JPH0273360A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関し、更に詳細には、チタニ
ルフタロシアニン結晶を電荷発生物質とし、ヒドラゾン
化合物を電荷輸送物質とする電子写真感光体に関する。

〔従来の技術〕

近年電子写真感光材料として広く用いられる本のに、無
機系の光導電性物質としてはα＝セレン、硫化カドミウ
ム、α−シリコン等があシ、また、有機系の光導電性物
質としては、ｔｆ’リーＮ−ビニルカルバゾール、？リ
ピニルアンスラセンをはじめとする檀々の光導電性？リ
マーがあるが、それぞれ、価格、性能或は毒性など少な
からず問題を有している。

これらの欠点を補い、また高感度化を目的として光導電
性物質の２つの機能、即ち、電荷の発生と発生した電荷
の楢送をそれぞれ別個の有機化合物により行わしめよう
とする方式が盛んに提案されている。しかし、この方式
において電子写真感光体に要求される緒特性、即ち高い
表面電位と電荷保持能力及び光感度が高く、残留電位が
殆どないなどの特性を同時に実現することは必ずしも可
能であるというわけではない。

一方、近年、小型で高出力の半導体レーザーが容易に利
用できるようになシ、この半導体レーザーを用いた電子
写真方式のプリンターが、低騒音、高速印字、高分解能
という特徴をいかして、従来のイン、９クト万式のプリ
ンターに置き変わシ大きな市場を占めつつるる。半導体
レーザーは、安定に得られる波長域が３ＱＱｎｍ前後に
るり、これを光源とするプリンターに対して近赤外域に
高い感度を有する感光体が望まれている。このような、
近赤外域に感度を有する電荷発生物質としては、現在、
フタロシアニン類が公知でおる。金属イオンとしてチタ
ンを有するチタニルフタロシアニンの電子写真感光体へ
の利用は、米国特許第３，８３５，４２２号明細書に記
載されているが、当該明細書に記載の方法では電荷輸送
物質を使用せず、低感度で実用には供し得ない。

一方、電荷輸送層を積層した機能分離型の感光体でのチ
タニルフタロシアニンの使用が特開昭５９−４９５４４
号公報に、また積層型でチタニルフタロシアニンを蒸着
したものの使用が特開昭５９−１６６９５９号公報に、
α型チタニルフタロシアニンを結着剤中に分散させたも
のの使用は特開昭６１−２３９２４８号公報に、及び導
電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を設けた電子
写真感光体にα型チタニルフタロシアニンを使う技術は
特開昭６２−１３４６５１号公報に開示されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

機能分離タイプの感光層を有する電子写真感光体におい
ては、前記のごとく各々の機能を有する物質の選択と組
み合わせによって高感度の感光体が得られる可能性があ
るとはいえ、従来のこのタイプの電子写真感光体は光感
度においても充分とはいえず、また電子写真ゾロセスに
したがって繰シ返し反復使用した場合、もとの帯電特性
を回復する能力が低下したり、残留電位が上昇する等、
感光帯の寿命を短くする等の実用上の問題点を有してい
る。また、近年電子写真方式の複写機、或はプリンター
等の高速化、小屋化に伴い、感光体に対して速い応答性
が要求されているが。

これらの要求は未だ満足されていないのが実状である。

〔５課題を解決するための手段〕 不発明者らは、半導体レーザーに適合した電子写真感光
体を得べく鋭意研究をおこなった結果、電荷発生物質と
しての特定のチタニルフタロシアニン結晶と、電荷発生
物質としてのヒドラゾン化合物を組み会せ用いれば、極
めて高感度であシ、残留電位が少なく、また、繰シ返し
使用しても光疲労が少なく、しかも高い耐久性のめる電
子写真感光体が得られることを見出し、本発明を完成し
た。

すなわち、本発明は、導電支持体上に電荷発生層と電荷
輸送層を積層してなる電子写真感光体において、電荷発
生層にＣｕＫαｊｉを線源とするＸ線回折スペクトルで
ブラック角度（２θ±０．２度）が１１８°　１３．２
゜１５．２°　　１＆３°　　２Ｌ５６　２５．４゜２
＆６６に特徴的な回折線を有するチタニルフタロシアニ
ン結晶を含有し、電荷輸送層にヒドラゾン化合物を含有
することを許徴とする電子写真感光体を提供するもので
ろる。

本発明において、電荷発生物質として用いられるチタニ
ルフタロシアニン結晶は、上記したブラック角度に特徴
的な回折線を有するものでろり、従来公知のチタニルフ
タロシアニン結晶、例えばα型チタニル７タロシアニｙ
　（ＣｕＫαｌを線源とするＸ線回折スペクトルでブラ
ック角度（２θ±０．２度）が７．６゜１０．２°　　
ＬＬ６°　　１３．２°　　ｌ　５．１６１６．２°　
　１７．２°　　１＆３°　　２２．５’２４２°　　
２５．３６　゜　　２９．３゜３１５°）、１厘チタニ
ルフタロシアニン （ＣｕＫαｌを線源とするＸ線回折スペクトルでブラッ
ク角度（２θ±０．２度）が７．４゜９．２°　　１Ｏ
１８°　　１３ＬＯ６１４９゜１５．３°　　１５．９
°　　１＆６’　　　２０．６゜２１２°　　２５．５
’　　　２ａ２°、２７．０　’３ＳＬ７’）等とはそ
の結晶構造を異にするものである。

本発明において用いられるチタニルフタロシアニン結晶
は１例えば、１．２−ジシアノベンゼン（０−７タロゾ
ニトリル）またはその誘導体と四塩化チタン或は三塩化
チタンとから公知の方法、例えば′″Ｐｈｔａｌｏｃｙ
ａｎｉｎｅＣｏｍｐｏｕｎｄ＋ｓ　’　、　Ｆ、　Ｈ，
Ｍｏ５ｅｒ、　Ａ、　Ｌ、　Ｔｈｏｍａａ。

Ｒｅ１ｎｈｏｌｄ　Ｐｕｂ、　（１９６３）　、　　−
Ｔｈｅ　Ｐｈｔａｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ　’Ｖｏ１．Ｉ
、ＩＩ　Ｆ、ｋｌ、ＭａＳｅｒ、Ａ、Ｌ、Ｔｈｏｍａｓ
、ＣＲＣＰｒｅｓｓ（１９８３）に従って容易に合成す
ることが出来る。

この合成の際に用いられる有機溶剤としてハ、ニトロベ
ンゼン、キノリン、α−クロロナフタレン、β−クロロ
ナフタレン、α−メチルナフタレン、メトキシナフタレ
ン、ゾフェニルエーテル、ゾフェニルメタン、ソフェニ
ルエタン、エチレングリコールシアルキルエーテル、ジ
エチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレン
グリコールシアルキルエーテル等の反応に不活性な高沸
点有機溶剤が好ましく、反応温度は通常１５０℃〜３０
０℃、特に２００℃〜２５０℃が好ましい。

カくシて得られるチタニルフタロシアニン結晶を電荷発
生物質として用いるときは、予め適当な有機溶剤類、例
えば、メタノール、エタノール、インプロピルアルコー
ル等のアルコール類、テトラヒドロフラン、１．４−ジ
オキサン等のエーテル類を用いて縮合反応に用いた有機
溶剤を除去した後、熱水処理するのが好ましい。特に熱
水処理後の洗液の−が約５〜７になるまで洗浄するのが
好ましい。

引き続いて、２−エトキシエタノール、ゾエチレングリ
コールゾメテルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロ
リドン、ビリシン、モルホリン等の溶剤で処理すること
が更に好ましい。

更に、感光体を塗布法にて作成する際、均質で良好な薄
膜を得る為には塗料として安定で、分散性の良いことが
重要でロシ、そのためには、チタニルフタロシアニン結
晶が微小粒子であることが好ましい。微粒子化する方法
として再析出法、機械的粉砕法等がめシ、また、これら
を組み合わせて用いることが好ましい。

再析出法としては、硫酸処理法、及びα−クロルナフタ
レン、ニトロベンゼン等の可溶性有機溶剤からの再析出
法等がある。通常よく知られた硫酸処理法は９５％以上
の硫酸に顔料を溶解或は硫酸塩にしたものを水、または
氷水中に注ぎ再析出させる方法でろるが、その際％４ｊ
ｆｃ酸及び水を望ましくは５℃以下に保ち、硫酸溶液を
高速攪拌した大量の水中に小量ずつ滴下析出させること
にょシ倣粒子を得ることが出来る。

また、機械的粉砕法の時に用いられる装置としては、ニ
ーダ−バンバリーミキサ−アトライター　エツジランナ
ーミル、ロールミル、ボールミル、サンドミル、ｓｐｇ
ｘミル、ホモミキサー　ディス、Ｑ−ザー　アゾターシ
ョークラッシャー　スタンゾミル、カッターミル、マイ
クロナイザー等があるが、これらに限られるものではな
い。また、この＠。

助剤として各種溶剤を併用することもできる。

上記の様にして得られた微粒子のチタニルフタロシアニ
ン結晶はその微粒子化工程中で微粒子の内部に含まれて
ぃ念不純物が粒子表面に露出してきており、微粒子化処
理後文に溶剤等によるｎＩ製処理を行うのが好ましい。

この際用いられる溶剤としては、例えばメタノール、エ
タノール、イングロビルアルコール等ノアルコール類、
テトラヒドロ７ラン、１．４−ジオキサン等、エーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水ｌ
ｉｇ類、塩化メチレン、ジクロルエタン等の塩素系溶剤
等が用いられるが、特に２−エトキシエタノール、ジエ
チレン：ｆ　ＩＪ　：ｒ　−ルゾメチルエーテル、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、ビリシン、モルホリン
等の電子供与性溶剤で処理することが更に好ましい。

精製は前記溶剤を用いて各種攪拌器中でスラリーとし、
濾過洗浄する他、ソックスレー抽出など適宜行うことが
できる。攪拌器としては通常のスターラーの他、分散に
使用される超音波ゴールミル、サンドミル、ホモミキサ
ー　デイスノＱ−ザー　アゾター　マイクロナイザー等
やコニカルブレンダ−Ｖ型プレンダー等の混合機分散機
が適宜用いられるが、これらに限られるものではない。

これらの攪拌工程の後、通常は濾過、洗浄、乾燥を行い
、チタニル７タロシアニンの結晶を得る。

以上の様にして得られたチタニルフタロシアニン結晶は
、　ＣｕＫａを線源とするＸＭＡ回折スペクトルにおい
てブラック角度（２θ±０．２度）が１１８°　１３．
２°　１５．２゜ＩＪＬ３’　　　２Ｌ５’　　　２５
．４’、及び２＆６゜に特徴的な回折ＩＩＩｔ−有する
結晶である。精製時に用いる溶剤の種類、温度、攪拌方
法、処理時間などの条件によシ、チタニルフタロシアニ
ン結晶のＸ線回折スペクトルの各回折線の強度は種々異
なるが、いずれの製法においても上記に示す共通した角
度にチタニルフタロシアニン結晶の特徴的回折線が表れ
る。

−万、電荷輸送層中に含有せしめるヒドラゾン化合物と
しては、構造中にヒドラゾン結合を有し、電荷発生層で
発生した電荷を輸送することのできる化合物であれば、
いずれでろっても良いが、好ましくは次の一般式但）、
（１）または（ｒＶ）で表わされる化合物が挙げられる
。

ｃａ （式中　Ｒ１％Ｒ２は同−又は異なる低級アルキル基、
ペンシル基、置換または無置換のフェニル基を示し、Ｒ
ｓは水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ペ
ンシルオキシ基を示す） （式中、　Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、フェニル
基、ナフチル基、ペンシル基を表わし、Ｈａ及びＲ６は
同−又は異なって炭素数１〜６のアルキル基、フェニル
基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチルｆｉ、ペ
ンシル基を示すか、　１５とに？−６が一緒になって瞬
接する窒素原子と共に１．２．３．４−テトラハイドロ
キノリン環を形成する） （式中、　Ｒ７，Ｒ’及びＲ９は同−又は異なって、水
素原子、低級アルコキシ基又はジ低級アルキルアミノ基
を示すか、Ｒ１とＲ９が一緒になってメチレンジオキシ
基金形成する。Ａは窒素原子に結合したフェニル基と結
合して環を形成するエチレン基、トリメチレン基または
）エニレン基を示す） 上記のヒドラゾン化合物のうち、一般式（６）で表わさ
れるヒドラゾン化合物は１例えば特公昭５５−４２３８
０号、特公昭６２−４４０２５号、特開昭６０−２５５
８５．４号公報及び特公昭６０−３４０９９号などに記
載の公知の方法によって得ることができる。

また、一般式（ホ）で表わされるヒト２シン化合物は、
特開昭６０−１４６２４８号公報に記載の方法により、
更に一般式（ＩＶ）で表わされるヒドラゾン化合物は、
特開昭６０−１６２２５９号公報などの公知の方法によ
って容易に合成することができる。

次に一般式（勇で表わされるヒドラゾン化合物の代表例
を例示する。なお、下式において。

ｐｈはフェニル基を示す。

また、一般式（２）で表わされるヒドラゾン化合物の代
表例を例示すれば次の通シでるる。

ＣＭ。

Ｃ＊Ｈｓ ＣｘＨｓ ＣＨ８ Ｃ！穐 ｃｉ（３ Ｃ為 更に。

一般式 で表わされるヒドラゾン 化合物の代表例を例示すれば次の通シでるる。

Ｃ為０ ＣＨ，０ 次に本発明の電子写真感光体について１図９面を挙げて
説明する。

本発明の電子写真感光体は例えば第１図に示すごとく、
導電性支持体１の上に、電荷発生物質２を主体とする電
荷発生層３と電荷輸送層４とからなる感光層５を設けて
なる本のである。即ち、本発明感光体においては、電荷
輸送層を透過した光が電荷発生層中に分散された電荷発
生物質に刺違して、電荷を発生させ、電荷輸送層はこの
電荷の注入を受けてその輸送を行うものでめる。このよ
うに電荷担体の発生、輸送という機能を分離した形でろ
れば第１図に示す感光体とは別の構成であってもよい。

すなわち、導電性支持体上に電荷輸送層を形成し、その
上に電荷発生層を塗布して感光体を作成してもよい。

本発明で用いる導電性支持体としてはアルミニウム、ニ
ッケル、クロム等から成る金属板もしくは金属箔、アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウムを蒸着したプラス
チックフィルム或は、導電処理を施した紙などが用いら
れる。

電荷発生層は、前記チタニルフタロシアニン結晶を必要
に応じて結着剤と混合分散して得られる分散液を導電性
支持体上に塗布して形成することが出来る。電荷発生層
の厚さは２ミクロン以下、好ましくはα０１〜ＬＯミク
ロンである。

結着剤としては、？リエステル樹脂、？り塩化ビニル樹
脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、／リステレン樹
脂、ブチラール樹脂、工？キシ樹脂、フェノール樹脂等
が好適でめシ、チタニル７タロシアニン結晶に対し、０
、１〜１０重量倍で０．１〜３重量倍の範囲で使用する
のが好ましい。これらの結着剤ｔＳ解する溶剤は、結着
剤によって異なってお＃）％ベンゼン、トルエン、キシ
レン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香
族系溶剤、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタ
ン、トリクロルエチレン等の塩素系溶剤。

テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、酢酸
エチル、酢酸ブチル等のエステル類、Ｎ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メ
タノール、エタノール、イングロノ９ノール、ブタノー
ル等のアルコール類から選択される。

勿論、これらを任意の割合で混合して用いてもよく、結
着剤を均一に溶解し得る溶剤であればいずれの溶剤でろ
ってもよい。

塗布は、ワイヤパー　プレード、スピナースプレー等を
用いて行うことが出来、或は分散液に支持体を浸漬して
塗布する方法も可能でろシ、均一な薄膜を形成出来る方
法であればいずれの方法でもよい。

電荷輸送層はヒドラゾン化合物と結着剤を溶剤に均一に
溶解して成る液を電荷発生層上に塗布乾燥して形成する
ことが出来る。電荷帽送層の厚さは、３〜５０ミクロン
、好ましくは５〜３０ミクロンでろる。ここで用いる結
着剤と溶剤は先の電荷発生層を形成する際に用いること
が出来る結着剤及び溶剤の中から選択することが出来る
。ヒドラゾン化合物の電荷輸送層中での割合は３〜９０
重量％、特に５〜７０重量％が好適でろる。また、結着
剤と共に必要に応じて可盟剤を用いてもよい。更に、ヒ
ト２シン化合物と、他の公知の電荷輸送物質１例えばピ
ラゾリン類、トリフェニルメタン類、オキサゾアゾール
類、スチルベン類、α−フェニルスチルベン類、するい
はテト２フェニルプタゾエン類と混合して用いてもよい
。また、必要に応じて導電性支持体と電荷発生層の間に
下引き層を設けてもよい。下引き層としては％？リアミ
ド、？リウレタン、？リビニルアルコール、カゼイン、
ニトロセルロース、ゼラチン等が用いられる。

下引き層の膜厚は０．１〜３ミクロンが好適である。

〔実施例〕

次に本発明を合成例、実施例及び比較例によシ詳しく説
明する。

合成例１ Ｏ−フタロニトリル（東京化成工業＠製）２０．４部、
四塩化チタン（東京化成工業■製）７．６部ｔ−中ノリ
ン（東京化成工業■製）５０部中で２００℃にて２時間
力口熱反応後、水蒸気蒸留で溶媒を除き％２’％２’水
＃液、続いて２チ水酸化ナトリウム水＃Ｉ液で精製し、
メタノール、トルエンで洗浄後、乾燥し、チタール７タ
ロシアニン合成物２１３部を得た。

このチタニル７タロシアニン２部ｔｌ−５℃の９８！硫
酸４０部の中に少しずつ溶解し、その混合物を約１時間
、５℃以下の温度を保ちながら攪拌した４００ｓの氷水
中に、ゆっくりと注入し、析出した結晶を濾過した。結
晶を酸が残留しなくなるまで蒸留水で洗浄し。

濾過した。次に得られた結晶をメチルエチルケトン５０
部中で、５０ｔｌ：３時間攪拌を行い、メチルエチルケ
トンで洗浄、濾過、乾燥を行い、Ｌ７部のチタニルフタ
ロシアニン結晶を得た。このものはＸ＠回折図でブラッ
ク内置（２θ±０，２度）７．６”　　　１０．３”　
　ＩＬ８°、１３．１’　　　１５．２°　　１６．３
°　　ｌ＆３゜２１５’　　２５．４＠２ｆＬ３°　゜
にピークを有する結晶で６つ九。

合成例２ 実施例１と同様に反応を行い、チタニルフタロシアニン
結晶を得た。これｉ／−ルミルにて５日間粉砕を行った
。次にトルエン、メタノールで浄浄、濾過を行い、ブラ
ック角度ｘＩＷｏｏ折ピークを有するチタニル７タロシ
アニン結晶を得た。このものの赤外吸収スペクトルは合
成例１で得たチタニルフタロシアニンのスペクトルと同
一でめった。

合成例３ 精製溶媒をメチルエチルケトンの代わシにメチルエチル
ケトン−トルエン（１：１）’を用いた以外は実施例１
と同様にしてチタニルフ、タロシアニン結晶、即ち、ブ
ラック角度゜にピークを有する結晶全得た。このものの
赤外吸収スペクトルは合成例１で得たチタニルフタロシ
アニンのスペクトルト同一であった。

実施例１ （１）　　ブチラール樹脂ＯｔＲ水化学工業株式会社製
（−ＢＬ−Ｉ　Ｊ　）　３５部をテト２ヒドロフラン１
４２５部にｍ′解させて得た結着剤樹脂溶液に、合成例
１で得たチタニルフタロシアニン結晶４０部を加え、ガ
ラスピーズ（１１１１ｆｉ）と共に２時間娠動ミルを用
いて分散させた。

この分散ｇをアルミニウムを蒸着した？ジエステルフィ
ルム上にワイヤーパーを用いて塗布、乾保し、約Ｏ，Ｓ
ミクロンの電荷発生層を作製した。ヒドラゾン誘導体（
例示化合＠ｌｌ−３）１０ｆｌｌＳｔ−／！Ｊカーボ４
＝トＺ−２００（三菱瓦斯化学株式会社製）１０部と共
罠ゾクロルエタン１００部に溶解させて電荷輸送形成ｇ
ｔ−つ＜シ、これを上記電荷発生層上にドクターブレー
ドを用いて塗布し、８０℃で乾燥して、感光体を作製し
た。

（ｉ）　　この感光体について静電複写紙試験装置「５
Ｐ−４２８型」（川口電機製作所製）ｔ−用いてスタテ
ィック方式によシミ子写真特性金測定した。即ち、前記
感光体を、−６ＫＶのコロナ放電′Ｊｋ５秒間行って帯
電せしめ１表面電位Ｖｏ（単位−メルト）を測定し、こ
れを暗所′″ｒ：５秒間保持した後、タングステンラン
プにより照度５ルツクスの光を照射し、表面電位ｔ？ｆ
／２及び１／６に減衰させるに必要な露光量Ｅｌ／２（
ルックス・抄）及びＥｌ／６（ルックス・秒）、更に照
度５ルツクスの光ｔ−１０秒間照射後の表面残留電位Ｖ
ｇ（−メルト）を測定した。この結果を後記表−１に示
す。また、この感光体について８００ｎｍにおける分光
感度Ｅ％（ｅｒｇ／ｅｒａ”　）を測定したところｓ　
　５．０６部ｇ／ｃｍ”でおツタ。

実施例２ ？リエステルフイルムに蒸着したアルミニウム薄膜上に
？リアミド樹脂（東し株式会社製「アミランＣＭ−８０
００Ｊ）　ｔ−乾燥膜厚１ミクロンとなるように塗布し
た。以下、実施例１のブチラール樹脂のテトラヒドロフ
ラン溶液の代わりにフェノール樹脂（住友シュレス■製
、５Ｋ−２）のジオキサン溶液を用い。

ヒドラゾン化合物として、例示化合＊＜Ｕ−３）の代わ
シに例示化合物（ｌＩ−４）を用いた以外は実施例１と
同様に操作して感光体を作製した。得られた写真感光体
について実施例１の（ｊ）と同様にして、感光体の電子
写真特性を調べた。その底Ｍを表−１に示す。

実施例３ 実施例１において用いた合成例１で得たチタ・ニルフタ
ロシアニン結晶の代わシに合成例２で得たチタニルフタ
ロシアニン結晶を、ヒドラゾン化合物として例示化合物
（■−３）の代わりに（ｎ−７）を用いる以外は、実施
例１と同様に感光体を作製し、その性能を調べた。その
成績を表−１に示す。

実施例４及び５ 実施例１において用いたチタニルフタロシアニン結晶の
代わシに、合成例３で得たチタニルフタロシアニン結晶
を、ヒドラゾン化合物として例示化合物（１１−３）の
代わシにそれぞれ（■−８）及び（ｎ−ｉｌ）１：用い
る以外は実施例１と同様に感光体を作製し、その性能を
調べた。それらの成績を表−１に示す。

実施例６ 実施例３において用いたヒドラゾン化合物でめる例示化
合物（ｎ−７）の代わシにヒドラゾン化合物である例示
化合物（Ｉｆ−８）を９部と下記構造のテトラフェニル
プタゾエン誘導体Ａを１ｓとの混合物を用いた他は実施
例３と同様にして感光体を作製し、性能ｔ−調べた。成
績′ｆｒ：表−１に示す。

（テトラフェニルプタゾエン誘導体Ａ）比較例１ 特開昭６１−２３９２４８号公報記載の方法によって得
たα戯チタニルフタロシアニンを用いた他は実施例１と
同様にして感光体を作製した。この感光体について実施
例１と同様に測定した結果ｔ−Ｎ−１に示す。

比較例２ τ型フタロシア二ノ（東洋インキ製造■裏）０．２ｙを
？リカーｌネート樹脂（三菱瓦斯化学■［ニーピロン８
−２０００Ｊ）ｔ−５％含有するジクロルエタン溶液４
ｔに混ぜ、ジクロルエタン２０−を加えた後、振動ミル
を用いて１μ以下に粉砕して電荷担体発生顔料の分散ｇ
をつくシ、これをアルミニウムを蒸着した？ジエステル
フィルム上に、ワイヤーバーを用いて塗布し、４５℃で
乾燥して１μの厚さに電荷担体発生層をつくった。

一方、ヒドラゾン化合物でるる例示化合物（ＩＩ−３）
１部ｔ−＆リカーボネート樹脂Ｚ−２００ｔ−１０チ含
有するジクロルエタンｇｇ１０部に溶解させて電荷輸送
層形成ｇをつくシ、これを上記電荷担体発生層上にドク
ターブレードを用いて、乾燥時膜厚約２０μになるよう
に塗布し、４５℃で乾燥して感光体を作製した。この感
光体について、実施例１と同様に性能を測定した結果を
表＝１に示す。

比較例３ 比較例２においてτ型フタロシアニンに代えて、ｘｇ無
金Ｊｌｉ７タロシアニン（山陽色素■製）を用いた他は
比較例２と同様に感光体を作製した。この感光体につい
て実施例１と同様に測定した結果を表−１に示す。

以下余白 実施例７〜１０ ヒドラゾン化合物として実施例１において用いた例示化
合物（ｎ−３）の代わ９に例示化合物（ｌ［［−２）、
（ｆｆｌ−６３、（［−２２）、（ａｔ−Ｓ）を用いた
以外は、実施例１と同様に感光体を作製し、その性能を
調べた。その成績を表−２に示す。

実施例１１ 実施例３において用いたヒドラゾン化合物でおる、例示
化合物（１１−７）の代わシに例示化合’ｌ！＋（１１
１−２）と（１１１−５）の２＝８の混合物を用いた以
外は実施例３と同様にして感光体を作製し、性能を調べ
た。その成績を表−２！／ｃ示す。

比較例４ 比較例１で得たα型チタニルフタロシアニンをα−クロ
ロナフタレンから再結晶してβ聾チタニルフタロシアニ
ンを得た。比較例Ｉにおいて用いたα微チタニルフタロ
シアニン及びヒドラゾン（ＩＦ−３）に代えてβ型チタ
ニルフタロシアニン及ヒヒトラソン（Ｉ［［−８）を用
いた他は同様にして感光体を作製した。

この感光体について実施例１と同様測定した結果を表−
２に示す。

以下余白 実施例１２〜１６ 実施例４において用いたヒドラゾン化合物である例示化
合物（ｆｆ−８＞の代わりに、例示化合物（ＩＶ−１）
、（ＩＶ−３）、（ＩＶ　−５）、（ＩＶ−７）、（ｔ
ｖ　−Ｂ　）を用いた以外は実施例４と同様にして感光
体を作製し、性能ｔ−調べた。その成績を表−３に示す
。

実施例１７〜２１ 実施例１において用いたヒドラゾン化合物でるる例示化
合物（■−８）の代わシに例示化合物（ＩＶ−１４）、
（ＩＶ　−２２）、（ｒＶ−２３）、（ｉｖ−２７）％
　　（ＩＶ−２）ｔ”用イｆｃ以外は実施例１と同様に
して感光体を作製し、性能１に調べた。その成績を表−
３に示す。

以上の結果から明らかなように、αおよびβ型チタニル
フタロシアニン結晶を用いた比較例１及び４．またτ型
、Ｘ型態金属チタニルフタロシアニン結晶を用いた比較
例２，３に比較して、　ＣｕＫα全線源とするＸ線回折
スペクトルにおいてブラック角度（２θ±０．２度）が
１２８°　１λ２°　１５．２°　１＆３゜２１５’　
　２５．４°　２８．６°に特徴的な回折線を有するチ
タニルフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用い、
特定のヒドラゾン化合物を電荷輸送物質として用いた本
発明感光体は、表−１〜表−３から半減露光３１Ｅ％お
よびＥ　１／６が小さく、高感度でろシ残留電位ｖＲも
小さいなど電子写真感光体としてすぐれていることは明
らかでるる。

屯 〔発明の効果〕 本発明の電子写真感光体は、高感度にして残留電位が少
なく、繰シ返し使用しても光疲労が少なく、耐久性に優
れている等の電子写真ゾロセスの分野で最も要求されて
いる特性を具備し、工業的にも有利なものでるる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子写真感光体の一例を示す断面説
明図である。 １・・・・・・・・・・・・導電性支持体　　２・・・
・・・・・・・・・電荷発生物質３・・・・・・・・・
・・・電荷発生層　　４・・・・・・・・・・・・電荷
輸送層５・・・・・・・・・・・・感光層 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を積層して
   なる電子写真感光体において、電荷発生層にＣｕＫαを
   線源とするＸ線回折スペクトルにおいてブラック角度（
   ２θ±０．２度）が１２．８゜、１３．２゜、１５．２
   ゜、１８．３゜、２２．５゜、２５．４゜、２８．６゜
   に特徴的な回折線を有するチタニルフタロシアニン結晶
   を含有し、電荷輸送層にヒドラゾン化合物を含有するこ
   とを特徴とする電子写真感光体。 ２、ヒドラゾン化合物が次の式（II）、（III）又は（
   IV）のいずれかで表わされるものである請求項第１項記
   載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２は同一又は異なる低級アルキル
   基、ベンジル基、置換または無置換のフェニル基を示し
   、Ｒ＾３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、ベンジルオキシ基を示す） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＾４は炭素数１〜６のアルキル基、フェニル
   基、ナフチル基、ベンジル基を表し、Ｒ＾５及びＲ＾６
   は同一又は異なつて炭素数１〜６のアルキル基、フェニ
   ル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基、ベ
   ンジル基を示すか、Ｒ＾５とＲ＾６が一緒になつて隣接
   する窒素原子と共に１、２、３、４−テトラハイドロキ
   ノリン環を形成する）▲数式、化学式、表等があります
   ▼（IV） （式中、Ｒ＾７、Ｒ＾８及びＲ＾９は同一又は異なつて
   、水素原子、低級アルコキシ基又はジ低級アルキルアミ
   ノ基を示すか、Ｒ＾８とＲ＾９が一緒になつてメチレン
   ジオキシ基を形成する。Ａは窒素原子に結合したフェニ
   ル基と結合して環を形成するエチレン基、トリメチレン
   基またはフェニレン基を示す） ３、ヒドラゾン化合物が次の式（II）で表わされるもの
   である請求項第１項又は第２項記載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２は同一又は異なる低級アルキル
   基、ベンジル基、置換または無置換のフェニル基を示し
   、Ｒ＾３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、ベンジルオキシ基を示す） ４、ヒドラゾン化合物が次の式（III）で表わされるも
   のである請求項第１項又は第２項記載の電子写真感光体
   。 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＾４は炭素数１〜６のアルキル基、フェニル
   基、ナフチル基、ベンジル基を表わし、Ｒ＾５及びＲ＾
   ６は同一又は異なつて炭素数１〜６のアルキル基、フェ
   ニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基、
   ベンジル基を示すか、Ｒ＾５とＲ＾６が一緒になつて隣
   接する窒素原子と共に１、２、３、４−テトラハイドロ
   キノリン環を形成する） ５、ヒドラゾン化合物が次の式（IV）で表わされるもの
   である請求項第１項又は第２項記載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ｒ＾７、Ｒ＾８及びＲ＾９は同一又は異なつて
   、水素原子、低級アルコキシ基又はジ低級アルキルアミ
   ノ基を示すか、Ｒ＾８とＲ＾９が一緒になつてメチレン
   ジオキシ基を形成する。Ａは窒素原子に結合したフェニ
   ル基と結合して環を形成するエチレン基、トリメチレン
   基またはフエニレン基を示す）