JPH029170A - オーミック電極 - Google Patents
オーミック電極Info
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- JPH029170A JPH029170A JP16026388A JP16026388A JPH029170A JP H029170 A JPH029170 A JP H029170A JP 16026388 A JP16026388 A JP 16026388A JP 16026388 A JP16026388 A JP 16026388A JP H029170 A JPH029170 A JP H029170A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ｎ型ＧａＡｓ基板上に形成されるオーミッ
ク電極に関するものである。
ク電極に関するものである。
化合物半導体素子に電極を形成する方法として、オーミ
ック電極形成技術がある。金属と半導体とを接触させた
とき、■界面でのキャリアの再結合速度か非常に速い場
合、■ショットキー障壁が十分低い場合、■キャリアが
トンネルできるほど障壁が十分薄い場合はオーミック接
触になる（ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ。
ック電極形成技術がある。金属と半導体とを接触させた
とき、■界面でのキャリアの再結合速度か非常に速い場
合、■ショットキー障壁が十分低い場合、■キャリアが
トンネルできるほど障壁が十分薄い場合はオーミック接
触になる（ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ。
７１０）。このオーミック接触の最も一般的な方法とし
て、合金化法（ａｌｌｏｙｅｄ ｏｈｍｊｃ ｃｏｎｔ
ａｃｔ ）がある。これは、規程かの合金を披石し、熱
処理により半導体と合金化させオーミックにするもので
、ベース金属としてＡｕ、Ａｇ、Ｉ ｎなどを用い、ド
ーパントとしてｎ形には、５ｉＳＧｅ。
て、合金化法（ａｌｌｏｙｅｄ ｏｈｍｊｃ ｃｏｎｔ
ａｃｔ ）がある。これは、規程かの合金を披石し、熱
処理により半導体と合金化させオーミックにするもので
、ベース金属としてＡｕ、Ａｇ、Ｉ ｎなどを用い、ド
ーパントとしてｎ形には、５ｉＳＧｅ。
Ｓｎ、５ｅＳＴｅを、ｐ形には、ＺｎＳＣｄ。
Ｂｅ、Ｍｇを添加したものが多く使用されている。
この中でも特に、ｎ型ＧａＡｓ基板にＡ ｕ ｓ Ｇ
ｅ ｓＮｉを形成するオーミック電極は最もよく使用さ
れる。
ｅ ｓＮｉを形成するオーミック電極は最もよく使用さ
れる。
以下、第３図に基づき、ｎ型ＧａＡｓ基板に使用される
オーミック電極を説明する。この種のオミック電極は、
基板上に形成される薄膜の種類により、■ ＧａＡｓ基
板上にＡｕＧｅ薄膜、その上にＮｉ薄膜を形成した２層
構造（以下、「Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ
ａ Ａ ｓ系」という。）電極（同図（ａ）参照）、■
ＧａＡｓ基板上にＡｕＧｅＮｉ薄膜、その上にＮｉ薄
膜を形成した２層構造（以下、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ
Ｇ ｅ Ｎ ｉ系」という。）電極（同図（ｂ）参照
）、■ ＧａＡｓ基板上にＮ１薄膜、その上にＧｅ薄膜
、さらにＡｕ薄膜をＩ［３成した３層構造（以下、ｒ
Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系Ｊという。）？ＩＳ
極（同図（ｃ）参照）、■ ＧａＡｓ基板上にＧｅ薄膜
、その上にＡｕ薄膜、ざらにＮｉ薄膜を形成した３層構
造（以下、「Ｎｌ／’ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系」という
。）電極（同図（ｄ）参照）、の４種類に大別できる。
オーミック電極を説明する。この種のオミック電極は、
基板上に形成される薄膜の種類により、■ ＧａＡｓ基
板上にＡｕＧｅ薄膜、その上にＮｉ薄膜を形成した２層
構造（以下、「Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ
ａ Ａ ｓ系」という。）電極（同図（ａ）参照）、■
ＧａＡｓ基板上にＡｕＧｅＮｉ薄膜、その上にＮｉ薄
膜を形成した２層構造（以下、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ
Ｇ ｅ Ｎ ｉ系」という。）電極（同図（ｂ）参照
）、■ ＧａＡｓ基板上にＮ１薄膜、その上にＧｅ薄膜
、さらにＡｕ薄膜をＩ［３成した３層構造（以下、ｒ
Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系Ｊという。）？ＩＳ
極（同図（ｃ）参照）、■ ＧａＡｓ基板上にＧｅ薄膜
、その上にＡｕ薄膜、ざらにＮｉ薄膜を形成した３層構
造（以下、「Ｎｌ／’ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系」という
。）電極（同図（ｄ）参照）、の４種類に大別できる。
以下、この中でよく使用されているＮ ｉ ／ Ａ ｕ
Ｇｅの共晶温度は３５６℃、ＡｕＧａの共晶温度は３４
１℃なので、この温度で液層か形成される。
Ｇｅの共晶温度は３５６℃、ＡｕＧａの共晶温度は３４
１℃なので、この温度で液層か形成される。
ＧａＡｓ表面には自然酸化膜が存在するため、分Ｇ ｅ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ系電極について説明する。Ａｕ解
が起こるのは自然酸化膜が除去された部分に限られ、こ
の濡れた部分にＡｕＧｅ溶液が凝集し、いわゆるポール
アップと呼ばれる不規則な合金化が進行する。Ｎｉは、
この不規則な合金化を防ぐために添加されている。Ｎ１
は、ＧａＡｓと強い同相反応を持つため、ＮｉかＧａＡ
ｓ界面に拡散し、ＧａＡｓを同相で分解してＮｉＡｓ、
β−ＡｕＧａを形成する。この同相反応で自然酸化膜か
除去されるため、ポールアップを生しない。高濃度層形
成は、ＧａＡｓ表面へのＧｅの拡散によってなされる（
ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ、７１０）。
／ Ｇ ａ Ａ ｓ系電極について説明する。Ａｕ解
が起こるのは自然酸化膜が除去された部分に限られ、こ
の濡れた部分にＡｕＧｅ溶液が凝集し、いわゆるポール
アップと呼ばれる不規則な合金化が進行する。Ｎｉは、
この不規則な合金化を防ぐために添加されている。Ｎ１
は、ＧａＡｓと強い同相反応を持つため、ＮｉかＧａＡ
ｓ界面に拡散し、ＧａＡｓを同相で分解してＮｉＡｓ、
β−ＡｕＧａを形成する。この同相反応で自然酸化膜か
除去されるため、ポールアップを生しない。高濃度層形
成は、ＧａＡｓ表面へのＧｅの拡散によってなされる（
ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ、７１０）。
以下、この種のオーミック電極の形成方法を説明する。
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＡｕＧｅ薄膜２を真空蒸
着で形成し、このＡｕＧｅ薄膜２上にＮｉ薄膜３を真空
蒸着で形成する。次に、以上の工程で形成されたＡｕＧ
ｅ薄膜２およびＮｉ薄膜３を、３５０℃以上で加熱する
ことにより、オーミック接合ができ、Ｎ ｉ ／ Ａ
ｕ Ｇ ｅから成るオーミック電極４が形成される。
着で形成し、このＡｕＧｅ薄膜２上にＮｉ薄膜３を真空
蒸着で形成する。次に、以上の工程で形成されたＡｕＧ
ｅ薄膜２およびＮｉ薄膜３を、３５０℃以上で加熱する
ことにより、オーミック接合ができ、Ｎ ｉ ／ Ａ
ｕ Ｇ ｅから成るオーミック電極４が形成される。
しかしながら、従来のオーミック電極はｎ型ＧａＡｓ基
板にＧｅが十分かつ均一に拡散されていないので、オー
ミック接触抵抗が高くなりゃすく （屹 ５×１０〜１
×１０づΩＣシ）、信頼性に欠けるという欠点があった
。例えば、Ｎｉ／Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ
系電極は、Ｇｅのｌａ度が低く接触抵抗が大きい。Ｎ
ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ系電極は、Ｎ１か量的
に多く含まれているので、Ｇｅの拡散かＮｉによって妨
げられ接触抵抗が高い。Ａｕ／Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系電
極及びＮ ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系電極は、合金
化温度である４５０℃以上で、それぞれ高融点である３
種の金属が溶かされているので、半導体基板に悪影響を
与えている。
板にＧｅが十分かつ均一に拡散されていないので、オー
ミック接触抵抗が高くなりゃすく （屹 ５×１０〜１
×１０づΩＣシ）、信頼性に欠けるという欠点があった
。例えば、Ｎｉ／Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ
系電極は、Ｇｅのｌａ度が低く接触抵抗が大きい。Ｎ
ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ系電極は、Ｎ１か量的
に多く含まれているので、Ｇｅの拡散かＮｉによって妨
げられ接触抵抗が高い。Ａｕ／Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系電
極及びＮ ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系電極は、合金
化温度である４５０℃以上で、それぞれ高融点である３
種の金属が溶かされているので、半導体基板に悪影響を
与えている。
そこで、この発明はｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散を均
一かつ十分に行われたオーミック電極を提供することに
より、接触抵抗が低く信頼性（実用性）の高いオーミッ
ク電極を実現するものである。
一かつ十分に行われたオーミック電極を提供することに
より、接触抵抗が低く信頼性（実用性）の高いオーミッ
ク電極を実現するものである。
上記課題を達成するため、この発明は金ゲルマニウム（
ＡｕＧｅ）とゲルマニウム（Ｇｅ）を融合させてｎ型Ｇ
ａＡｓ基板上に形成された混合薄膜と、氾合薄膜上に形
成されたニッケル（Ｎｉ）薄膜とを含んで構成されてい
る。
ＡｕＧｅ）とゲルマニウム（Ｇｅ）を融合させてｎ型Ｇ
ａＡｓ基板上に形成された混合薄膜と、氾合薄膜上に形
成されたニッケル（Ｎｉ）薄膜とを含んで構成されてい
る。
この場合、混合薄膜をＡｕとＧｅの重量比がほぼ８８対
１２のＡｕＧｅ及びＧｅとを融合させて形成された５０
０〜２０００オングストロームの膜厚にし、Ｎ１薄膜を
１００〜５００オングストロームの膜厚にすると効果的
である。
１２のＡｕＧｅ及びＧｅとを融合させて形成された５０
０〜２０００オングストロームの膜厚にし、Ｎ１薄膜を
１００〜５００オングストロームの膜厚にすると効果的
である。
この発明は、以上のように構成されているので、基板側
の混合薄膜には十分なＧｅが含まれており、Ｇｅの基板
への拡散は十分に行われる。
の混合薄膜には十分なＧｅが含まれており、Ｇｅの基板
への拡散は十分に行われる。
なお、混合薄膜の膜厚を５００オングストローム未満に
形成すると、薄膜が薄くなり過ぎ配線抵抗か増大し断線
しやすくなる。また、２０００オングストロームを越え
ると、合金化を十分に行うことができず、集積度が悪く
なる。
形成すると、薄膜が薄くなり過ぎ配線抵抗か増大し断線
しやすくなる。また、２０００オングストロームを越え
ると、合金化を十分に行うことができず、集積度が悪く
なる。
さらに、Ｎｉ薄膜の膜厚を１００オングストローム未満
に形成すると電極の平坦性が悪くなる。
に形成すると電極の平坦性が悪くなる。
また、５００オングストロームを越えると、集積度が悪
くなり、Ｎｉの酸化により電極か劣化しやすくなる。
くなり、Ｎｉの酸化により電極か劣化しやすくなる。
以下、この発明に係るオーミック電極の一実施例を添付
図面に基づき説明する。なお、説明において同一要素に
は同一符号を用い、重複する説明は省略する。
図面に基づき説明する。なお、説明において同一要素に
は同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１図は、この発明に係るオーミック電極の一実施例を
示すものである。この発明は基本的に、混合薄膜５及び
Ｎ１薄膜６を含んで構成されている。この混合薄膜５は
、ＡｕＧｅとＧｅの融合物で構成されており、ＧａＡｓ
基板１上に形成されている。ＡｕＧｅの重量比は、はぼ
８８対１２に設定されている。
示すものである。この発明は基本的に、混合薄膜５及び
Ｎ１薄膜６を含んで構成されている。この混合薄膜５は
、ＡｕＧｅとＧｅの融合物で構成されており、ＧａＡｓ
基板１上に形成されている。ＡｕＧｅの重量比は、はぼ
８８対１２に設定されている。
この場合、混合薄膜５の膜厚が５００オングストロ一ム
未満になるとバ板内にＡｕＧｅが入り込み配線抵抗か増
加する。また、２０００オングストロームを越えると、
集積度を向上させることができなくなる。従って、この
膜厚は５００〜２０００オングストロームの範囲で設定
することが望ましい。
未満になるとバ板内にＡｕＧｅが入り込み配線抵抗か増
加する。また、２０００オングストロームを越えると、
集積度を向上させることができなくなる。従って、この
膜厚は５００〜２０００オングストロームの範囲で設定
することが望ましい。
また、ＡｕとＧｅとの重量比は、８８対１２に限定され
るものではなく、例えば、８０対２０あるいは９０対１
０でも、実用上は問題ないと考えられる。
るものではなく、例えば、８０対２０あるいは９０対１
０でも、実用上は問題ないと考えられる。
Ｎｉ薄膜６は、この混合薄膜５上に形成されている。こ
の場合、Ｎｉ薄膜６の膜厚が１００オングストローム未
満になると電極の平坦性か悪くなり、５００オングスト
ロームを越えると、集債度が悪くなると共に接触抵抗を
下げることかできなくなる。従って、この膜厚は１００
〜５００オングストロームの範囲で設定することが望ま
しい。
の場合、Ｎｉ薄膜６の膜厚が１００オングストローム未
満になると電極の平坦性か悪くなり、５００オングスト
ロームを越えると、集債度が悪くなると共に接触抵抗を
下げることかできなくなる。従って、この膜厚は１００
〜５００オングストロームの範囲で設定することが望ま
しい。
次に、上記実施例に係るオーミック電極の形成方法を説
明する。この形成方法は、基本的に第１薄膜形成工程、
第２薄膜形成工程及び加熱工程を含んで構成される。第
１薄膜形成工程では、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に混合薄膜
５を真空薄石法で形成する。具体的には、蒸着炉の抵抗
加熱用タングステンボート上に、重量比がほぼ８８対１
２のＡｕＧｅと、Ｇｅ結晶をのせ、通電加熱によりＡｕ
ＧｅとＧｅとを融合させる。この溶融金属化したものを
蒸着源とし、抵抗加熱法でＧａＡｓ基板１上に蒸着する
ことにより、混合薄膜５が形成される。この方法によれ
ば、ＡｕＧｅとＧｅとの重量比を変更することにより、
任意の組成のＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することかできる
。また、ＡｕとＧｅとを融合する場合に比べて、比較的
低温で容易にＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することができる
。この場合、低温で行うので、輻射熱が少なく、基板上
のフォトレジストに対する悪影響を防止することができ
る。なお、ＡｕＧｅとＧｅを融合させた蒸着源の加熱法
は、抵抗加熱法に限定されるものではなく、例えば、電
子衝撃加熱法でも使用することができる。
明する。この形成方法は、基本的に第１薄膜形成工程、
第２薄膜形成工程及び加熱工程を含んで構成される。第
１薄膜形成工程では、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に混合薄膜
５を真空薄石法で形成する。具体的には、蒸着炉の抵抗
加熱用タングステンボート上に、重量比がほぼ８８対１
２のＡｕＧｅと、Ｇｅ結晶をのせ、通電加熱によりＡｕ
ＧｅとＧｅとを融合させる。この溶融金属化したものを
蒸着源とし、抵抗加熱法でＧａＡｓ基板１上に蒸着する
ことにより、混合薄膜５が形成される。この方法によれ
ば、ＡｕＧｅとＧｅとの重量比を変更することにより、
任意の組成のＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することかできる
。また、ＡｕとＧｅとを融合する場合に比べて、比較的
低温で容易にＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することができる
。この場合、低温で行うので、輻射熱が少なく、基板上
のフォトレジストに対する悪影響を防止することができ
る。なお、ＡｕＧｅとＧｅを融合させた蒸着源の加熱法
は、抵抗加熱法に限定されるものではなく、例えば、電
子衝撃加熱法でも使用することができる。
第２ ｆｋ膜形成工程では、上記混合薄膜５上にＮｉ薄
膜６を電子衝撃加熱法で形成する。
膜６を電子衝撃加熱法で形成する。
加熱工程では、上記工程により混合薄膜５及びＮｉ薄膜
６が形成された後、合金化温度で加熱する。この場合、
加熱温度は４５０±５°Ｃの範囲で設定する。これは、
この範囲外で加熱すると、いずれも接触抵抗の増加につ
ながるからである。また、加熱時間は３０秒〜２分の間
で設定する。これは、短すぎると加熱不十分になり電極
形成が不可能になり、長すぎるとＧｅが拡散しすぎ接触
抵抗の増加につながるからである。この加熱工程により
、ＧａＡｓ基板１上に２層構造のオーミック電極が形成
される。この場合、加熱工程をＮ２ガスあるいはＡｒガ
ス等の不活性ガス雰囲気中で行うことにより、加熱用電
極の酸化を防止することができる。
６が形成された後、合金化温度で加熱する。この場合、
加熱温度は４５０±５°Ｃの範囲で設定する。これは、
この範囲外で加熱すると、いずれも接触抵抗の増加につ
ながるからである。また、加熱時間は３０秒〜２分の間
で設定する。これは、短すぎると加熱不十分になり電極
形成が不可能になり、長すぎるとＧｅが拡散しすぎ接触
抵抗の増加につながるからである。この加熱工程により
、ＧａＡｓ基板１上に２層構造のオーミック電極が形成
される。この場合、加熱工程をＮ２ガスあるいはＡｒガ
ス等の不活性ガス雰囲気中で行うことにより、加熱用電
極の酸化を防止することができる。
次に、この実施例に係る実験結果を示す。この実験では
、Ｓｉ＋イオンを注入しアニールしたｎ型ＧａＡｓ基板
上に、フォトリソグラフィ技術によりオーミック電極の
パターンを形成した。次に、ＡｕＧｅとＧｅの混合薄膜
を１０００オングストローム、Ｎｉ薄膜を３００オング
ストロームで真空薄青法により付着させ、リフトオフ技
術により所定形状の電極を形成した。なお、混合薄膜は
０．５０ｇのＡｕＧｅと０．１１ｇのＧｅを融合したも
のを蒸着源としている。この後、Ｎ２雰囲気中において
、ホットプレート上で１分間加熱した。この場合、温度
は４００℃から５００℃の範囲で変化させた。
、Ｓｉ＋イオンを注入しアニールしたｎ型ＧａＡｓ基板
上に、フォトリソグラフィ技術によりオーミック電極の
パターンを形成した。次に、ＡｕＧｅとＧｅの混合薄膜
を１０００オングストローム、Ｎｉ薄膜を３００オング
ストロームで真空薄青法により付着させ、リフトオフ技
術により所定形状の電極を形成した。なお、混合薄膜は
０．５０ｇのＡｕＧｅと０．１１ｇのＧｅを融合したも
のを蒸着源としている。この後、Ｎ２雰囲気中において
、ホットプレート上で１分間加熱した。この場合、温度
は４００℃から５００℃の範囲で変化させた。
第２図は、上記実験結果を示すものであり、オーミック
接触抵抗の合金化温度依存性を示すものである。この実
験では、４５０℃付近で最小値になっている。
接触抵抗の合金化温度依存性を示すものである。この実
験では、４５０℃付近で最小値になっている。
この発明は、以上説明したように構成されているので、
ｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散が均一かつ十分になされ
ており、接触抵抗が低く信頼性（実用性）の高いオーミ
ック電極を提供することができる。
ｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散が均一かつ十分になされ
ており、接触抵抗が低く信頼性（実用性）の高いオーミ
ック電極を提供することができる。
特に、ｎ型ＧａＡｓ基板上に２層構造の薄膜を形成した
後、４５０°Ｃ付近で１分以上加熱すれば、接触抵抗を
最小にすることができる。
後、４５０°Ｃ付近で１分以上加熱すれば、接触抵抗を
最小にすることができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るオーミック電極の
構造を示す断面図、第２図は、このオー・ミック電極に
おけるオーミック接触抵抗の合金化温度依存性を示す図
、第３図は、従来技術に係るオーミック電極の構造を示
す断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＡｕＧｅ薄膜 ３．６・・・Ｎｉ薄膜 ４・・・オーミック電極 ５・・・混合薄膜 オーミック電極 第】図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 従来技術 第３図 加熱温度（０Ｃ） オーミック接触抵抗の合金化温度依存性第２図
構造を示す断面図、第２図は、このオー・ミック電極に
おけるオーミック接触抵抗の合金化温度依存性を示す図
、第３図は、従来技術に係るオーミック電極の構造を示
す断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＡｕＧｅ薄膜 ３．６・・・Ｎｉ薄膜 ４・・・オーミック電極 ５・・・混合薄膜 オーミック電極 第】図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 従来技術 第３図 加熱温度（０Ｃ） オーミック接触抵抗の合金化温度依存性第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）とゲルマニウム（Ｇｅ
）を融合させてｎ型ＧａＡｓ基板上に形成された混合薄
膜と、 前記混合薄膜上に形成されたニッケル（Ｎｉ）薄膜を含
んで構成されているオーミック電極。 ２、前記混合薄膜が、ＡｕとＧｅの重量比がほぼ８８対
１２のＡｕＧｅ及びＧｅとを融合させて形成された５０
０乃至２０００オングストロームの膜厚を有し、 前記Ｎｉ薄膜が、１００乃至５００オングストロームの
膜厚を有する請求項１記載のオーミック電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16026388A JPH029170A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16026388A JPH029170A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029170A true JPH029170A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15711223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16026388A Pending JPH029170A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029170A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2575977C1 (ru) * | 2014-12-10 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP16026388A patent/JPH029170A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2575977C1 (ru) * | 2014-12-10 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия |
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