JPH03115165A - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（ＴｉｔイＺ
ｒ　ｖ　）０３もしくはチタンジルコン酸バリウムカル
シウム（Ｂａ＋−ｘ　Ｃａ　ｘ　）（Ｔｔｌ−ｙ　Ｚｒ
ｙ　）０３を主成分とし、ランタン化合物、酸化亜鉛、
マンガン化合物を添加して得られる高誘電率系磁器組成
物に関するものである。

〔従来の技術〕

高誘電率系磁器組成物は、積層セラミックコンデンサ等
の材料として使用される。積層セラミックコンデンサは
、対向内部電極が形成された高誘電率系磁器組成物の生
シートを所定容量になるように複数枚積層した後、一体
的に焼成して構成されている。

このような［’セラミックコンデンサに使用される高誘
電率系磁器組成物は、比誘電率が１００００以上と高い
こと及び焼成温度が、例えば１２００℃以下であること
が重要と成ってくる。即ち、２５℃における比誘電率が
１００００以上にすることにより、対向内部電極間の高
誘電率系磁器組成物生シートの厚みや対向面積の極小化
が可能となり、積層セラミックコンデンサの小型化が達
成できる。

また、焼成温度が１２００℃以下にすることより、対向
内部電極の材料の選択幅が増え、例えば高価なＰｄ１０
０％の材料から安価なＰｄ−Ａｇの使用が可能となる。

尚、上述していないが、高誘電率系磁器組成物としての
諸性性、誘電損失ｔａｎδ（１，０％以下）、密度、絶
縁抵抗（ＬＸ−１０５ＭΩ以下）を充分に考慮しな（で
はならない。

従来、チタン酸バリウムカルシウム（Ｂａ、、　Ｃａｘ
　）　（ＴＩＩ−ｖ　Ｚｒｖ　）Ｏ：ｌを主成分とした
高誘電率系磁器組成物に、所定量のチタン酸鉛（ＰｂＴ
ｉＯｚ）、ゲルマン酸鉛（ＰｂＳＧｅ３０１１）及びチ
タン酸ビスマス（ＢｉＴｉ　２０７）を添加した高誘電
率系磁器組成物が知られていた（特開昭５９−２５１０
４号公報）。

この高誘電率系磁器組成物によれば、焼成温度が１２０
０℃以下とすることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上述のチタン酸バリウムカルシウム（Ｂａｌ−
ｘ　Ｃａ　ｘ　）（ｈ＋−ｙ　Ｚｒ、　）ｏｚに所定量
のチタン酸鉛、ゲルマン酸鉛及びチタン酸ビスマスを添
加した高誘電率系磁器組成物は、焼成温度が１２００℃
以下とすることができるため、例えば、対向内部電極に
安価な銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ：Ａ　ｇ／　Ｐ　ｄ
　＝　７０　／　３０〜６０／４０）を使用することが
できるももの、比誘電率が１００００未満となるため、
小型・大容量の積層セラミックコンデンサの達成が困難
であった。

本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、
具体的には、高い比誘電率が得られ、且つ焼成温度が比
較的低く、さらには誘電損失、密度、絶縁抵抗などの特
性にも優れた高誘電率系磁器組成物を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的を達成するために行った具体的な手段は、複
合酸化物（Ｂａｒ−ｘ　ＣａＸ）　（Ｔｔ　＋−ｖ　Ｚ
ｒｙ　）０：１と表した時、モル分率Ｘ、Ｙがそれぞれ
、０≦Ｘ〈０．１、０．１＜Ｙ＜０．１６であり、さら
に、（Ｂａｌ−ｘ　Ｃａ、　）　（Ｔｔ＋−ｙ　Ｚｒｖ
　）Ｏ：ｌの１００重量部に対して、ランタン化合物を
Ｌａ２０．換算で０．８〜１゜８重量％、酸化亜鉛をＺ
ｎＯ換算で０．８〜２．０重量％、マンガン化合物を？
１ｎｏ□換算で０．１〜０．５重量％の範囲で含有して
成る高誘電率系磁器組成物である。

さらに好ましくは、複合酸化物（Ｂａｌ−ＸＣａＸ）（
ＴＩＩ−ｙ　Ｚｒｙ　）０３の平均粒径が１μｍ未満と
した高誘電率系磁器組成物である。

〔作用〕

以上のように本発明によれば、高純度（９９゜０％以上
）複合酸化物チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂ
ａｌ−ｘ　ＣａＸ）　（ＴＩＩ−ｙ　Ｚｒｙ　）０３と
表した時、モル分率が０≦Ｘ＜０．１．０．１＜Ｙ＜０
．１６となるように設定される。この範囲から外れる、
即ち、Ｘ≧０．１．０．１≧Ｙ、Ｙ≧０゜１６であると
、２５℃における比誘電率εが１０００未満と小さくな
り、小型・大容量の積層セラミックコンデンサが達成で
きない。

添加するランダン化合物、例えばＬａ２Ｏ２は、高誘電
率系磁器組成物の絶縁抵抗を向上させ、比誘電率を上げ
るものであり、添加量が０．　８重量％（Ｌａ２０３に
換算して）未満では比誘電率が低下してしまい、また、
１．８重量％（ＬａｚＯ３に換算して）を越えると、絶
縁抵抗特性が低下してしまう。

添加する酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、高誘電率系磁器組成物
の焼成温度を調整するものであり、ＺｎＯが０．８〜２
．０重量％の範囲外では、焼成温度が１２００℃を越え
、焼成後の磁器密度が５．６ｇ／ｃｍ’以下となってし
まう。

添加するマンガン化合物、例えばＭｎＯ□は高誘電率系
磁器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善するものであり、
その添加量が０．１重量％（ＭｎＯ□に換算して）未満
では誘電損失ｔａｎδが２％以上となり、また０．５重
量％（ＭｎＯｚに換算して）を越えると、絶縁抵抗が大
きく低下してしまう。

これらの相互作用により、高比誘電率ε１００００以上
の高誘電率系磁器組成物が得られるとともに、また焼成
温度が１２００℃以下と工業的にも製造しやすく、且つ
対向内部電極に安価な銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ　：
Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０〜６０／４０）が使用できる積
層セラミックコンデンサなどに使用できる高誘電率系磁
器組成物が達成される。

さらに高誘電率系磁器組成物として基本的な特性である
誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）が
ｌＸ１０’ＭΩ以上と充分に満足できる高誘電率系磁器
組成物が達成される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａ＋−ｘ　Ｃ
ａ　ｘ　）（Ｔｉ＋−ｖ　Ｚｒｙ　）０３　　（０≦Ｘ
＜Ｏ，ｌ、０．１＜Ｙ＜０．１６）で表される複合酸化
物を主成分として、この複合酸化物１００重量部に対し
て、ランタン化合物としてＬａ２Ｏ３、ＺｎＯ及びマン
ガン化合物としてＭｎＯ□の各粉末を表１に示す分率と
なるように秤量し、ボールミルにて２０時時間式粉砕し
た後、有機系粘結剤を添加し、しかる後攪拌、ドクター
ブレード法で厚さ３０μｍのテープ状に成型した。この
テープを１３０ｍｍＸ１００ｍｍに裁断し、４０枚重ね
、８０℃でホットプレスで積層体を作成する。

さらに、この積層体の厚さ１ｍｍの板状試料を直径２０
ｍｍの円板状に打ち抜き、酸素雰囲気にて１０５０−１
２００℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペースト
による電極を焼きっけ試料とした。

このように形成された試料について、比誘電率ε及び誘
電損失ｔａｎδを基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ
、測定電圧１．ＯＶｒｍｓで測定した。また、直流電圧
５０Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定し
た。

その結果を表１に示す。試料番号に＊印を付したものは
本発明の範囲外である。尚、（Ｂａ＋−ｘ　Ｃａｘ　）
（Ｔｉ＋−ｙ　’ｌｒｖ　）ＯｘのＸ、Ｙのモル分率に
ついては、表中はモル％で示した。

そして本発明の範囲の評価として、 比誘電率εは１００００以上を良品とした。即ち、比誘
電率εが１００００未満では、充分な比誘電率が得れず
、これにより積層セラミックコンデンサの小型化が困難
となってしまう。

また、誘電損失ｔａｎδは１．　０％以下を良品とした
。即ち、誘電損失ｔａｎδが１．　０％を越えると、積
層セラミックコンデンサにおいて、誘電損失ｊａｎδ不
良となり、誘電体層のｉＶ　ＩＱ化が困難となる。

さらに密度は５．６ｇ／ｃｍ３以上を良品とした。密度
が５−　６ｇ／ｃｍ’以下ではこの高誘電率系磁器組成
物を焼成した時に充分に焼成されず、１２００℃以下と
いう低温焼成が困難となることが考えられる。

さらに、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０’ＭΩ以上を良品とし
た。

試料番号１〜５は高誘電率系磁器の主成分となるチタン
ジルコン酸バリウムＢａ　　（Ｔｉ、ｙ　Ｚｒヶ）０３
のＢサイトのモル分率Ｙについて検討した。即ち、Ｙを
０．０１〜０．１６まで夫々値を変化させた。このとき
ＡサイトのＸをＯとした。

また、添加するＬａｚＯ３、ＺｎＯ、Ｍｎ０ｚの重量％
を夫々１．　６．１．５及び０．２に固定した。これは
後述の夫々の添加量で本発明の範囲の中心的な値となる
ものである。

試料番号１（Ｙ：１０モル％）では、焼成温度が１２０
０℃未満となり、誘電損失ｔａｎδ、密度及び絶縁抵抗
が比較的良好な結果となるものの、積層セラミックコン
デンサの小型化を大きく左右する比誘電率εが５６００
と極めて低くなってしまう。

また、試料番号２〜４（Ｙ：１１〜１５モル％）では、
比誘電率εが１０３００〜１２８００になり、１１２０
℃で焼成可能な高誘電率系磁器組成物が達成できる。ま
た、誘電損失ｔａｎδが０゜６１％以下、密度が５．　
８５　ｇ／ｃｍ３以上、絶縁抵抗が３Ｘ１０５ＭΩ以上
となる。

さらに、試料番号５（Ｙ：１６モル％）では、焼成温度
が１２００℃未満となり、誘電損失ｔａｎδ、密度及び
絶縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、積層セラミ
ックコンデンサの小型化に大きく左右する比誘電率εが
６８００と極めて低くなってしまう。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　　（Ｔ　ｉ＋−ｙ　Ｚ　ｒｖ　）　０３のＢサイ
トのモル分率Ｙは、充分な比誘電率εを得るために０゜
０１＜Ｙ＜０．１６の範囲とした。

試料番号６〜１１は高誘電率系磁器の主成分となるチタ
ンジルコン酸バリウムＢａ　　（Ｔｉ、−ｙ　Ｚｒｙ）
Ｏ，＋に添加するＬａ２０．の量について検討した。即
ち、Ｌａ２Ｏ３の添加量を０．７〜１．９まで値を夫々
変化させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした
。また、ＺｎＯ及びｔ’ｌｎｏ□の添加量を、夫々１．
５及び０．３重量％に固定した。

試料番号６　（Ｌａ２０．３の添加量二０．７重量％）
では、絶縁抵抗がｌＸ１０５Ｍｎと良品の範囲となるが
、比誘電率εが６０００と極めて低く、また焼成温度が
１２００℃と低温焼成が困難となる。

さらに、誘電損失ｔａｎδ及び密度も良好な結果が得ら
れない。

また、試料番号７〜１０　（ｔ、ａ２ｏ、の添加量：０
゜８〜１．　８重量％）では、比誘電率εが１０３００
〜１５３００となり、誘電損失ｔａｎδが０．　７０％
以下、密度が５．　７２　ｇ／ｃｍ１以上、絶縁抵抗が
１×１０５ＭΩ以上となる。また、焼成温度が１１００
〜１１６０℃となり、低温焼成が可能で、且つ比誘電率
εが高い値の組成物が達成される。

さらに、試料番号１１　　（ｔ、ａ２ｏ３の添加量＝１
゜９重量％）では、比誘電率εが１５８００と、焼成温
度が１１００℃と良好な結果が得られるものの、絶縁抵
抗が９×１０３ＭΩと２桁はど低下してしまう。このよ
うに２桁も絶縁抵抗値が低下してしまうと、積層セラミ
ックコンデンサにおいて、−船釣な規格である９×１０
３ＭΩを満足しなくなる。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　（Ｔ　ｉ　＋−ｖ　Ｚ　ｒ　Ｙ　）　Ｏ：Ｉに添
加するＬａ２Ｏ３の重量は、チタンジルコン酸バリウム
Ｂａ（Ｔ　ｉ＋−ｙ　Ｚ　ｒｙ　）　Ｏ：ｌ　ｌ　Ｏ０
重量部に対して、０．８〜１．　８重量％の範囲とした
。

つぎに、試料番号１２〜１８は高誘電率系磁器の主成分
となるチタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　ｉ　、ｖ　
Ｚ　ｒｖ　）　０３に添加するＺｎＯの量について検討
した。即ち、ＺｎＯの添加量を０．７〜２゜１まで値を
夫々変化させた。このときＡサイトのモル分率ＸをＯと
した。また、Ｂサイトのモル分率Ｙを０．１３とし、Ｌ
ａｚＯ：ｉ及びＭｎＯ□の添加量を夫々１．４及び０．
３重量％として固定した。

試料番号１２　（ＺｎＯの添加量：０．７重量％）では
、比誘電率εが７０００と低く、また焼成温度が１２０
０℃と低温焼成が困難となる。さらに、誘電損失ｔａｎ
δ、密度及び絶縁抵抗も良好な結果が得られない。

また、試料番号１３〜１７　（ＺｎＯの添加量二０゜８
〜２．０重量％）では、比誘電率εが１０５００〜１５
５００となり、誘電損失ｔａｎδが０．８５％以下、密
度が５．　７２　ｇ／ｃｍ３以上、絶縁抵抗がｌＸ１０
’ＭΩ以上となる。また、焼成温度が１１２０〜１１６
０℃となる。即ち、比誘電率εが高い値で、且つ低温焼
成が可能な組成物が達成される。

さらに、試料番号１８　（ＺｎＯの添加量＝２．１重量
％）では、比誘電率εが７０００と極めて低く、また焼
成温度が１２００℃となり、低温焼成が困難となる。さ
らに、誘電損失ｔａｎδ、密度及び絶縁抵抗も良好な結
果が得られない。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
ａ　（Ｔｉ＋−ｙ　Ｚｒｙ　）Ｏ，に添加するＺｎＯの
重量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔｉ＋−ｖ　
Ｚｒｙ）０３ｉｏｏ重量部に対して、０゜８〜２．　０
重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号１９〜２４は高誘電率系磁器の主成分
となるチタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　ｉ　＋−ｖ
　Ｚ　ｒ　ｖ　）　０３に添加するＭｎＯ□の量につい
て検討した。即ち、ＭｎＯ２の添加量を０〜０．６まで
値を夫々変化させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを
Ｏとした。また、Ｂサイトのモル分率Ｙを０．１３とし
、ＬａｚＯ：＋及びＺｎＯの添加量を夫々１．５及び１
．６重量％として固定した。

試料番号１９　（ＭｎＯ２の添加量がない）では、比誘
電率εが１５０００となり、また焼成温度が１１４０℃
となり、実際上低温焼成可能な高誘電率系磁器組成物が
得られるものの、誘電損失ｔａｎδが２．４％と極めて
大きいものとなる。これにより、誘電体層の薄膜化が困
難となる。

また、試料番号２０〜２３　（ＭｎＯｚの添加量：０゜
１〜０．５重量％）では、比誘電率εが１２０００〜１
４６００となり、また焼成温度が１１３０℃となる。さ
らに誘電損失ｔａｎδはＭｎＯ□の添加量なしく試料番
号１９）の２．４％に比較して０゜２０−０．８０と大
幅に改善されることになる。

これにより、高比誘電率εで且つ低温焼成可能で、さら
に諸性性も良好な組成物が達成される。

さらに、試料番号２４　（ＭｎＯ２の添加量：０．６重
量％）では、比誘電率εが１０５００となり、また焼成
温度が１１３０℃となる。低温焼成でかつ高い比誘電率
εの高誘電率系磁器組成物が可能となるものの、その他
の諸特性、即ち誘電損失ｔａｎδが１．６％となり、絶
縁抵抗が９×１０３ＭΩとなる。絶縁抵抗が９Ｘ１０’
ＭΩ程度であると精層セラミックコンデンサにおいて絶
縁抵抗の一般的な規格を満足しな（なる。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
ａ　　（Ｔｉ、、ＺｒＶ）Ｏ，に添加するＭｎＯ□の重
量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚ
ｒｙ　）　０３１００重量部に対して、０゜１〜０．５
重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号２５〜３０において、高誘電率系磁器
の主成分となるチタンジルコン酸バリウムＢ　ａ　（Ｔ
　ｉ　ｒ−ｖ　Ｚ　ｒ　ｖ　）　０３の平均粒径を検討
した。即ち、平均粒径を０．１〜１．０μｍに夫々変化
させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを０とした。ま
た、Ｂサイトのモル分率Ｙを０゜１３とし、ＬａｚＯ：
＋　、ＺｎＯ及びＭｎＯ□の添加量を夫々１．５．１．
５及び０．３重量％として固定した。

試料番号２５〜２９（平均粒径が０．１〜０゜９μｌ１
１）では、比誘電率εが１１０００〜１６０００となり
、また焼成温度も１０８０〜１２００℃となる。これに
より、高い比誘電率で且つ低温焼成可能な高誘電率系磁
器組成物が得られる。

これに対して、試料番号３０（平均粒径が１゜０μｍ）
では、比誘電率εが１５３００と良好な結果が得られる
ものの、焼成温度が１２００℃を越え、１２５０℃とな
ってしまう。即ち、平均粒径が大きくなるにつれて、焼
成温度が高くなるとともに、比誘電率εが平均粒径０．
９μｍ（試料番号２８）をピークに減少する。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　（Ｔ　ｉ　＋−ｖ　Ｚ　ｒ　Ｙ　）　Ｏ：ｌの平
均粒径を０．９μｍ以下とすることが、低温焼成の高誘
電率系磁器組成物として重要になる。

上述の実施例によれば、チタンジルコン酸バリウムＢ　
ａ　（Ｔ　ｉ　Ｉ−Ｙ　Ｚ　ｒ　ｖ　）　Ｏ：ｌを主成
分、即ちチタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａｌ
−ｘＣａｘ　）　　（Ｔ　ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒＹ　）　
０３におけるＡサイトのモル分率にＸがＯであった。

そこで、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａｔ
−ｘ　、　Ｃａｘ　）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｙ　）　Ｏ
：ｌにおけるＡサイトのモル分率Ｘをθ〜０．１１の範
囲で変化させた。尚、（Ｂａｔ−ｘ、Ｃａ）（）（Ｔｉ
ｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）Ｏｘの粒径は０．２μｍ、Ｂサイト
のモル分率Ｙを０．１４とし、Ｌａ２Ｏ３、ＺｎＯ及び
ＭｎＯ２の添加量を夫々１．５．１．５及び０．　３重
量％として固定した。

試料番号３１はチタンジルコン酸バリウムカルシウム（
ＢａＩ−ｘ　、Ｃａｘ　）（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０
３におけるＡサイトのモル分率Ｘを０に設定した。　そ
の結果、比誘電率εが１４０００となり、誘電損失ｔａ
ｎδが０．２５％となり、密度が５゜９０ｇ／ｃｍ３と
なり、絶縁抵抗が４×１０５ＭΩとなり、誘電率系磁器
組成物の諸特性を満足する。

また、焼成温度が１１２０℃と低温焼成も可能なものと
なる。

試料番号３２〜３６（ｘ：１〜９モル％）では、比誘電
率εが１０３００〜１３５００となり、また、焼成温度
が１１２０〜１１５０℃となる。即ち、低温で焼成が可
能な高誘電率系磁器組成物が達成される。

また、誘電損失ｔａｎδ、密度、絶縁抵抗ＩＲも満足で
きる特性が得られる。

これに対して、試料番号３７．３８（ｘ：０゜１０．０
．１１［１０モル％、１１モル％〕）では、比誘電率ε
が９０００．７０００となり、高誘電率の磁器組成物が
達成できない。

従って、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａｔ
−ｘ、　ＣａＸ）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｙ）　Ｏ：Ｉに
おけるＡサイトのモル分率Ｘは０〜０．１の範囲となる
。即ち、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　ｉ　＋−
ｙ　Ｚ　ｒ　ｙ　）　Ｃｈにおいて、Ｂａに対するモル
分率として、１０モル％を限度としてＣａが含有してい
るチタンジルコン酸バリウムカルシウムの酸化物を用い
ることができる。

以上のように、本発明によれば、１００００以上の比誘
電率εを有し、且つ焼成温度１２００℃以下となり、高
誘電率系磁器組成物の諸特性、誘電損失ｔａｎδが１．
　０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）が１Ｘ１０’ＭΩ以上、
密度が５−　６ｇ／ｃｍ３以上の高誘電率系磁器組成物
を得るには、複合酸化物（Ｂａ＋−ｘ　Ｃａｘ　）　（
Ｔｉｊ−ｙ　Ｚｒｙ　）０３と表した時、モル分率でＯ
≦ｘ＜０．１．０−　１＜Ｙ＜０．１６であり、さらに
、　（ａａ＋−ｘ　Ｃａｘ　）（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　
）０３の１００重量部に対して、ランタン化合物をＬａ
２Ｏ３換算で０．８〜１．８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ
換算で０．８〜２．０重量％、マンガン化合物をＭｎＯ
□換算で０．１〜０．５重量％を含有して成る高誘電率
系磁器組成物となる。

最後に、添加するＬａｚＯ３、ＺｎＯ及びＭｎＯ□の添
加量が全て範囲に満たない、すなわち０．７．０゜７、
及び０重量％の場合（試料番号３９）、比誘電率εが４
０００、焼成温度が１２２０℃となり、誘電損失ｔａｎ
δが３．０％、絶縁抵抗ＩＲ１密度までも評価範囲外と
なってしまい、実質的実用不可能に近い高誘電率系磁器
組成物となってしまう。

逆に添加するＬａｚＯ：ｉ　％　ＺｎＯ及びＭｎＯ□の
添加量が全て範囲を越える、即ち１．９．２．１、及び
０゜６重量％の場合（試料番号４０）、比誘電率εが７
５００、誘電損失ｔａｎδが０．９０％、絶縁抵抗ＩＲ
１密度までも評価範囲外となってしまい、実質的実用不
可能に近い高誘電率系磁器組成物となってしまう。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、複合酸化物（Ｂａ、Ｘ
ＣａＸ）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｙ　）０：ｓと表した時
、モル分率で０≦ｘ＜０．１．０．１＜Ｙ＜０．１６で
あり、さらに、（Ｂａｌ−ｘ　Ｃａｘ　）（Ｔｉ、、　
Ｚｒ、　）Ｏ，の１００重量部に対して、ランタン化合
物をＬａ２Ｏ３換算で０．８〜１．８重量％、酸化亜鉛
をＺｎＯ換算で０゜８〜２．０重量％、マンガン化合物
をＭｎＯ２換算でＯ０１〜０．５重量％を含有して成る
ため、比誘電率εが１００００以上で、且つ焼成温度が
１２００℃以下となる。またその他の諸物件として、誘
電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）がｌ
Ｘ１０５ＭΩ以上、密度が５−　６ｇ／ｃｍ’以上の高
誘電率系磁器組成物を得ることができる。

これにより、例えば積層セラミックコンデンサを上述の
高誘電率系磁器組成物で構成した場合、小型大容量のコ
ンデンサが達成でき、焼成温度１２００℃以下となり、
積層されたシート間に内部電極として安価な銀−パラジ
ウムを使用することも可能で、安価な積層セラミックコ
ンデンサの高誘電率系磁器組成物となる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　複合酸化物（Ｂａ＿１＿−＿ＸＣａ＿Ｘ）（Ｔｉ＿１
   ＿−＿ＹＺｒ＿Ｙ）Ｏ＿３と表した時、モル分率Ｘ、Ｙ
   がそれぞれ、 ０≦Ｘ＜０．１ ０．１＜Ｙ＜０．１６であり、 さらに、（Ｂａ＿１＿−＿ＸＣａ＿Ｘ）（Ｔｉ＿１＿−
   ＿ＹＺｒ＿Ｙ）Ｏ＿３の１００重量部に対して、 ランタン化合物をＬａ＿２Ｏ＿３換算で０．８〜１．８
   重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で０．８〜２．０重量％
   、マンガン化合物をＭｎＯ＿２換算で０．１〜０．５重
   量％を含有して成る高誘電率系磁器組成物。