JPH0285772A - 半導体素子の検査方法及び装置 - Google Patents
半導体素子の検査方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の検査方法及び装置に係り、特に半
導体素子の電気的性能を高速に検査する半導体素子の検
査方法及び装置に関する。
導体素子の電気的性能を高速に検査する半導体素子の検
査方法及び装置に関する。
従来、半導体素子の性能検査を行う装置として、第７図
に示す構成のものがある。この装置は、同種の半導体素
子Ａ、Ｂが同時に送り込まれる２つの測定部ｌ、２と、
プログラム電源３．４、検出器５．６から成る２組の測
定検査部と、２組の測定検査部を制御する制御部７とか
ら構成されており、２つの測定部１，２に送り込まれた
半導体素子Ａ、Ｂを、上記２組の測定検査部によって同
時に測定検査するようにしている。
に示す構成のものがある。この装置は、同種の半導体素
子Ａ、Ｂが同時に送り込まれる２つの測定部ｌ、２と、
プログラム電源３．４、検出器５．６から成る２組の測
定検査部と、２組の測定検査部を制御する制御部７とか
ら構成されており、２つの測定部１，２に送り込まれた
半導体素子Ａ、Ｂを、上記２組の測定検査部によって同
時に測定検査するようにしている。
一方、第１図に示す半導体素子の検査装置は、２つの測
定部１１，１２に対してプログラム電源１３、検出器１
４から成る１つの測定検査部を設け、スイッチＳＷＩ、
ＳＷ２を交互に切り替えることにより半導体素子Δ、Ｂ
を順次測定検査するようにしている（特開昭６２−２８
５０７号公報）。
定部１１，１２に対してプログラム電源１３、検出器１
４から成る１つの測定検査部を設け、スイッチＳＷＩ、
ＳＷ２を交互に切り替えることにより半導体素子Δ、Ｂ
を順次測定検査するようにしている（特開昭６２−２８
５０７号公報）。
第７図に示す半導体素子の検査装置は、２組の測定検査
部によって２つの半導体素子ＡＳＢを同時に検査するた
め、第８図に示すように検査時間Ｔの短縮化が可能であ
るが、２組の測定検査部を必要とするため、装置が複雑
で高価になるという問題がある。
部によって２つの半導体素子ＡＳＢを同時に検査するた
め、第８図に示すように検査時間Ｔの短縮化が可能であ
るが、２組の測定検査部を必要とするため、装置が複雑
で高価になるという問題がある。
一方、第１図に示す半導体素子の検査装置は、１つの測
定検査部を共用するため、装置を安価にすることができ
るが、第９図に示すように半導体素子ＡＳＢを順次検査
しなければならず、このため第７図の装置に比べて２倍
の検査時間２Ｔを必要とする。
定検査部を共用するため、装置を安価にすることができ
るが、第９図に示すように半導体素子ＡＳＢを順次検査
しなければならず、このため第７図の装置に比べて２倍
の検査時間２Ｔを必要とする。
本発明はこのような事情に鑑みて成されたもので、１つ
の測定検査部を共用することにより安価にすることがで
きると共に、検査時間の短縮化を図ることができる半導
体素子の検査方法及び装置を提供することを目的とする
。
の測定検査部を共用することにより安価にすることがで
きると共に、検査時間の短縮化を図ることができる半導
体素子の検査方法及び装置を提供することを目的とする
。
本発明は前記目的を達成するために、１つの測定検査手
段に、同種の複数の半導体素子を１つづつ順次切替接続
し、前記検査判定手段によって前記複数の半導体素子の
良否を順次検査する半導体素子の検査方法において、前
記複数の半導体素子の検査項目のうち、同時に検査可能
な並列検査項目に関しては、前記１つの測定検査手段と
複数の単導体素子とを並列接続して同時に検査し、この
並列検査項目の検査が合格のときには第２番目以降の半
導体素子の検査時における前記並列検査項目の検査を省
略し、不合格のときには各半導体素子別に前記並列検査
項目を再度検査するようにしたことを特徴としている。
段に、同種の複数の半導体素子を１つづつ順次切替接続
し、前記検査判定手段によって前記複数の半導体素子の
良否を順次検査する半導体素子の検査方法において、前
記複数の半導体素子の検査項目のうち、同時に検査可能
な並列検査項目に関しては、前記１つの測定検査手段と
複数の単導体素子とを並列接続して同時に検査し、この
並列検査項目の検査が合格のときには第２番目以降の半
導体素子の検査時における前記並列検査項目の検査を省
略し、不合格のときには各半導体素子別に前記並列検査
項目を再度検査するようにしたことを特徴としている。
本発明は、半導体素子の検査項目のうち、複数の半導体
素子を同時に検査可能な並列検査項目が存在しているこ
とに着目し、この並列検査項目に関しては、１つの測定
検査手段と複数の半導体素子とを並列接続して同時に検
査するようにしている。そして、この並列検査項目の検
査が合格のとき（大部分の半導体素子は合格となる）、
第２番目以降の半導体素子の検査時における前記並列検
査項目の検査を省略し、これにより検査時間の短縮化を
図るようにしている。
素子を同時に検査可能な並列検査項目が存在しているこ
とに着目し、この並列検査項目に関しては、１つの測定
検査手段と複数の半導体素子とを並列接続して同時に検
査するようにしている。そして、この並列検査項目の検
査が合格のとき（大部分の半導体素子は合格となる）、
第２番目以降の半導体素子の検査時における前記並列検
査項目の検査を省略し、これにより検査時間の短縮化を
図るようにしている。
一方、前記並列検査項目が不合格のときには、各半導体
素子別に並列検査項目を再度検査する。
素子別に並列検査項目を再度検査する。
以下添付図面に従って本発明に係る半導体素子の検査方
法及び装置の好ましい実施例を詳説する。
法及び装置の好ましい実施例を詳説する。
第１図は本発明に係る半導体素子の検査装置の一実施例
を示すブロック図である。この半導体素子の検査装置は
、同種の半導体素子Ａ、Ｂが同時に送り込まれる２つの
測定部１１．１２と、プログラム電源１３、検出器１４
から成る１つの測定検査部と、２つの測定部１１．１２
と１つの測定検査部とを交互に切替接続又は並列接続す
るスイッチＳＷＩ、Ｓ Ｗ ２と、測定検査部とスイッ
チＳＷ１、ＳＷ２を予め準備されたプログラムに従って
制御する制御部１５とから構成されている。
を示すブロック図である。この半導体素子の検査装置は
、同種の半導体素子Ａ、Ｂが同時に送り込まれる２つの
測定部１１．１２と、プログラム電源１３、検出器１４
から成る１つの測定検査部と、２つの測定部１１．１２
と１つの測定検査部とを交互に切替接続又は並列接続す
るスイッチＳＷＩ、Ｓ Ｗ ２と、測定検査部とスイッ
チＳＷ１、ＳＷ２を予め準備されたプログラムに従って
制御する制御部１５とから構成されている。
ここで、半導体素子Ａ、Ｂの検査項目を■、■、■、■
と仮定し、■を半導体素子Ａ、Ｂについて同時に検査可
能な並列検査項目とする。ただし、並列検査の場合は２
つの性能が１つの結果として出力されるので、これが合
格のときには、半導体素子Ａ、Ｂともに合格であり、不
合格のときには半導体素子ＡＳＢのいずれか一方又は双
方が不合格である。
と仮定し、■を半導体素子Ａ、Ｂについて同時に検査可
能な並列検査項目とする。ただし、並列検査の場合は２
つの性能が１つの結果として出力されるので、これが合
格のときには、半導体素子Ａ、Ｂともに合格であり、不
合格のときには半導体素子ＡＳＢのいずれか一方又は双
方が不合格である。
さて、半導体素子Ａ、Ｂは同時に測定面１１．１２に送
り込まれ、測定部１１．１２の測針は半導体素子Ａ、Ｂ
のリードに接続される。
り込まれ、測定部１１．１２の測針は半導体素子Ａ、Ｂ
のリードに接続される。
以下、本発明による半導体素子の検査方法を第２図に示
すフローチャートを参照しながら説明する。
すフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、スイッチＳＷ１をＯＮにし、半導体素子Ａとプロ
グラム電源１３、検出器１４ （測定検査部）とを接続
する（ステップ１００）。測定検査部では検査項目■の
測定を行う（ステップ１０２）。
グラム電源１３、検出器１４ （測定検査部）とを接続
する（ステップ１００）。測定検査部では検査項目■の
測定を行う（ステップ１０２）。
続いて、スイッチＳＷ１、ＳＷ２を同時にＯＮして半導
体素子Ａ、Ｂを１つの測定検査部に並列接続しくステッ
プ１０４）、同時に検査可能な並列検査項目■の測定を
行う（ステップ１０６）。
体素子Ａ、Ｂを１つの測定検査部に並列接続しくステッ
プ１０４）、同時に検査可能な並列検査項目■の測定を
行う（ステップ１０６）。
そして、スイッチＳＷ２を再びＯＦＦにする（ステップ
１０８）。
１０８）。
ステップ１１０では、ステップ１０６で測定した検査項
目■が合格か否かを判別し、合格のときには半導体素子
Ｂの検査項目■も合格として言己憶しくステップ１１２
）、不合格のときには再度半導体素子Ａのみの検査項目
■の測定を行う（ステップ１１４）。
目■が合格か否かを判別し、合格のときには半導体素子
Ｂの検査項目■も合格として言己憶しくステップ１１２
）、不合格のときには再度半導体素子Ａのみの検査項目
■の測定を行う（ステップ１１４）。
次に、半導体素子への検査項目■及び検査項目■を順次
測定する（ステップ１１６．１１８）。
測定する（ステップ１１６．１１８）。
以上により、半導体素子への全検査項目■〜■の測定が
終了すると、スイッチＳＷＩをＯＦＦにし、スイッチＳ
Ｗ２をＯＮして半導体素子Ｂの測定を開始する（ステッ
プ１２０）。
終了すると、スイッチＳＷＩをＯＦＦにし、スイッチＳ
Ｗ２をＯＮして半導体素子Ｂの測定を開始する（ステッ
プ１２０）。
ステップ１２２では、検査項目■の測定を行う。
続いて、ステップ１２４では半導体素子Ａ、Ｂの並列検
査項目■が合格だったか否かを判別し、合格の場合には
、検査項目■の測定を省略し、不合格の場合にはステッ
プ１２６で再度半導体素子Ｂのみの検査項目■の測定を
行ったのち、ステップ１２８に進める。
査項目■が合格だったか否かを判別し、合格の場合には
、検査項目■の測定を省略し、不合格の場合にはステッ
プ１２６で再度半導体素子Ｂのみの検査項目■の測定を
行ったのち、ステップ１２８に進める。
ステップ１２８では検査項目■を測定する。最後に、検
査項目■を測定したのち、スイッチＳＷ２をＯＦＦして
半導体素子Ａ、Ｂの全検査項目■〜■の測定を終了する
（ステップ１３０、１３２）。
査項目■を測定したのち、スイッチＳＷ２をＯＦＦして
半導体素子Ａ、Ｂの全検査項目■〜■の測定を終了する
（ステップ１３０、１３２）。
第３図は半導体素子ＡＳＢの検査時のタイミングチャー
トであり、並列検査項目■が合格の場合に関して示して
いる。この場合には、半導体素子Ａの検査時に、並列検
査項目■が合格として測定されるため、半導体素子Ｂの
検査時には並列検査項目■の測定が省略される。
トであり、並列検査項目■が合格の場合に関して示して
いる。この場合には、半導体素子Ａの検査時に、並列検
査項目■が合格として測定されるため、半導体素子Ｂの
検査時には並列検査項目■の測定が省略される。
第４図は半導体素子Δ、Ｂの検査時のタイミングチャー
トでであり、並列検査項目■が不合格の場合に関して示
している。この場合には、半導体素子Ａの検査時に、並
列検査項目■が不合格として測定されるため、半導体素
子Ａのみについて並列検査項目■を再度測定し、半導体
素子Ｂの検査時には全検査項目■〜■の測定が行われる
。
トでであり、並列検査項目■が不合格の場合に関して示
している。この場合には、半導体素子Ａの検査時に、並
列検査項目■が不合格として測定されるため、半導体素
子Ａのみについて並列検査項目■を再度測定し、半導体
素子Ｂの検査時には全検査項目■〜■の測定が行われる
。
上記第３図及び第４図からも明らかなように、もし、各
検査項目が同じ測定時間を要すると仮定すると、並列検
査項目■が合格のときには、第９図に示す従来の検査方
法に比べて、ｌ／８の時間だけ測定時間を短縮すること
ができ、並列検査項目が不合格のときには、１／８の時
間だけ長くなる。
検査項目が同じ測定時間を要すると仮定すると、並列検
査項目■が合格のときには、第９図に示す従来の検査方
法に比べて、ｌ／８の時間だけ測定時間を短縮すること
ができ、並列検査項目が不合格のときには、１／８の時
間だけ長くなる。
尚、通常の検査では、合１’３率が５０％以下というこ
とは考えられず、はとんどが合格となるので、上記検査
方法により測定時間の短縮化が可能になる。
とは考えられず、はとんどが合格となるので、上記検査
方法により測定時間の短縮化が可能になる。
次に、上記並列検査項目の一例をダイオードの場合につ
いて説明する。
いて説明する。
ダイオードのリーク電流検査の場合（条件１０Ｖ、１０
０ｎＡ以下良品）、第５図に示すように、ダイオードＡ
、Ｂを並列に結んで測定することができる。同図に示す
ようにスイッチＳＷＩ、ＳＷ２、を同時にＯＮすること
により、ダイオードＡ１Ｂに並列にｌＯＶが印加され、
ダイオードＡＳＢのリーク電流の和が測定される。通常
、良品はリーク電流が１００ｎＡよりはるかに小さいた
め、検出電流の和が１ｏＯｎＡ以下であればダイオード
Ａ、Ｂ共に合格とすることができる。そして不合格の場
合にはスイッチＳＷ１、ＳＷ２の開閉を制御して、片側
だけの測定を行って、その性能の合否を検査する。
０ｎＡ以下良品）、第５図に示すように、ダイオードＡ
、Ｂを並列に結んで測定することができる。同図に示す
ようにスイッチＳＷＩ、ＳＷ２、を同時にＯＮすること
により、ダイオードＡ１Ｂに並列にｌＯＶが印加され、
ダイオードＡＳＢのリーク電流の和が測定される。通常
、良品はリーク電流が１００ｎＡよりはるかに小さいた
め、検出電流の和が１ｏＯｎＡ以下であればダイオード
Ａ、Ｂ共に合格とすることができる。そして不合格の場
合にはスイッチＳＷ１、ＳＷ２の開閉を制御して、片側
だけの測定を行って、その性能の合否を検査する。
一方、耐圧検査の場合（条件１００μＡ、３０Ｖ以上良
品）、第６図において、ダイオードＡ、Ｂを並列に結ん
で１００μＡを加える。この場合、耐圧の低い方の素子
に１００μＡ流れ、耐圧の高い方の素子は電流が流れな
いが、低い方の素子が例えば３０Ｖ以上であれば、当然
耐圧の高い方の素子は良品であり、双方を合格とするこ
とができる。
品）、第６図において、ダイオードＡ、Ｂを並列に結ん
で１００μＡを加える。この場合、耐圧の低い方の素子
に１００μＡ流れ、耐圧の高い方の素子は電流が流れな
いが、低い方の素子が例えば３０Ｖ以上であれば、当然
耐圧の高い方の素子は良品であり、双方を合格とするこ
とができる。
尚、このリーク検査、耐圧検査には他の項目より長い測
定時間を要するので、この項目を並列検査項目とするこ
とにより時間短縮の効果を大きくすることができる。ま
た並列検査項目の数が増えて、■、■となった場合には
上記■の場合と同じ処置を■について行えば良い。また
３つの測定部に３つの半導体素子Ａ、ＢＳＣが同時に送
り込まれた場合にも同様な処置によって測定時間の短縮
をすることができる。
定時間を要するので、この項目を並列検査項目とするこ
とにより時間短縮の効果を大きくすることができる。ま
た並列検査項目の数が増えて、■、■となった場合には
上記■の場合と同じ処置を■について行えば良い。また
３つの測定部に３つの半導体素子Ａ、ＢＳＣが同時に送
り込まれた場合にも同様な処置によって測定時間の短縮
をすることができる。
更に、半導体素子は完成品に限らず、ウェハ上に形成さ
れた複数の半導体チップでもよく、この場合の測定部は
、プローブニードルを介して半導体チップと電気的に接
続される。
れた複数の半導体チップでもよく、この場合の測定部は
、プローブニードルを介して半導体チップと電気的に接
続される。
以上説明したように本発明に係る半導体素子の検査方法
及び装置によれば、１つの測定検査手段によって複数の
半導体素子の良品を順次検査すると共に、同時に検査可
能な並列検査項目については複数の半導体素子を同時に
検査するようにしたため、１つの測定検査手段を有する
従来装置と同等な安価な装置で、検査時間の短縮化を図
ることができる。
及び装置によれば、１つの測定検査手段によって複数の
半導体素子の良品を順次検査すると共に、同時に検査可
能な並列検査項目については複数の半導体素子を同時に
検査するようにしたため、１つの測定検査手段を有する
従来装置と同等な安価な装置で、検査時間の短縮化を図
ることができる。
第１図は本発明に係る半導体素子の検査装置の一実施例
を示すブロック図、第２図は第１図の装置の動作を説明
するために用いたフローチャート、第３図及び第４図は
それぞれ並列検査項目が合格時及び不合格時の半導体素
子ＡＳＢの検査タイミングチャート、第５図はダイオー
ドのリーク検査の回路図、第６図はダイオードの耐圧検
査の回路、第７図は２つの測定検査部を有する従来の半
導体素子の検査装置の一例を示すブロック図、第８図及
び第９図はそれぞれ従来の半導体素子の検査方法による
測定時間を示すタイミングチャートである。 １１、Ｉ２・・・測定部、 １３・・・検出器、 １
４・・・プログラム電源、 １５・・・制御部、 Ｓ
’ｖＶ ｌ 。 ＳＷ２・・・スイッチ、 Ａ、Ｂ・・・半導体素子。
を示すブロック図、第２図は第１図の装置の動作を説明
するために用いたフローチャート、第３図及び第４図は
それぞれ並列検査項目が合格時及び不合格時の半導体素
子ＡＳＢの検査タイミングチャート、第５図はダイオー
ドのリーク検査の回路図、第６図はダイオードの耐圧検
査の回路、第７図は２つの測定検査部を有する従来の半
導体素子の検査装置の一例を示すブロック図、第８図及
び第９図はそれぞれ従来の半導体素子の検査方法による
測定時間を示すタイミングチャートである。 １１、Ｉ２・・・測定部、 １３・・・検出器、 １
４・・・プログラム電源、 １５・・・制御部、 Ｓ
’ｖＶ ｌ 。 ＳＷ２・・・スイッチ、 Ａ、Ｂ・・・半導体素子。
Claims (3)
- （１）１つの測定検査手段に、同種の複数の半導体素子
を１つづつ順次切替接続し、前記検査判定手段によって
前記複数の半導体素子の良否を順次検査する半導体素子
の検査方法において、 前記複数の半導体素子の検査項目のうち、同時に検査可
能な並列検査項目に関しては、前記１つの測定検査手段
と複数の半導体素子とを並列接続して同時に検査し、こ
の並列検査項目の検査が合格のときには第２番目以降の
半導体素子の検査時における前記並列検査項目の検査を
省略し、不合格のときには各半導体素子別に前記並列検
査項目を再度検査するようにしたことを特徴とする半導
体の検査方法。 - （２）前記並列検査項目は、前記半導体素子のリーク検
査及び耐圧検査である請求項１記載の半導体の検査方法
。 - （３）同種の複数の半導体素子にそれぞれ接続される複
数の測定部と、 前記半導体素子の良否を検査する１つの測定検査手段と
、 前記複数の測定部と前記測定検査手段との間に並列に配
設され、前記測定検査手段と複数の測定部との電気的接
続をＯＮ／ＯＦＦする複数のスイッチと、 前記測定検査手段及び複数のスイッチを制御する制御手
段とを有し、 前記制御手段は、第１番目の半導体素子の検査時には、
前記複数のスイッチのうち第１番目の半導体素子に対応
するスイッチのみをＯＮさせ前記測定検査手段に検査を
行わせ、前記半導体素子の検査項目のうち同時に検査可
能な並列検査項目に関しては、前記複数のスイッチを同
時にＯＮさせ前記測定検査手段に同時検査を行わせ、こ
の並列検査項目の検査が不合格のときには前記第１番目
の半導体素子に対応するスイッチのみをＯＮさせ並列検
査項目の検査を再度行わせ、 第２番目以降の半導体素子の検査時には、その半導体素
子に対応するスイッチのみをＯＮさせ、前記並列検査項
目の検査が合格のときには、前記測定検査手段にこの並
列検査項目を除く検査を行わせ、不合格のときには全項
目の検査を行わせるようにしたことを特徴とする半導体
素子の検査装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082656A JP2644579B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-03-31 | 半導体素子の検査方法及び装置 |
| MYPI89000624A MY103718A (en) | 1988-06-03 | 1989-05-10 | Method and system for inspecting semiconductor devices. |
| US07/353,764 US4985673A (en) | 1988-06-03 | 1989-05-18 | Method and system for inspecting plural semiconductor devices |
| GB8912069A GB2220754B (en) | 1988-06-03 | 1989-05-25 | Method and system for inspecting semiconductor devices |
| KR1019890007594A KR930003089B1 (ko) | 1988-06-03 | 1989-06-02 | 반도체소자의 검사방법및 장치 |
| SG312/93A SG31293G (en) | 1988-06-03 | 1993-03-22 | Method and system for inspecting semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-137002 | 1988-06-03 | ||
| JP13700288 | 1988-06-03 | ||
| JP1082656A JP2644579B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-03-31 | 半導体素子の検査方法及び装置 |
Publications (2)
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