JPH0274058A - バイブリッドicモジュール - Google Patents

バイブリッドicモジュール

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JPH0274058A
JPH0274058A JP22625888A JP22625888A JPH0274058A JP H0274058 A JPH0274058 A JP H0274058A JP 22625888 A JP22625888 A JP 22625888A JP 22625888 A JP22625888 A JP 22625888A JP H0274058 A JPH0274058 A JP H0274058A
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JP
Japan
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layer
hybrid
silicone resin
case
resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP22625888A
Other languages
English (en)
Inventor
Nariyuki Kawazu
河津 成之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP22625888A priority Critical patent/JPH0274058A/ja
Publication of JPH0274058A publication Critical patent/JPH0274058A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、ハイブリッドICをケースボッティング法
で樹rFiti止したハイブリッドICモジュールに関
するものである。
従来の技術 シリコーン樹脂は電気絶縁性、耐熱性、難燃性、耐湿性
、防水性等に優れるとともに、特に高弾性率を有するこ
とから、このシリコーン樹脂によりハイブリッドICを
コーティングすると、その表面に実装された電子部品に
対する蛎械的応力あるいは熱的応力が抑えられるため、
ハイブリッドICの信頼性を確保する上で有効な手段で
ある。
特開昭58−1113972号公報には、シリコーン樹
脂をケース内に充填して樹脂封止した電子回路基板封止
構造が示されている。これは、電子同語基板を収容した
ケース内に、ゲル状シリコーンゴムを充填するとともに
、このケースの上部開口付近には、接肴性シリコーンゴ
ムを充填したもので、耐熱性、耐温度サイクル性に優れ
たシリコーン1llI脂を用いることによって、従来の
エポキシ樹脂を充填した場合等に、温度サイクルによる
ストレスから亀裂が生じて封止不良となるのを防止する
ものである。しかし、この場合、シリコーン樹脂を多量
に使用するため高価となり、また、シリコーン樹脂は高
弾性率であるがため、車両等の使用条件下で振動が加わ
ると、ケース内に充填されたシリコーン樹脂の表面が車
両等の振動と共振し、大きく波打つ現象が発生するとい
うことがあり、このような現象が発生すると、ハイブリ
ッドICに実装された電子部品に大きな力が加わり、リ
ード切断等の電子部品の破損を招く虞れがある。
そのため従来から、例えば、格子状のjI4造物を、シ
リコーン樹脂の表面に配置することによって共振現象の
発生を防止する方法が採られている。
発明が解決しようとする課題 しかし、格子状の構造物を用いて充填したシリコーン樹
脂の共振を防ぐ従来の方法においては、ハイブリッドI
Cモジュールの内部に、新たに格子状の構造物を配置す
る必要があるため製造工程が増加し、製造コストが高く
なるという問題があった。
また、低コスト化を図る方法としては、特開昭62−3
2696号公報に示されているように、セラミックス多
孔質体(高い空孔率を有する3次元骨格構造体)を用い
る方法があるが、このようなセラミックス多孔質体は、
その周囲に充填される1・1止用の樹脂に比べて硬く、
かつ熱膨張率の差も大きいため、機械的応力あるいは熱
的応力が、そのままセラミックス多孔質体の周囲に充填
されている樹脂に加わる。したがって、繰返し加わる応
力によって封止用樹脂の劣化が早まり、その結果、ハイ
ブリッドICモジュールの信頼性、耐久性が損なわれる
虞れがあった。
この発明は上記した技術的背景の下になされたもので、
耐震強度に優れるとともに、比較的安価なハイブリッド
ICモジュールの提供を目的としている。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するための手段としてこの発明は、ハイ
ブリッドICを収容したケース内に、樹脂を充填して封
止したハイブリッドICモジュールにおいて、前記ケー
ス内に充填される樹脂が、ハイブリッドICの周囲を被
覆する非発泡シリコーン樹脂からなる第1層と、この第
1層の表面を被覆する発泡性シリコーン樹脂からなる第
21とで構成されていることをVt1tとしている。
作   用 上記のように構成することにより、ハイブリッドICの
周囲を被覆する第1層の非発泡シリコーン樹脂が高弾性
率であるため、ハイブリッドIC上に実装された電子部
品への闘械的応力および熱的応力を抑える。また第2層
の発泡性シリコーン11脂が、第1層の非発泡シリコー
ン樹脂と富者してその表面を覆い、この第1層の共振を
防止する。
実施例 以下、この発明のハイブリッドICモジュールの実施例
を第1図ないし第9図を参照して説明する。
第1図ないし第6図はこの考案の第1実施例を示すもの
で、第1図はハイブリッドICモジュール用のケース1
で、このケース1の材質は、このケース1内に収容され
るハイブリッドICを保護するのに必要な機械的強度を
有するとともに、ゲル状のシリコーン樹脂に対する接着
性があれば、アルミニウム、鉄、ステンレス鋼等の金属
、あるいはポリブチレンテレフタレート(PAT) 、
ポリカーボネート(PC) 、ポリエチレンテレフタレ
ート(PET) 、ナイロン等のプラスチックでもよい
次に、ケース1を用いてハイブリッドICモジュールを
製造する工程を第2図ないし第6図に蟇いて説明する。
まず、ハイブリッドIC2を、ケース1内の底部側にエ
ポキシ系あるいはシリコーン系等の接着剤により接着し
て取付ける(第2図参照)。このハイブリッドICはセ
ラミック基板、金属基板あるいはプラスチック基板等の
回路基板の表面に厚膜回路(図示ぜず)が形成され、ま
たチップコンデンサ、チップ抵抗、チップトランジスタ
等の電子部品3,4が実装されている。
つぎに非発泡シリコーン樹脂の樹脂液5をケース1内に
流し込み、70〜150℃で30分程度加熱して硬化さ
せ、ケース1内に収容されているハイプリントIC2の
周囲を、ゲル状のシリコーン樹脂の第1層5′で覆う。
次に、ケース1内に発泡性シリコーン樹脂の樹脂液6を
注入する(第4図参照)。この発泡性シリコーン樹脂6
は、通常、2液性熱硬化型の樹脂で、加熱することによ
り発泡し、樹脂液の容積の2〜5倍程度に膨張し硬化す
るものである。
そして、発泡性シリコーン樹脂液6を注入した後、室温
に放置しておくか、より反応を促進させるために加熱す
ると、発泡性シリコーン樹脂の樹If7液6は発泡して
ケース1内に充満し、硬化して多孔質の第2層6′が形
成される(第5図参照)。
発泡性シリコーン樹脂の第2層6′が形成されたら、こ
の第2層6′の上部が蓋体7に当接するようにして、ケ
ース1の上部開口を、ケース1と同一材からなる硬質樹
脂製等の益体7で密閉してハイブリッドICモジュール
8が完成する。
このようにハイブリッドICモジュール8は、ケース1
内に収容したハイブリッドIC2の周囲を、高弾性率の
非発泡シリコーン樹脂の第1層5′で被覆するとともに
、発泡性シリコーン樹脂の第2層6′を、前記第1層5
′の表面を蕾いかつケース1内に充満するように形成し
、さらに益体7でケース1を密閉したので、高弾性率の
第1層により、外界からの機械的応力あるいは熱的応力
が緩和されるとともに、ケース1内に満された第2層6
′が第1層5′となじみ易い発泡性シリコーン樹脂であ
ることにより第1層5′と第2層6′とが一体化して、
共振現象の発生が有効に抑えられ、さらに、第2層6′
の上部が蓋体7に当接して、さらに共振を防ぐので、耐
久性に優れ、信頼性の高いハイブリッドICモジュール
とすることができる。また第2層6′を発泡性シリコー
ン樹脂としたことにより、シリコーン樹脂の使用量が低
減され、コストダウンが図れる。
また、第7図ないし第9図は第2実施例としてハイブリ
ッドICモジュールの別の製造工程を示すもので、先ず
、前記第1実施例のハイブリッドICモジュールの場合
の製造工程(第2図および第3図)と同様に、ケース1
内にハイブリッドIC2を取付けた後、非発泡シリコー
ン樹脂の樹脂液5を注入にし、硬化させて、ハイブリッ
ドrC2の周囲を覆うように第1層5′を形成し、さら
にケース1内に発泡性シリコーン樹脂の樹脂液6を注入
した後、ケース1の上部開口をエア抜き孔17a付きの
益体17で閉塞する(第7図参照)。
次に、室温に放置しておくか、より反応を促進させるた
めに加熱すると、発泡性シリコーン樹脂の樹脂液6は発
泡してケース1内に充満する。このとき、発泡性シリコ
ーン樹脂の膨張に伴ってケース1内の空気はエア抜き孔
17aから排出され、ケース1内に空隙がない状態に充
満し、前記第1層5′の表面に多孔質の第2層6′が形
成される。
この第2116’は、第1層5′となじみ易く、一体止
するとともに、ケース1の周囲の壁面に密着し、さらに
蓋体17とも密着する。
また、発泡した余分な樹脂6nはエア抜き孔17aから
溢れ出させることにより、ケース1内の圧力上昇による
益体17の脱離および内部応力によるハイブリッドIC
の損傷等が防止される(第8図111照ン 。
そして、エア抜き孔17aから溢れた樹1fi6“を除
去した後、エア抜き孔17aを密閉1119により閉止
して、ハイブリッドICモジュール18が完成する(第
9図参集)。
このようにハイブリッドICモジュール18は、ケース
1内に収容したハイブリッドIC2の周囲を、高弾性率
の非発泡シリコーン樹脂の第1層5′で被覆するととも
に、発泡性シリコーン樹脂の第2層6′が、前記第1層
5′の表面を覆いかつケース1内に空隙のない状態に充
満するように形成されるので、高弾性率の第1曙により
、外界からの機械的応力あるいは熱的応力が緩和され、
また前記第1実施例の場合と同様に、ケース1内に満さ
れた第2層6′によって共振現象の発生が抑えられると
ともに、内部に水分の溜まる空隙がないため、耐久性に
優れ、より信頼性の高いハイブリッドICモジュールと
することができる。
なお、前記両実絶倒においては、第1層5′を形成する
樹脂としてゲル状のシリコーン樹脂を用いたが、ハイブ
リッドICモジュール8,18の使用条件が厳しくない
場合には、ゴム状のシリコーン樹脂を使用することもで
きる。
発明の詳細 な説明したようにこの発明のハイブリッドICモジュー
ルは、ケース内に充填される樹脂が、ハイブリッドIC
の周囲を被覆する非発泡シリコーン樹脂からなる第11
ilと、この第1層の表面を被覆する発泡性シリコーン
樹脂からなる第2層とで構成されているので、外界から
の機械的応力および熱的応力を緩和できるとともに、車
両等の使用条件下で振動が伝わっても共振しないため、
耐久性に優れ、信頼性の高いハイブリッドICモジュー
ルとすることができる。また、第2層に発泡性シリコー
ン樹脂を用いているので、シリコーン樹脂の使用量を低
減され、離燃性を損なうことなく低コスト化が図れる等
の効果を有する。また、製造設備等は従来のハイブリッ
ドICモジュールの製造設備をそのまま流用できるので
、新たに設備賀を投下する必要がない等の利点を有する
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第6図はこの発明の第1実施例を示し、第
1図はケースの断面図、第2図はケースにハイブリッド
ICを取付けた状態を示す断面図、第3図は非発泡シリ
コーン樹脂を注入した状態を示す断面図、第4図は第1
層の上に発泡性シリコーン樹脂を注入した状態を示す断
面図、第5図は発泡性シリコーン樹脂を発泡させて第2
層を形成した状態を示す断面図、第6図は蓋体で密閉し
た完成品の断面図、第7図ないし第9図は第2実施例を
示し、第7図は第1層の上に発泡性シリコーン樹脂を注
入して蓋体をした状態を示す断面図、第8図は発泡させ
て第2層を形成した状態を示す断面図、第9図は完成品
を示す断面図である。 1・・・ケース、 2・・・ハイブリッドIC13゜4
・・・チップ部品、 5・・・非発泡シリコーン樹脂液
、5′・・・第1層、 6・・・発泡性シリコーンの樹
脂液、6′・・・第2層、 7,17・・・蓋体、 1
7a・・・エア抜き孔、 8,18・・・ハイブリッド
ICモジュール。 出願人  トヨタ自動車株式会社 代理人  弁理士  豊 1)武久 (ほか1名) 第1図 第4図 第2図 第5図 第3図 第6図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ハイブリッドICを収容したケース内に、樹脂を充填
    して封止したハイブリッドICモジュールにおいて、前
    記ケース内に充填される樹脂が、ハイブリッドICの周
    囲を被覆する非発泡シリコーン樹脂からなる第1層と、
    この第1層の表面を被覆する発泡性シリコーン樹脂から
    なる第2層とで構成されていることを特徴とするハイブ
    リッドICモジュール。
JP22625888A 1988-09-09 1988-09-09 バイブリッドicモジュール Pending JPH0274058A (ja)

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JP22625888A JPH0274058A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 バイブリッドicモジュール

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6313521B1 (en) * 1998-11-04 2001-11-06 Nec Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6313521B1 (en) * 1998-11-04 2001-11-06 Nec Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same

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