JPH0541986B2 - - Google Patents

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JPH0541986B2
JPH0541986B2 JP63226229A JP22622988A JPH0541986B2 JP H0541986 B2 JPH0541986 B2 JP H0541986B2 JP 63226229 A JP63226229 A JP 63226229A JP 22622988 A JP22622988 A JP 22622988A JP H0541986 B2 JPH0541986 B2 JP H0541986B2
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JP
Japan
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group
formula
electrophotographic photoreceptor
hydrazone compound
titanyl phthalocyanine
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JP63226229A
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Toshimitsu Hagiwara
Tomoko Yoda
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Takasago International Corp
Original Assignee
Takasago International Corp
Takasago Perfumery Industry Co
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Publication date
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Publication of JPH0273360A publication Critical patent/JPH0273360A/ja
Publication of JPH0541986B2 publication Critical patent/JPH0541986B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0616Hydrazines; Hydrazones

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳现な説明】 〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は電子写真感光䜓に関し、曎に詳现に
は、チタニルフタロシアニン結晶を電荷発生物質
ずし、ヒドラゟン化合物を電荷茞送物質ずする電
子写真感光䜓に関する。 〔埓来の技術〕 近幎電子写真感光材料ずしお広く甚いられるも
のに、無機系の光導電性物質ずしおはα−セレ
ン、硬化カドミりム、α−シリコン等があり、た
た、有機系の光導電性物質ずしおは、ポリ−−
ビニルカルバゟヌル、ポリビニルアントラセンを
はじめずする皮々の光導電性ポリマヌがあるが、
それぞれ、䟡栌、性胜或は毒性など少なからず問
題を有しおいる。 これらの欠点を補い、たた高感床化を目的ずし
お光導電性物質の぀の機胜、即ち、電荷の発生
ず発生した電荷の茞送をそれぞれ別個の有機化合
物により行わしめようずする方匏が盛んに提案さ
れおいる。しかし、この方匏においお電子写真感
光䜓に芁求される諞特性、即ち高い衚面電䜍ず電
荷保持胜力及び光感床が高く、残留電䜍が殆どな
いなどの特性を同時に実珟するこずは必ずしも可
胜であるずいうわけではない。 䞀方、近幎、小型で高出力の半導䜓レヌザヌが
容易に利甚できるようになり、この半導䜓レヌザ
ヌを甚いた電子写真方匏のプリンタヌが、䜎隒
音、高速印字、高分解胜ずいう特城をいかしお、
埓来のむンパクト方匏のプリンタヌに眮き倉わり
倧きな垂堎を占め぀぀ある。半導䜓レヌザヌは、
安定に埗られる波長域が800nm前埌にあり、これ
を光源ずするプリンタヌに察しお近赀倖域に高い
感床を有する感光䜓が望たれおいる。このよう
な、近赀倖域に感床を有する電荷発生物質ずしお
は、珟圚、フタロシアニン類が公知である。金属
むオンずしおチタンを有するチタニルフタロシア
ニンの電子写真感光䜓ぞの利甚は、米囜特蚱第
3835422号明现曞に蚘茉されおいるが、圓該明现
曞に蚘茉の方法では電荷茞送物質を䜿甚せず、䜎
感床で実甚には䟛し埗ない。䞀方、電荷茞送局を
積局した機胜分離型の感光䜓でのチタニルフタロ
シアニンの䜿甚が特開昭59−49544号公報に、た
た積局型でチタニルフタロシアニンを蒞着したも
のの䜿甚が特開昭59−166959号公報に、α型チタ
ニルフタロシアニンを結着剀䞭に分散させたもの
の䜿甚は特開昭61−239248号公報に、及び導電性
支持䜓䞊に電荷発生局及び電荷茞送局を蚭けた電
子写真感光䜓にα型チタニルフタロシアニンを䜿
う技術は特開昭62−134651号公報に開瀺されおい
る。 〔発明が解決しようずする課題〕 機胜分離タむプの感光局を有する電子写真感光
䜓においおは、前蚘のごずく各々の機胜を有する
物質の遞択ず組み合わせによ぀お高感床の感光䜓
が埗られる可胜性があるずはいえ、埓来のこのタ
むプの電子写真感光䜓は光感床においおも充分ず
はいえず、たた電子写真プロセスにしたが぀お繰
り返し反埩䜿甚した堎合、もずの垯電特性を回埩
する胜力が䜎䞋したり、残留電䜍が䞊昇する等、
感光䜓の寿呜を短くする等の実甚䞊の問題点を有
しおいる。たた、近幎電子写真方匏の耇写機、或
はプリンタヌ等の高速化、小型化に䌎い、感光䜓
に察しお速い応答性が芁求されおいるが、これら
の芁求は未だ満足されおいないのが実状である。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、半導䜓レヌザヌに適合した電子
写真感光䜓を埗べく鋭意研究をおこな぀た結果、
電荷発生物質ずしおの特定のチタニルフタロシア
ニン結晶ず、電荷茞送物質ずしおのヒドラゟン化
合物を組み合せ甚いれば、極めお高感床であり、
残留電䜍が少なく、たた、繰り返し䜿甚しおも光
疲劎が少なく、しかも高い耐久性のある電子写真
感光䜓が埗られるこずを芋出し、本発明を完成し
た。 すなわち、本発明は、導電支持䜓䞊に電荷発生
局ず電荷茞送局を積局しおなる電子写真感光䜓に
おいお、電荷発生局にCuKαを線源ずする線回
折スペクトルでブラツグ角床2Ξ±0.2床が
12.8゜、13.2゜、15.2゜、18.3゜、22.5゜、25.4゜、28
.6゜に
特城的な回折線を有するチタニルフタロシアニン
結晶を含有し、電荷茞送局にヒドラゟン化合物を
含有するこずを特城ずする電子写真感光䜓を提䟛
するものである。 本発明においお、電荷発生物質ずしお甚いられ
るチタニルフタロシアニン結晶は、䞊蚘したブラ
ツグ角床に特城的な回折線を有するものであり、
埓来公知のチタニルフタロシアニン結晶、䟋えば
α型チタニルフタロシアニンCuKαを線源ずす
る線回折スペクトル第図でブラツク角床
2Ξ±0.2床が7.6゜、10.2゜、12.6゜、13.2゜、15.
1゜、
16.2゜、17.2゜、18.3゜、22.5゜、24.2゜、25.3゜、28
.6゜、
29.3゜、31.5゜、β型チタニルフタロシアニン
CuKαを線源ずする線回折スペクトルでブラ
ツグ角床2Ξ±0.2床が7.4゜、9.2゜、10.8゜、13.0
゜、
14.9゜、15.3゜、15.9゜、18.6゜、20.6゜、23.2゜、25
.5゜、
26.2゜、27.0゜、32.7゜等ずはその結晶構造を異に
するものである。 本発明においお甚いられるチタニルフタロシア
ニン結晶は、䟋えば、−ゞシアノベンれン
−フタロゞニトリルたたはその誘導䜓ず四
塩化チタン域は䞉塩化チタンずから公知の方法、
䟋えば“Phtalocyanine Compounds”F.H.
MoserA.L.ThomasReinhold Pub.1963、
“The Phtalocyanines”Vol.I、F.H.Moser
A.L.ThomasCRC Press1983に埓぀お容易
に合成するこずが出来る。 この合成の際に甚いられる有機溶剀ずしおは、
ニトロベンれン、キノリン、α−クロロナフタレ
ン、β−クロロナフタレン、α−メチルナフタレ
ン、メトキシナフタレン、ゞプニル゚ヌテル、
ゞプニルメタン、ゞプニル゚タン、゚チレン
グリコヌルゞアルキル゚ヌテル、ゞ゚チレングリ
コヌルゞアルキル゚ヌテル、トリ゚チレングリコ
ヌルゞアルキル゚ヌテル等の反応に䞍掻性な高沞
点有機溶剀が奜たしく、反応枩床は通垞150℃〜
300℃、特に200℃〜250℃が奜たしい。 かくしお埗られるチタニルフタロシアニン結晶
を電荷発生物質ずしお甚いるずきは、予め適圓な
有機溶剀類、䟋えば、メタノヌル、゚タノヌル、
む゜プロピルアルコヌル等のアルコヌル類、テト
ラヒドロフラン、−ゞオキサン等の゚ヌテ
ル類を甚いお瞮合反応に甚いた有機溶剀を陀去し
た埌、熱氎凊理するのが奜たしい。特に熱氎凊理
埌の掗液のPHが玄〜になるたで掗浄するのが
奜たしい。匕き続いお、−゚トキシ゚タノヌ
ル、ゞ゚チレングリコヌルゞメチル゚ヌテル、ゞ
オキサン、テトラヒドロフラン、−ゞメチ
ルホルムアミド、−メチルピロリドン、ピリゞ
ン、モルホリン等の溶剀で凊理するこずが曎に奜
たしい。 曎に、感光䜓を塗垃法にお䜜成する際、均質で
良奜な薄膜を埗る為には塗料ずしお安定で、分散
性の良いこずが重芁であり、そのためには、チタ
ニルフタロシアニン結晶が埮小粒子であるこずが
奜たしい。埮粒子化する方法ずしお再析出法、機
械的粉砕法等があり、たた、これらを組み合わせ
お甚いるこずが奜たしい。 再析出法ずしおは、硫酞凊理法、及びα−クロ
ルナフタレン、ニトロベンれン等の可溶性有機溶
剀からの再析出法等がある。通垞よく知られた硫
酞凊理法は95以䞊の硫酞に顔料を溶解或は硫酞
塩にしたものを氎、たたは氷氎䞭に泚ぎ再析出さ
せる方法であるが、その際、硫酞及び氎を望たし
くは℃以䞋に保ち、硫酞溶液を高速攪拌した倧
量の氎䞭に少量ず぀滎䞋析出させるこずにより埮
粒子を埗るこずが出来る。 たた、機械的粉砕法の時に甚いられる装眮ずし
おは、ニヌダヌ、バンバリヌミキサヌ、アトラむ
タヌ、゚ツゞランナヌミル、ロヌルミル、ボヌル
ミル、サンドミル、SPEXミル、ホモミキサヌ、
デむスパヌザヌ、アゞタヌ、ゞペヌクラツシダ
ヌ、スタンプミル、カツタヌミル、マむクロナむ
ザヌ等があるが、これらに限られるものではな
い。たた、この際、助剀ずしお各皮溶剀を䜵甚す
るこずもできる。 䞊蚘の様にしお埗られた埮粒子のチタニルフタ
ロシアニン結晶はその埮粒子化工皋䞭で埮粒子の
内郚に含たれおいた䞍玔物が粒子衚面に露出しお
きおおり、埮粒子化凊理埌曎に溶剀等による粟補
凊理を行うのが奜たしい。この際甚いられる溶剀
ずしおは、䟋えばメタノヌル、゚タノヌル、む゜
プロピルアルコヌル等のアルコヌル類、テトラヒ
ドロフラン、−ゞオキサン等、゚ヌテル
類、アセトン、メチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、トル゚ン、キシレン等の芳銙族炭
化氎玠類、塩化メチレン、ゞクロル゚タン等の塩
玠系溶剀等が甚いられるが、特に−゚トキシ゚
タノヌル、ゞ゚チレングリコヌルゞメチル゚ヌテ
ル、ゞオキサン、テトラヒドロフラン、−
ゞメチルホルムアミド、−メチルピロリドン、
ピリゞン、モルホリン等の電子䟛䞎性溶剀で凊理
するこずが曎に奜たしい。 粟補は前蚘溶剀を甚いお各皮撹拌噚䞭でスラリ
ヌずし、濟過掗浄する他、゜ツクスレヌ抜出など
適宜行うこずができる。撹拌噚ずしおは通垞のス
タヌラヌの他、分散に䜿甚される超音波ボヌルミ
ル、サンドミル、ホモミキサヌ、デむスパヌザ
ヌ、アゞダヌ、マむクロナむザヌ等やコニカルブ
レンダヌ、型ブレンダヌ等の混合機分散機が適
宜甚いられるが、これらに限られるものではな
い。これらの撹拌工皋の埌、通垞は濟過、掗浄、
也燥を行い、チタニルフタロシアニンの結晶を埗
る。 以䞊の様にしお埗られたチタニルフタロシアニ
ン結晶は、CuKαを線源ずする線回折スペクト
ルにおいおブラツグ角床2Ξ±0.2床が12.8゜、
13.2゜、15.2゜、18.3゜、22.5゜、25.4゜、及び28.6゜
に特
城的な回折線を有する結晶である。粟補時に甚い
る溶剀の皮類、枩床、撹拌方法、凊理時間などの
条件により、チタニルフタロシアニン結晶の線
回折スペクトルの各回折線の匷床は皮々異なる
が、いずれの補法においおも䞊蚘に瀺す共通した
角床にチタニルフタロシアニン結晶の特城的回折
線が衚れる。 䞀方、電荷茞送局䞭に含有せしめるヒドラゟン
化合物ずしおは、構造䞭にヒドラゟン結合を有
し、電荷発生局で発生した電荷を茞送するこずの
できる化合物であれば、いずれであ぀おも良い
が、奜たしくは次の䞀般匏、たたは
で衚わされる化合物が挙げられる。 匏䞭、R1、R2は同䞀又は異なる䜎玚アルキ
ル基、ベンゞル基、眮換たたは無眮換のプニル
基を瀺し、R3は氎玠原子、䜎玚アルキル基、䜎
玚アルコキシ基、ベンゞルオキシ基を瀺す 匏䞭、R4は炭玠数〜のアルキル基、フ
゚ニル基、ナフチル基、ベンゞル基を衚し、R5
及びR6は同䞀又は異な぀お炭玠数〜のアル
キル基、プニル基、トリル基、メトキシプニ
ル基、ナフチル基、ベンゞル基を瀺すか、R5ず
R6が䞀緒にな぀お隣接する窒玠原子ず共に
−テトラハむドロキノリン環を圢成す
る 匏䞭、R7、R8及びR9は同䞀又は異な぀お、
氎玠原子、䜎玚アルコキシ基又はゞ䜎玚アルキル
アミノ基を瀺すか、R8ずR9が䞀緒にな぀おメチ
レンゞオキシ基を圢成する。は窒玠原子に結合
したプニル基ず結合しお環を圢成する゚チレン
基、トリメチレン基たたはプニレン基を瀺す 䞊蚘のヒドラゟン化合物のうち、䞀般匏
で衚わされるヒドラゟン化合物は、䟋えば特公昭
55−42380号、特公昭62−44025号、特開昭60−
255854号公報及び特公昭60−334099号などに蚘茉
の公知に方法によ぀お埗るこずができる。 たた、䞀般匏で衚わされるヒドラゟン化
合物は、特開昭60−146248号公報に蚘茉の方法に
より、曎に䞀般匏で衚わされるヒドラゟン
化合物は、特開昭60−162259号公報などの公知の
方法によ぀お容易に合成するこずができる。 次に䞀般匏で衚わされるヒドラゟン化合
物の代衚䟋を䟋瀺する。なお、䞋匏においお、
Phはプニル基を瀺す。 たた、䞀般匏で衚わされるヒドラゟン化
合物の代衚䟋を䟋瀺すれば次の通りである。 曎に、䞀般匏で衚わされるヒドラゟン化
合物の代衚䟋を䟋瀺すれば次の通りである。 次に本発明の電子写真感光䜓に぀いお、図面を
挙げお説明する。 本発明の電子写真感光䜓は䟋えば第図に瀺す
ごずく、導電性支持䜓の䞊に、電荷発生物質
を䞻䜓ずする電荷発生局ず電荷茞送局ずから
なる感光局を蚭けおなるものである。即ち、本
発明感光䜓においおは、電荷茞送局を透過した光
が電荷発生局䞭に分散された電荷発生物質に到達
しお、電荷を発生させ、電荷茞送局はこの電荷の
泚入を受けおその茞送を行うものである。このよ
うに電荷担䜓の発生、茞送ずいう機胜を分離した
圢であれば第図に瀺す感光䜓ずは別の構成であ
぀おもよい。すなわち、導電性支持䜓䞊に電荷茞
送局を圢成し、その䞊に電荷発生局を塗垃しお感
光䜓を䜜成しおもよい。 本発明で甚いる導電性支持䜓ずしおはアルミニ
りム、ニツケル、クロム等から成る金属板もしく
は金属箔、アルミニりム、酞化スズ、酞化むンゞ
りムを蒞着したプラスチツクフむルム或は、導電
凊理を斜した玙などが甚いられる。 電荷発生局は、前蚘チタニルフタロシアニン結
晶を必芁に応じお結着剀ず混合分散しお埗られる
分散液を導電性支持䜓䞊に塗垃しお圢成するこず
が出来る。電荷発生局の厚さはミクロン以䞋、
奜たしくは0.01〜1.0ミクロンである。 結着剀ずしおは、ポリ゚ステル暹脂、ポリ塩化
ビニル暹脂、アクリル暹脂、メタアクリル暹脂、
ポリスチレン暹脂、ブラチヌル暹脂、゚ポキシ暹
脂、プノヌル暹脂等が奜適であり、チタニルフ
タロシアニン結晶に察し、0.1〜10重量倍で0.1〜
重量倍の範囲で䜿甚するのが奜たしい。これら
の結着剀を溶解する溶剀は、結着剀によ぀お異な
぀おおり、ベンれン、トル゚ン、キシレン、モノ
クロルベンれン、シクロルベンれン等の芳銙族系
溶剀、クロロホルム、塩化メチレン、ゞクロル゚
タン、トリクロル゚チレン等の塩玠系溶剀、テト
ラヒドロフラン、ゞオキサン等の゚ヌテル類、酢
酞゚チル、酢酞ブチル等の゚ステル類、−
ゞメチルホルムアミド、−メチルピロリドン等
のアミド類、メチル゚チルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類、メタノヌル、゚タノヌル、む
゜プロパノヌル、ブタノヌル等のアルコヌル類か
ら遞択される。勿論、これらを任意の割合で混合
しお甚いおもよく、結着剀を均䞀に溶解し埗る溶
剀であればいずれの溶剀であ぀おもよい。 塗垃は、ワむダバヌ、ブレヌド、スピナヌ、ス
プレヌ等を甚いお行うこずが出来、或は分散液に
支持䜓を浞挬しお塗垃する方法も可胜であり、均
䞀な薄膜を圢成出来る方法であればいずれの方法
でもよい。 電荷茞送局はヒドラゟン化合物ず結着剀を溶剀
に均䞀に溶解しお成る液を電荷発生局䞊に塗垃也
燥しお圢成するこずが出来る。電荷茞送局の厚さ
は、〜50ミクロン、奜たしくは〜30ミクロン
である。ここで甚いる結着剀ず溶剀は先の電荷発
生局を圢成する際に甚いるこずが出来る結着剀及
び溶剀の䞭から遞択するこずが出来る。ヒドラゟ
ン化合物の電荷茞送局䞭での割合は〜90重量
、特に〜70重量が奜適である。たた、結着
剀ず共に必芁に応じお可塑剀を甚いおもよい。曎
に、ヒドラゟン化合物ず、他の公知の電荷茞送物
質、䟋えばピラゟリン類、トリプニルメタン
類、オキサゞアゟヌル類、スチルベン類、α−フ
゚ニルスチルベン類、あるいはテトラプニルブ
タゞ゚ン類ず混合しお甚いおもよい。たた、必芁
に応じお導電性支持䜓ず電荷発生局の間に䞋匕き
局を蚭けおもよい。䞋匕き局ずしおは、ポリアミ
ド、ポリりレタン、ポリビニルアルコヌル、カれ
むン、ニトロセルロヌス、れラチン等が甚いられ
る。䞋匕き局の膜厚は0.1〜ミクロンが奜適で
ある。 〔実斜䟋〕 次に本発明を合成䟋、実斜䟋及び比范䟋により
詳しく説明する。 合成䟋  −フタロニトリル東京化成工業(æ ª)補20.4
郚、四塩化チタン東京化成工業(æ ª)補7.6郚を
キノリン東京化成工業(æ ª)補50郚䞭で200℃に
お時間加熱反応埌、氎蒞気蒞留で溶媒を陀き、
塩酞氎溶液、続いお氎酞化ナトリりム氎
溶液で粟補し、メタノヌル、トル゚ンで掗浄埌、
也燥し、チタニルフタロシアニン合成物21.3郚を
埗た。このチタニルフタロシアニン郚を℃の
98硫酞40郚の䞭に少しず぀溶解し、その混合物
を玄時間、℃以䞋の枩床を保ちながら撹拌し
た400郚の氷氎䞭に、ゆ぀くりず泚入し、析出し
た結晶を濟過した。結晶を酞が残留しなくなるた
で蒞留氎で掗浄し、濟過した。次に埗られた結晶
をメチル゚チルケトン50郚䞭で、50℃時間撹拌
を行い、メチル゚チルケトンで掗浄、濟過、也燥
を行い、1.7郚のチタニルフタロシアニン結晶を
埗た。このものは線回折図でブラツグ角床2Ξ
±0.2床7.6゜、10.3゜、12.8゜、13.1゜、15.2゜、16
.3゜、
18.3゜、22.5゜、25.4゜、26.3゜、28.6゜にピヌクを有
す
る結晶であ぀た。 埗られた結晶の線解回折を第図に瀺す。 合成䟋  実斜䟋ず同様に反応を行い、チタニルフタロ
シアニン結晶を埗た。これをボヌルミルにお日
間粉砕を行぀た、次にトル゚ン、メタノヌルで浄
浄、濟過を行い、ブラツグ角床9.3゜、10.3゜、
12.8゜、13.1゜、15.2゜、16.3゜、18.3゜、22.5゜、25
.4゜
、
26.3゜、27.2゜、28.6゜に線回折ピヌクを有するチ
タニルフタロシアニン結晶を埗た。埗られた結晶
の線解回折を第図に瀺す。このものの赀倖吞
収スペクトルは合成䟋で埗たチタニルフタロシ
アニンのスペクトルず同䞀であ぀た。 合成䟋  粟補溶媒をメチル゚チルケトンの代わりにメチ
ル゚チルケトン−トル゚ンを甚いた以
倖は実斜䟋ず同様にしおチタニルフタロシアニ
ン結晶、即ち、ブラツグ角床7.6゜、9.3゜、12.8゜、
13.2゜、15.2゜、18.2゜、22.5゜、25.4゜、27.2゜、28
.6゜
に
ピヌクを有する結晶を埗た。埗られた結晶の線
解回折を第図に瀺す。このものの赀倖吞収スペ
クトルは合成䟋で埗たチタニルフタロシアニン
のスペクトルず同䞀であ぀た。 実斜䟋  (i) ブチラヌル暹脂積氎化孊工業株匏䌚瀟補
「BL−」35郚をテトラヒドロフラン1425郚
に溶解させお埗た結着剀暹脂溶液に、合成䟋
で埗たチタニルフタロシアニン結晶40郚を加
え、ガラスビヌズφ1mmず共に時間振動
ミルを甚いお分散させた。この分散液をアルミ
ニりムを蒞着したポリ゚ステルフむルム䞊にワ
むダヌバヌを甚いお塗垃、也燥し、玄0.5ミク
ロンの電荷発生局を䜜補した。ヒドラゟン誘導
䜓䟋瀺化合物−10郚をポリカヌボネヌ
ト−200䞉菱瓊斯化孊株匏䌚瀟補10郚ず共
にゞクロル゚タン100郚に溶解させお電荷茞送
圢成液を぀くり、これを䞊蚘電荷発生局䞊にド
クタヌブレヌドを甚いお塗垃し、80℃で也燥し
お、感光䜓を䜜補した。 (ii) この感光䜓に぀いお静電耇写詊隓装眮「SP
−428型」川口電機補䜜所補を甚いおスタテ
むツク方匏により電子写真特性を枬定した。即
ち、前蚘感光䜓を、−6KVのコロナ攟電を秒
間行぀お垯電せしめ、衚面電䜍Vo単䜍−ボル
トを枬定し、これを暗所で秒間保持した
埌、タングステンランプにより照床ルツクス
の光を照射し、衚面電䜍を1/2及び1/6に枛衰さ
せるに必芁な露光量1/2ルツクス・秒及
び1/6ルツクス・秒、曎に照床ルツクス
の光を10秒間照射埌の衚面残留電䜍VR−ボル
トを枬定した。この結果を埌蚘衚−に瀺
す。たた、この感光䜓に぀いお800nmにおける
分光感床1/2ergcm2を枬定したずころ、
5.0ergcm2あ぀た。 実斜䟋  ポリ゚ステルフむルムに蒞着したアルミニりム
薄膜䞊にポリアミド暹脂東レ株匏䌚瀟補「アミ
ランCM−8000」を也燥膜厚ミクロンずなる
ように塗垃した。以䞋、実斜䟋のブチラヌル暹
脂のテトラヒドロフラン溶液の代わりにプノヌ
ル暹脂䜏友ゞナレス(æ ª)補、SK−のゞオキ
サン溶液を甚い、ヒドラゟン化合物ずしお、䟋瀺
化合物−の代わりに䟋瀺化合物−
を甚いた以倖は実斜䟋ず同様に操䜜しお感
光䜓を䜜補した。埗られた写真感光䜓に぀いお実
斜䟋の(ii)ず同様にしお、感光䜓の電子写真特性
を調べた。その成瞟を衚−に瀺す。 実斜䟋  実斜䟋においお甚いた合成䟋で埗たチタニ
ルフタロシアニン結晶の代わりに合成䟋で埗た
チタニルフタロシアニン結晶を、ヒドラゟン化合
物ずしお䟋瀺化合物−の代わりに−
を甚いる以倖は、実斜䟋ず同様に感光䜓を
䜜補し、その性胜を調べた。その成瞟を衚−に
瀺す。 実斜䟋 及び 実斜䟋においお甚いたチタニルフタロシアニ
ン結晶の代わりに、合成䟋で埗たチタニルフタ
ロシアニン結晶を、ヒドラゟン化合物ずしお䟋瀺
化合物−の代わりにそれぞれ−
及び−11を甚いる以倖は実斜䟋ず同様に
感光䜓を䜜補し、その性胜を調べた。それらの成
瞟を衚−に瀺す。 実斜䟋  実斜䟋においお甚いたヒドラゟン化合物であ
る䟋瀺化合物−の代わりにヒドラゟン化
合物である䟋瀺化合物−を郚ず䞋蚘構
造のテトラプニルブタゞ゚ン誘導䜓を郚ず
の混合物を甚いた他は実斜䟋ず同様にしお感光
䜓を䜜補し、性胜を調べた。成瞟を衚−に瀺
す。 比范䟋  特開昭61−239248号公報蚘茉の方法によ぀お埗
たα型チタニルフタロシアニンを甚いた他は実斜
䟋ず同様にしお感光䜓を䜜補した。この感光䜓
に぀いお実斜䟋ず同様に枬定した結果を衚−
に瀺す。 比范䟋  τ型フタロシアニン東掋むンキ補造(æ ª)補
0.2をポリカヌボネヌト暹脂䞉菱瓊斯化孊(æ ª)
「ナヌピロン−2000」を含有するゞクロル
゚タン溶液に混ぜ、ゞクロル゚タン20mlを加
えた埌、振動ミルを甚いお1Ό以䞋に粉砕しお電
荷担䜓発生顔料の分散液を぀くり、これをアルミ
ニりムを蒞着したポリ゚ステルフむルム䞊に、ワ
アダヌバヌを甚いお塗垃し、45℃で也燥しお1ÎŒ
の厚さに電荷担䜓発生局を぀く぀た。 䞀方、ヒドラゟン化合物である䟋瀺化合物
−郚をポリカヌボネヌト暹脂−200を10
含有するゞクロル゚タン溶液10郚に溶解させお
電荷茞送局圢成液を぀くり、これを䞊蚘電荷担䜓
発生局䞊にドクタヌブレヌドを甚いお、也燥時膜
厚玄20Όになるように塗垃し、45℃で也燥しお感
光䜓を䜜補した。この感光䜓に぀いお、実斜䟋
ず同様に性胜を枬定した結果を衚−に瀺す。 比范䟋  比范䟋においおτ型フタロシアニンに代え
お、型無金属フタロシアニン山陜色玠(æ ª)補
を甚いた他は比范䟋ず同様に感光䜓を䜜補し
た。この感光䜓に぀いお実斜䟋ず同様に枬定し
た結果を衚−に瀺す。 【衚】 実斜䟋 〜10 ヒドラゟン化合物ずしお実斜䟋においお甚い
た䟋瀺化合物−の代わりに䟋瀺化合物
−、−、−22、−を甚
いた以倖は、実斜䟋ず同様に感光䜓を䜜補し、
その性胜を調べた。その成瞟を衚−に瀺す。 実斜䟋 11 実斜䟋においお甚いたヒドラゟン化合物であ
る、䟋瀺化合物−の代わりに䟋瀺化合物
−ず−のの混合物を甚い
た以倖は実斜䟋ず同様にしお感光䜓を䜜補し、
性胜を調べた。その成瞟を衚−に瀺す。 比范䟋  比范䟋で埗たα型チタニルフタロシアニンを
α−クロロナフタレンから再結晶しおβ型チタニ
ルフタロシアニンを埗た。比范䟋においお甚い
たα型チタニルフタロシアニン及びヒドラゟン
−に代えおβ型チタニルフタロシアニン
及びヒドラゟン−を甚いた他は同様にし
お感光䜓を䜜補した。この感光䜓に぀いお実斜䟋
ず同様枬定した結果を衚−に瀺す。 【衚】 【衚】 実斜䟋 12〜16 実斜䟋においお甚いたヒドラゟン化合物であ
る䟋瀺化合物−の代わりに、䟋瀺化合物
−、−、−、−、

−を甚いた以倖は実斜䟋ず同様にしお感光
䜓を䜜補し、性胜を調べた。その成瞟を衚−に
瀺す。 実斜䟋 17〜21 実斜䟋においお甚いたヒドラゟン化合物であ
る䟋瀺化合物−の代わりに䟋瀺化合物
−14、−22、−23、−27、

−を甚いた以倖は実斜䟋ず同様にしお感光
䜓を䜜補し、性胜を調べた。その成瞟を衚−に
瀺す。 【衚】 以䞊の結果から明らかなように、αおよびβ型
チタニルフタロシアニン結晶を甚いた比范䟋及
び、たたτ型、型無金属チタニルフタロシア
ニン結晶を甚いた比范䟋に比范しお、
CuKαを線源ずする線回折スペクトルにおいお
ブラツグ角床2Ξ±0.2床が12.8゜、13.2゜、15.2゜
、
18.3゜、22.5゜、25.4゜、28.6゜に特城的な回折線を有
するチタニルフタロシアニン結晶を電荷発生物質
ずしお甚い、特定のヒドラゟン化合物を電荷茞送
物質ずしお甚いた本発明感光䜓は、衚−〜衚−
から半枛露光量1/2および1/6が小さく、高
感床であり残留電䜍VRも小さいなど電子写真感
光䜓ずしおすぐれおいるこずは明らかである。 〔発明の効果〕 本発明の電子写真感光䜓は、高感床にしお残留
電䜍が少なく、繰り返し䜿甚しおも光疲劎が少な
く、耐久性に優れおいる等の電子写真プロセスの
分野で最も芁求されおいる特性を具備し、工業的
にも有利なものである。
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明の電子写真感光䜓の䞀䟋を瀺
す断面説明図であり、第図は、合成䟋〜で
埗られた、チタニルフタロシアニン結晶、䞊びに
α型チタニルフタロシアニン結晶及びβ型チタニ
ルフタロシアニン結晶の線回折図である。  導電性支持䜓、 電荷発生物質、 電
荷発生局、 電荷茞送局、 感光局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電支持䜓䞊に電荷発生局ず電荷茞送局を積
    局しおなる電子写真感光䜓においお、電荷発生局
    にCuKαを線源ずする線回折スペクトルにおい
    おブラツグ角床2Ξ±0.2床が12.8゜、13.2゜、
    15.2゜、18.3゜、22.5゜、25.4゜、28.6゜に特城的な回
    折
    線を有するチタニルフタロシアニン結晶を含有
    し、電荷茞送局にヒドラゟン化合物を含有するこ
    ずを特城ずする電子写真感光䜓。  ヒドラゟン化合物が次の匏、又は
    のいずれかで衚わされるものである請求項
    第項蚘茉の電子写真感光䜓。 匏䞭、R1、R2は同䞀又は異なる䜎玚アルキ
    ル基、ベンゞル基、眮換たたは無眮換のプニル
    基を瀺し、R3は氎玠原子、䜎玚アルキル基、䜎
    玚アルコキシ基、ベンゞルオキシ基を瀺す 匏䞭、R4は炭玠数〜のアルキル基、フ
    ゚ニル基、ナフチル基、ベンゞル基を衚し、R5
    及びR6は同䞀又は異な぀お炭玠数〜のアル
    キル基、プニル基、トリル基、メトキシプニ
    ル基、ナフチル基、ベンゞル基を瀺すか、R5ず
    R6が䞀緒にな぀お隣接する窒玠原子ず共に
    −テトラハむドロキノリン環を圢成す
    る 匏䞭、R7、R8及びR9は同䞀又は異な぀お、
    氎玠原子、䜎玚アルコキシ基又はゞ䜎玚アルキル
    アミノ基を瀺すか、R8ずR9が䞀緒にな぀おメチ
    レンゞオキシ基を圢成する。は窒玠原子に結合
    したプニル基ず結合しお環を圢成する゚チレン
    基、トリメチレン基たたはプニレン基を瀺す  ヒドラゟン化合物が次の匏で衚わされ
    るものである請求項第項又は第項蚘茉の電子
    写真感光䜓。 匏䞭、R1、R2は同䞀又は異なる䜎玚アルキ
    ル基、ベンゞル基、眮換たたは無眮換のプニル
    基を瀺し、R3は氎玠原子、䜎玚アルキル基、䜎
    玚アルコキシ基、ベンゞルオキシ基を瀺す  ヒドラゟン化合物が次の匏で衚わされ
    るものである請求項第項又は第項蚘茉の電子
    写真感光䜓。 匏䞭、R4は炭玠数〜のアルキル基、フ
    ゚ニル基、ナフチル基、ベンゞル基を衚わし、
    R5及びR6は同䞀又は異な぀お炭玠数〜のア
    ルキル基、プニル基、トリル基、メトキシプ
    ニル基、ナフチル基、ベンゞル基を瀺すか、R5
    ずR6が䞀緒にな぀お隣接する窒玠原子ず共に
    −テトラハむドロキノリン環を圢成す
    る  ヒドラゟン化合物が次の匏で衚わされ
    るものである請求項第項又は第項蚘茉の電子
    写真感光䜓。 匏䞭、R7、R8及びR9は同䞀又は異な぀お、
    氎玠原子、䜎玚アルコキシ基又はゞ䜎玚アルキル
    アミノ基を瀺すか、R8ずR9が䞀緒にな぀おメチ
    レンゞオキシ基を圢成する。は窒玠原子に結合
    したプニル基ず結合しお環を圢成する゚チレン
    基、トリメチレン基たたはプニレン基を瀺す
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