JPH09255424A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
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- JPH09255424A JPH09255424A JP8070298A JP7029896A JPH09255424A JP H09255424 A JPH09255424 A JP H09255424A JP 8070298 A JP8070298 A JP 8070298A JP 7029896 A JP7029896 A JP 7029896A JP H09255424 A JPH09255424 A JP H09255424A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率が高いにもかかわらず、容量温度特性
が平坦な誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト
化合物からなる誘電体磁器組成物において、Ｎｉ成分が
化学量論比より少ないことを特徴とする。また、一般式
Ｐｂ［Ｎｉ(1-x)/3 Ｂ+52/3］a［Ｎｉ(1-y)/2 Ｂ+61/
2］(1-a)Ｏ3（ただし、Ｂ+5は＋５価の元素より選ばれ
る少なくとも一種以上の元素であり、Ｂ+6は＋６価の元
素より選ばれる少なくとも一種以上の元素であり、0＜
ｘ＜１，0＜ｙ＜１，0≦ａ≦1）で表される、鉛系複合
ペロブスカイト化合物をαｍｏｌ％（０＜α≦１００）
含む場合に、Ｎｉ量γｍｏｌ％が化学量論比より少ない
０＜γ≦２０（ただし、γ＝α×（ａ×ｘ×1/3＋(1-a)
×ｙ×1/2））の範囲を満足する誘電体磁器組成物とす
る。
が平坦な誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト
化合物からなる誘電体磁器組成物において、Ｎｉ成分が
化学量論比より少ないことを特徴とする。また、一般式
Ｐｂ［Ｎｉ(1-x)/3 Ｂ+52/3］a［Ｎｉ(1-y)/2 Ｂ+61/
2］(1-a)Ｏ3（ただし、Ｂ+5は＋５価の元素より選ばれ
る少なくとも一種以上の元素であり、Ｂ+6は＋６価の元
素より選ばれる少なくとも一種以上の元素であり、0＜
ｘ＜１，0＜ｙ＜１，0≦ａ≦1）で表される、鉛系複合
ペロブスカイト化合物をαｍｏｌ％（０＜α≦１００）
含む場合に、Ｎｉ量γｍｏｌ％が化学量論比より少ない
０＜γ≦２０（ただし、γ＝α×（ａ×ｘ×1/3＋(1-a)
×ｙ×1/2））の範囲を満足する誘電体磁器組成物とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器組成物
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子部品であるセラミックコ
ンデンサ用の高誘電率材料としてはチタン酸バリウム系
の材料が広く用いられてきたが、この材料は焼成温度が
１３００℃〜１４００℃と高温であるため、例えば、積
層セラミックコンデンサに用いるときには、内部電極と
して高価な白金やパラジウムの電極が必要である。
ンデンサ用の高誘電率材料としてはチタン酸バリウム系
の材料が広く用いられてきたが、この材料は焼成温度が
１３００℃〜１４００℃と高温であるため、例えば、積
層セラミックコンデンサに用いるときには、内部電極と
して高価な白金やパラジウムの電極が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の材料
では、温度変化率の小さい材料を実現した場合、得られ
る誘電率はせいぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ
用の材料としては小さすぎるという問題点があった。
では、温度変化率の小さい材料を実現した場合、得られ
る誘電率はせいぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ
用の材料としては小さすぎるという問題点があった。
【０００４】近年、低温で焼結しかつ誘電率が高い材料
として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されてい
る。しかしながら、マグネシウム・ニオブ酸鉛Ｐｂ（Ｍ
ｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、ニッケル・ニオブ酸鉛Ｐｂ（Ｎｉ1
/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、チタン酸鉛ＰｂＴｉＯ3からなる三成
分組成物は、誘電率が非常に高いが、誘電率の温度変化
率が十分に小さくないという欠点があった。
として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されてい
る。しかしながら、マグネシウム・ニオブ酸鉛Ｐｂ（Ｍ
ｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、ニッケル・ニオブ酸鉛Ｐｂ（Ｎｉ1
/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、チタン酸鉛ＰｂＴｉＯ3からなる三成
分組成物は、誘電率が非常に高いが、誘電率の温度変化
率が十分に小さくないという欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、上記のような問題点を鑑
みてなされたもので、誘電率が高いにもかかわらず、容
量温度特性が平坦な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
みてなされたもので、誘電率が高いにもかかわらず、容
量温度特性が平坦な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト化合物か
らなる誘電体磁器組成物において、Ｎｉ成分が化学量論
比より少ないことに特徴がある。
物は、Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト化合物か
らなる誘電体磁器組成物において、Ｎｉ成分が化学量論
比より少ないことに特徴がある。
【０００７】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、一般式 Ｐｂ［Ｎｉ(1-x)/3 Ｂ+52/3］a［Ｎｉ(1-
y)/2 Ｂ+61/2］(1-a)Ｏ3 （ただし、Ｂ+5は＋５価の元
素より選ばれる少なくとも一種以上の元素であり、Ｂ+6
は＋６価の元素より選ばれる少なくとも一種以上の元素
であり、0＜ｘ＜１，0＜ｙ＜１，0≦ａ≦1）で表され
る、鉛系複合ペロブスカイト化合物をαｍｏｌ％（０＜
α≦１００）含む場合に、Ｎｉ量γｍｏｌ％が化学量論
比より少ない以下の範囲を満足することが好ましい。 ０＜γ≦２０ （ただし、γ＝α×（ａ×ｘ×1/3＋(1-a)×ｙ×1/
2））
は、一般式 Ｐｂ［Ｎｉ(1-x)/3 Ｂ+52/3］a［Ｎｉ(1-
y)/2 Ｂ+61/2］(1-a)Ｏ3 （ただし、Ｂ+5は＋５価の元
素より選ばれる少なくとも一種以上の元素であり、Ｂ+6
は＋６価の元素より選ばれる少なくとも一種以上の元素
であり、0＜ｘ＜１，0＜ｙ＜１，0≦ａ≦1）で表され
る、鉛系複合ペロブスカイト化合物をαｍｏｌ％（０＜
α≦１００）含む場合に、Ｎｉ量γｍｏｌ％が化学量論
比より少ない以下の範囲を満足することが好ましい。 ０＜γ≦２０ （ただし、γ＝α×（ａ×ｘ×1/3＋(1-a)×ｙ×1/
2））
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の誘電体磁器組成物は、Ｎｉ成分を
含む鉛系複合ペロブスカイト化合物からなり、Ｎｉ成分
が化学量論比より少ないことを特徴とする誘電体磁器組
成物である。
て説明する。本発明の誘電体磁器組成物は、Ｎｉ成分を
含む鉛系複合ペロブスカイト化合物からなり、Ｎｉ成分
が化学量論比より少ないことを特徴とする誘電体磁器組
成物である。
【０００９】すなわち、本来、鉛系複合ペロブスカイト
化合物におけるペロブスカイト構造を構成するのに必要
なＮｉの配合量、つまり化学量論比によって求まるＮｉ
の配合量よりも、実際の配合量を少なくすることによっ
て、誘電率が高いにもかかわらず、容量温度特性が平坦
な誘電体磁器組成物を作製することが可能となる。
化合物におけるペロブスカイト構造を構成するのに必要
なＮｉの配合量、つまり化学量論比によって求まるＮｉ
の配合量よりも、実際の配合量を少なくすることによっ
て、誘電率が高いにもかかわらず、容量温度特性が平坦
な誘電体磁器組成物を作製することが可能となる。
【００１０】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト化合物の具
体例として、一般式 Ｐｂ［Ｎｉ(1-x)/3 Ｂ+52/3］a
［Ｎｉ(1-y)/2 Ｂ+61/2］(1-a)Ｏ3（ただし、Ｂ+5は＋
５価の元素より選ばれる少なくとも一種以上の元素であ
り、Ｂ+6は＋６価の元素より選ばれる少なくとも一種以
上の元素であり、0＜ｘ＜１，0＜ｙ＜１，0≦ａ≦1）で
表される鉛系複合ペロブスカイト化合物が挙げられる。
は、Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト化合物の具
体例として、一般式 Ｐｂ［Ｎｉ(1-x)/3 Ｂ+52/3］a
［Ｎｉ(1-y)/2 Ｂ+61/2］(1-a)Ｏ3（ただし、Ｂ+5は＋
５価の元素より選ばれる少なくとも一種以上の元素であ
り、Ｂ+6は＋６価の元素より選ばれる少なくとも一種以
上の元素であり、0＜ｘ＜１，0＜ｙ＜１，0≦ａ≦1）で
表される鉛系複合ペロブスカイト化合物が挙げられる。
【００１１】なお、上記一般式のＢ+5の具体例として
は、Ｎｂ、Ｔａなどが挙げられる。また、上記一般式の
Ｂ+6の具体例としては、Ｗなどが挙げられる。
は、Ｎｂ、Ｔａなどが挙げられる。また、上記一般式の
Ｂ+6の具体例としては、Ｗなどが挙げられる。
【００１２】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、上記誘電体磁器組成物をαｍｏｌ％（０＜α≦１０
０）含む場合に、Ｎｉ量γｍｏｌ％が化学量論比より少
ない以下の範囲を満足することが好ましい。 ０＜γ≦２０ （ただし、γ＝α×（ａ×ｘ×1/3＋(1-a)×ｙ×1/
2）） なぜなら、Ｎｉ量γｍｏｌ％が２０ｍｏｌ％を越える場
合には、誘電率が３０００以下になるので好ましくない
からである。
は、上記誘電体磁器組成物をαｍｏｌ％（０＜α≦１０
０）含む場合に、Ｎｉ量γｍｏｌ％が化学量論比より少
ない以下の範囲を満足することが好ましい。 ０＜γ≦２０ （ただし、γ＝α×（ａ×ｘ×1/3＋(1-a)×ｙ×1/
2）） なぜなら、Ｎｉ量γｍｏｌ％が２０ｍｏｌ％を越える場
合には、誘電率が３０００以下になるので好ましくない
からである。
【００１３】なお、より好ましくは、Ｎｉ量は、０＜γ
≦１０の範囲内である。１０ｍｏｌ％を越えて減らす
と、誘電率が大幅に低下してしまい、特性上あまり好ま
しいとは言えないからである。
≦１０の範囲内である。１０ｍｏｌ％を越えて減らす
と、誘電率が大幅に低下してしまい、特性上あまり好ま
しいとは言えないからである。
【００１４】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具
体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例である誘電体磁器組
成物について説明する。出発素材としてＰｂ3Ｏ4、Ｎｉ
Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＷＯ3を用
い、これらを最終組成物になるよう配合しボ−ルミルに
て湿式混合を行ったのち、蒸発乾燥した。次にその粉末
混合物を７５０℃で２時間仮焼し、所定の化合物粉体を
得た。次いで、得られた化合物粉体と結合剤としての酢
酸ビニル系バインダーを仮焼物１００重量部に対して５
重量部加え、ボールミルによって湿式混合した。その
後、蒸発乾燥し整粒により粉末状にしてこの粉末原料を
２．５ｔ／ｃｍ3の圧力で直径１０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの円板状に成形した。次いでこの円板をＰｂ雰囲気を
有する電気炉を用いて焼成した。その後電極としてＡｇ
ペーストを８００℃で焼き付け、測定試料とした。得ら
れた各試料について、誘電率（ε）、誘電体損失（ｔａ
ｎδ）を１ｋＨｚ、１Ｖ、２０℃の条件で測定した。次
に２５０Ｖの電圧を２分間印加して、抵抗率を測定し
た。そして、１ｋＨｚ、１Ｖの条件で容量温度特性を測
定し、静電容量が最大を示す温度を基準（０％）とし、
そこから±５０℃はなれた温度での容量温度特性を算出
した。 なお、このように算出したのは、はじめ各試料
ごとの−２５℃と＋８５℃の容量温度変化率を示した
が、転移点が常温近傍にないものもあり比較しずらいの
で、転移点の容量温度変化率を基準として転移点から±
５０℃時の容量温度変化率を示した方が比較しやすいか
らである。
成物について説明する。出発素材としてＰｂ3Ｏ4、Ｎｉ
Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＷＯ3を用
い、これらを最終組成物になるよう配合しボ−ルミルに
て湿式混合を行ったのち、蒸発乾燥した。次にその粉末
混合物を７５０℃で２時間仮焼し、所定の化合物粉体を
得た。次いで、得られた化合物粉体と結合剤としての酢
酸ビニル系バインダーを仮焼物１００重量部に対して５
重量部加え、ボールミルによって湿式混合した。その
後、蒸発乾燥し整粒により粉末状にしてこの粉末原料を
２．５ｔ／ｃｍ3の圧力で直径１０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの円板状に成形した。次いでこの円板をＰｂ雰囲気を
有する電気炉を用いて焼成した。その後電極としてＡｇ
ペーストを８００℃で焼き付け、測定試料とした。得ら
れた各試料について、誘電率（ε）、誘電体損失（ｔａ
ｎδ）を１ｋＨｚ、１Ｖ、２０℃の条件で測定した。次
に２５０Ｖの電圧を２分間印加して、抵抗率を測定し
た。そして、１ｋＨｚ、１Ｖの条件で容量温度特性を測
定し、静電容量が最大を示す温度を基準（０％）とし、
そこから±５０℃はなれた温度での容量温度特性を算出
した。 なお、このように算出したのは、はじめ各試料
ごとの−２５℃と＋８５℃の容量温度変化率を示した
が、転移点が常温近傍にないものもあり比較しずらいの
で、転移点の容量温度変化率を基準として転移点から±
５０℃時の容量温度変化率を示した方が比較しやすいか
らである。
【００１６】表１〜表８に主成分の配合比及び副成分の
配合比、そして焼成温度及びその結果の電気特性を示
す。なお、副成分のｗｔ％は主成分を１００ｗｔ％とし
たものである。
配合比、そして焼成温度及びその結果の電気特性を示
す。なお、副成分のｗｔ％は主成分を１００ｗｔ％とし
たものである。
【００１７】Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト化
合物の配合比をαとし、Ｎｉ成分を含まない鉛系複合ペ
ロブスカイト化合物の配合比をβ１、β２として表し
た。
合物の配合比をαとし、Ｎｉ成分を含まない鉛系複合ペ
ロブスカイト化合物の配合比をβ１、β２として表し
た。
【００１８】なお、ここで、Ｎｉ成分を含まない鉛系複
合ペロブスカイト化合物は、任意の化合物を任意の種類
混ぜることができる。従って、例えば、β１＋β２＋・
・・βｎ（ｎは正の整数）とすると、全体の配合量が、
α＋β１＋β２....βｎ（ｎは正の整数）＝１００ｍｏ
ｌ％となるように配合すればよい。
合ペロブスカイト化合物は、任意の化合物を任意の種類
混ぜることができる。従って、例えば、β１＋β２＋・
・・βｎ（ｎは正の整数）とすると、全体の配合量が、
α＋β１＋β２....βｎ（ｎは正の整数）＝１００ｍｏ
ｌ％となるように配合すればよい。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】
【表３】
【００２２】
【表４】
【００２３】
【表５】
【００２４】
【表６】
【００２５】
【表７】
【００２６】
【表８】
【００２７】比較例として発明範囲外の組成物について
は、表１〜表８の試料Ｎｏ．に＊印を付した試料を挙げ
ている。
は、表１〜表８の試料Ｎｏ．に＊印を付した試料を挙げ
ている。
【００２８】試料Ｎｏ．３、４、５、６、７、８、９、
１０、１１の比較例として、試料Ｎｏ．１、２を挙げ
る。試料ＮＯ．１３の比較例として、試料Ｎｏ．１２を
挙げる。試料ＮＯ．１５、１６、１７、１８、１９の比
較例として、試料Ｎｏ．１４を挙げる。試料ＮＯ．２
１、２２、２３、２４、２５の比較例として、試料Ｎ
ｏ．２０を挙げる。試料ＮＯ．２７の比較例として、試
料Ｎｏ．２６を挙げる。試料ＮＯ．２９の比較例とし
て、試料Ｎｏ．２８を挙げる。試料ＮＯ．３３、３４、
３５の比較例として、試料Ｎｏ．３２を挙げる。試料Ｎ
Ｏ．３７、３８の比較例として、試料Ｎｏ．３６を挙げ
る。試料ＮＯ．３１、３２の比較例として、試料Ｎｏ．
３０を挙げる。試料ＮＯ．３６、３７、３８の比較例と
して、試料Ｎｏ．３５を挙げる。試料ＮＯ．４０の比較
例として、試料Ｎｏ．３９を挙げる。試料ＮＯ．４２、
４３、４４の比較例として、試料Ｎｏ．４１を挙げる。
試料ＮＯ．４６、４７、４８の比較例として、試料Ｎ
ｏ．４５を挙げる。試料ＮＯ．５０の比較例として、試
料Ｎｏ．４９を挙げる。試料ＮＯ．５２の比較例とし
て、試料Ｎｏ．５１を挙げる。
１０、１１の比較例として、試料Ｎｏ．１、２を挙げ
る。試料ＮＯ．１３の比較例として、試料Ｎｏ．１２を
挙げる。試料ＮＯ．１５、１６、１７、１８、１９の比
較例として、試料Ｎｏ．１４を挙げる。試料ＮＯ．２
１、２２、２３、２４、２５の比較例として、試料Ｎ
ｏ．２０を挙げる。試料ＮＯ．２７の比較例として、試
料Ｎｏ．２６を挙げる。試料ＮＯ．２９の比較例とし
て、試料Ｎｏ．２８を挙げる。試料ＮＯ．３３、３４、
３５の比較例として、試料Ｎｏ．３２を挙げる。試料Ｎ
Ｏ．３７、３８の比較例として、試料Ｎｏ．３６を挙げ
る。試料ＮＯ．３１、３２の比較例として、試料Ｎｏ．
３０を挙げる。試料ＮＯ．３６、３７、３８の比較例と
して、試料Ｎｏ．３５を挙げる。試料ＮＯ．４０の比較
例として、試料Ｎｏ．３９を挙げる。試料ＮＯ．４２、
４３、４４の比較例として、試料Ｎｏ．４１を挙げる。
試料ＮＯ．４６、４７、４８の比較例として、試料Ｎ
ｏ．４５を挙げる。試料ＮＯ．５０の比較例として、試
料Ｎｏ．４９を挙げる。試料ＮＯ．５２の比較例とし
て、試料Ｎｏ．５１を挙げる。
【００２９】表２、表４、表６、表８から明らかなよう
に、Ｎｉ成分を化学量論比から少なくすることで、誘電
率を下げることなく、容量温度変化率を平坦にする効果
が現れている。従って、いずれの試料についても、比較
例として挙げた試料より容量温度特性が改善されている
ことが分かる。
に、Ｎｉ成分を化学量論比から少なくすることで、誘電
率を下げることなく、容量温度変化率を平坦にする効果
が現れている。従って、いずれの試料についても、比較
例として挙げた試料より容量温度特性が改善されている
ことが分かる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、
Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト化合物からなる
組成物において、Ｎｉ成分が化学量論比より少いという
構成を備えていることにより、高誘電率を有し、かつ容
量温度特性が平坦な誘電体磁器組成物を得ることが可能
である。
Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト化合物からなる
組成物において、Ｎｉ成分が化学量論比より少いという
構成を備えていることにより、高誘電率を有し、かつ容
量温度特性が平坦な誘電体磁器組成物を得ることが可能
である。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ成分を含む鉛系複合ペロブスカイト
化合物からなる誘電体磁器組成物において、Ｎｉ成分が
化学量論比より少ないことを特徴とする誘電体磁器組成
物。 - 【請求項２】 一般式 Ｐｂ［Ｎｉ(1-x)/3 Ｂ+52/3］a［Ｎｉ(1-y)/2 Ｂ+61/
2］(1-a)Ｏ3 （ただし、Ｂ+5は＋５価の元素より選ばれる少なくとも
一種以上の元素であり、Ｂ+6は＋６価の元素より選ばれ
る少なくとも一種以上の元素であり、0＜ｘ＜１，0＜ｙ
＜１，0≦ａ≦1）で表される、鉛系複合ペロブスカイト
化合物をαｍｏｌ％（０＜α≦１００）含む場合に、Ｎ
ｉ量γｍｏｌ％が化学量論比より少ない以下の範囲を満
足することを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組
成物。 ０＜γ≦２０ （ただし、γ＝α×（ａ×ｘ×1/3＋(1-a)×ｙ×1/
2））
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|---|---|---|---|
| JP08070298A JP3087644B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
| DE69700268T DE69700268T2 (de) | 1996-03-26 | 1997-03-10 | Dielelektrische keramische Zusammensetzung |
| EP97103992A EP0798277B1 (en) | 1996-03-26 | 1997-03-10 | Dielectric ceramic composition |
| KR1019970010430A KR100241806B1 (ko) | 1996-03-26 | 1997-03-26 | 유전체 세라믹 조성물 |
| CN97104928A CN1065844C (zh) | 1996-03-26 | 1997-03-26 | 介电陶瓷组合物 |
| US08/824,820 US5759934A (en) | 1996-03-26 | 1997-03-26 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08070298A JP3087644B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
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|---|---|
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| JP3087644B2 JP3087644B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
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|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP0798277B1 (ja) |
| JP (1) | JP3087644B2 (ja) |
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| EP0913843B1 (en) * | 1997-03-31 | 2006-02-08 | TDK Corporation | Non-reducing dielectric ceramic material |
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| JPS62272403A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JP2550347B2 (ja) * | 1987-05-22 | 1996-11-06 | 電気化学工業株式会社 | エレクトロセラミックス用金属酸化物の製造方法 |
| US4816430A (en) * | 1987-06-09 | 1989-03-28 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric ceramic composition |
| JP2710639B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-02-10 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| US5093757A (en) * | 1988-11-07 | 1992-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| DE68926099T2 (de) * | 1988-11-07 | 1996-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
| CN1067037A (zh) * | 1992-05-11 | 1992-12-16 | 上海无线电六厂 | 高介电常数、高稳定、低损耗的陶瓷介质材料及制造方法 |
| DE4217818C1 (ja) * | 1992-05-29 | 1993-09-16 | H.C. Starck Gmbh & Co Kg, 3380 Goslar, De | |
| US5402791A (en) * | 1993-08-06 | 1995-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Piezoelectric single crystal, ultrasonic probe, and array-type ultrasonic probe |
| JP3296640B2 (ja) * | 1993-11-04 | 2002-07-02 | 三井化学株式会社 | 圧電セラミックス |
| US5668071A (en) * | 1995-02-22 | 1997-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric porcelain |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP08070298A patent/JP3087644B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-10 EP EP97103992A patent/EP0798277B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-10 DE DE69700268T patent/DE69700268T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-26 KR KR1019970010430A patent/KR100241806B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-03-26 US US08/824,820 patent/US5759934A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-26 CN CN97104928A patent/CN1065844C/zh not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| EP0798277A1 (en) | 1997-10-01 |
| EP0798277B1 (en) | 1999-06-16 |
| US5759934A (en) | 1998-06-02 |
| DE69700268D1 (de) | 1999-07-22 |
| CN1163874A (zh) | 1997-11-05 |
| CN1065844C (zh) | 2001-05-16 |
| KR100241806B1 (ko) | 2000-02-01 |
| KR970067419A (ko) | 1997-10-13 |
| DE69700268T2 (de) | 1999-10-14 |
| JP3087644B2 (ja) | 2000-09-11 |
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