、電気的な良特性を維持し、かつ耐熱衝撃
性にも優れているのでコンデンサとして好適なものと考
えられる。なお、実施例中において、出発原料 分とし
て主成分中には酸化物を、また置換元素には炭酸化物を
それぞれ用いたが、他の形、例えば硝酸化物などを用い
てもよい。
発明の効果
以上の如く、本発明の組成物を用いれば、比較的低温(
21100°C)で焼結でき、電気的な特性(誘電率、
誘電損失、絶縁抵抗率)を大きく損ねることなく、耐熱
衝撃性の向上効果があり、従ってこれを用いたコンデン
サではその製造工程中、(16) また基板に実装する際の熱的なダメージによる損傷を減
少させるという特有な効果を奏する。
21100°C)で焼結でき、電気的な特性(誘電率、
誘電損失、絶縁抵抗率)を大きく損ねることなく、耐熱
衝撃性の向上効果があり、従ってこれを用いたコンデン
サではその製造工程中、(16) また基板に実装する際の熱的なダメージによる損傷を減
少させるという特有な効果を奏する。
Claims (2)
- (1)マグネシウムニオブ酸鉛Pb(Mg_1_/_3
Nb_2_/_3)O_3とチタン酸鉛PbTiO_3
とを主組成とし、かつこのPbの一部をBa,Sr,C
aのうち少なくとも1種で置換した組成物を (1−x)(Pb_1_−_yM_y)(Mg_1_/
_3Nb_2_/_3)O_3−x(Pb_1_−_y
M_y)TiO_3(ただしMはBa,Sr,Caのう
ちの任意の一種以上)で表わしたときに、x及びyの値
がそれぞれ 0.15≦x≦0.30(モル分率) 0.05≦y≦0.30(モル分率) の範囲内であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - (2)特許請求の範囲第一項記載の誘電体磁器組成物を
誘電体として用いてなるセラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1262948A JPH03126656A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1262948A JPH03126656A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03126656A true JPH03126656A (ja) | 1991-05-29 |
JPH0582342B2 JPH0582342B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=17382781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1262948A Granted JPH03126656A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03126656A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170077393A (ko) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1262948A patent/JPH03126656A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170077393A (ko) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0582342B2 (ja) | 1993-11-18 |
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