JP5292780B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
この半導体装置では異物混入の防止のため、薄板状の樹脂カバーが取り付けられている。樹脂カバーはその周縁端面部を接着剤により樹脂製ケースの開口部の内壁に接着されている。
このため、従来の樹脂カバー周縁の接着による固定構造では、固化した接着剤が振動に耐えられず、樹脂カバーの固定強度の確保が困難であるという問題があった。そして接着剤が振動で剥がれると樹脂カバーが共振振動して騒音を発生することになる。
図1は実施の形態の外観斜視図であり、図2はその内部構成を示す断面図、図3はカバーを取り外した状態を示す斜視図、そして図4はカバーの斜視図である。
半導体装置1は、半導体素子を内部に収納配置したケース10にカバー20を取り付けて構成される。
ケース10は箱型を形成する平面形が直方形の樹脂製枠11とこの樹脂製枠にモールドされた金属製のベース板15とからなる。樹脂製枠11は長手方向の中央部に両長辺間をつなぐ連結部12を有して、これによりケース内を2室R、Rに区画している。樹脂製枠11の材料としてはPPS(ポリフェニレンサルファイド)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)などが好適である。
ケース10の各室Rは樹脂製枠11と同材料のカバー20で一括して蓋される。
ケース10を蓋した状態でカバー20の周縁は樹脂製枠11の内壁と整合しており、カバー20が載置される連結部12の上面13は、カバー20の板厚分だけ樹脂製枠11の上面より低く設定されている。したがって、カバー20の上面は樹脂製枠11の上面と面一になっている。
ケース10の各室Rにはそれぞれゲル状シリコン樹脂Gが充填されて半導体素子35や回路基板36を封止する。ゲル状シリコン樹脂Gは所定の高さまで充填され、充填状態での上表面とカバー20の一般面21の裏面(下面)との間には所定の間隙が残される。
樹脂製枠11のカバー長手方向両端に対応する辺には、カバー20の段差部24に対向する室内側への張り出し部16が形成され、張り出し部の上面17はカバー20の段差部の下面25と平行で、両面16、25の間が所定の間隙となるように張り出し部16の上面17の高さが設定されている。これにより、カバーの段差部24の下面25と張り出し部16の上面17との間にはゲル状シリコン樹脂Gが上記所定の間隙分の厚さSで介在することになる。
そして、カバー20の長手方向の両端がケース10内部でゲル状シリコン樹脂Gと接触しており、硬化後のゲル状シリコン樹脂Gは粘着性があるので、ケース10に振動が加わってもカバー20の共振が抑制され、騒音を発生しない。
これによれば、ゲル状シリコン樹脂Gの厚さSが2mm以下であると、共振周波数が1200Hz以上となる。一般車両に搭載される装置や部品としては、共振周波数が1000Hz以上であれば振動による騒音は問題ないとされている。したがって、ゲル状シリコン樹脂Gの表面の高さの製作時における誤差を考慮して、カバー20の段差部24の下面25と張り出し部16の上面17の間におけるゲル状シリコン樹脂Gの厚さSを1mm程度に設定するのが好ましい。
カバー固定のために従来カバーの全周にわたって接着剤を塗布していたものと比較して、コストも組み立て作業の手間も低減する。
さらに、カバー20の長手方向の両端がゲル状シリコン樹脂Gと接触しているので、その粘性によって振動が減衰され、カバー20の共振が抑制される。したがって、振動環境下に設置されても騒音を発生しない。
また、カバー20の長手方向両端の辺のゲル状シリコン樹脂Gとの接触部分はケース10の内方へ突出する段差部24となっており、ケース10は段差部24の下面25と所定の間隙をもって対向する張り出し部16を有して、ゲル状シリコン樹脂Gが張り出し部16の上面17上に上記所定の間隙分に相当する厚さSを有するように充填されているので、段差部24の下面25がゲル状シリコン樹脂Gの表面と面で接触することになり、振動の減衰効果が大きい。
図6の(a)は第1の変形例の斜視図、(b)は段差部の断面図である。
段差部24Aの下面25に四角断面の凸部27を設けることにより、段差部24Aの一部がゲル状シリコン樹脂G内に浸るようにしている。
実施の形態ではとくにカバー20の長手方向に対して垂直方向の振動に対して減衰効果が大きいが、この変形例では、カバー20の長手方向と平行方向の振動成分に対しても減衰効果が大きい。
図6の(c)は第2の変形例の斜視図、(d)は段差部の断面図である。段差部24Bはその下面25に三角形断面の凸部28を設けることにより、段差部24Bの一部がゲル状シリコン樹脂G内に浸るようにしている。
これによればカバー20の長手方向に対して斜め方向の振動に対しても大きな減衰効果が得られる。
10 ケース
11 樹脂製枠
12 連結部
13 上面
14 ねじ孔
15 ベース板
16 張り出し部
17 上面
20 カバー
21 一般面
22 穴
24、24A、24B 段差部
25 下面
27、28 凸部
30 ボルト
32 ヘッド
35 半導体素子
36 回路基板
G ゲル状シリコン樹脂
R 室
Claims (7)
- ケース内に半導体素子を収納配置するとともに、カバーで蓋をした半導体装置において、
前記ケース内には粘性絶縁物を充填して前記半導体素子を封止し、
前記ケースは、中央部に設けた連結部と、張り出し部とを具備し、
前記カバーは中央部をボルトで前記ケースの連結部に固定するとともに、前記カバーの端部下面と前記ケースの張り出し部上面との間隙に前記粘性絶縁物を介在させていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ケースは方形であり、前記カバーはケースにそわせた方形の板状であり、
前記端部はカバーの長手方向の両端の辺であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記カバーは長手方向の両端の辺に前記ケースの内方へ突出する段差部を有し、
前記張り出し部上面は前記段差部の下面と所定の間隙をもって対向し、
前記粘性絶縁物は、その表面が前記張り出し部より前記所定の間隙分だけ高い位置となるように充填されて、前記段差部の下面が前記粘性絶縁物の表面と接触することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記段差部の下面に凸部を備えていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記凸部が四角断面を有していることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記凸部が三角形断面を有していることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記粘性絶縁物がゲル状シリコン樹脂であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1に記載の半導体装置。
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