JP2849857B2 - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系磁器組成物Info
- Publication number
- JP2849857B2 JP2849857B2 JP2114818A JP11481890A JP2849857B2 JP 2849857 B2 JP2849857 B2 JP 2849857B2 JP 2114818 A JP2114818 A JP 2114818A JP 11481890 A JP11481890 A JP 11481890A JP 2849857 B2 JP2849857 B2 JP 2849857B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- weight
- compound
- high dielectric
- porcelain composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、チタンジルコン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）
O3もしくはチタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ba
1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3を主成分とし、酸化亜鉛、マン
ガン化合物を添加し、さらにプラオセジウム化合物、テ
ルビウム化合物、ユウロピウム化合物、カドリウム化合
物の少なくとも一種を添加して得られる高誘電率系磁器
組成物に関するものである。
O3もしくはチタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ba
1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3を主成分とし、酸化亜鉛、マン
ガン化合物を添加し、さらにプラオセジウム化合物、テ
ルビウム化合物、ユウロピウム化合物、カドリウム化合
物の少なくとも一種を添加して得られる高誘電率系磁器
組成物に関するものである。
高誘電率系磁器組成物は、積層セラミックコンデンサ
等の材料として使用される。積層セラミックコンデンサ
は、内部電極が形成された高誘電率系磁器組成物の生シ
ートを所定容量になるように複数枚積層した後、一体的
に焼成して構成されている。
等の材料として使用される。積層セラミックコンデンサ
は、内部電極が形成された高誘電率系磁器組成物の生シ
ートを所定容量になるように複数枚積層した後、一体的
に焼成して構成されている。
このような積層セラミックコンデンサに使用される高
誘電率系磁器組成物は、比誘電率が10000以上と高いこ
と及び焼成温度が、例えば1200℃未満であることが重要
と成ってくる。即ち、＋25℃における比誘電率が10000
以上にすることにより、対向内部電極間の高誘電率系磁
器組成物生シートの厚みや対向面積の極小化が可能とな
り、積層セラミックコンデンサの小型化が達成できる。
誘電率系磁器組成物は、比誘電率が10000以上と高いこ
と及び焼成温度が、例えば1200℃未満であることが重要
と成ってくる。即ち、＋25℃における比誘電率が10000
以上にすることにより、対向内部電極間の高誘電率系磁
器組成物生シートの厚みや対向面積の極小化が可能とな
り、積層セラミックコンデンサの小型化が達成できる。
また、焼成温度が1200℃未満にすることにより、対向
内部電極の材料の選択幅が増え、例えば効果なPd100％
の材料から安価なPd−Agの使用が可能となる。
内部電極の材料の選択幅が増え、例えば効果なPd100％
の材料から安価なPd−Agの使用が可能となる。
尚、上述していないが、高誘電率系磁器組成物として
の諸特性、誘電損失tanδ（1.0％以下）、密度、絶縁抵
抗（１×105MΩ以下）を充分に考慮しなくてはならな
い。
の諸特性、誘電損失tanδ（1.0％以下）、密度、絶縁抵
抗（１×105MΩ以下）を充分に考慮しなくてはならな
い。
従来、チタン酸バリウムカルシウム（Ba1-XCaX）（Ti
1-YZrY）O3を主成分とした高誘電率系磁器組成物に、所
定量のチタン酸鉛（PbTiO3）、ゲルマン酸鉛（Pb5Ge3O
11）及びチタン酸ビスマス（BiTi2O7）を添加した高誘
電率系磁器組成物が知られていた（特開昭59−25104号
公報）。
1-YZrY）O3を主成分とした高誘電率系磁器組成物に、所
定量のチタン酸鉛（PbTiO3）、ゲルマン酸鉛（Pb5Ge3O
11）及びチタン酸ビスマス（BiTi2O7）を添加した高誘
電率系磁器組成物が知られていた（特開昭59−25104号
公報）。
この高誘電率系磁器組成物によれば、焼成温度が1200
℃以下とすることができる。
℃以下とすることができる。
しかし、上述のチタン酸バリウムカルシウム（Ba1-XG
aX）（Ti1-YZrY）O3に所定量のチタン酸鉛、ゲルマン酸
鉛及びチタン酸ビスマスを添加した高誘電率系磁器組成
物は、焼成温度が1200℃以下とすることができるため、
例えば、対向内部電極に安価な銀−パラジウム（Ag−P
d:Ag/Pd＝70/30〜60/40）を使用することができるもも
の、比誘電率が10000未満であるため、小型・大容量の
積層セラミックコンデンサの達成が困難であった。
aX）（Ti1-YZrY）O3に所定量のチタン酸鉛、ゲルマン酸
鉛及びチタン酸ビスマスを添加した高誘電率系磁器組成
物は、焼成温度が1200℃以下とすることができるため、
例えば、対向内部電極に安価な銀−パラジウム（Ag−P
d:Ag/Pd＝70/30〜60/40）を使用することができるもも
の、比誘電率が10000未満であるため、小型・大容量の
積層セラミックコンデンサの達成が困難であった。
本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであ
り、具体的には、高い比誘電率が得られ、且つ焼成温度
が比較的低く、さらには誘電損失、密度、絶縁抵抗など
の特性にも優れた高誘電率系磁器組成物を提供すること
にある。
り、具体的には、高い比誘電率が得られ、且つ焼成温度
が比較的低く、さらには誘電損失、密度、絶縁抵抗など
の特性にも優れた高誘電率系磁器組成物を提供すること
にある。
上述の目的を達成するために行った具体的な手段は、
複合酸化物（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3と表した時、モ
ル分率Ｘ、Ｙがそれぞれ、０≦Ｘ＜0.1、0.1＜Ｙ＜0.16
であり、さらに、（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3の100重
量部に対して、酸化亜鉛をZnO換算で0.8〜2.0重量％、
マンガン化合物をMnO2換算で0.1〜0.5重量％の範囲で含
有し、さらにプラオセジウム化合物、テルビウム化合
物、ユウロピウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれ
る少なくとも一種が、Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3換
算で0.8〜1.8重量％含有して成る高誘電率系磁器組成物
である。
複合酸化物（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3と表した時、モ
ル分率Ｘ、Ｙがそれぞれ、０≦Ｘ＜0.1、0.1＜Ｙ＜0.16
であり、さらに、（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3の100重
量部に対して、酸化亜鉛をZnO換算で0.8〜2.0重量％、
マンガン化合物をMnO2換算で0.1〜0.5重量％の範囲で含
有し、さらにプラオセジウム化合物、テルビウム化合
物、ユウロピウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれ
る少なくとも一種が、Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3換
算で0.8〜1.8重量％含有して成る高誘電率系磁器組成物
である。
さらに好ましくは、複合酸化物（Ba1-XCaX）（Ti1-YZ
rY）O3の平均粒径が１μｍ未満とした高誘電率系磁器組
成物である。
rY）O3の平均粒径が１μｍ未満とした高誘電率系磁器組
成物である。
〔作用〕 以上のように本発明によれば、比誘電率が10000以上
と高く、さらに焼成温度が、1200℃未満となり、また、
その他の特性も良好な高誘電率系磁器組成物が達成さ
れ、対向内部電極間の高誘電率系磁器組成物生シートの
厚みや対向面積の極小化が可能となり、対向内部電極に
1200℃未満の焼成可能な安価な材料が使用できる積層セ
ラミックコンデンサが可能となる。
と高く、さらに焼成温度が、1200℃未満となり、また、
その他の特性も良好な高誘電率系磁器組成物が達成さ
れ、対向内部電極間の高誘電率系磁器組成物生シートの
厚みや対向面積の極小化が可能となり、対向内部電極に
1200℃未満の焼成可能な安価な材料が使用できる積層セ
ラミックコンデンサが可能となる。
高純度（99.0％以上）複合酸化物チタンジルコン酸バ
リウムカルシウム（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3と表した
時、モル分率が０≦Ｘ＜0.1、0.1＜Ｙ＜0.16となるよう
に設定される。この範囲から外れる、即ち、ｘ≧0.1、
0.1≧Ｙ、Ｙ≧0.16であると、＋25℃における比誘電率
εが10000未満と小さくなり、小型・大容量の積層セラ
ミックコンデンサが達成できない。
リウムカルシウム（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3と表した
時、モル分率が０≦Ｘ＜0.1、0.1＜Ｙ＜0.16となるよう
に設定される。この範囲から外れる、即ち、ｘ≧0.1、
0.1≧Ｙ、Ｙ≧0.16であると、＋25℃における比誘電率
εが10000未満と小さくなり、小型・大容量の積層セラ
ミックコンデンサが達成できない。
添加する酸化亜鉛（ZnO）は、高誘電率系磁器組成物
の焼成温度を調整するものであり、ZnOが0.8〜2.0重量
％の範囲外では、焼成温度が1200℃を越え、焼成後の磁
器密度が5.6g/cm3以下となってしまう。
の焼成温度を調整するものであり、ZnOが0.8〜2.0重量
％の範囲外では、焼成温度が1200℃を越え、焼成後の磁
器密度が5.6g/cm3以下となってしまう。
添加するマンガン化合物、例えばMnO2は高誘電率系磁
器組成物の誘電損失tanδを改善するものであり、その
添加量が0.1重量％（MnO2に換算して）未満では誘電損
失tanδが２％以上となり、また0.5重量％（MnO2に換算
して）を越えると、絶縁抵抗が大きく低下してしまう。
器組成物の誘電損失tanδを改善するものであり、その
添加量が0.1重量％（MnO2に換算して）未満では誘電損
失tanδが２％以上となり、また0.5重量％（MnO2に換算
して）を越えると、絶縁抵抗が大きく低下してしまう。
添加するプラオセジウム化合物、例えばPr6O11、テル
ビウム化合物、例えばTb4O7、ユウロピウム化合物、例
えばEu2O3、ガドリウム化合物、例えばGd2O3から選ばれ
る少なくとも一種は、高誘電率系磁器組成物の絶縁抵抗
を向上させ、比誘電率を上げるものであり、添加量が0.
8重量％（各酸化物に換算して）未満では比誘電率が低
下してしまい、また、1.8重量％（各酸化物に換算し
て）を越えると、絶縁抵抗特性が低下してしまう。これ
らの相互作用により、高比誘電率ε10000以上の高誘電
率系磁器組成物が得られるとともに、また焼成温度が12
00℃未満と工業的にも製造しやすく、且つ対向内部電極
に安価な銀−パラジウム（Ag−Pd:Ag/Pd＝70/30〜60/4
0）が使用できる積層セラミックコンデンサなどに使用
できる高誘電率系磁器組成物が達成される。
ビウム化合物、例えばTb4O7、ユウロピウム化合物、例
えばEu2O3、ガドリウム化合物、例えばGd2O3から選ばれ
る少なくとも一種は、高誘電率系磁器組成物の絶縁抵抗
を向上させ、比誘電率を上げるものであり、添加量が0.
8重量％（各酸化物に換算して）未満では比誘電率が低
下してしまい、また、1.8重量％（各酸化物に換算し
て）を越えると、絶縁抵抗特性が低下してしまう。これ
らの相互作用により、高比誘電率ε10000以上の高誘電
率系磁器組成物が得られるとともに、また焼成温度が12
00℃未満と工業的にも製造しやすく、且つ対向内部電極
に安価な銀−パラジウム（Ag−Pd:Ag/Pd＝70/30〜60/4
0）が使用できる積層セラミックコンデンサなどに使用
できる高誘電率系磁器組成物が達成される。
さらに高誘電率系磁器組成物として基本的な特性であ
る誘電損失tanδが1.0％以下、絶縁抵抗（IR）が１×10
5MΩ以上と充分に満足できる高誘電率系磁器組成物が達
成される。
る誘電損失tanδが1.0％以下、絶縁抵抗（IR）が１×10
5MΩ以上と充分に満足できる高誘電率系磁器組成物が達
成される。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ba1-XCaX）
（Ti1-YZrY）O3〔０≦Ｘ＜0.1、0.1＜Ｙ＜0.16〕で表さ
れる複合酸化物を主成分として、この複合酸化物100重
量部に対して、ZnO、マンガン化合物としてMnO2、さら
にプラオセジウム化合物、例えばPr6O11、テルビウム化
合物、例えばTb4O7、ユウロピウム化合物、例えばEu
2O3、ガドリウム化合物、例えばGd2O3から選ばれる少な
くとも１種の化合物の一種の各粉末を表１に示すように
秤量し、ボールミルにて20時間湿式粉砕した後、有機系
粘結剤を添加し、しかる後撹拌、ドクターブレード法で
厚さ30μｍのテープ状に成型した。このテープを130mm
×100mmに裁断し、40枚重ね、80℃でホットプレスで積
層体を作成する。
（Ti1-YZrY）O3〔０≦Ｘ＜0.1、0.1＜Ｙ＜0.16〕で表さ
れる複合酸化物を主成分として、この複合酸化物100重
量部に対して、ZnO、マンガン化合物としてMnO2、さら
にプラオセジウム化合物、例えばPr6O11、テルビウム化
合物、例えばTb4O7、ユウロピウム化合物、例えばEu
2O3、ガドリウム化合物、例えばGd2O3から選ばれる少な
くとも１種の化合物の一種の各粉末を表１に示すように
秤量し、ボールミルにて20時間湿式粉砕した後、有機系
粘結剤を添加し、しかる後撹拌、ドクターブレード法で
厚さ30μｍのテープ状に成型した。このテープを130mm
×100mmに裁断し、40枚重ね、80℃でホットプレスで積
層体を作成する。
さらに、この積層体の厚さ1mmの板状試料を直径20mm
の円板状に打ち抜き、酸素雰囲気にて1050〜1200℃で２
時間焼成した。さらに両端面に銀ペーストによる電極を
焼きつけ試料とした。
の円板状に打ち抜き、酸素雰囲気にて1050〜1200℃で２
時間焼成した。さらに両端面に銀ペーストによる電極を
焼きつけ試料とした。
このように形成された試料について、比誘電率ε及び
誘電損失tanδを基準温度25℃、周波数1.0kHz、測定電
圧1.0Vrmsで測定した。また、直流電圧50Vを１分間印加
した時の絶縁抵抗（IR）を測定した。
誘電損失tanδを基準温度25℃、周波数1.0kHz、測定電
圧1.0Vrmsで測定した。また、直流電圧50Vを１分間印加
した時の絶縁抵抗（IR）を測定した。
プラオセジウム化合物、テルビウム化合物、ユウロピ
ウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれる少なくとも
一種について、プラオセジウム化合物、例えばPr6O11を
用いたものについては、第１表にその結果を示し、テル
ビウム化合物、例えばTb4O7を用いたものについては、
第２表にその結果を示し、ユウロピウム化合物、例えば
Eu2O3を用いたものについては、第３表にその結果を示
し、ガドリウム化合物物、例えばGd2O3を用いたものに
ついては、第４表にその結果を示する。
ウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれる少なくとも
一種について、プラオセジウム化合物、例えばPr6O11を
用いたものについては、第１表にその結果を示し、テル
ビウム化合物、例えばTb4O7を用いたものについては、
第２表にその結果を示し、ユウロピウム化合物、例えば
Eu2O3を用いたものについては、第３表にその結果を示
し、ガドリウム化合物物、例えばGd2O3を用いたものに
ついては、第４表にその結果を示する。
いずれの第１〜４表において、試料番号に＊印を付した
ものは本発明の範囲外である。尚、（Ba1-XCaX）（Ti
1-YZrY）O3のＸ、Ｙのモル分率については、表中はモル
％で示した。
ものは本発明の範囲外である。尚、（Ba1-XCaX）（Ti
1-YZrY）O3のＸ、Ｙのモル分率については、表中はモル
％で示した。
そして本発明の範囲の評価として、 比誘電率εは10000以上を良品とした。即ち、比誘電率
εが10000未満では、充分な比誘電率が得れず、これに
より積層セラミックコンデンサの小型化が困難となって
しまう。
εが10000未満では、充分な比誘電率が得れず、これに
より積層セラミックコンデンサの小型化が困難となって
しまう。
また、誘電損失tanδは1.0％以下を良品とした。即
ち、誘電損失tanδが1.0％を越えると、積層セラミック
コンデンサにおいて、誘電損失tanδ不良となり、誘電
体層の薄膜化が困難となる。
ち、誘電損失tanδが1.0％を越えると、積層セラミック
コンデンサにおいて、誘電損失tanδ不良となり、誘電
体層の薄膜化が困難となる。
さらに密度は5.6g/cm3以上を良品とした。密度が5.6g
/cm3以下ではこの高誘電率系磁器組成物を焼成した時に
充分に焼成されず、1200℃以下という低温焼成が困難と
なることが考えられる。
/cm3以下ではこの高誘電率系磁器組成物を焼成した時に
充分に焼成されず、1200℃以下という低温焼成が困難と
なることが考えられる。
さらに、絶縁抵抗（IR）は105MΩ以上を良品とした。
試料番号１〜５、41〜45、81〜85、121〜125は高誘電
率系磁器の主成分となるチタンジルコン酸バリウムBa
（Ti1-YZrY）O3のＢサイトのモル分率Ｙについて検討し
た。即ち、Ｙを0.01〜0.16まで夫々値を変化させた。こ
のときＡサイトのＸを０とした。また、添加するPr
6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれる少なくとも１
種類、ZnO、MnO2の重量％を夫々1.6、1.5及び0.2に固定
した。これは後述の夫々の添加量で本発明の範囲の中心
的な値となるものである。
率系磁器の主成分となるチタンジルコン酸バリウムBa
（Ti1-YZrY）O3のＢサイトのモル分率Ｙについて検討し
た。即ち、Ｙを0.01〜0.16まで夫々値を変化させた。こ
のときＡサイトのＸを０とした。また、添加するPr
6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれる少なくとも１
種類、ZnO、MnO2の重量％を夫々1.6、1.5及び0.2に固定
した。これは後述の夫々の添加量で本発明の範囲の中心
的な値となるものである。
試料番号１、41、81、121（Y:10モル％）では、焼成
温度が1200℃未満となり、誘電損失tanδ、密度及び絶
縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、積層セラミッ
クコンデンサの小型化を大きく左右する比誘電率εが73
00（Pr6O11）、5200（Tb4O7）、5700（Eu2O3）、6200
（Gd2O3）と極めて低くなってしまう。
温度が1200℃未満となり、誘電損失tanδ、密度及び絶
縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、積層セラミッ
クコンデンサの小型化を大きく左右する比誘電率εが73
00（Pr6O11）、5200（Tb4O7）、5700（Eu2O3）、6200
（Gd2O3）と極めて低くなってしまう。
また、試料番号２〜４、42〜44、82〜84、122〜124
（Y:11〜15モル％）では、比誘電率εが12000〜14000
（Pr6O11）、10200〜10800（Tb4O7）、10500〜12500（E
u2O3）、10200〜10800（Gd2O3）になり、1120℃で焼成
可能な高誘電率系磁器組成物が達成できる。また、誘電
損失tanδ、密度絶縁抵抗ともに良好な値を示す。
（Y:11〜15モル％）では、比誘電率εが12000〜14000
（Pr6O11）、10200〜10800（Tb4O7）、10500〜12500（E
u2O3）、10200〜10800（Gd2O3）になり、1120℃で焼成
可能な高誘電率系磁器組成物が達成できる。また、誘電
損失tanδ、密度絶縁抵抗ともに良好な値を示す。
さらに、試料番号５、45、85、125（Y:16モル％）で
は、焼成温度が1200℃未満となり、誘電損失tanδ、密
度及び絶縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、積層
セラミックコンデンサの小型化に大きく左右する比誘電
率εが8000（Pr6O11）、6000（Tb4O7）、6500（Eu
2O3）、6800（Gd2O3）と極めて低くなってしまう。
は、焼成温度が1200℃未満となり、誘電損失tanδ、密
度及び絶縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、積層
セラミックコンデンサの小型化に大きく左右する比誘電
率εが8000（Pr6O11）、6000（Tb4O7）、6500（Eu
2O3）、6800（Gd2O3）と極めて低くなってしまう。
従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウム
Ba（Ti1-YZrY）O3のＢサイトのモル分率Ｙは、充分な比
誘電率εを得るために0.01＜Ｙ＜0.16の範囲がよい。
Ba（Ti1-YZrY）O3のＢサイトのモル分率Ｙは、充分な比
誘電率εを得るために0.01＜Ｙ＜0.16の範囲がよい。
試料番号６〜11は高誘電率系磁器の主成分となるチタ
ンジルコン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3に添加するPr6O
11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3の量について検討した。即
ち、Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3の添加量を0.7〜1.9
まで値を夫々変化させた。このときＡサイトのモル分率
Ｘを０とした。また、ZnO及びMnO2の添加量を、夫々1.5
及び0.3重量％に固定した。
ンジルコン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3に添加するPr6O
11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3の量について検討した。即
ち、Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3の添加量を0.7〜1.9
まで値を夫々変化させた。このときＡサイトのモル分率
Ｘを０とした。また、ZnO及びMnO2の添加量を、夫々1.5
及び0.3重量％に固定した。
試料番号６（Pr6O11の添加量:0.7重量％）、試料番号
46（Tb4O7の添加量:0.7重量％）、試料番号86（Eu2O3の
添加量:0.7重量％）、試料番号126（Gd2O3の添加量:0.7
重量％）では、絶縁抵抗が１×105MΩと良品の範囲とな
るが、比誘電率εが8200（Pr6O11）、5500（Tb4O7）、5
800（Eu2O3）、8200（Gd2O3）と何れも極めて低く、ま
た焼成温度が1200℃と低温焼成が困難となる。さらに、
誘電損失tanδ及び密度も良好な結果が得られない。
46（Tb4O7の添加量:0.7重量％）、試料番号86（Eu2O3の
添加量:0.7重量％）、試料番号126（Gd2O3の添加量:0.7
重量％）では、絶縁抵抗が１×105MΩと良品の範囲とな
るが、比誘電率εが8200（Pr6O11）、5500（Tb4O7）、5
800（Eu2O3）、8200（Gd2O3）と何れも極めて低く、ま
た焼成温度が1200℃と低温焼成が困難となる。さらに、
誘電損失tanδ及び密度も良好な結果が得られない。
また、試料番号７〜10（Pr6O11の添加量:0.8〜1.8重
量％）では、比誘電率εが12500〜17000となり、誘電損
失tanδが0.72％以下、密度が5.77g/cm3以上、絶縁抵抗
が１×105MΩ以上となる。また、焼成温度が1100〜1160
℃となる。
量％）では、比誘電率εが12500〜17000となり、誘電損
失tanδが0.72％以下、密度が5.77g/cm3以上、絶縁抵抗
が１×105MΩ以上となる。また、焼成温度が1100〜1160
℃となる。
また、試料番号47〜50（Tb4O7の添加量:0.8〜1.8重量
％）では、比誘電率εが10100〜14100となり、誘電損失
tanδが0.70％以下、密度が5.70g/cm3以上、絶縁抵抗が
１×105MΩ以上となり、焼成温度が1100〜1160℃とな
る。
％）では、比誘電率εが10100〜14100となり、誘電損失
tanδが0.70％以下、密度が5.70g/cm3以上、絶縁抵抗が
１×105MΩ以上となり、焼成温度が1100〜1160℃とな
る。
また、試料番号87〜90（Eu2O3の添加量:0.8〜1.8重量
％）では、比誘電率εが10200〜15000となり、誘電損失
tanδが0.80％以下、密度が5.60g/cm3以上、絶縁抵抗が
１×105MΩ以上となり、焼成温度が1120〜1160℃とな
る。
％）では、比誘電率εが10200〜15000となり、誘電損失
tanδが0.80％以下、密度が5.60g/cm3以上、絶縁抵抗が
１×105MΩ以上となり、焼成温度が1120〜1160℃とな
る。
また、試料番号127〜130（Gd2O3の添加量:0.8〜1.8重
量％）では、比誘電率εが11100〜15100となり、誘電損
失tanδが0.72％以下、密度が5.52g/cm3以上、絶縁抵抗
が１×105MΩ以上となり、焼成温度が1120〜1160℃とな
る。
量％）では、比誘電率εが11100〜15100となり、誘電損
失tanδが0.72％以下、密度が5.52g/cm3以上、絶縁抵抗
が１×105MΩ以上となり、焼成温度が1120〜1160℃とな
る。
何れの場合であっても低温焼成が可能で、且つ比誘電
率εが高い値の組成物が達成される。
率εが高い値の組成物が達成される。
さらに、試料番号11（Pr6O11の添加量:1.9重量％）、
試料番号51（Tb4O7の添加量:1.9重量％）、試料番号91
（Eu2O3の添加量:1.9重量％）、試料番号131（Gd2O3の
添加量:1.9重量％）では、比誘電率ε、焼成温度は良好
な結果が得られるものの、絶縁抵抗が７×103MΩ（Pr6O
11、Tb4O7、Gd2O3）、８×103MΩと（Eu2O3）と２桁ほ
ど低下してしまう。このように２桁も絶縁抵抗値が低下
してしまうと、積層セラミックコンデンサにおいて、一
般的な規格である１×104MΩを満足しなくなる。従っ
て、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムBa（Ti
1-YZrY）O3に添加するPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3の
重量は、チタンジルコン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O310
0重量部に対して、0.8〜1.8重量％の範囲がよい。
試料番号51（Tb4O7の添加量:1.9重量％）、試料番号91
（Eu2O3の添加量:1.9重量％）、試料番号131（Gd2O3の
添加量:1.9重量％）では、比誘電率ε、焼成温度は良好
な結果が得られるものの、絶縁抵抗が７×103MΩ（Pr6O
11、Tb4O7、Gd2O3）、８×103MΩと（Eu2O3）と２桁ほ
ど低下してしまう。このように２桁も絶縁抵抗値が低下
してしまうと、積層セラミックコンデンサにおいて、一
般的な規格である１×104MΩを満足しなくなる。従っ
て、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムBa（Ti
1-YZrY）O3に添加するPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3の
重量は、チタンジルコン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O310
0重量部に対して、0.8〜1.8重量％の範囲がよい。
つぎに、試料番号12〜18、52〜58、92〜98、132〜138
は高誘電率系磁器の主成分となるチタンジルコン酸バリ
ウムBa（Ti1-YZrY）O3に添加するZnOの量について検討
した。即ち、ZnOの添加量を0.7〜2.1まで値を夫々変化
させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした。ま
た、Ｂサイトのモル分率Ｙを0.13とし、Pr6O11、Tb
4O7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれる少なくとも１種の化合
物及びMnO2の添加量を夫々1.4及び0.3重量％として固定
した。
は高誘電率系磁器の主成分となるチタンジルコン酸バリ
ウムBa（Ti1-YZrY）O3に添加するZnOの量について検討
した。即ち、ZnOの添加量を0.7〜2.1まで値を夫々変化
させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした。ま
た、Ｂサイトのモル分率Ｙを0.13とし、Pr6O11、Tb
4O7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれる少なくとも１種の化合
物及びMnO2の添加量を夫々1.4及び0.3重量％として固定
した。
試料番号12、52、92、132（ZnOの添加量:0.7重量％）
では、比誘電率εが8500（Pr6O11）6000（Tb4O7）、680
0（Eu2O3）、7000（Gd2O3）と低く、また焼成温度が120
0℃と低温焼成が困難となる。さらに、誘電損失tanδ、
密度及び絶縁抵抗も良好な結果が得られない。
では、比誘電率εが8500（Pr6O11）6000（Tb4O7）、680
0（Eu2O3）、7000（Gd2O3）と低く、また焼成温度が120
0℃と低温焼成が困難となる。さらに、誘電損失tanδ、
密度及び絶縁抵抗も良好な結果が得られない。
また、試料番号13〜17、53〜57、93〜97、133〜137
（ZnOの添加量:0.8〜2.0重量％）では、比誘電率εが12
500〜17200（Pr6O11）、10100〜13500（Tb4O7）、10400
〜15000（Eu2O3）、11000〜14500（Gd2O3）となり、誘
電損失tanδ、密度、絶縁抵抗が良好となり、さらに焼
成温度が1120〜1160℃（Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd
2O3）となる。即ち、比誘電率εが高い値で、且つ抵抗
焼成が可能な組成物が達成される。
（ZnOの添加量:0.8〜2.0重量％）では、比誘電率εが12
500〜17200（Pr6O11）、10100〜13500（Tb4O7）、10400
〜15000（Eu2O3）、11000〜14500（Gd2O3）となり、誘
電損失tanδ、密度、絶縁抵抗が良好となり、さらに焼
成温度が1120〜1160℃（Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd
2O3）となる。即ち、比誘電率εが高い値で、且つ抵抗
焼成が可能な組成物が達成される。
さらに、試料番号18、58、98、138（ZnOの添加量:2.1
重量％）では、比誘電率εが8500（Pr6O11）、6500（Tb
4O7）、6800（Eu2o3）、7500（Gd2O3）と極めて低く、
また焼成温度が1200℃となり、低温焼成が困難となる。
さらに、誘電損失tanδ、密度及び絶縁抵抗も良好な結
果が得られない。
重量％）では、比誘電率εが8500（Pr6O11）、6500（Tb
4O7）、6800（Eu2o3）、7500（Gd2O3）と極めて低く、
また焼成温度が1200℃となり、低温焼成が困難となる。
さらに、誘電損失tanδ、密度及び絶縁抵抗も良好な結
果が得られない。
従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウム
Ba（Ti1-YZrY）O3に添加するZnOの重量は、チタンジル
コン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3100重量部に対して、
0.8〜2.0重量％の範囲とした。
Ba（Ti1-YZrY）O3に添加するZnOの重量は、チタンジル
コン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3100重量部に対して、
0.8〜2.0重量％の範囲とした。
つぎに、試料番号19〜24、59〜64、99〜104、139〜14
4は高誘電率系磁器の主成分となるチタンジルコン酸バ
リウムBa（Ti1-YZrY）O3に添加するMnO2の量について検
討した。即ち、MnO2の添加量を０〜0.6まで値を夫々変
化させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした。
また、Ｂサイトのモル分率Ｙを0.13とし、Pr6O11、Tb4O
7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれる少なくとも１種の化合物
およびZnOの添加量を夫々1.5及び1.6重量％として固定
した。
4は高誘電率系磁器の主成分となるチタンジルコン酸バ
リウムBa（Ti1-YZrY）O3に添加するMnO2の量について検
討した。即ち、MnO2の添加量を０〜0.6まで値を夫々変
化させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした。
また、Ｂサイトのモル分率Ｙを0.13とし、Pr6O11、Tb4O
7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれる少なくとも１種の化合物
およびZnOの添加量を夫々1.5及び1.6重量％として固定
した。
試料番号19、59、99、139（MnO2の添加量がない）で
は、比誘電率εが16500（Pr6O11）、13500（Tb4O7）、1
4500（Eu2O3）、14000（Eu2O3）となり、また焼成温度
が1140℃となり、実際上低温焼成可能な高誘電率系磁器
組成物が得られるものの、誘電損失tanδが3.2％（Pr6O
11）、2.0％（Tb4O7）、2.5％（Eu2O3）、2.1％（Tb
4O7）と極めて大きいものとなる。これにより、誘電体
層の薄膜化が困難となる。
は、比誘電率εが16500（Pr6O11）、13500（Tb4O7）、1
4500（Eu2O3）、14000（Eu2O3）となり、また焼成温度
が1140℃となり、実際上低温焼成可能な高誘電率系磁器
組成物が得られるものの、誘電損失tanδが3.2％（Pr6O
11）、2.0％（Tb4O7）、2.5％（Eu2O3）、2.1％（Tb
4O7）と極めて大きいものとなる。これにより、誘電体
層の薄膜化が困難となる。
また、試料番号20〜23、60〜63、100〜103、140〜143
（MnO2の添加量:0.1〜0.5重量％）では、比誘電率εが1
3500〜16000（Pr6O11）、11000〜12300（Tb4O7）、1180
0〜14200（Eu2O3）、11500〜13300（Gd2O3）となり、ま
た焼成温度が1130℃となる。さらに誘電損失tanδはMnO
2の添加量なし（試料番号19、59、99、139）の3.2％（P
r6O11）、2.0％（Tb4O7）、2.5％（Eu2O3）、2.1％（Gd
2O3）に比較して0.30〜0.90（Pr6O11）、0.20〜0.70（T
b4O7）、0.25〜0.90（Eu2O3）、0.25〜0.70（Gd2O3）と
大幅に改善されることになる。こにより、高比誘電率ε
で且つ低温焼成可能で、さらに諸特性も良好な組成物が
達成される。
（MnO2の添加量:0.1〜0.5重量％）では、比誘電率εが1
3500〜16000（Pr6O11）、11000〜12300（Tb4O7）、1180
0〜14200（Eu2O3）、11500〜13300（Gd2O3）となり、ま
た焼成温度が1130℃となる。さらに誘電損失tanδはMnO
2の添加量なし（試料番号19、59、99、139）の3.2％（P
r6O11）、2.0％（Tb4O7）、2.5％（Eu2O3）、2.1％（Gd
2O3）に比較して0.30〜0.90（Pr6O11）、0.20〜0.70（T
b4O7）、0.25〜0.90（Eu2O3）、0.25〜0.70（Gd2O3）と
大幅に改善されることになる。こにより、高比誘電率ε
で且つ低温焼成可能で、さらに諸特性も良好な組成物が
達成される。
さらに、試料番号24、64、104、144（MnO2の添加量:
0.6重量％）では、比誘電率εが13000（Pr6O11）、1020
0（Tb4O7）、10400（Eu2O3）、11000（Gd2O3）となり、
また焼成温度が1130℃となる。低温焼成でかつ高い比誘
電率との高誘電率系磁器組成物が可能となるものの、そ
の他の諸特性、即ち誘電損失tanδが1.8％（Pr6O11）、
1.5％（Tb4O7）、1.8％（Eu2O3）、1.6％（Gd2O3）とな
り、絶縁抵抗が７×103MΩ（Pr6O11）、６×103MΩ（Tb
4O7）、８×103MΩ（Eu2O3）、６×103MΩ（Eu2O3）程
度であると積層セラミックコンデンサにおいて絶縁抵抗
の一般的な規格を満足しなくなる。
0.6重量％）では、比誘電率εが13000（Pr6O11）、1020
0（Tb4O7）、10400（Eu2O3）、11000（Gd2O3）となり、
また焼成温度が1130℃となる。低温焼成でかつ高い比誘
電率との高誘電率系磁器組成物が可能となるものの、そ
の他の諸特性、即ち誘電損失tanδが1.8％（Pr6O11）、
1.5％（Tb4O7）、1.8％（Eu2O3）、1.6％（Gd2O3）とな
り、絶縁抵抗が７×103MΩ（Pr6O11）、６×103MΩ（Tb
4O7）、８×103MΩ（Eu2O3）、６×103MΩ（Eu2O3）程
度であると積層セラミックコンデンサにおいて絶縁抵抗
の一般的な規格を満足しなくなる。
従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウム
Ba（Ti1-YZrY）O3に添加するMnO2の重量は、チタンジル
コン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3100重量部に対して、
0.1〜0.5重量％の範囲とした。
Ba（Ti1-YZrY）O3に添加するMnO2の重量は、チタンジル
コン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3100重量部に対して、
0.1〜0.5重量％の範囲とした。
つぎに、試料番号25〜30、65〜70、105〜110、145〜1
50において、高誘電率系磁器の主成分となるチタンジル
コン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3の平均粒径を検討し
た。即ち、平均粒径を0.1〜1.0μｍに夫々変化させた。
このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした。また、Ｂサ
イトのモル分率Ｙを0.13とし、Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、
Gd2O3から選ばれる少なくとも１種の化合物、ZnO及びMn
O2の添加量を夫々1.5、1.5及び0.3重量％として固定し
た。
50において、高誘電率系磁器の主成分となるチタンジル
コン酸バリウムBa（Ti1-YZrY）O3の平均粒径を検討し
た。即ち、平均粒径を0.1〜1.0μｍに夫々変化させた。
このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした。また、Ｂサ
イトのモル分率Ｙを0.13とし、Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、
Gd2O3から選ばれる少なくとも１種の化合物、ZnO及びMn
O2の添加量を夫々1.5、1.5及び0.3重量％として固定し
た。
試料番号25〜29、65〜69、105〜109、145〜149（平均
粒径が0.1〜0.9μｍ）では、比誘電率εが13500〜17000
（Pr6O11）、10300〜13800（Tb4O7）、10800〜15800（E
u2O3）12000〜14800（Gd2O3）となり、また焼成温度も1
080〜1200℃となる。これにより、高い比誘電率で且つ
低温焼成可能な高誘電率系磁器組成物が得られる。
粒径が0.1〜0.9μｍ）では、比誘電率εが13500〜17000
（Pr6O11）、10300〜13800（Tb4O7）、10800〜15800（E
u2O3）12000〜14800（Gd2O3）となり、また焼成温度も1
080〜1200℃となる。これにより、高い比誘電率で且つ
低温焼成可能な高誘電率系磁器組成物が得られる。
これに対して、試料番号30、70、110、150（平均粒径
が1.0μｍ）では、比誘電率εが16000（Pr6O11）、1400
0（Tb4O7）、15000（Eu2O3）、14500（Gd2O3）と良好な
結果が得られるものの、焼成温度が1200℃を越え、1250
℃となってしまう。即ち、平均粒径が大きくなるにつれ
て、焼成温度が高くなるとともに、比誘電率εが平均粒
径0.9μｍ（試料番号28、68、108、148）をピークに減
少する。
が1.0μｍ）では、比誘電率εが16000（Pr6O11）、1400
0（Tb4O7）、15000（Eu2O3）、14500（Gd2O3）と良好な
結果が得られるものの、焼成温度が1200℃を越え、1250
℃となってしまう。即ち、平均粒径が大きくなるにつれ
て、焼成温度が高くなるとともに、比誘電率εが平均粒
径0.9μｍ（試料番号28、68、108、148）をピークに減
少する。
従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウム
Ba（Ti1-YZrY）O3の平均粒径を0.9μｍ以下とすること
が、低温焼成の高誘電率系磁器組成物として重要にな
る。
Ba（Ti1-YZrY）O3の平均粒径を0.9μｍ以下とすること
が、低温焼成の高誘電率系磁器組成物として重要にな
る。
上述の実施例によれば、チタンジルコン酸バリウムBa
（Ti1-YZrY）O3を主成分、即ちチタンジルコン酸バリウ
ムカルシウム（Ba1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡ
サイトのモル分率にＸが０であった。
（Ti1-YZrY）O3を主成分、即ちチタンジルコン酸バリウ
ムカルシウム（Ba1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡ
サイトのモル分率にＸが０であった。
そこで、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ba
1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡサイトのモル分率
Ｘを０〜0.11の範囲で変化させた。尚、（Ba1-X,CaX）
（Ti1-YZrY）O3の粒径は0.2μｍ、Ｂサイトのモル分率
Ｙを0.14とし、Pr6O−Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれ
る少なくとも１種の化合物、ZnO及びMnO2の添加量を夫
々1.5、1.5及び0.3重量％として固定した。
1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡサイトのモル分率
Ｘを０〜0.11の範囲で変化させた。尚、（Ba1-X,CaX）
（Ti1-YZrY）O3の粒径は0.2μｍ、Ｂサイトのモル分率
Ｙを0.14とし、Pr6O−Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3から選ばれ
る少なくとも１種の化合物、ZnO及びMnO2の添加量を夫
々1.5、1.5及び0.3重量％として固定した。
試料番号31、71、111、151はチタンジルコン酸バリウ
ムカルシウム（Ba1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡ
サイトのモル分率Ｘを０に設定した。その結果、比誘電
率εが15500（Pr6O11）、13200（Tb4O7）、13900（Eu2O
3）、13800（Gd2O3）となり、誘電損失tanδ、密度、絶
縁抵抗などの高誘電率系磁器組成物の諸特性を満足す
る。また、焼成温度が1120℃と低温焼成も可能なものと
なる。
ムカルシウム（Ba1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡ
サイトのモル分率Ｘを０に設定した。その結果、比誘電
率εが15500（Pr6O11）、13200（Tb4O7）、13900（Eu2O
3）、13800（Gd2O3）となり、誘電損失tanδ、密度、絶
縁抵抗などの高誘電率系磁器組成物の諸特性を満足す
る。また、焼成温度が1120℃と低温焼成も可能なものと
なる。
試料番号32〜36、72〜76、112〜116、152〜156（X:1
〜９モル％）では、比誘電率εが11500〜15000（Pr
6O11）、10100〜13000（Tb4O7）、10200〜13400（Eu
2O3）、10500〜13500（Gd2O3）となり、また、焼成温度
が1120〜1150℃となる。即ち、低温で焼成が可能な高誘
電率系磁器組成物が達成される。
〜９モル％）では、比誘電率εが11500〜15000（Pr
6O11）、10100〜13000（Tb4O7）、10200〜13400（Eu
2O3）、10500〜13500（Gd2O3）となり、また、焼成温度
が1120〜1150℃となる。即ち、低温で焼成が可能な高誘
電率系磁器組成物が達成される。
また、誘電損失tanδ、密度、絶縁抵抗IRも満足できる
特性が得られる。
特性が得られる。
これに対して、試料番号37〜38、77〜78、117〜118、
157〜158（X:0.10、0.11〔10モル％、11モル％〕）で
は、比誘電率εが9800、8500（Pr6O11）、8000、6500
（Tb4O7）、8900、7000（Eu2O3）、9000、7500（Gd
2O3）となり、高誘電率の磁器組成物が達成できない。
157〜158（X:0.10、0.11〔10モル％、11モル％〕）で
は、比誘電率εが9800、8500（Pr6O11）、8000、6500
（Tb4O7）、8900、7000（Eu2O3）、9000、7500（Gd
2O3）となり、高誘電率の磁器組成物が達成できない。
従って、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ba
1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡサイトのモル分率
Ｘは０〜0.1の範囲となる。即ち、チタンジルコン酸バ
リウムBa（Ti1-YZrY）O3において、Baに対するモル分率
として、10モル％を限度としてCaが含有しているチタン
ジルコン酸バリウムカルシウムの酸化物を用いることが
できる。
1-X,CaX）（Ti1-YZrY）O3におけるＡサイトのモル分率
Ｘは０〜0.1の範囲となる。即ち、チタンジルコン酸バ
リウムBa（Ti1-YZrY）O3において、Baに対するモル分率
として、10モル％を限度としてCaが含有しているチタン
ジルコン酸バリウムカルシウムの酸化物を用いることが
できる。
以上のように、本発明によれば、10000以上の比誘電
率εを有し、且つ焼成温度1200℃以下となり、高誘電率
系磁器組成物の諸特性、誘電損失tanδが1.0％以下、絶
縁抵抗（IR）が１×105MΩ以上、密度が5.6g/cm3以上の
高誘電率系磁器組成物を得るには、複合酸化物（Ba1-xC
ax）（Ti1-YZrY）O3と表した時、モル分率で０≦ｘ＜0.
1、0.1＜Ｙ＜0.16であり、さらに、（Ba1-xCax）（Ti
1-YZrY）O3の100重量部に対して、酸化亜鉛をZnO換算で
0.8〜2.0重量％、マンガン化合物をMnO2換算で0.1〜0.5
重量％、さらにプラオセジウム化合物、テルビウム化合
物、ユウロピウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれ
る少なくとも１種の化合物をPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd
2O3換算で0.8〜1.8重量％を含有して成る高誘電率系磁
器組成物となる。
率εを有し、且つ焼成温度1200℃以下となり、高誘電率
系磁器組成物の諸特性、誘電損失tanδが1.0％以下、絶
縁抵抗（IR）が１×105MΩ以上、密度が5.6g/cm3以上の
高誘電率系磁器組成物を得るには、複合酸化物（Ba1-xC
ax）（Ti1-YZrY）O3と表した時、モル分率で０≦ｘ＜0.
1、0.1＜Ｙ＜0.16であり、さらに、（Ba1-xCax）（Ti
1-YZrY）O3の100重量部に対して、酸化亜鉛をZnO換算で
0.8〜2.0重量％、マンガン化合物をMnO2換算で0.1〜0.5
重量％、さらにプラオセジウム化合物、テルビウム化合
物、ユウロピウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれ
る少なくとも１種の化合物をPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd
2O3換算で0.8〜1.8重量％を含有して成る高誘電率系磁
器組成物となる。
最後に、添加するPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3から
選ばれる少なくとも１種、ZnO及びMnO2の添加量が全て
範囲に満たない、すなわち0.7、0.7、及び０重量％の場
合（試料番号39、79、119、159）、比誘電率εが6500
（Pr6O11）、4000（Tb4O7）、4200（Eu2O3）、5000（Gd
2O3）、焼成温度が1220℃となり、誘電損失tanδが2.5
〜3.5％、絶縁抵抗IR、密度までも評価範囲外となって
しまい、実質的実用不可能に近い高誘電率系磁器組成物
となってしまう。
選ばれる少なくとも１種、ZnO及びMnO2の添加量が全て
範囲に満たない、すなわち0.7、0.7、及び０重量％の場
合（試料番号39、79、119、159）、比誘電率εが6500
（Pr6O11）、4000（Tb4O7）、4200（Eu2O3）、5000（Gd
2O3）、焼成温度が1220℃となり、誘電損失tanδが2.5
〜3.5％、絶縁抵抗IR、密度までも評価範囲外となって
しまい、実質的実用不可能に近い高誘電率系磁器組成物
となってしまう。
逆に添加するPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3から選ば
れる少なくとも１種、ZnO及びMnO2の添加量が全て範囲
を越える、即ち1.9、2.1、及び0.6重量％の場合（試料
番号40、80、120、160）、比誘電率εが9000（Pr
6O11）、7000（Tb4O7）、7300（Eu2O3）、7500（Gd
2O3）、誘電損失tanδが1.00％（Pr6O11、Tb4O7）、1.1
0（Eu2O3）、絶縁抵抗IR、密度までも評価範囲外となっ
てしまい、実質的実用不可能に近い高誘電率系磁器組成
物となってしまう。
れる少なくとも１種、ZnO及びMnO2の添加量が全て範囲
を越える、即ち1.9、2.1、及び0.6重量％の場合（試料
番号40、80、120、160）、比誘電率εが9000（Pr
6O11）、7000（Tb4O7）、7300（Eu2O3）、7500（Gd
2O3）、誘電損失tanδが1.00％（Pr6O11、Tb4O7）、1.1
0（Eu2O3）、絶縁抵抗IR、密度までも評価範囲外となっ
てしまい、実質的実用不可能に近い高誘電率系磁器組成
物となってしまう。
以上のように、本発明によれば、複合酸化物（Ba1-xC
ax）（Ti1-YZrY）O3と表した時、モル分率で０≦ｘ＜0.
1、0.1＜Ｙ＜0.16であり、さらに、（Ba1-xCax）（Ti
1-YZyY）O3の100重量部に対して、酸化亜鉛をZnO換算で
0.8〜2.0重量％、マンガン化合物をMnO2換算で0.1〜0.5
重量％、プラオセジウム化合物、テルビウム化合物、ユ
ウロピウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれる少な
くとも１種の化合物をPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gb2O3換
算で0.8〜1.8重量％、を含有して成るため、比誘電率ε
が10000以上で、且つ焼成温度が1200℃以下となる。ま
たその他の諸特性として、誘電損失tanδが1.0％以下、
絶縁抵抗（IR）が１×105MΩ以上、密度が5.6g/cm3以上
の高誘電率系磁器組成物を得ることができる。
ax）（Ti1-YZrY）O3と表した時、モル分率で０≦ｘ＜0.
1、0.1＜Ｙ＜0.16であり、さらに、（Ba1-xCax）（Ti
1-YZyY）O3の100重量部に対して、酸化亜鉛をZnO換算で
0.8〜2.0重量％、マンガン化合物をMnO2換算で0.1〜0.5
重量％、プラオセジウム化合物、テルビウム化合物、ユ
ウロピウム化合物、ガドリウム化合物から選ばれる少な
くとも１種の化合物をPr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gb2O3換
算で0.8〜1.8重量％、を含有して成るため、比誘電率ε
が10000以上で、且つ焼成温度が1200℃以下となる。ま
たその他の諸特性として、誘電損失tanδが1.0％以下、
絶縁抵抗（IR）が１×105MΩ以上、密度が5.6g/cm3以上
の高誘電率系磁器組成物を得ることができる。
これにより、例えば積層セラミックコンデンサを上述
の高誘電率系磁器組成物で構成した場合、小型大容量の
コンデンサが達成でき、焼成温度1200℃以下となり、積
層されたシート間に内部電極として安価な銀−パラジウ
ムを使用することも可能で、安価な積層セラミックコン
デンサの高誘電率系磁器組成物となる。
の高誘電率系磁器組成物で構成した場合、小型大容量の
コンデンサが達成でき、焼成温度1200℃以下となり、積
層されたシート間に内部電極として安価な銀−パラジウ
ムを使用することも可能で、安価な積層セラミックコン
デンサの高誘電率系磁器組成物となる。
Claims (1)
- 【請求項１】複合酸化物（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3と
表した時、モル分率Ｘ、Ｙがそれぞれ、 ０≦Ｘ＜0.1 0.1＜Ｙ＜0.16であり、 さらに、（Ba1-XCaX）（Ti1-YZrY）O3の100重量部に対
して、 酸化亜鉛をZnO換算で、0.8〜2.0重量％、 マンガン化合物をMnO2換算で0.1〜0.5重量％、 さらに、プラオセジウム化合物、テルビウム化合物、ユ
ウロピウム化合物、ガトリウム化合物から選ばれる少な
くとも一種が、Pr6O11、Tb4O7、Eu2O3、Gd2O3換算で0.8
〜1.8重量％含有して成る高誘電率系磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114818A JP2849857B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 高誘電率系磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114818A JP2849857B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 高誘電率系磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412055A JPH0412055A (ja) | 1992-01-16 |
| JP2849857B2 true JP2849857B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=14647455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114818A Expired - Fee Related JP2849857B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 高誘電率系磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849857B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2915217B2 (ja) * | 1992-07-31 | 1999-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| WO2009016860A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Kyocera Corporation | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
| US10349903B2 (en) | 2015-10-20 | 2019-07-16 | Toshiba Medical Systems Corporation | X-ray computed tomography apparatus |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP2114818A patent/JP2849857B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0412055A (ja) | 1992-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0992469B1 (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor | |
| EP0780349B1 (en) | Dielectric ceramic composition and use thereof for a monolithic capacitor | |
| JPH0831284B2 (ja) | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 | |
| JP2849857B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JP3250923B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3250917B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2902925B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2821768B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3250927B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2789110B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JP3228649B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3071449B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6234707B2 (ja) | ||
| JP3301814B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3071452B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6256605B2 (ja) | ||
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPS6227025B2 (ja) | ||
| JPH03115164A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JPH03226909A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JPS6230151B2 (ja) | ||
| JP2895056B1 (ja) | 磁器組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3467813B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP3215003B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63156062A (ja) | 高誘電率磁器組成物及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |