JPH0311097B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0311097B2
JPH0311097B2 JP60227202A JP22720285A JPH0311097B2 JP H0311097 B2 JPH0311097 B2 JP H0311097B2 JP 60227202 A JP60227202 A JP 60227202A JP 22720285 A JP22720285 A JP 22720285A JP H0311097 B2 JPH0311097 B2 JP H0311097B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film electrode
electrode array
misalignment
predetermined pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60227202A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6286741A (ja
Inventor
Akira Kawai
Shigeo Uotani
Junji Myazaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP60227202A priority Critical patent/JPS6286741A/ja
Publication of JPS6286741A publication Critical patent/JPS6286741A/ja
Publication of JPH0311097B2 publication Critical patent/JPH0311097B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、たとえば半導体素子の製造工程に
おいて基板上に所定のパターンを形成するとき、
そのパターンと基板との間の位置合わせずれ量を
評価するための方法に関する。
[従来の技術] 第2図は、従来の位置合わせずれ量評価方法を
説明するための図である。従来、パターンの位置
合わせずれ量は、以下のようにして評価されてい
た。まず、予め基板上に、たとえばエツチング等
の手法によつて一定のピツチで配列された複数個
の凹部1を形成しておく。次に、所定のパターン
を基板上に形成する際、縮小投影露光器などを介
して感光性樹脂などからなる複数個の凸部2を形
成する。この凸部2は、上述した凹部1に対応す
る位置に形成され、かつ凹部1とは異なつたピツ
チで配列されている。したがつて、凹部1と凸部
2とは或る位置のところでその中心線が一致す
る。第2図においては、最も左側に位置する凹部
1と凸部2とがそのそれぞれの中心線を一致させ
ている。こうして、従来では、凹部1の中心線と
凸部2の中心線がどの位置で一致するのかを目視
により確認することによつて、パターンの位置合
わせずれ量を読取つていた。
[発明が解決しようとする問題点] このように従来の評価方法では、凹部と凸部の
それぞれの中心線が一致しているか否かを目視に
よつて判断しているので、たとえば観察者が異な
ればその判断も異なつてくることがある。さら
に、目視によつて判断するものであるが、その判
断に時間を要し、作業能率の低下をきたすなどの
問題点があつた。
それゆえに、この発明の目的は、評価にあたつ
て人為差がなく、しかも正確に評価でき、かつ作
業能率の向上も期待できる、パターンの位置合わ
せずれ量評価方法を提供することである。
[問題点を解決するための手段] この発明は、基板上に所定のパターンを形成す
るとき、そのパターンと基板との間の位置合わせ
ずれ量を評価するための方法であつて、以下のこ
とを特徴とする。
予め基板上に、一定のピツチで配列され、かつ
それぞれが導電性を有する第1の薄膜電極列を形
成しておく。そして、所定のパターンを形成する
際、上記第1の薄膜電極列に対応する位置に第1
の薄膜電極列とは異なつたピツチで配列され、か
つそれぞれが導電性を有する第2の薄膜電極列を
形成する。こうして、第1の薄膜電極列と第2の
薄膜電極列との電気的導通状態によつて、所定の
パターンの位置合わせずれ量を評価する。
[作用] 第1の薄膜電極列のピツチと第2の薄膜電極列
のピツチとが異なつているので、それらは必ずど
こかで接触する。その接触した位置では、第1の
薄膜電極と第2の薄膜電極とが電気的導通状態に
ある。したがつて、どの電極が電気的導通状態に
なつているかによつてパターンの位置合わせずれ
量を評価することができる。
[実施例] 第1図はこの発明の一実施例を説明するための
図である。基板上に所定のパターンを形成するの
に先立ち、予め基板上に、それぞれが導電性を有
する金属からなる第1の薄膜電極列3を形成して
おく。各薄膜電極列3は、一定のピツチで配列さ
れている。
次に、所定のパターンを形成する際、第1の薄
膜電極列3に対応する位置にこの第1の薄膜電極
列とは異なつたピツチで配列されるように第2の
薄膜電極列4を形成する。この第2の薄膜電極列
4も、それぞれが導電性を有する金属から作られ
ている。また、図示するように、第1の薄膜電極
列3のそれぞれはその一方端に接続端子5を有
し、また第2の薄膜電極列4もそれぞれの一方端
に接続端子6を有している。
第1の薄膜電極列3と第2の薄膜電極列4と
は、そのピツチが異なつているので、必ずどこか
の位置でそれらが互いに接触する。第1の薄膜電
極列3の接続端子5および第2の薄膜電極列4の
接続端子6は、プローバ端子が置かれ、そこから
電流が流される。したがつて、第1の薄膜電極3
と第2の薄膜電極4とが接触状態にあれば、それ
らは電気的導通状態となり、それゆえに第1の薄
膜電極と第2の薄膜電極とがどの位置で接触した
かを電気的に検出することができる。第1図に示
した例では、第1の薄膜電極列3および第2の薄
膜電極列4はそれぞれ上から3番目および4番目
の電極が接触状態にあり、したがつてその様子が
電気的に検出される。
こうして、第1の薄膜電極列と第2の薄膜電極
列とがどの位置で電気的導通状態になるかによつ
て、パターンの位置合わせずれ量を評価すること
ができる。
なお、図示した実施例では、第1の薄膜電極3
および第2の薄膜電極4がそれぞれ長方形形状と
なつているが、そのような形状に限られるもので
はなく、たとえば菱形などのような接触感度の高
くなる形状にしてもよい。さらに、第1の薄膜電
極3および第2の薄膜電極4がそれぞれ金属から
作られていたが、導電性を有する材料であるなら
ば金属以外のものからそれらの電極を作るように
してもよい。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、第1の薄膜
電極列と第2の薄膜電極列との電気的導通状態に
よつて所定のパターンの位置合わせずれ量を評価
するものであるので、従来の目視による観察とは
異なり、作業者による差は無くなり、しかも正確
な評価および作業能率の向上を実現することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例を説明するため
の図であり、第1の薄膜電極列および第2の薄膜
電極列の配列状態を示している。第2図は、従来
の位置合わせずれ量評価方法を説明するための図
であり、評価用凹部および評価用凸部の配列状態
を示している。 図において、3は第1の薄膜電極列、4は第2
の薄膜電極列を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基板上に所定のパターンを形成するとき、そ
    のパターンと基板との間の位置合わせずれ量を評
    価するための方法であつて、 予め基板上に、一定のピツチで配列され、かつ
    それぞれが導電性を有する第1の薄膜電極列を形
    成しておき、 前記所定のパターンを形成する際、前記第1の
    薄膜電極列に対応する位置に前記第1の薄膜電極
    列とは異なつたピツチで配列され、かつそれぞれ
    が導電性を有する第2の薄膜電極列を形成し、 前記第1の薄膜電極列と前記第2の薄膜電極列
    との電気的導通状態によつて所定のパターンの位
    置合わせずれ量を評価する、パターンの位置合わ
    せずれ量評価方法。
JP60227202A 1985-10-11 1985-10-11 パタ−ンの位置合わせずれ量評価方法 Granted JPS6286741A (ja)

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JP60227202A JPS6286741A (ja) 1985-10-11 1985-10-11 パタ−ンの位置合わせずれ量評価方法

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JP60227202A JPS6286741A (ja) 1985-10-11 1985-10-11 パタ−ンの位置合わせずれ量評価方法

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JPS6286741A JPS6286741A (ja) 1987-04-21
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2145630A2 (en) 2003-03-18 2010-01-20 Suntory Holdings Limited Angiotensin-converting enzyme inhibitory peptides

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JP2008270277A (ja) 2007-04-16 2008-11-06 Nec Electronics Corp 位置ずれ検出パターン、位置ずれ検出方法および半導体装置
JP2012023238A (ja) 2010-07-15 2012-02-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の設計方法

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EP2145630A2 (en) 2003-03-18 2010-01-20 Suntory Holdings Limited Angiotensin-converting enzyme inhibitory peptides

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JPS6286741A (ja) 1987-04-21

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