JPH0273967A - 高効率スパッタリング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、導電性ターゲットを均一にスパッタリングし
て薄膜を形成することを特徴とする高効率スパッタリン
グ方法に関するものである。

［従来の技術］ 液晶パネルの表示電極や太陽電池の表面電極等に用いら
れている透明導電膜は、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウ
ム）やＦ−３ｎＯｚ　　（フッ素ドープ酸化錫）等の導
電性金属酸化物膜が使用されている。これらの膜を基板
上に形成する手段としては蒸着、イオンブレーティング
、スパッタリング、ＣＶＤ等の方法があるが、高品質（
低抵抗、高透過率、低欠陥）膜を大面積基板上に均一に
形成するためには、スパッタリング法が最も有力な手法
であると考えられる。そこでマグネトロン方式のスパッ
タリングで、導電性金属酸化物、特にＩＴＯの焼結体タ
ーゲットを用い、わずかに酸素ガスを流した雰囲気でス
パッタリングを行い、透明導電膜付基板を得ることが行
われている。

［発明の解決しようとする課題］ しかしながら、この従来のマグネトロン方式のスパッタ
リングにおいては、ターゲット自体がグロー放電の陰極
となっており、プラズマの密度を高めるため、ターゲッ
ト裏側に配置された永久磁石により、プラズマがターゲ
ット表面でドーナツ状に局在した格好になっている。こ
のため、ターゲットの入射するイオンはこの局在したプ
ラズマの形状を反映した密度分布を持ち、結果として、
ターゲット表面がスパッタリングにより、ドーナツ状に
侵食されていくことになる。

即ち、従来のマグネトロンスパッタ方式では第２図に示
したように、プラズマ領域２２が、ターゲット２１表面
上でドーナツ状に局在しているために、ターゲットに入
射するイオンはこのプラズマ２２に対応して、ドーナツ
状の分布を持つことになる。その結果、ターゲット２１
は第２図の２５で示したような侵食部を持ってしまう。

ターゲットの寿命はこの侵食の深さで決まるので、この
ような従来のマグネトロンスパッタリングにおいては、
ターゲットの使用効率はせいぜい１５〜２５％程度であ
った。しかも、ＩＴＯ等の導電性酸化物ターゲットは焼
結セラミックスなので、金属ターゲットと異なり、再生
が困難であるため、ターゲットに関わるコストが高くな
ってしまうという欠点があった。

Ｅ問題点を解決するための手段］ 本発明の目的は、従来技術の有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、具体的には、ターゲットを
均一にスパッタリングしてその使用効率を飛躍的に向上
させるスパッタリング方法を提供することである。

即ち、本発明はアーク放電によって発生したプラズマを
磁場手段によってシート状に変形したプラズマに面して
導電性ターゲットを平行に配置し、該導電性ターゲット
に直流電源によつて上記シートプラズマより負の電位を
与えて、該シートプラズマ中のイオン化された粒子を上
記導電性ターゲット表面に均一に入射させて該導電性タ
ーゲットのスパッタリングを行い、シートプラズマを挟
んでターゲットの反対側に対向して配置した基体上にス
パッタリングされた粒子を付着させて薄膜を形成するこ
とを特徴とする高効率スパッタリング方法を提供するも
のである。

以下、本発明を図面にしたがって説明する。

第１図は本発明の基本的構成を示す断面図である。１１
は導電性ターゲットの断面を示している。こ、れに用い
られる材料としては、金属、合金、これらの酸化物、硼
化物、炭化物、珪化物、あるいはこれらのうち１又は２
種類以上を含む混合物などのうち、導電性を有するもの
ならよく、特に限定されるものではない。導電性金属酸
化物膜を形成する場合には、金属酸化物ターゲットを用
いると、製膜条件の制御が容易で良質の膜が得られるの
で好ましい。透明導電性金属酸化物膜を形成する場合に
は、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、アンチモンド
ープ酸化錫、アルミニウム又はシリコンドープ酸化亜鉛
等を用いることができる。特に、錫を含む酸化インジウ
ム膜を形成する場合には、非常に低抵抗の膜が得られる
という理由から錫を５〜１０重量％含む酸化インジウム
ターゲットが好ましい。

１２はシート状に変形されたプラズマの断面である。か
かるシートプラズマの形成法については後述する。

１３は本発明において薄膜を形成する基体の断面を示し
ており、かかる基体としては、ガラス、プラスチック、
金属、セラミックスからなる基板やフィルムなどを使用
でき、特に限定されるものではない。

１４は陰極のアースシールドの断面を示している。

１５のハツチングで示された部分がターゲットの侵食さ
れた部分である。

第３図は本発明の方法によってコーティングを行うにあ
たって用いる装置の一例を示したものである。第３図の
ターゲット４０と基板３９を通り、紙面に垂直な断面を
、アーク放電プラズマ流発生源３１からアノード３２へ
向かう方向から見たところが、第１図のようになる。

本発明においては、アーク放電によりプラズマ流を用い
る。かかるアーク放電プラズマ流は、アーク放電プラズ
マ流発生源３１とアノード３２の間で、プラズマ発生用
直流電源３４によってアーク放電を行うことで生成され
る。

かかるアーク放電プラズマ流発生源３１としては、複合
陰極型プラズマ発生装置、又は、圧力勾配型プラズマ発
生装置、又は両者を組み合わせたプラズマ発生装置が好
ましい。このようなプラズマ発生装置については、真空
第２５巻第１Ｏ号（１９８２年発行）に記載されている
。

複合陰極型プラズマ発生装置とは、熱容量の小さい補助
陰極と、ＬａＢ、からなる主陰極とを有し、該補助陰極
に初期放電を集中させ、それを利用して主陰極ＬａＢ　
６を加熱し、主陰極ＬａＢ５が最終陰極としてアーク放
電を行うようにしたプラズマ発生装置である。例えば、
第６図のような装置が挙げられる。補助陰極としてはｗ
、Ｔａ。

Ｍｏ等の高融点金属のコイル又はバイブ状のものが挙げ
られる。

このような複合陰極型プラズマ発生装置においては、熱
容量の小さな補助陰極６２を集中的に初期放電で加熱し
、初期陰極として動作させ、間接的にＬａＢｇの主陰極
６１を加熱し、最終的にはＬａ５ｓの主陰極６１による
アーク放電へと移行させる方式であるので、補助陰極６
２が２５００℃以上の高温になって寿命に影響する以前
にＬａＢ、の主陰極６１カ月５００℃〜１８００℃に加
熱され、大電子流放出可能になるので、補助陰極６２の
それ以上の温度上昇が避けられるという点が大きな利点
である。

又、圧力勾配型プラズマ発生装置とは、陰極と陽極の間
に中間電極を介在させ、陰極領域をＩ　Ｔｏｒｒ程度に
、そして陽極領域を１０−”Ｔｏｒｒ程度に保って放電
を行うものであり、陽極領域からのイオン逆流による陰
極の損傷がない上に、中間電極のない放電形式のものと
比較して、放電電子流をつくりだすためのキャリアガス
のガス効率が飛躍的に高く、大電流放電が可能であると
いう利点を有している。

複合陰極型プラズマ発生装置と、圧力勾配型プラズマ発
生装置とは、それぞれ上記のような利点を有しており、
両者を組み合わせたプラズマ発生装置、即ち、陰極とし
て複合陰極を用いると共に中間電極も配したプラズマ発
生装置は、上記利点を同時に得ることができるので本発
明のアーク放電プラズマ流発生源１として大変好ましい
。

第３図にはアーク放電プラズマ発生源３１として第６図
のような複合陰極５１と、環状永久磁石を含む第１中間
電極５２、空芯コイルを含む第２中間電極を有する第２
中間電極５３を有するものを用いた場合を示した。

本発明においては、プラズマ発生源３１とアノード３２
を、両者間にスパッタリング領域３５が位置するように
配置し、２個以上の空芯コイル３６によってプラズマ発
生源３１からアノード３２方向に向かう磁場３７を形成
し、プラズマ発生源３１から発生したアーク放電による
高密度のプラズマ流を真空室３３に引き出す。さらに、
引き出したプラズマをシート状にするために、一対の永
久磁石３８をプラズマ発生源３１とスパッタリング領域
３５の間で、同極面を対向させてプラズマをターゲット
４０と基体３９方向から挟み（例えば、Ｎ極とＮ極を対
向させる）、かつ、永久磁石のＮ極、あるいは、Ｓ極面
をターゲット４０面、あるいは、被膜を形成する基体３
９面と平行になるように配置し、プラズマをターゲット
４０、基板３９と平行な方向におしつぶし、シート状プ
ラズマ４１を形成する。又、シートプラズマ４１を挟む
ようにターゲット４０と基板３９を配置し、ターゲット
４０がシートプラズマ４１に対して負になるように、タ
ーゲット４０にスパッタリング電源４２によってスパタ
リング電圧を印加する。

第３図において、永久磁石３８によってシート状に変形
されたシートプラズマ４１は、第３図の上から下方向の
厚さ及び第３図に垂直な方向に幅を有している。ガス導
入口１３からは、放電用ガスが導入される。かかる放電
用ガスとしては、特に限定されない。放電のしやすさと
、スパッタリング効率の点からＡｒ、　Ｈｅ等の不活性
ガスを用いることが望ましい。不活性ガスとしてＨｅを
用いると、Ｈｅは原子半径が小さいので、膜中に混入し
ても、内部応力発生の原因とはなりにくいので、内部応
力の大きい膜、例えばＴｉＮ等を形成する場合には有利
である。又、真空室３３内のガス雰囲気は、スパッタリ
ングガスとしてのＡｒ等の不活性ガスの他に、第３図に
は図示していないが、真空室３３に設けられたガス導入
手段により、反応ガスとしてＯｚ、Ｎｘ等を、Ｏ〜４０
体積％添加してもよい。又、真空室３３は、排気手段に
よって１０−”Ｔｏｒｒ程度又はそれ以下に保たれるこ
とが望ましい。

又、本発明において基体９上に形成される薄膜としては
、金属膜、合金膜、金属の酸化物、窒化物、硼化物、珪
化物、炭化物、あるいはこれらのうち１又は２種類以上
を含む混合物からなる薄膜等が形成でき、特に限定され
るものではないが、本発明の方法は、低抵抗で高透過率
の透明導電膜を得るのに最適である。かかる透明導電膜
としては、錫を含む酸化インジウム膜、アンチモンを含
んだ酸化錫膜、アルミニウムを含んだ酸化亜鉛膜、シリ
コンを含んだ酸化亜鉛膜等が好適な例として挙げられる
。

本発明において、製膜中、基体３９は静止していても良
いし、搬送されてもよい。特に、第３図において基体を
紙面に垂直な方向、第１図において矢印１６方向に、即
ち、ターゲット４０（第１図では１１）を横切る方向に
基体を搬送しながらスパッタリングを行うと、装置の配
置の点でも有利であり、連続して製膜な行うことができ
、量産性を高めることができるので好ましい。

さらに、第４図（ａ）　（ｂ）のように、２以上のブラ
ズマ発生源３１から発生したプラズマを磁場手段（具体
的には、第４図においては永久磁石３８）によってシー
ト状に変形したシートプラズマを同一平面内に隣接させ
て大面積のシートプラズマを形成し、このシートプラズ
マに対し導電性ターゲット４０を平行に配置し、該大面
積シートプラズマ４３を挟んでターゲット４０の反対側
に対向して配置した基体上に薄膜を形成することもでき
る。第４図（ａ）　（ｂ）は、第３図のような装置を３
つ隣接させた場合を第３図の上から下へ向かって見た所
を示す図である。このように複数のシートプラズマを隣
接させる場合、永久磁石３８による、シートプラズマの
幅方向の磁場成分Ｂつの対称性を保つために、複数の永
久磁石３８を結ぶ線の延長線上、かつシートプラズマの
両端の外側には、もう−組ずつの永久磁石４４を配する
必要がある。

ターゲット４０は、第４図（ａ）のように大面積のもの
一個でもよいし、第４図（ｂ）のように複数であっても
良い。

第４図（ａ）　（ｂ）どちらの場合も、薄膜が形成され
る基体は静止していてもよいし、搬送してもよい。第４
図（ａ）の場合は矢印４５方向に基体を搬送すると、大
面積の薄膜が非常に高速で製膜できる。又、第４図（ｂ
）の場合は、３個のタゲット４０として互いに異なる材
質のターゲットを用い、基体を矢印４５方向に搬送しな
がらスパッタリングを行えば、基体上に多層膜からなる
膜を形成することができる。

又、第４図のように直接シートプラズマを隣接させず、
第５図のように、第３図のような真空室３３を連結して
多層膜を形成するできるようにすることもできる。第５
図は真空室３３　（ａ）　。

（ｂｌ　、　（ｃ）を磁界、電界及び雰囲気ガスを遮蔽
する手段５５を介して連結された装置を示しており、基
体１３は矢印５６方向に搬送されれば、基体側からター
ゲット１１（ｃ）、１１（ｂ）、１１（ａ）の材質から
なる膜が積層された多層膜が形成される。

又、真空室ごとに雰囲気ガスを変えることができるので
、反応性スパッタリングによってできる膜の多層膜も作
成できる。

本発明においては、アーク放電プラズマ流発生源３１に
印加する直流電源３４や、プラズマ流をシート状に変形
する永久磁石３８等を調整すれば、厚さ０．５〜３　ｃ
ｍ、幅１０〜５０ｃｍ、長さ２０ｃｍ〜３ｍ程度のシー
トプラズマを容易に形成できる。又、本発明において、
シートプラズマ４１表面と基体３９の間の距離は２〜３
０ｃｍ程度であることが好ましい。これより近づけると
基体の温度が大幅に上昇してしまい、耐熱性の弱い基体
には適用できなくなる。又、これより離すとスパッタリ
ングによってターゲットからたたきだされた粒子が有効
に基体に付着しな（なる。

又、本発明において、シートプラズマ４１表面とターゲ
ット４０の間の距離は１−１０ｃｍ程度であることが好
ましい。これより近づけるとターゲットの温度が大幅に
上昇してしまい、低融点のターゲットが使用できな（な
る。又、これより離すとスパッタリングパワーが有効に
投入されなくなってしまう。

本発明においては、１０００〜１００００人／ｓｅｅ程
度の成膜速度が得られ、マグネトロスパックリング等の
従来の成膜方法に比べ２〜５倍程度の高速で良質の膜が
成膜できる。

例えば、錫を含む酸化インジウムのターゲットを用いて
ＩＴＯ膜を製膜する場合、２０００〜５０００人７ｓｅ
ｃ程度の製膜速度で比抵抗３　Ｘ　１０”’Ω・ｃｌ！
１以下の低抵抗のＩＴＯ膜が得られる。

本発明の方法は、液晶表示素子等のデイスプレー用の透
明電極、太陽電池等の電極、熱線反射ガラス、電磁遮蔽
ガラス、低放射率（Ｌｏｗ−Ｅ＋ｎ１ｓｓｉｖｉｔｙ）
ガラス等の製造にも適用できる。

［作用］ 本発明において、シートプラズマ１２はスパッタリング
のイオン源として作用する。即ち、このシートプラズマ
１２中のイオンが、ターゲット１１に印加された負電圧
により加速されてターゲット１１表面に入射しく第１図
矢印１７方向）、スパッタリングによりターゲット原子
をたたきだして基板１３上に膜として堆積させるのであ
る。

ここで、このプラズマシート状に形成されており、全体
に亘って均一な密度を持つことから、入射イオンはター
ゲット１１表面全面に亘って均一な密度で入射するため
に、第１図に示した如く、ターゲット１１は均一に侵食
されていくことになる。

又、本発明において、使用される高密度シートプラズマ
は、アーク放電を利用しているため、従来のマグネトロ
ンスパッタやイオンブレーティングに利用されているグ
ロー放電型プラズマに比べて、プラズマの密度が５０〜
１００倍高く、ガスの電離度は、数十％となり、イオン
密度、電子密度、中性活性種密度も非常に高い。

このような高密度のプラズマにターゲットと基板を対向
させ、プラズマに対して、ターゲットに負の電圧を印加
すると、ターゲット方向に非常に多数のイオンを取り出
すことが可能となり、従来のマグネトロンスパッタリン
グに比較して、２〜５倍の高速スパッタリングを実現で
きる。さらに、酸素、アルゴン等の雰囲気ガスの多くは
、反応性の高いイオンや中性の活性状態を取り、加えて
スパッタリングされたインジウムや酸素原子も基板に到
達する前に、高密度のプラズマの中を通り、反応性の高
いイオンや中性の活性種となる。その結果、基板上での
反応性が高まり、基板加熱がなくとも、比抵抗の低い透
明導電膜が、従来よりも高速の成膜速度で実現できる。

［実施例１］ 厚み８　ｍ１ｍのＩＴＯ（錫を含み酸化インジウム）タ
ーゲットを用いて、本発明によるスパッタリングをター
ゲットの侵食深さが４　ｍ１ｍになるまで断続的に行っ
た。このときターゲット表面はほぼ平坦であった。この
時点でターゲットの重量減少分から、その使用効率を計
算したところ８４％であった。

［比較例１］ 厚み８　ｍ／ｍのＩＴＯターゲットを用いて、マグネト
ロンスパッタリングをターゲットの侵食深さが４　ｍ／
ｍになるまで断続的に行った。このときターゲット表面
はドーナツ状にえぐられていた。この時点でターゲット
の重量減少分から、その使用効率を計算したところ１４
％であった。

実施例２ 第６図に示すような複合陰極５１を有する圧力勾配型の
アーク放電プラズマ流発生源３１を配置した第３図のよ
うなスパッタリング装置を用い、ターゲット４０として
錫を７．５重量％添加した酸化インジウムの焼結体（ｌ
　Ｏｃｍ　Ｘ　４０ｃｆｆｌＸ厚さ８ｍｍ）を使用し、
加熱していないノンアルカリガラス基板上（旭硝子社製
ＡＮガラス（商品名）　、　１０ｃｍＸ　３０ｃｍ）に
以下の通りの方法によりＩＴＯ膜を以下の方法によりコ
ーティングした。

まず、スパッタリング装置内をＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒ以下に排気した後、プラズマガンにアルゴンガスな導
入し、放電電流を１８０Ａに設定し、シートプラズマ１
１を発生させた。この後、スパッタリング圧力がｌ　Ｘ
　Ｉｎ−”Ｔｏｒｒで、酸素分圧が２％になるように、
アルゴン、および酸素ガスをスパッタリングチャンバー
内に導入した。ここで、ターゲットに一４００ｖのスパ
ッタリング電圧を印加し、基板静止の状態で１分間ＩＴ
Ｏ膜を成膜した。ターゲットとシートプラズマ間は約３
ｃｍ、シートプラズマと基板間は約４ｃｍ、ターゲット
と基板間は約８ｃｍであった。この時のスパッタリング
電流は、９．３Ａであり、成膜中の基板温度上昇は１１
（１℃以下であった。コーティングされたＩＴＯ膜の特
性は、膜厚：　４８００人、比抵抗：　　２．５Ｘ１０
−’Ωｃｍ、波長５５０止での透過率：８２％であった
。このような製膜プロセスを約５０００回繰り返した後
ターゲット４０を取り出して調べたところターゲット表
面はほぼ平坦であり、均一なエロージョンを示していた
。

比較例２ 実施例２と同程度のターゲットサイズを持つＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置を用い、ターゲットとして、
実施例２と同様の錫を７．５重量％添加した酸化インジ
ウムの焼結体を使用し、実施例１と同様のガラス基板上
にＩＴＯ膜を以下の方法によりコーティングした。

まず、スパッタリング装置内をＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒ以下に排気した後、スパッタリング圧力が１×１０−
”Ｔｏｒｒで、酸素分圧が２％になるように、アルゴン
、および酸素ガスをスパッタリングチャンバー内にガス
導入口３５から導入する。ここで、ターゲット３２に一
４００ｖのスパッタリング電圧をスパッタリング電源３
４により印加し、基板静止の状態で１分間ＩＴＯ膜を成
膜した。この時のスパッタリング電流は、　３．ＯＡで
あった。ターゲット３２と基板３１間は約８ｃｍであり
、成膜中の基板温度上昇は１５０℃以下であった。

コーティングされたＩＴＯ膜の特性は、膜厚：１８００
人、比抵抗：　　７．２Ｘ　１０−’Ωａｍ、波長５５
０ｎｍでの透過率：８０％であった。このような製膜プ
ロセスを約１００００回繰り返した後ターゲットを取り
出して調べたところターゲット表面はわずかながらドー
ナツ状にえぐられており、明らかにドーナツ状のエロー
ジョンを示していた。

［発明の効果］ 以上により明らかなように、本発明はターゲットの侵食
領域を全面に亘らせるという効果により、高価で再生の
困難な導電性金属酸化物ターゲットの使用効率を８０〜
９０％まで飛躍的に高めることができる。

又、本発明によれば大面積基体へ連続的に高速で、かつ
均一な薄膜を形成することもできる。又、多層膜も形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法の基本的構成を示す断面図、第２
図は従来のマグネトロンスパッタリング法の基本的構成
を示す断面図、第３図は本発明の方法によってコーティ
ングを行うに当たって用いる装置の一例を示す断面図、
第４図は複数のシートプラズマを隣接させて形成した大
面積のシートプラズマを用いた本発明のスパッタリング
法示す基本的構成図、第５図は第３図のような真空室を
連結して多層膜を形成する場合の装置の概略を示す断面
図、第６図は本発明におけるプラズマ流発生源の陰極と
しての複合陰極の一例を示す断面図ある。 １１：導電性ターゲット １２：シートプラズマ １３：基　体 １４：アースシールド １５：ターゲットの侵食された部分 １６二基体の搬送方向 １７：シートプラズマ１２中のイオンのターゲット１１
への入射方向 ２１：ターゲット ２２：プラズマ ２３：基　体 ２４：アースシールド ２５：ターゲットの侵食された部分 ３１：アーク放電プラズマ流発生源 ３２ニアノード ３３：真空室 ３４：プラズマ発生用直流電源 ３５ニスバツタリング領域 ３６： ３７： ３８： ３９： ４０： ４１　＝ ４２： ４３： ５１コ ５２： ５３： ４４： ４５： ４６： ５５： ５６＝ ６１＝ ６２： ６３二 ６４： 空芯コイル 空芯コイルによって作られる磁場の方向永久磁石 基体 ターゲット シートプラズマ スパッタリング電源 ガス導入口 複合陰極 環状永久磁石を内蔵した第１中間電極 空芯コイルを内蔵した第２中間電極 永久磁石 基体の搬送方向 大面積シートプラズマ 遮蔽手段 基体の搬送方向 Ｌａｄ６主陰極 Ｔａバイブの補助陰極 陰極を保護するためのＷからなる円板 Ｍｏからなる円筒 ６５： ６６＝ ６７： ６８： Ｍｏからなる円板状の熱シールド 冷却水 ステンレスからなる陰極支持台 ガス導入口 ア 手続補正書 平成１年１２月７　日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アーク放電によって発生したプラズマを磁場手段に
   よってシート状に変形したシートプラズマに面して導電
   性ターゲットを平行に配置し、該導電性ターゲットに直
   流電源によって上記シートプラズマより負の電位を与え て、該シートプラズマ中のイオン化された粒子を上記導
   電性ターゲット表面に均一に入射させて該導電性ターゲ
   ットのスパッタリングを行い、シートプラズマを挟んで
   ターゲットの反対側に対向して配置した基体上にスパッ
   タリングされた粒子を付着させて薄膜を形成することを
   特徴とする高効率スパッタリング方法。 ２、導電性ターゲットが導電性金属酸化物からなること
   を特徴とする請求項１記載の高効率スパッタリング方法
   。 ３、導電性金属酸化物が、錫をドープした酸化インジウ
   ム、アンチモンをドープした酸化 錫、シリコンをドープした酸化亜鉛、アルミニウムをド
   ープした酸化亜鉛のうち１種であることを特徴とする請
   求項は２記載の高効率スパッタリング方法。 ４、基体を、シートプラズマを挟んでターゲットの反対
   側を、シートプラズマに平行に、かつシートプラズマと
   ターゲットを横切る方向に搬送して薄膜を形成すること
   を特徴とする請求項１〜３いずれか一項記載の高効率ス
   パッタリング方法。 ５、２以上のプラズマ発生源から発生したプラズマを磁
   場手段によってシート状に変形したシートプラズマを同
   一平面内に隣接させて大面積のシートプラズマを形成し
   、該大面積シートプラズマに面して導電性ターゲットを
   平行に配置し、該大面積シートプラズマを挟んで上記タ
   ーゲットの反対側に配置した基体上に薄膜を形成するこ
   とを特徴とする請求項１〜４いずれか一項記載の高効率
   スパッタリング方法。 ６、２以上のプラズマ発生源から発生したプラズマを磁
   場手段によってシート状に変形したシートプラズマを同
   一平面内に隣接させて大面積のシートプラズマを形成し
   、該大面積シートプラズマの一方の側に異なる材質から
   なる複数のターゲットを該大面積シートプラズマの幅方
   向に配置し、該大面積シートプラズマの他方の側を上記
   複数のターゲットに対向する部分を横切る方向に基体を
   搬送して多層からなる膜を形成することを特徴とする請
   求項１〜４いずれか一項記載の高効率スパッタリング方
   法。 ７、ターゲット表面と、シートプラズマのターゲット側
   の表面との間の距離を１〜１０ｃｍ、基体とシートプラ
   ズマの基体側の表面との間の距離を２〜３０ｃｍとして
   薄膜を形成することを特徴とする請求項１〜６いずれか
   一項記載の高効率スパッタリング方法。