JPH03115164A

JPH03115164A - 高誘電率系磁器組成物

Info

Publication number: JPH03115164A
Application number: JP1252749A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Koizumi; 成一小泉
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1989-09-28
Filing date: 1989-09-28
Publication date: 1991-05-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（ＴｉＩ−７
Ｚｒ　ｙ　）０３もしくはチタンジルコン酸バリウムカ
ルシウム（Ｂａｌ−ＸＣａ　、　）（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒ
ｙ　）０３を主成分とし、サマリウム化合物、酸化亜鉛
、マンガン化合物を添加して得られる高誘電率系磁器組
成物に関するものである。

〔従来の技術〕

高誘電率系磁器組成物は、積層セラミックコンデンサ等
の材料として使用される。具体的には、積層セラミック
コンデンサは、対向内部電極が形成された高誘電率系磁
器組成物の生シートを所定容量になるように複数枚積層
した後、一体的に焼成して構成されている。

このような積層セラミックコンデンサに使用される高誘
電率系磁器組成物は、比誘電率が１００００以上と高い
こと及び低温焼成が可能なことが重要と成ってくる。叩
ち、２５℃における比誘電率が１００００以上にするこ
とにより、対向内部電極間の高誘電率系磁器組成物生シ
ートの厚みや対向面積の極小化が可能となり、積層セラ
ミックコンデンサの小型化が達成できる。

また、低温焼成が可能なこと、即ち１２００℃以下を達
成することにより、対向内部電極の材料の選択幅が増え
、例えば高価なＰｄｌＯＯ％の材料から安価なＰｃｌＡ
ｇの使用が可能となる。

尚、上述していないが、高誘電率系磁器組成物としての
諸性性、誘電損失ｔａｎδ、密度、絶縁抵抗を充分に考
広しなくてはならない。

従来、チタン酸バリウムカルシウム（Ｂａｔ−、Ｃａｘ
　）（Ｔｉｌ−ｙ　Ｚｒｙ　）０：ｌを主成分とした高
誘電率系磁器組成物に、所定量のチタン酸鉛（ＰｂＴｉ
Ｏ＋）、ゲルマン酸鉛（Ｐｂ、Ｇｅ３０□）及びチタン
酸ビスマス（ＢｉＴｉｚＯｒ）を添加した高誘電率系磁
器組成物が知られていた（特開昭５９−２５１０４号公
報）。

この高誘電率系磁器組成物によれば、焼成温度が１２０
０℃以下とすることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕しかし、上述のチタン酸バリウムカルシウム（Ｂａｔ−
ｘ　Ｃａ　ｘ　）（Ｔｉｌ−ｙ　Ｚｒｙ　）０：ｌに所
定量のチタン酸鉛、ゲルマン酸鉛及びチタン酸ビスマス
を添加した高誘電率系磁器組成物は、焼成温度が１２０
０℃以下とすることができるため、例えば、対向内部電
極に安価な銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ：Ａ　ｇ　／　
Ｐ　ｄ　＝　７０　／　３０〜６０／４０）を使用する
ことができるももの、比誘電率が１ｏｏｏｏ未満とな名
ため、小型・大容量の積層セラミックコンデンサの達成
が困難であった。

本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、
具体的には、高い比誘電率が得られ、且つ焼成温度が比
較的低く、さらには誘電損失、密度、絶縁抵抗などの特
性にも優れた高誘電率系磁器組成物を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的を達成するために行った具体的な手段は、複
合酸化物（Ｂａｔ−ｘ　ＣａＸ）（Ｔｌｌ−Ｙ　Ｚｒｖ
　）０３と表した時、モル分率Ｘ、Ｙがそれぞれ、０≦
Ｘ〈０．１．０．１＜Ｙ＜０．１６であり、さらに、（
Ｂａｔ−ｘ　ＣａＸ）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｙ　）Ｏ：
ｔの１００重量部に対して、サマリウム化合物をＳｍｚ
０３換算で０．８〜１．８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ換
算で０．８〜２．０重量％、マンガン化合物をＭｎＯ□
換算で０．１〜０．５重量％の範囲で含有して成る高誘
電率系磁器組成物である。

さらに好ましくは、複合酸化物（Ｂａｔ□ＣａＸ）（Ｔ
ｉｌ−ｖ　Ｚｒｖ　）０：ｌの平均粒径が１μｍ未満と
した高誘電率系磁器組成物である。

〔作用〕

以上のように本発明によれば、高純度（９９゜０％以上
）複合酸化物チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂ
ａｔ−ｘ　Ｃａｘ　）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｙ　）Ｏｚ
と表した時、モル分率は０≦Ｘ＜０．１．０．１＜Ｙ＜
０．１６となるように設定される。この範囲から外れる
、即ち、Ｘ≧０．１．０．１≧Ｙ、Ｙ≧０゜１６である
と、２５℃における比誘電率εが１０００未満と小さく
なり、小型・大容量の積層セラミックコンデンサが達成
できない。

添加するサマリウム化合物、例えばＳｍｚＯ３は、高誘
電率系磁器組成物の絶縁抵抗を向上させ、比誘電率を上
げるものであり、添加量が０．　８重量％（Ｓｍｚ（ｈ
に換算して）未満では比誘電率が低下してしまい、また
、１．８重量％（８１１２０３に換算して）を越えると
、絶縁抵抗特性が低下してしまう。

添加する酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、高誘電率系磁器組成物
の焼成温度を調整するものであり、ＺｎＯが０．８〜２
．０重量％の範囲外では、焼成温度が１２００℃を越え
、焼成後の磁器密度が５．６ｇ／ｃｍ’以下となってし
まう。

添加するマンガン化合物、例えばＭｎＯ□は高誘電率系
磁器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善するものであり、
その添加量が０．１重量％（ＭｎＯ□に換算して）未満
では誘電損失ｔａｎδが２％以上となり、また０、５重
量％（Ｍ　ｎ　Ｏｚに換算して）を越えると、絶縁抵抗
が大きく低下してしまう。

これらの相互作用により、高比誘電率ε１００００以上
の高誘電率系磁器組成物が得られるとともに、また焼成
温度が１２００℃以下と工業的にも製造しやすく、且つ
対向内部電極に安価なｔＪｌｊ−パラジウム（Ａｇ−Ｐ
ｄ　：Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０〜６０／４０）が使用で
きる積層セラミックコンデンサなどに使用できる高誘電
率系磁器組成物が達成される。

さらに高誘電率系磁器組成物として基本的な特性である
誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）が
ｌＸ１０５Ｍｎ以上と充分に満足できる高誘電率系磁器
組成物が達成される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａｌ−、Ｃａ
　Ｘ）（Ｔｉ＋−ｙ　Ｚｒｖ　）０３　　（０≦Ｘ＜０
．１．０．１＜ｙ＜０．１６）で表される複合酸化物を
主成分として、この複合酸化物１００重量部に対して、
サマリウム化合物としてＳｍｚ０３、ＺｎＯ及びマンガ
ン化合物としてＭｎ０ｚの各粉末を表１に示す分率とな
るように秤量し、ボールミルにて２０時時間式粉砕した
後、有機系粘結剤を添加し、しかる後攪拌、ドクターブ
レード法で厚さ３０μｍのテープ状に成型した。このテ
ープを１３０ｍｍＸ　１００ｍｍに裁断し、４０枚重ね
、８０℃でホットプレスで積層体を作成する。

さらに、この積層体の厚さ１ｍｍの板状試料を直径２０
ｍｍの円板状に打ち抜き、酸素雰囲気にて１０５０〜１
２００℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペースト
による電極を焼きつけ試料とした。

このように形成された試料について、比誘電率ε及び誘
電損失ｔａｎδを基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ
、測定電圧１．ＯＶｒｍｓで測定した。また、直流電圧
５０Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定し
た。

その結果を表１に示す。試料番号に＊印を付したものは
本発明の範囲外である。尚、（Ｂａｌ−ｘ　ＣａＸ）（
Ｔｉ＋−ｙ　’ｌｒｖ　）０：ＩのＸ、Ｙのモル分率に
ついては、表中はモル％で示した。

そして本発明の範囲の評価として、比誘電率εは１００００以上を良品とした。即ち、比誘
電率εが１００００未満では、充分な比誘電率が得れず
、これにより積層セラミックコンデンサの小型化が困難
となってしまう。

また、誘電損失ｔａｎδは１．０％以下を良品とした。

即ち、誘電損失ｔａｎδが１．０％を越えると、積層セ
ラミックコンデンサにおいて、誘電損失ｊａｎδ不良と
なり、積層する誘電体層の薄膜化が困難となる。

さらに密度は５．６ｇ／ｃｍ３以上を良品とした。密度
が５．６ｇ／ｃｍ”以下ではこの高誘電率系磁器組成物
を焼成した時に充分に焼成されず、１２００℃以下とい
う低温焼成が困難となることが考えられる。

さらに、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０’ＭΩ以上を良品とし
た。

試料番号１〜５は高誘電率系磁器の主成分となるチタン
ジルコン酸バリウムＢａ　　（Ｔ　ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒ
７）０３のＢサイトのモル分率Ｙについて検討した。即
ち、Ｙを０．０１〜０．１６まで夫々値を変化させた。

このときＡサイトのＸを０とした。

また、添加するＳｍｚＯｌ　、ＺｎＯ、Ｍｎ０ｚの重量
％を夫々１．６．１．５及び０．２に固定した。これは
後述の夫々の添加量で本発明の範囲の中心的な値となる
ものである。

試料番号１（Ｙ：１０モル％）では、焼成温度が１２０
０℃未満となり、誘電損失ｔａｎδ、密度及び絶縁抵抗
が比較的良好な結果となるものの、積層セラミックコン
デンサの小型化を大きく左右する比誘電率εが５５００
と極めて低くなってしまう。

また、試料番号２〜４（Ｙ：１１〜１５モル％）では、
比誘電率εが１０５００以上となり、誘電損失ｔａｎδ
が０．６６％以下、密度が５．８６ｇ／ｃｍ”以上、絶
縁抵抗が３×１０５門Ω以上となる。また、焼成温度が
１１２０°Ｃとなり、低温焼成が可能で、且つ比誘電率
εが高い値の組成物が達成される。

さらに、試料番号５（Ｙ：１６モル％）では、焼成温度
が１２００℃未満となり、誘電損失ｔａｎδ、密度及び
絶縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、積層セラミ
ックコンデンサの小型化に大きく左右する比誘電率εが
７０００と極めて低くなってしまう。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　　（Ｔ　ｉ　Ｉ−Ｙ　Ｚ　ｒ　ｖ　）　０３のＢ
サイトのモル分率Ｙは、充分な比誘電率εを得るために
０゜０１＜Ｙ＜０．１６の範囲とした。

試料番号６〜１１は高誘電率系磁器の主成分となるチタ
ンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔｉ、イＺｒｙ）Ｏ：＋に
添加するＳｍｚＯ，、の量について検討した。即ち、Ｓ
ｍｚＯ３の添加量を０．７〜１．９重量％まで値を夫々
変化させた。このときＡサイトのモル分率ＸをＯとした
。また、ＺｎＯ及びＭｎＯ□の添加量を、夫々１．５及
び０．３重量％に固定した。

試料番号６　（ＳｍｚＯ：＋の添加量：０．７重量％）
では、絶縁抵抗がｌＸ１０’ＭΩと良品の範囲となるが
、比誘電率εが７０００と極めて低く、また焼成温度が
１２００℃と低温焼成が困難となる。

さらに、誘電損失ｔａｎδ及び密度も良好な結果が得ら
れない。

また、試料番号７〜１０　（Ｓｌ１１２０３の添加量：
０゜８〜１．８重量％）では、比誘電率εが１０５００
〜１５０００となり、誘電損失ｔａｎδが０．　６０％
以下、密度が５．　７５　ｇ／ｃｍ３以上、絶縁抵抗が
２Ｘ１０５ＭΩ以上となる。また、焼成温度が１１００
〜１１６０℃となり、低温焼成が可能で、且つ比誘電率
εが高い値の組成物が達成される。

さらに、試料番号１１　（Ｓｌ１１２０３の添加量：１
゜９重量％）では、比誘電率εが１６０００と、焼成温
度が１１００℃と良好な結果が得られるものの、絶縁抵
抗が８Ｘ１０３ＭΩと２桁はど低下してしまう。このよ
うに２桁も絶縁抵抗値が低下してしまい、積層セラミッ
クコンデンサの一般的な規格であるｌＸ１０’ＭΩを満
足しなくなる。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　　（Ｔｉ＋−ｖ　ｚ　ｒｙ　）　０３に添加する
Ｓｍ２Ｏ３の重量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（
Ｔｉ＋−ｙ　Ｚｒｖ）０３１００重量部に対して、０．
８〜１．８重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号１２〜１８は高誘電率系磁器の主成分
となるチタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　ｉ　＋−ｙ
　Ｚ　ｒＹ　）　Ｏｚに添加するＺｎＯの量について検
討した。即ち、ＺｎＯの添加量を０．　７〜２゜１重量
％まで値を夫々変化させた。このときＡサイトのモル分
率ＸをＯとした。また、Ｂサイトのモル分率Ｙを０．１
３とし、Ｓｍ２Ｏ３及びＭｎＯ□の添加量を夫々１．４
及び０．３重量％として固定した。

試料番号１２　（ＺｎＯの添加量二０．７重量％）では
、比誘電率εが５ｏｏｏと低く、また焼成温度が１２０
０℃と低温焼成が困難となる。さらに、誘電損失ｔａｎ
δ、密度及び絶縁抵抗も良好な結果が得られない。

また、試料番号１３〜１７　（ＺｎＯの添加量：０゜８
〜２．０重量％）では、比誘電率εが１１０００〜１６
０００となり、誘電損失ｔａｎδが０．　７０％以下、
密度が５　、　７．３　ｇ　７ｃｍ”以上、絶縁抵抗が
ｌＸ１０５Ｍｎ以上となる。また、焼成温度が１１００
〜１１６０℃となる。即ち、比誘電率εが高い値で、且
つ低温焼成が可能な組成物が達成される。

さらに、試料番号１８　（ＺｎＯの添加量＝２．１重量
％）では、比誘電率εが７５００と低く、また焼成温度
が１２００℃と低温焼成が困難となる。

さらに、誘電損失ｔａｎδ、密度及び絶縁抵抗も良好な
結果が得られない。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　（Ｔ　ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒｖ　）　０３に添加す
るＺｎＯの重量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ
ｉ＋−ｖ　Ｚｒｙ　）　０３１００重量部に対して、０
゜８〜２．０重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号１９〜２３は高誘電率系磁器の主成分
となるチタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　ｉ　＋−ｖ
　Ｚ　ｒ　ｖ　）　Ｏ：Ｉに添加するＭｎＯ，の量につ
いて検討した。即ち、Ｍｎ０ｚの添加量を０〜０．６重
量％まで値を夫々変化させた。このときＡサーイトのモ
ル分率ＸをＯとした。また、Ｂサイトのモル分率Ｙを０
．１３とし、ＳｍｚＯ３及びＺｎＯの添加量を夫々１．
５及び１．６重量％として固定した。

試料番号１９　（ＭｎＯｚの添加量がない）では、比誘
電率εが１４５００となり、また焼成温度が１１４０℃
となり、実際上低温焼成可能な高誘電率系磁器組成物が
得られるものの、誘電損失ｔａｎδが２．５％と極めて
大きいものとなる。これにより、積層する誘電体層の薄
膜化が困難となる。

また、試料番号２０〜２３　（ＭｎＯｚの添加量：０゜
１〜０．５重量％）では、比誘電率εが１２５００〜１
４０００となり、また焼成温度が１１３０℃となる。さ
らに誘電損失ｔａｎδはＭｎＯ□の添加量なしの２．５
％に比較して０．２５〜０．８５％と大幅に改善される
ことになる。これにより、高比誘電率εで且つ低温焼成
可能で、さらに諸性性も良好な組成物が達成される。

さらに、試料番号２４（ＭｎＯ□の添加量＝０．６重量
％）では、比誘電率εが１２０００となり、また焼成温
度が１１３０℃となる。低温焼成でかつ高い比誘電率ε
の高誘電率系磁器組成物が可能となるものの、その他の
諸特性、叩ち誘電損失ｔａｎδが１．５％となり、絶縁
抵抗が９Ｘ１０３ＭΩとなる。絶縁抵抗が９Ｘ１０３Ｍ
Ω程度であり、積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の
一般的な規格を満足しなくなる。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　　（Ｔ　ｉ　＋−ｖ　Ｚ　ｒｙ　）　Ｏｚに添加
するＭｎＯ□の重量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ
（Ｔｉ＋−ｙ　Ｚｒｖ　）　０：１１００重量部に対し
て、０゜１〜０．５重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号２５〜３０において、高誘電率系磁器
の主成分となるチタンジルコン酸バリウムＢ　ａ　（Ｔ
　ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒｙ　）　Ｏ：Ｉの平均粒径を検討
した。即ち、平均粒径を０．１〜１．０μｍに夫々変化
させた。このときＡサイトのモル分率ＸをＯとした。ま
た、Ｂサイトのモル分率Ｙを０゜１３とし、Ｓｍ２０：
＋　、ＺｎＯ及びＭｎＯ２の添加量を夫々１．５．１．
５及び０．　３重量％として固定した。

試料番号２５〜２９（平均粒径が０．　１〜０゜９μｍ
）では、比誘電率εが１１５００〜１６５００となり、
また焼成温度も１１４０〜１２００℃となる。これによ
り、高い比誘電率で且つ低温焼成可能な高誘電率系磁器
組成物が得られる。

これに対して、試料番号３０（平均粒径が１゜０μｍ）
では、比誘電率εが１５０００と良好な結果が得られる
ものの、焼成温度が１２００℃を越え、１２５０℃とな
ってしまう。即ち、平均粒径が太き（なるにつれて、焼
成温度が高くなるとともに、比誘電率εが平均粒径０．
　９μｍ（試料番号２８）をピークに減少する。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
ａ　（Ｔｉ、、Ｚｒ、）０３の平均粒径を０．９μｍ以
下とすることが、低温焼成の高誘電率系磁器組成物とし
て重要になる。

上述の実施例によれば、チタンジルコン酸バリウムＢ　
ａ　（Ｔ　ｉ　＋−ｖ　Ｚ　ｒｙ　）　０３を主成分、
即ちチタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａ１−Ｘ
Ｃａｘ　）（Ｔｉ＋−ｙ　Ｚｒｖ　）Ｏ：ｌにおけるΔ
サイトのモル分率にＸがＯであった。

そこで、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａｔ
−ｘ　、　Ｃａｘ　）　（Ｔｌｌ−Ｙ　Ｚｒｙ　）　Ｏ
：ＩにおけるＡサイトのモル分率Ｘを０〜０．１１の範
囲で変化させた。尚、（Ｂａｔ−ｘ　、Ｃａｘ　）（Ｔ
ｉ＋４　Ｚｒｙ　）０３の粒径は０．２μｍ、Ｂサイト
のモル分率Ｙを０．１４とし、Ｓｍ２Ｏ３　、ＺｎＯ及
び門ｎｏ□の添加量を夫々１．５．１．５及び０．３重
量％として固定した。

試料番号３１はチタンジルコン酸バリウムカルシウム（
Ｂａｔ−Ｘ、Ｃａｘ　）（Ｔｉｌ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３
におけるＡサイトのモル分率ＸをＯに設定した。その結
果、比誘電率εが１４５００となり、誘電損失ｔａｎδ
が０．２５％となり、密度が５゜９２　ｇ　７ｃｍ３と
なり、絶縁抵抗が４Ｘ１０５ＭＧとなり、誘電率系磁器
組成物の諸特性を満足する。

また、焼成温度が１１２０℃と低温焼成も可能なものと
なる。

試料番号３２〜３６（Ｘ：１〜９モル％）では、比誘電
率εが１０５００〜１４５００となり、また、焼成温度
が１１２０〜１１５０℃となる。低温焼成の高誘電率系
磁器組成物が達成される。また、誘電損失ｔａｎδ、密
度、絶縁抵抗ＩＲも満足できる特性が得られる。

これに対して、試料番号３７．３８（Ｘ：１０．１１モ
ル％）では、比誘電率εが９５００．８０００となり、
高誘電率の磁器組成物が達成できない。

従って、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａｔ
−ｘ　、　Ｃａｘ　）　（Ｔ　ｉ＋−ｙ　Ｚ　ｒｙ　）
　（）＋におけるＡサイトのモル分率Ｘは０〜０．１の
範囲となる。即ち、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ
　ｉ　ｒ−ｖ　Ｚ　ｒ　ｙ　）　０３において、Ｂａに
対するモル分率として、０．１　　（１０モル％）を限
度としてＣａが含有しているチタンジルコン酸バリウム
カルシウムの酸化物を用いることができる。

以上のように、本発明によれば、１００００以上の比誘
電率εを有し、且つ焼成温度１２００℃以下となり、高
誘電率系磁器組成物の諸特性、銹電損失ｔａｎδが１．
０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）がｌＸ１０’ＭΩ以上、密
度が５．６ｇ／ｃｎ＋’以上の高誘電率系磁器組成物を
得るには、複合酸化物（ＢａＩ−ｘ　Ｃａｘ　）（ＴＩ
Ｉ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３と表した時、モル分率でＯ≦Ｘ
＜０．１．０−　１＜Ｙ＜０．１６であり、さらに、（
ＢａＩ−ｘ　Ｃａ、　）　（ＴＩＩ−ｙ　Ｚｒｙ　）０
３の１００重量部に対して、サマリウム化合物をＳｍ２
Ｏ３換算で０．８〜１．８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ換
算で０．８〜２．０重量％、マンガン化合物をＭｎＯ２
換算で０．１−０．５重量％を含有して成る高誘電率系
磁器組成物となる。

最後に、添加するＳｍ、０３　、　ＺｎＯ及びＭｎＯ□
の添加量が全て範囲に満たない、すなわち０．　７．０
゜７、及び０重量％の場合（試料番号３９）、比誘電率
εが５０００、焼成温度が１２２０℃となり、誘電損失
ｔａｎδが２．５％、絶縁抵抗ＩＲ１密度までも評価範
囲外となってしまい、実質的実用不可能に近い高誘電率
系磁器組成物となってしまう。

逆に添加するＳｍ２０！　、ＺｎＯ及びＭｎＯ□の添加
量が全て範囲を越える、即ち１．９．２．１、及び０゜
６重量％の場合（試料番号４０）、比誘電率εが８８０
０、誘電損失ｔａｎδが０．９０％、絶縁抵抗ＩＲ，密
度までも評価範囲外となってしまい、実質的実用不可能
に近い高誘電率系磁器組成物となってしまう。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、複合酸化物（ＢａＩ−
ｘ　Ｃａｘ　）（Ｔｉ１−ｙ　Ｚｒｖ　）０３と表した
時、モル分率でＯ≦Ｘ＜０．１．０．１＜Ｙ＜０．１６
であり、さらに、　（ＢａＩ−ｘ　Ｃａｘ　）　（Ｔｉ
ｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３の１００重量部に対して、サマ
リウム化合物をＳｍｚＯ。

換算で０．８〜１．８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で
０．８〜２．０重量％、マンガン化合物をＭｎＯ□換算
で０．１〜０．５重量％を含有して成るため、比誘電率
εが１００００以上で、且つ焼成温度が１２００℃以下
となる。またその他の諸性性として、誘電損失ｔａｎδ
が１．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）がｌＸ１０’ＭΩ以
上、密度が５．　６ｇ／ｃｍ３以上の高誘電率系磁器組
成物を得ることができる。

これにより、例えば積層セラミックコンデンサ−４３６
＝

Claims

【特許請求の範囲】　複合酸化物（Ｂａ＿１＿−＿ＸＣａ＿Ｘ）（Ｔｉ＿１
＿−＿ＹＺｒ＿Ｙ）Ｏ＿３と表した時、モル分率Ｘ、Ｙ
がそれぞれ、０≦Ｘ＜０．１０．１＜Ｙ＜０．１６であり、さらに、（Ｂａ＿１＿−＿ＸＣａ＿Ｘ）（Ｔｉ＿１＿−
＿ＹＺｒ＿Ｙ）Ｏ＿３の１００重量部に対して、サマリウム化合物をＳｍ＿２Ｏ＿３換算で０．８〜１．
８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で０．８〜２．０重量
％、マンガン化合物をＭｎＯ＿２換算で０．１〜０．５
重量％を含有して成る高誘電率系磁器組成物。