JPH0273718A - 出力バッファー回路 - Google Patents

出力バッファー回路

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Publication number
JPH0273718A
JPH0273718A JP63226133A JP22613388A JPH0273718A JP H0273718 A JPH0273718 A JP H0273718A JP 63226133 A JP63226133 A JP 63226133A JP 22613388 A JP22613388 A JP 22613388A JP H0273718 A JPH0273718 A JP H0273718A
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JP
Japan
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output
circuit
channel
buffer circuit
output buffer
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Pending
Application number
JP63226133A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Endo
正之 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63226133A priority Critical patent/JPH0273718A/ja
Publication of JPH0273718A publication Critical patent/JPH0273718A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は0MO8−LSIの出カバ、ッファー回路に関
する。
〔従来の技術〕
第4図は従来のCMO3出力バッファー回路を説明する
ための回路図、第5図は第4図の回路を半導体チップで
実施した時の断面図である。第4図に示すように、イン
バータ7の出力がハイ・レベルのときには、Nチャネル
・Mo8)ランジスタ9が導通し、Pチャネル・Mo3
)ランジスタ2が非導通となるため、出力端子20はロ
ー・レベルを出力する。次にインバータ7の出力がロー
・レベルのときにはNチャネルMo8)ランジスタ9が
非導通、PチャネルMO8)ランジスタ2が導通となる
ため、出力端子20はハイ・レベルを出力する。この従
来のCMO8出力バッファー回路は、第5図を見てもわ
かる様に、Nチャネル・MoSトランジスタ・ドレイン
25とグランド基板26の間のPN接合にダイオード3
b、Pチャネル・Mo8)ランジスタ・ドレイン28と
VDD電源lに接続されるNウェル27の間のPN接合
にダイオード3aが必然的に形成されてしまう。そこで
、出力端子20の電圧をVDD電源1の電圧以上、また
はクランド電源6の電圧以下にすると、ダイオード3a
またはダイオード3bが順バイアスされて、電流が流れ
てしまう。
したがって従来より、蛍光表示管、LED、)ライアッ
ク等、LSIの電源電圧より高電圧を必要とする素子の
駆動用として、オープン・ドレイン出力回路が使われる
。オープン・ドレイン出力回路にはPチャネル・オープ
ン・ドレイン出力回路と、Nチャネル・オープン・ドレ
イン出力回路とがある。第6図はそのNチャネル・オー
プン・ドレイン回路の回路図で、第7図はそれを半導体
チップにおいて実施した時の断面図である。このNチャ
ネル・オープン・ドレイン回路の回路及び動作は第4図
のCMo8出力バツフア一回路がらPチャネル・Mo8
)ランシスタ2 、 VD D %E源l、タ゛イオー
ド3aを削除したものと同等である。
また、このNチャネル・オープン・ドレイン回路は断面
図第7図を見てもわかる様にV I) ]) 電源との
間にダイオードを持たないために、出力端子20の電位
をVDD電源以上にすることが可能である。また、Pチ
ャネル・オープン・ドレイン回路は第4図の回路からN
チャネルMOSトランジスタ49.グランド電源6.ダ
イオード3bを削除すれば実現できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の出力ハラファー回路として説明したCM
o8出力バツフア一回路、Nチャネル・オーフン・ドレ
イン出力バッファー回路及びPチャネル・オーフンドレ
イン出力バッファー回路はそれぞれ回路構成が異なる。
従って、使用目的によってCMo3出力バツフア一回路
と、オープンドレイン出力バッファー回路を使い分ける
場合、それぞれに新しいチップの設計、製造を行なわな
ければならなかった。
本発明の目的は、チップの組立時において、CMo5出
力バツフア一回路又はオープンドレモン出力ハッファ回
路のどちらにも容易に変更できることが可能な出力バッ
ファー回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の出力バッファー回路は、同一基板上に共通の入
力端子を有したPチャネルオープンドレイン回路及びN
チャネルオープンドレイン回路を設け、前記Pチャネル
オーブン124フ回路のドレインに接続した第1のバッ
トと、前記Nチャネルオープントレイン回路のドレイン
に接続した第2のバッドを有して構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明するための回路図、第
2図はその実施例のチップ内の出力バッファ一部のレイ
アウト及びリード・フレームのステッチを示す平面図で
ある。従来例と共通の部分は、同一の番号で示しである
。第1図に示すように従来例第4図と比べて、Pチャネ
ルMOS)ランシスタ2のドレインとNチャネルMo3
)ランジスタ9のドレインが直接には接続されておらず
、それぞれ独立した出力端子4及び5として出力されて
いる6 したがって第2図に示すように出力端子5すな
わちバッド14のみをリード・フレームのステッチ10
にワイヤ・ボンディングし、出力端子4すなわちバッド
13をリード・フレームにボンディングせずノン・コネ
クションとするときは、出力端子5はVDD電源1に対
してダイオードはつかず、Nチャネル・オープンン・ド
レイン出力となる。また、出力端子4のみをリード・フ
レームにポンティングし、出力端子5をノン・コネクシ
ョンとしたときはPチャネル・オープン・ドレイン出力
、出力端子4と出力端子5の両方すなわちバッド13と
バッド14の両方をステッチ10にワイヤ・ボンディン
グした場合はCMOS出力とすることができる。
第3図は本発明の他の実施例を説明するための回路図で
ある。同図に示すように、実施例1の回路構成にPチャ
ネルMOS)ランジスタ2のゲートにNANDゲート2
1を接続し、NチャネルMOSトランジスタ9のゲート
にNORゲート22を接続し、それぞれ入力信号8と出
力ハイインピーダンス信号25を入力としている7比カ
ハイ・インピーダンス信号24がハイ・レベルのとき、
PチャネルMOS)ランジスタ2もNチャネルMo8)
ランジスタ9も共にオフし、出力はハイ・インピーダン
ス状態となる。出力ハイ・インピーダンス信号24がロ
ー・レベルのときの動作は実判例1と同一である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、同一基板上に入力が共通
したPチャネル出力バッファー回路と、Nチャネル出力
バッファー回路を設け、それぞれの出力に接続されたパ
ッドを独立して持つことにより、チップのパッケージへ
の組立時のボンディングの方法により、同一チップであ
っても、CMO8出力バッファー回路にもオーブン・ド
レイン出力バッファー回路も容易に変更することができ
、これらの変更によるチップの設計変更をしなくてもす
むという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するための回路図、第
2図は第1図の回路のチップ内の出力バッファ一部のレ
イアウト及びリード・フレームのステッチを示す平面図
、第3図は本発明の他の実施例を説明するための回路図
、第4図は従来のCMO8出力バッファー回路を説明す
るための回路図、第5図は第4図の回路を半導体チップ
で実施した時の断面図、第6図は従来のNチャネルオー
フンドレイン回路を説明するための回路図、第7図は第
6図の回路を半導体チップで実施した時の断面図である
。 ■・・・・・・V D D N源、2・・・・・Pチャ
ネルMOSトランジスタ、3a、3b・・・・・ダイオ
ード、4゜5.20・・・・・・出力端子、6・・・・
・・グランド電源、7.23・・・・・・インバータ、
訃・川・入力信号、9・・・・・NチャネルMO8)ラ
ンジスタ、1o・・・山ステッチ、11・・・・VDD
電源アルミ配線、12・・・・・Pチャネル・トランジ
スタ抵抗、13.14・・・パッド、15・・・・・・
チップ、16・・・・コンタクト、17・・・・・・N
チャネルトランジスタ領域、18・・・・・・グラソト
電源アルミニウム配線、19・・・・・・入力多結晶シ
リコン配線、21・・・・NANDケート、22・・・
・・・NORケート、24・・団・出力ハイインビーグ
ンス信号、25・・・・・NチャネルMOSトランジス
タ・ドレイン、26・・団・グランド基板、27・・・
 ・Nウェル。 代理人 弁理士  内 原   音 第2図 /り入カク矛台11ンリJン西d嘴( 第4図 第、411ffi

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同一基板上にPチャネルオープンドレイン回路及びNチ
    ャネルオープンドレイン回路を設け、前記Pチャネルオ
    ープンドレイン回路及び前記Nチャネルオープンドレイ
    ン回路に入力信号を共通に供給したことを特徴とする出
    力バッファ回路。
JP63226133A 1988-09-08 1988-09-08 出力バッファー回路 Pending JPH0273718A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63226133A JPH0273718A (ja) 1988-09-08 1988-09-08 出力バッファー回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63226133A JPH0273718A (ja) 1988-09-08 1988-09-08 出力バッファー回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0273718A true JPH0273718A (ja) 1990-03-13

Family

ID=16840367

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63226133A Pending JPH0273718A (ja) 1988-09-08 1988-09-08 出力バッファー回路

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JP (1) JPH0273718A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017163008A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 カシオ計算機株式会社 半導体集積回路及び温度検出装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2017163008A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 カシオ計算機株式会社 半導体集積回路及び温度検出装置

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