JPH0285772A - 半導体素子の検査方法及び装置 - Google Patents
半導体素子の検査方法及び装置Info
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- JPH0285772A JPH0285772A JP1082656A JP8265689A JPH0285772A JP H0285772 A JPH0285772 A JP H0285772A JP 1082656 A JP1082656 A JP 1082656A JP 8265689 A JP8265689 A JP 8265689A JP H0285772 A JPH0285772 A JP H0285772A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の検査方法及び装置に係り、特に半
導体素子の電気的性能を高速に検査する半導体素子の検
査方法及び装置に関する。
導体素子の電気的性能を高速に検査する半導体素子の検
査方法及び装置に関する。
従来、半導体素子の性能検査を行う装置として、第7図
に示す構成のものがある。この装置は、同種の半導体素
子A、Bが同時に送り込まれる2つの測定部l、2と、
プログラム電源3.4、検出器5.6から成る2組の測
定検査部と、2組の測定検査部を制御する制御部7とか
ら構成されており、2つの測定部1,2に送り込まれた
半導体素子A、Bを、上記2組の測定検査部によって同
時に測定検査するようにしている。
に示す構成のものがある。この装置は、同種の半導体素
子A、Bが同時に送り込まれる2つの測定部l、2と、
プログラム電源3.4、検出器5.6から成る2組の測
定検査部と、2組の測定検査部を制御する制御部7とか
ら構成されており、2つの測定部1,2に送り込まれた
半導体素子A、Bを、上記2組の測定検査部によって同
時に測定検査するようにしている。
一方、第1図に示す半導体素子の検査装置は、2つの測
定部11,12に対してプログラム電源13、検出器1
4から成る1つの測定検査部を設け、スイッチSWI、
SW2を交互に切り替えることにより半導体素子Δ、B
を順次測定検査するようにしている(特開昭62−28
507号公報)。
定部11,12に対してプログラム電源13、検出器1
4から成る1つの測定検査部を設け、スイッチSWI、
SW2を交互に切り替えることにより半導体素子Δ、B
を順次測定検査するようにしている(特開昭62−28
507号公報)。
第7図に示す半導体素子の検査装置は、2組の測定検査
部によって2つの半導体素子ASBを同時に検査するた
め、第8図に示すように検査時間Tの短縮化が可能であ
るが、2組の測定検査部を必要とするため、装置が複雑
で高価になるという問題がある。
部によって2つの半導体素子ASBを同時に検査するた
め、第8図に示すように検査時間Tの短縮化が可能であ
るが、2組の測定検査部を必要とするため、装置が複雑
で高価になるという問題がある。
一方、第1図に示す半導体素子の検査装置は、1つの測
定検査部を共用するため、装置を安価にすることができ
るが、第9図に示すように半導体素子ASBを順次検査
しなければならず、このため第7図の装置に比べて2倍
の検査時間2Tを必要とする。
定検査部を共用するため、装置を安価にすることができ
るが、第9図に示すように半導体素子ASBを順次検査
しなければならず、このため第7図の装置に比べて2倍
の検査時間2Tを必要とする。
本発明はこのような事情に鑑みて成されたもので、1つ
の測定検査部を共用することにより安価にすることがで
きると共に、検査時間の短縮化を図ることができる半導
体素子の検査方法及び装置を提供することを目的とする
。
の測定検査部を共用することにより安価にすることがで
きると共に、検査時間の短縮化を図ることができる半導
体素子の検査方法及び装置を提供することを目的とする
。
本発明は前記目的を達成するために、1つの測定検査手
段に、同種の複数の半導体素子を1つづつ順次切替接続
し、前記検査判定手段によって前記複数の半導体素子の
良否を順次検査する半導体素子の検査方法において、前
記複数の半導体素子の検査項目のうち、同時に検査可能
な並列検査項目に関しては、前記1つの測定検査手段と
複数の単導体素子とを並列接続して同時に検査し、この
並列検査項目の検査が合格のときには第2番目以降の半
導体素子の検査時における前記並列検査項目の検査を省
略し、不合格のときには各半導体素子別に前記並列検査
項目を再度検査するようにしたことを特徴としている。
段に、同種の複数の半導体素子を1つづつ順次切替接続
し、前記検査判定手段によって前記複数の半導体素子の
良否を順次検査する半導体素子の検査方法において、前
記複数の半導体素子の検査項目のうち、同時に検査可能
な並列検査項目に関しては、前記1つの測定検査手段と
複数の単導体素子とを並列接続して同時に検査し、この
並列検査項目の検査が合格のときには第2番目以降の半
導体素子の検査時における前記並列検査項目の検査を省
略し、不合格のときには各半導体素子別に前記並列検査
項目を再度検査するようにしたことを特徴としている。
本発明は、半導体素子の検査項目のうち、複数の半導体
素子を同時に検査可能な並列検査項目が存在しているこ
とに着目し、この並列検査項目に関しては、1つの測定
検査手段と複数の半導体素子とを並列接続して同時に検
査するようにしている。そして、この並列検査項目の検
査が合格のとき(大部分の半導体素子は合格となる)、
第2番目以降の半導体素子の検査時における前記並列検
査項目の検査を省略し、これにより検査時間の短縮化を
図るようにしている。
素子を同時に検査可能な並列検査項目が存在しているこ
とに着目し、この並列検査項目に関しては、1つの測定
検査手段と複数の半導体素子とを並列接続して同時に検
査するようにしている。そして、この並列検査項目の検
査が合格のとき(大部分の半導体素子は合格となる)、
第2番目以降の半導体素子の検査時における前記並列検
査項目の検査を省略し、これにより検査時間の短縮化を
図るようにしている。
一方、前記並列検査項目が不合格のときには、各半導体
素子別に並列検査項目を再度検査する。
素子別に並列検査項目を再度検査する。
以下添付図面に従って本発明に係る半導体素子の検査方
法及び装置の好ましい実施例を詳説する。
法及び装置の好ましい実施例を詳説する。
第1図は本発明に係る半導体素子の検査装置の一実施例
を示すブロック図である。この半導体素子の検査装置は
、同種の半導体素子A、Bが同時に送り込まれる2つの
測定部11.12と、プログラム電源13、検出器14
から成る1つの測定検査部と、2つの測定部11.12
と1つの測定検査部とを交互に切替接続又は並列接続す
るスイッチSWI、S W 2と、測定検査部とスイッ
チSW1、SW2を予め準備されたプログラムに従って
制御する制御部15とから構成されている。
を示すブロック図である。この半導体素子の検査装置は
、同種の半導体素子A、Bが同時に送り込まれる2つの
測定部11.12と、プログラム電源13、検出器14
から成る1つの測定検査部と、2つの測定部11.12
と1つの測定検査部とを交互に切替接続又は並列接続す
るスイッチSWI、S W 2と、測定検査部とスイッ
チSW1、SW2を予め準備されたプログラムに従って
制御する制御部15とから構成されている。
ここで、半導体素子A、Bの検査項目を■、■、■、■
と仮定し、■を半導体素子A、Bについて同時に検査可
能な並列検査項目とする。ただし、並列検査の場合は2
つの性能が1つの結果として出力されるので、これが合
格のときには、半導体素子A、Bともに合格であり、不
合格のときには半導体素子ASBのいずれか一方又は双
方が不合格である。
と仮定し、■を半導体素子A、Bについて同時に検査可
能な並列検査項目とする。ただし、並列検査の場合は2
つの性能が1つの結果として出力されるので、これが合
格のときには、半導体素子A、Bともに合格であり、不
合格のときには半導体素子ASBのいずれか一方又は双
方が不合格である。
さて、半導体素子A、Bは同時に測定面11.12に送
り込まれ、測定部11.12の測針は半導体素子A、B
のリードに接続される。
り込まれ、測定部11.12の測針は半導体素子A、B
のリードに接続される。
以下、本発明による半導体素子の検査方法を第2図に示
すフローチャートを参照しながら説明する。
すフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、スイッチSW1をONにし、半導体素子Aとプロ
グラム電源13、検出器14 (測定検査部)とを接続
する(ステップ100)。測定検査部では検査項目■の
測定を行う(ステップ102)。
グラム電源13、検出器14 (測定検査部)とを接続
する(ステップ100)。測定検査部では検査項目■の
測定を行う(ステップ102)。
続いて、スイッチSW1、SW2を同時にONして半導
体素子A、Bを1つの測定検査部に並列接続しくステッ
プ104)、同時に検査可能な並列検査項目■の測定を
行う(ステップ106)。
体素子A、Bを1つの測定検査部に並列接続しくステッ
プ104)、同時に検査可能な並列検査項目■の測定を
行う(ステップ106)。
そして、スイッチSW2を再びOFFにする(ステップ
108)。
108)。
ステップ110では、ステップ106で測定した検査項
目■が合格か否かを判別し、合格のときには半導体素子
Bの検査項目■も合格として言己憶しくステップ112
)、不合格のときには再度半導体素子Aのみの検査項目
■の測定を行う(ステップ114)。
目■が合格か否かを判別し、合格のときには半導体素子
Bの検査項目■も合格として言己憶しくステップ112
)、不合格のときには再度半導体素子Aのみの検査項目
■の測定を行う(ステップ114)。
次に、半導体素子への検査項目■及び検査項目■を順次
測定する(ステップ116.118)。
測定する(ステップ116.118)。
以上により、半導体素子への全検査項目■〜■の測定が
終了すると、スイッチSWIをOFFにし、スイッチS
W2をONして半導体素子Bの測定を開始する(ステッ
プ120)。
終了すると、スイッチSWIをOFFにし、スイッチS
W2をONして半導体素子Bの測定を開始する(ステッ
プ120)。
ステップ122では、検査項目■の測定を行う。
続いて、ステップ124では半導体素子A、Bの並列検
査項目■が合格だったか否かを判別し、合格の場合には
、検査項目■の測定を省略し、不合格の場合にはステッ
プ126で再度半導体素子Bのみの検査項目■の測定を
行ったのち、ステップ128に進める。
査項目■が合格だったか否かを判別し、合格の場合には
、検査項目■の測定を省略し、不合格の場合にはステッ
プ126で再度半導体素子Bのみの検査項目■の測定を
行ったのち、ステップ128に進める。
ステップ128では検査項目■を測定する。最後に、検
査項目■を測定したのち、スイッチSW2をOFFして
半導体素子A、Bの全検査項目■〜■の測定を終了する
(ステップ130、132)。
査項目■を測定したのち、スイッチSW2をOFFして
半導体素子A、Bの全検査項目■〜■の測定を終了する
(ステップ130、132)。
第3図は半導体素子ASBの検査時のタイミングチャー
トであり、並列検査項目■が合格の場合に関して示して
いる。この場合には、半導体素子Aの検査時に、並列検
査項目■が合格として測定されるため、半導体素子Bの
検査時には並列検査項目■の測定が省略される。
トであり、並列検査項目■が合格の場合に関して示して
いる。この場合には、半導体素子Aの検査時に、並列検
査項目■が合格として測定されるため、半導体素子Bの
検査時には並列検査項目■の測定が省略される。
第4図は半導体素子Δ、Bの検査時のタイミングチャー
トでであり、並列検査項目■が不合格の場合に関して示
している。この場合には、半導体素子Aの検査時に、並
列検査項目■が不合格として測定されるため、半導体素
子Aのみについて並列検査項目■を再度測定し、半導体
素子Bの検査時には全検査項目■〜■の測定が行われる
。
トでであり、並列検査項目■が不合格の場合に関して示
している。この場合には、半導体素子Aの検査時に、並
列検査項目■が不合格として測定されるため、半導体素
子Aのみについて並列検査項目■を再度測定し、半導体
素子Bの検査時には全検査項目■〜■の測定が行われる
。
上記第3図及び第4図からも明らかなように、もし、各
検査項目が同じ測定時間を要すると仮定すると、並列検
査項目■が合格のときには、第9図に示す従来の検査方
法に比べて、l/8の時間だけ測定時間を短縮すること
ができ、並列検査項目が不合格のときには、1/8の時
間だけ長くなる。
検査項目が同じ測定時間を要すると仮定すると、並列検
査項目■が合格のときには、第9図に示す従来の検査方
法に比べて、l/8の時間だけ測定時間を短縮すること
ができ、並列検査項目が不合格のときには、1/8の時
間だけ長くなる。
尚、通常の検査では、合1’3率が50%以下というこ
とは考えられず、はとんどが合格となるので、上記検査
方法により測定時間の短縮化が可能になる。
とは考えられず、はとんどが合格となるので、上記検査
方法により測定時間の短縮化が可能になる。
次に、上記並列検査項目の一例をダイオードの場合につ
いて説明する。
いて説明する。
ダイオードのリーク電流検査の場合(条件10V、10
0nA以下良品)、第5図に示すように、ダイオードA
、Bを並列に結んで測定することができる。同図に示す
ようにスイッチSWI、SW2、を同時にONすること
により、ダイオードA1Bに並列にlOVが印加され、
ダイオードASBのリーク電流の和が測定される。通常
、良品はリーク電流が100nAよりはるかに小さいた
め、検出電流の和が1oOnA以下であればダイオード
A、B共に合格とすることができる。そして不合格の場
合にはスイッチSW1、SW2の開閉を制御して、片側
だけの測定を行って、その性能の合否を検査する。
0nA以下良品)、第5図に示すように、ダイオードA
、Bを並列に結んで測定することができる。同図に示す
ようにスイッチSWI、SW2、を同時にONすること
により、ダイオードA1Bに並列にlOVが印加され、
ダイオードASBのリーク電流の和が測定される。通常
、良品はリーク電流が100nAよりはるかに小さいた
め、検出電流の和が1oOnA以下であればダイオード
A、B共に合格とすることができる。そして不合格の場
合にはスイッチSW1、SW2の開閉を制御して、片側
だけの測定を行って、その性能の合否を検査する。
一方、耐圧検査の場合(条件100μA、30V以上良
品)、第6図において、ダイオードA、Bを並列に結ん
で100μAを加える。この場合、耐圧の低い方の素子
に100μA流れ、耐圧の高い方の素子は電流が流れな
いが、低い方の素子が例えば30V以上であれば、当然
耐圧の高い方の素子は良品であり、双方を合格とするこ
とができる。
品)、第6図において、ダイオードA、Bを並列に結ん
で100μAを加える。この場合、耐圧の低い方の素子
に100μA流れ、耐圧の高い方の素子は電流が流れな
いが、低い方の素子が例えば30V以上であれば、当然
耐圧の高い方の素子は良品であり、双方を合格とするこ
とができる。
尚、このリーク検査、耐圧検査には他の項目より長い測
定時間を要するので、この項目を並列検査項目とするこ
とにより時間短縮の効果を大きくすることができる。ま
た並列検査項目の数が増えて、■、■となった場合には
上記■の場合と同じ処置を■について行えば良い。また
3つの測定部に3つの半導体素子A、BSCが同時に送
り込まれた場合にも同様な処置によって測定時間の短縮
をすることができる。
定時間を要するので、この項目を並列検査項目とするこ
とにより時間短縮の効果を大きくすることができる。ま
た並列検査項目の数が増えて、■、■となった場合には
上記■の場合と同じ処置を■について行えば良い。また
3つの測定部に3つの半導体素子A、BSCが同時に送
り込まれた場合にも同様な処置によって測定時間の短縮
をすることができる。
更に、半導体素子は完成品に限らず、ウェハ上に形成さ
れた複数の半導体チップでもよく、この場合の測定部は
、プローブニードルを介して半導体チップと電気的に接
続される。
れた複数の半導体チップでもよく、この場合の測定部は
、プローブニードルを介して半導体チップと電気的に接
続される。
以上説明したように本発明に係る半導体素子の検査方法
及び装置によれば、1つの測定検査手段によって複数の
半導体素子の良品を順次検査すると共に、同時に検査可
能な並列検査項目については複数の半導体素子を同時に
検査するようにしたため、1つの測定検査手段を有する
従来装置と同等な安価な装置で、検査時間の短縮化を図
ることができる。
及び装置によれば、1つの測定検査手段によって複数の
半導体素子の良品を順次検査すると共に、同時に検査可
能な並列検査項目については複数の半導体素子を同時に
検査するようにしたため、1つの測定検査手段を有する
従来装置と同等な安価な装置で、検査時間の短縮化を図
ることができる。
第1図は本発明に係る半導体素子の検査装置の一実施例
を示すブロック図、第2図は第1図の装置の動作を説明
するために用いたフローチャート、第3図及び第4図は
それぞれ並列検査項目が合格時及び不合格時の半導体素
子ASBの検査タイミングチャート、第5図はダイオー
ドのリーク検査の回路図、第6図はダイオードの耐圧検
査の回路、第7図は2つの測定検査部を有する従来の半
導体素子の検査装置の一例を示すブロック図、第8図及
び第9図はそれぞれ従来の半導体素子の検査方法による
測定時間を示すタイミングチャートである。 11、I2・・・測定部、 13・・・検出器、 1
4・・・プログラム電源、 15・・・制御部、 S
’vV l 。 SW2・・・スイッチ、 A、B・・・半導体素子。
を示すブロック図、第2図は第1図の装置の動作を説明
するために用いたフローチャート、第3図及び第4図は
それぞれ並列検査項目が合格時及び不合格時の半導体素
子ASBの検査タイミングチャート、第5図はダイオー
ドのリーク検査の回路図、第6図はダイオードの耐圧検
査の回路、第7図は2つの測定検査部を有する従来の半
導体素子の検査装置の一例を示すブロック図、第8図及
び第9図はそれぞれ従来の半導体素子の検査方法による
測定時間を示すタイミングチャートである。 11、I2・・・測定部、 13・・・検出器、 1
4・・・プログラム電源、 15・・・制御部、 S
’vV l 。 SW2・・・スイッチ、 A、B・・・半導体素子。
Claims (3)
- (1)1つの測定検査手段に、同種の複数の半導体素子
を1つづつ順次切替接続し、前記検査判定手段によって
前記複数の半導体素子の良否を順次検査する半導体素子
の検査方法において、 前記複数の半導体素子の検査項目のうち、同時に検査可
能な並列検査項目に関しては、前記1つの測定検査手段
と複数の半導体素子とを並列接続して同時に検査し、こ
の並列検査項目の検査が合格のときには第2番目以降の
半導体素子の検査時における前記並列検査項目の検査を
省略し、不合格のときには各半導体素子別に前記並列検
査項目を再度検査するようにしたことを特徴とする半導
体の検査方法。 - (2)前記並列検査項目は、前記半導体素子のリーク検
査及び耐圧検査である請求項1記載の半導体の検査方法
。 - (3)同種の複数の半導体素子にそれぞれ接続される複
数の測定部と、 前記半導体素子の良否を検査する1つの測定検査手段と
、 前記複数の測定部と前記測定検査手段との間に並列に配
設され、前記測定検査手段と複数の測定部との電気的接
続をON/OFFする複数のスイッチと、 前記測定検査手段及び複数のスイッチを制御する制御手
段とを有し、 前記制御手段は、第1番目の半導体素子の検査時には、
前記複数のスイッチのうち第1番目の半導体素子に対応
するスイッチのみをONさせ前記測定検査手段に検査を
行わせ、前記半導体素子の検査項目のうち同時に検査可
能な並列検査項目に関しては、前記複数のスイッチを同
時にONさせ前記測定検査手段に同時検査を行わせ、こ
の並列検査項目の検査が不合格のときには前記第1番目
の半導体素子に対応するスイッチのみをONさせ並列検
査項目の検査を再度行わせ、 第2番目以降の半導体素子の検査時には、その半導体素
子に対応するスイッチのみをONさせ、前記並列検査項
目の検査が合格のときには、前記測定検査手段にこの並
列検査項目を除く検査を行わせ、不合格のときには全項
目の検査を行わせるようにしたことを特徴とする半導体
素子の検査装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1082656A JP2644579B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-03-31 | 半導体素子の検査方法及び装置 |
MYPI89000624A MY103718A (en) | 1988-06-03 | 1989-05-10 | Method and system for inspecting semiconductor devices. |
US07/353,764 US4985673A (en) | 1988-06-03 | 1989-05-18 | Method and system for inspecting plural semiconductor devices |
GB8912069A GB2220754B (en) | 1988-06-03 | 1989-05-25 | Method and system for inspecting semiconductor devices |
KR1019890007594A KR930003089B1 (ko) | 1988-06-03 | 1989-06-02 | 반도체소자의 검사방법및 장치 |
SG312/93A SG31293G (en) | 1988-06-03 | 1993-03-22 | Method and system for inspecting semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13700288 | 1988-06-03 | ||
JP63-137002 | 1988-06-03 | ||
JP1082656A JP2644579B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-03-31 | 半導体素子の検査方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0285772A true JPH0285772A (ja) | 1990-03-27 |
JP2644579B2 JP2644579B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=26423677
Family Applications (1)
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