JP2830142B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子写真感光体に関するものであり、更に
詳しくは、特定の電子移動剤を下引き層に含み、前記一
般式（１）で表される化合物を電荷発生剤の有効成分と
する電子写真感光体に関するものである。

（従来の技術） 近年、ノンインパクトプリティング技術の発展にとも
ないレーザーを光源とした電子写真式プリンタの開発研
究が盛んに行われている。このレーザービームプリンタ
においては高速化、高画質化が現在求められている。

これらの需要に対し、感光体として、優れた光導電性
を示すフタロシアニン類、金属フタロシアニン類が従来
から知られており、特に長波長に高感度を有するオキシ
チタニウムフタロシアニンが開発されている（特開昭59
−49544号公報、同61−23928号公報、同61−109056号公
報、同62−275272号公報）。

（発明が解決しようとする課題） ところで、上記オキシチタニウムフタロシアニンに
は、各種結晶形により特性に差異があることが知られて
いる。これらの各種結晶形を作成する為には、特別な精
製、特殊な溶剤処理を必要としている。その処理溶剤
は、分散塗布膜形成時に用いられるものとは異なってい
る。これは得られる各種結晶が、成長処理溶剤中では、
結晶成長し易く、同溶剤を塗布用溶剤として用いると、
結晶形、粒径の制御が難しく、塗料の安定性がなく、結
果として、静電特性が劣化し、実用上不適当であるから
である。その為通常は、塗料化の際には結晶成長を促進
し難いクロロホルム等の塩素系溶剤が用いられる。しか
しこれらの溶剤は、チタニルフタロシアニンに対して分
散性が必ずしも良くなく、塗料の分散安定性の面で問題
である。

またこのオキシチタニウムフタロシアニンは一般に固
有抵抗が小さく帯電性が低いことが指摘されている。そ
れ故、帯電性向上のために導電性基体と電子写真感光層
との間に絶縁性樹脂等の下引き層を設け、感光体表面電
荷と反対極性の電荷が導電性基体から電子写真感光層の
方へ注入するのを抑制しているが、この下引き層は又、
光照射時に電子写真感光層中で発生した電荷が導電性基
体へ移動し注入することをも抑制し、感光体の感度を低
下させているという問題点があった。また帯電性と感度
の均衡のとれた感光体を作製するには下引き層を0.1μ
ｍ以下の精度で成膜することが必要不可欠であり、製造
工程が難しいという問題点があった。

本発明の目的は安定な結晶構造を有するオキシチタニ
ウムフタロシアニンを電荷発生剤とする電子写真感光体
において、電子移動剤を下引き層中に含有することによ
り、電子写真感光層の均質化、薄膜化という高度な技術
を用いずに、帯電能力と感度を両立させ、かつ安定性の
良い電子写真感光体を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明は、導電性基体の表面に下引き層、電子写真感
光層を順次積層してなる電子写真感光体であって、電子
写真感光体層に含まれる電荷発生剤が赤外吸収スペクト
ルにおいて1332±2cm^-1,1074±2cm^-1,962±2cm^-1,783±
2cm^-1に特徴的な強い吸収ピークを有する、 一般式 （式中、X₁、X₂、X₃、X₄は各々独立的に各種ハロゲン原
子を表わし、ｎ、ｍ、ｌ、ｋは各々独立的に０〜４の数
字を表わす。）で表わされるオキシチタニウムフタロシ
アニン化合物結晶を主成分とし、下引き層が電子移動剤
として一般式（２）で示される化合物またはそれらを高
分子化した化合物を単体または結着性樹脂に溶解分散さ
せて形成されることにより、上記課題を解決するもので
ある。

（式中R₁、R₂、R₃、R₄は水素原子またはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−
ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基を表わす）。

（作用） 初期帯電性に優れた安定な結晶構造を有する新規なオ
キシチタニウムフタロシアニンを含有する電子写真感光
層と、前記一般式（２）で示した化合物または、それら
を高分子化した化合物を含有する下引き層を設けること
によって、オキシチタニウムフタロシアニンの帯電保持
力の低さと、下引き層による感度低下を電子移動性を有
する前記一般式（２）で示した化合物またはそれらを高
分子化した化合物を含有することで補うことができるた
め、高度な成膜技術が不要となり、上記課題を解決する
ことができる。

（実施例） 本発明に係る電子写真感光体は、導電性基体１上に下
引き層２を有し、その上に電荷発生物質を分散した層を
少なくとも有する電子写真感光体である。感光体の一つ
は第１図に示す電子写真感光層が電荷発生層３と電荷移
動層４とに機能分離した構造で形成される。また第２図
に示すような、電荷発生剤と電荷移動剤が電子写真感光
層５中に分散した単層型構造でもかまわない。

本発明で用いられる電荷発生剤であるオキシチタニウ
ムフタロシアニンは 一般式 （式中、X₁、X₂、X₃、X₄は各々独立的に各種ハロゲン原
子を表わし、ｎ、ｍ、ｌ、ｋは各々独立的に０〜４の数
字を表わす。）で表わされる化合物である。

本発明で用いられるオキシチタニウムフタロシアニン
のうち、特に好適なものには、オキシチタニウムフタロ
シアニン（TiOPc）、オキシチタニウムクロロフタロシ
アニン（TiOPcCl）、及びそれらの混合物である。

これらのオキシチタニウムフタロシアニン化合物は、
例えば、1,2−ジシアノベンゼン（ｏ−フタロジニトリ
ル）またはその誘導体と金属または金属化合物から公知
の方法に従って、合成することができる。

例えば、チタニウムオキシフタロシアニン類の場合、
下記（３）または（４）に示す反応式に従って容易に合
成することができる。

有機溶剤としては、ニトロベンゼン、キノリン、α−
クロロナフタレン、β−クロロナフタレン、α−メチル
ナフタレン、メトキシナフタレン、ジフエニルエーテ
ル、ジフエニルメタン、ジフエニルエタン、エチレング
リコールジアルキルエーテル、ジエチレングリコールジ
アルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキル
エーテル等の反応に不活性な高沸点有機溶剤が好まし
く、反応温度は通常150℃〜300℃、特に200℃〜250℃が
好ましい。

本発明においては、かくして得られる粗チタニルフタ
ロシアニン化合物を非結晶化処理の後、テトラヒドロフ
ランにて処理する。その際、予め適当な有機溶剤類、た
とえば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、1,4−ジ
オキサン等のエーテル類を用いて縮合反応に用いた有機
溶剤を除去した後、熱水処理するのが好ましい。特に熱
水処理後の洗液のpHが約５〜７になるまで洗浄するのが
好ましい。

引き続いて、２−エトキシエタノール、ジグライム、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ピリジン、モルホリ
ン等の電子供与性の溶媒で処理することがさらに好まし
い。

非結晶性チタニルフツロシアニン化合物は単一の化学
的方法、機械的な方法でも得られるが、より好ましくは
各種の方法の組合せによって得ることができる。

例えば、アシッドペースティング法、アシッドスラリ
ー法、等の方法で粒子間の凝集を弱め、次いで機械的処
理方法で摩砕することにより非結晶性粒子を得ることが
できる。摩砕時に使用される装置としては、ニーダー、
バンバリーミキサー、アトライター、エッジランナーミ
ル、ロールミル、ボールミル、サンドミル、SPEXミル、
ホモミキサー、ディスパーザー、アジター、ジョークラ
ッシャー、スタンプルミル、カッターミル、マイクロナ
イザー等があるが、これらに限られるものではない。ま
た、化学的処理方法として良く知られたアシッドペース
ティング法は、95％以上の硫酸に顔料を溶解もしくは硫
酸塩にしたものを水または氷水中に注ぎ再析出させる方
法であるが、硫酸および水を望ましくは５℃以下に保
ち、硫酸を高速攪拌された水中にゆっくりと注入するこ
とにより、さらに条件良く非結晶性粒子を得ることが出
来る。

その他、結晶性粒子を直接機械的処理できわめて長時
間摩砕する方法、アシッドペースティング法で得られた
粒子を前記溶媒等で処理した後摩砕する方法等がある。

非結晶性粒子は、昇華によっても得られる。例えば、
真空下に於て各種方法で得られた原材料のチタニルフタ
ロシアニン化合物を500℃〜600℃に加熱し昇華させ、基
板上にすみやかに析出させることにより得ることができ
る。

上記の様にして得られた非結晶性チタニルフタロシア
ニン化合物をテトラヒドロフラン中にて処理を行い、新
たな安定した結晶を得る。テトラヒドロフランの処理方
法としては各種攪拌槽に非結晶性チタニルフタロシアニ
ン化合物１重量部に対し５〜300重量部のテトラヒドロ
フランを入れ攪拌を行う。温度は加熱、冷却いずれも可
能であるが、加温すれば結晶成長が早くなり、又、低温
では遅くなる。攪拌槽としては通常のスターラーの他、
分散に使用される、超音波、ボールミル、サンドミル、
ホモミキサー、ディスパーザー、アジター、マイクロナ
イザー等や、コンカルブレンダーＶ型混合機等の混合機
等が適宜用いられるがこれらに限られるものではない。
これらの攪拌工程の後、通常はろ過、洗浄、乾燥を行
い、安定化したチタニルフタロシアニンの結晶を得る。
この時ろ過乾燥を行わず、分散液に必要に応じ樹脂等を
添加し、塗料化することもでき、電子写真感光体等の塗
布膜として用いる場合、省工程となりきわめて有効であ
る。

上記のようにして得られたオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶は赤外吸収スペクトルにおいて1332±2cm^-1,
1074±2cm^-1,962±2cm^-1,783±2cm^-1に特徴的な強い吸
収ピークを示す。

このオキシチタニウムフタロシアニン結晶は、テトラ
ヒドロフラン中で更に加熱攪拌を加え、結晶成長の促進
を行っても赤外吸収スペクトルにおいて大きな変化を示
さず他の結晶形への転移がなくきわめて安定した良好な
結晶である。

本発明で下引き層に用いられる電子移動剤は一般式
（２）で表わされるものであり、 （式中R₁、R₂、R₃、R₄は水素原子またはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−
ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基を表わす） 2,6−位に置換基を有するフェノールの酸化カップリ
ング反応により簡単に合成できる。

下引き層に用いられる電子移動剤は、結着性樹脂に対
して１ないし50重量％、好ましくは５ないし15重量％混
合して用いるのが適している。下引き層に用いられる結
着性樹脂としては、ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
11、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキシメチル
化ナイロン、などのアルコール可溶性ポリアミド、カゼ
イン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチ
レン−アクリル酸コポリマー、ゼラチン、ポリウレタ
ン、ポリビニルブチラールが用いられる。下引き層の成
膜方法は、前述した電荷発生層と同等な方法で行うこと
ができる。その際、下引き層の膜厚は、0.1μｍから20
μｍ、望ましくは0.5μｍから10μｍが良い。

塗工は浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、ワイヤーバーコーティング法、プレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法などのコーティングを用
いて行うことができ、乾燥膜厚は0.1μｍから20μｍ、
望ましくは0.5μｍから10μｍになるように塗工される
のが望ましい。

本発明における感光体の１つは、電子写真感光層が、
電荷発生層と電荷移動層とに機能分離した構造で形成さ
れる。他には、電荷発生剤と電荷移動剤が電子写真感光
層中に分散した構造でもかまわない。

本発明で用いられる導電性基体としては、アルミニウ
ム、ニッケル、クロムなどからなる金属板、金属ドラム
または金属箔およびアルミニウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム、クロムなどの薄層を設けたプラスチックフィル
ムおよび導電性物質を塗布または含浸させた紙またはプ
ラスチックフィルムなどが用いられる。電荷発生層は、
前記のように粉砕処理した新規なオキシチタニウムフタ
ロシアニンを適当なバインダーに分散させ、これを下引
き層の上に塗布することによって形成できる。

電荷発生層を塗布によって形成する際に用いられる結
着性樹脂としては、種々の絶縁性樹脂から選択でき、ま
たポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラ
セン、ポリビニルピレンなどの有機光電性ポリマーから
も選択できる。好ましくは、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ブチラール樹脂、キシレン
樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリアクリレート樹脂、飽和ポリエステル樹脂、
フェノキシ樹脂、などが挙げられる。電荷発生層中に含
有するフタロシアニン化合物の割合は、電荷発生層に対
して0.05〜90重量％、好ましくは30〜65重量％が適して
いる。

また、これらの樹脂を溶解する溶剤は樹脂の種類によ
って異なり、さらに後述する電荷移動層や下引き層を溶
解しないものの中から選択することが望ましい。具体的
な有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、N,N
−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩化炭
素、トリクロロエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素類あるいは、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノク
ロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類などを
用いることができる。

この際の電荷発生層の膜厚は、通常フタロシアニンの
場合は、帯電性の保持、安定性確保のため0.1〜0.5μｍ
程度が用いられる。しかし公知のオキシチタニウムフタ
ロシアニンの場合は特に0.05〜0.2μｍ程度にしないと
要求される帯電電位を確保することができない。本発明
によればこの膜厚を0.1〜３μｍ、好ましくは0.5〜1.5
μｍとしても充分な帯電電位安定性を得ることができ
る。また必要に応じてバインダーと共に可塑剤等を用い
ることもできる。

塗工は浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、ワイヤーバーコーティング法、プレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法などのコーティング法を
用いて行うことができる。

電荷移動層は、電荷移動剤を単体または結着性樹脂に
溶解分散させて形成される。電荷移動物質は、公知の正
孔移動型の電荷移動剤のいずれも用いることができる。

具体的には、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−
イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
ヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾー
ル、N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９
−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒドラジノ−
３−メチリデン−10−エチルフェノチアジン、N,N−ジ
フェニルヒドラジノ−３−メチルデン−10−エチルフェ
ノキサジン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,
N−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾ
ン、２−メチル−４−ジベンアミノベンズアルデヒド−
１′−エチル−ベンゾチアゾリルヒドラゾン、２−メチ
ル−４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１′−プ
ロピル−１′−ベンゾチアゾリルヒドラゾン、２−メチ
ル−４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１′,1′
−ジフェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３
−カルボキサルデヒド−１′−フェニルヒドラゾン、１
−ベンジル−1,2,3,4−テトラヒドロキノン−６−カル
ボキシアルデヒド−１′,1′−ジフェニルヒドラゾン、
Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチア
ゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビ
ス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−1,3,4−オキサジ
アゾール、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、１−［キノリル（２）］−３−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−（Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−（６−メトキシ−ピリジル
（２）］−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（３）］−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−［ピリジル（２）］−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−（α−
メチル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３
−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−
（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェ
ニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−６−ピラ
ゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルアミノ
ベンズオキサゾール、２−（Ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）−４−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−（２
−クロロフェニル）オキサゾール等のオキサゾール系化
合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）−フェニルメタン等のトリアリールメタン系の化合
物、1,1−ビス（４−N,N,−ジエチルアミノ−２−メチ
ルフェニル）ヘプタン、1,1,2,2−テトラキス（４−N,
N,−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）エタン等の
ポリアリールアルカン類、1,1−ジフェニル−Ｐ−ジフ
ェニルアミノエチレン等のスチルベン系化合物、4,4′
−（３−メチルフェニル）フェニルアミノビフェニル等
のトリアリールアミン系化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルアクシジン、ポリ−９−ビニルフェニル
アントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、ポリメ
チルフェニルシリレン等のポリシリレン樹脂等がある。

これらの電荷移動剤は、１種または２種以上組み合わ
せて用いることができる。電荷移動層に用いられる樹脂
は、シリコン樹脂、ケトン樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、ポリアリレー
ト、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、
アクリロニトリル−スチレンコポリマー、アクリロニト
リル−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリアクリルア
ミド、塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−ビニル
アントラセン、ポリビニルピレンなどが用いられる。

塗工は、前述した電荷発生層と同様な方法を用いて行
なうことができ、乾燥後膜厚は５μｍから50μｍ、望ま
しくは10μｍから20μｍになるように塗工されるのが望
ましい。

本発明の電子写真感光体は、レーザービームプリンタ
のみでなく、半導体レーザ等の波長が750〜850nmの光源
を使用したその他の各種光記憶デバイスにも応用するこ
とができる。

以下、本発明を具体的に説明するが、本発明はその要
旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものでは
ない。

新規なオキシチタニウムフタロシアニンの製造 合成例 ０−フタロジニトリル20.4部、四塩化チタン7.6部を
キノリン50部中で200℃にて２時間加熱反応後、水蒸気
蒸留で溶媒を除き、２％塩酸水溶液、続いて２％水酸化
ナトリウム水溶液で精製し、アセトン、Ｎ−メチルピロ
リドンで洗浄後、乾燥し、オキシチタニウムフタロシア
ニン（TiOPc）21.3部を得た。このオキシチタニウムフ
タロシアニン２部を５℃の98％硫酸40部の中に少しづつ
溶解し、その混合物を約１時間、５℃以下の温度を保ち
ながら攪拌する。続いて硫酸溶液を高速攪拌した400部
の氷水中にゆっくりと注入し、析出した結晶を濾過す
る。結晶を酸が残留しなくなるまで蒸留水で洗浄し、ウ
ェットケーキを得る。そのケーキ（含有フタロシアニン
量２部と仮定して）をテトラヒドロフラン100部中で約
５時間攪拌を行い、濾過、テトラヒドロフランによる洗
浄を行い、乾燥後、1.7部オキシチタニウムフタロシア
ニンを得た。この物の赤外吸収スペクトルは1332±2cm
^-1、1074±2cm^-1、962±2cm^-1、783±2cm^-1に特徴的な
吸収ピークを示す。

また、この化合物は、初期帯電性に優れ、安定な結晶
構造を有する。第３図に分光感度、第４図に赤外吸収ス
ペクトル図を示す。

電子写真感光体の製造 実施例１ 電子移動剤として2,6−ジ−tert−ブチル−２′,6′
−ジ−tert−ブチルフェノキノン1gをポリカーボネート
樹脂（三菱ガス化学製Ｚ−200）に塩化メチレンを用い
て溶解し、２μｍの膜厚でアルミニウム板上に浸漬コー
ティングを用いて塗布し、50℃で１時間乾燥し、下引き
層を得た。

前記合成例により得たオキシチタニウムフタロシアニ
ン0.4gをポリビニルブチラール0.3g、テトラヒドロフラ
ン30gと共にサンドミルで分散した。この分散液を前述
した下引き層上に浸漬コーティング法を用いて膜厚1.0
μｍとなる様に塗布し、50℃で２時間乾燥し、電荷発生
層を形成した。さらにこの電荷発生層の上にｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾ
ンとポリカーボネート樹脂（三菱ガス化学製Ｚ−200）
とを重量比１対１で混溶させた電荷移動層を膜厚15μｍ
となる様に成膜した。

この様にして積層型の感光層を有する電子写真感光体
を得た。この感光体を静電複写紙試験装置（川口電気製
作所EPA−8100）を用いて、まず感光体を暗所で−5.0KV
のコロナ放電により帯電させ放置し、５秒間の電位保持
率（V₅/V₀）を測定した。（V₀は初期帯電位、V₅は５秒
後の帯電位） 次いで照度５（lx）の白色光で露光し、表面電位が半
分に減衰するのに必要な露光量Ｅ_1/2（1x・ｓ）を求め
第１表に示した。

実施例２ 電子移動剤として2,6−ジメチル−２′,6′−ジ−ter
t−ブチルフェノキノンを用いた以外は実施例１と同様
に作製し、電位特性を調べ、第１表に示した。

実施例３ 電子移動剤として2,2′−ジメチル−６′,6′−ジ−t
ert−ブチルフェノキノンを用いた以外は実施例１と同
様に作製し、電位特性調べ第１表に示した。

（比較例１） 下引き層を用いずに、他は実施例１と同様にして電位
特性を調べ、第１表に示した。

（比較例２） 下引き層をポリカーボネート樹脂（三菱ガス化学製Ｚ
−200）単体で他は実施例１と同様にして電位特性を調
べ第１表に示した。

（発明の効果） 本発明は、安定なオキシチタニウムフタロシアニン化
合物結晶を電荷発生剤とする電子写真感光体において、
前記一般式（２）で表される化合物を下引き層の電子移
動剤として含有することにより、帯電性と感度が両立
し、かつ安定性に優れた電子写真感光体が精密な膜厚制
御をすることなく得られるものである。

それにより、その製造方法が容易で安価な感光体が得
られ、工業的にきわめて優れたレーザービームスプリン
ター等の光プリンター用の感光体が得られる。この様に
して、積層型電子写真感光層を有する電子写真感光体を
得た。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明に係る電子写真感光体の模式断
面図である。 第３図は本発明感光体の分光感度を示す図、第４図はオ
キシチタニウムフタロシアニン結晶の赤外線吸収スペク
トルを示す図である。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性基体の表面に下引き層、電子写真感
   光層を順次積層してなる電子写真感光体であって、電子
   写真感光層に含まれる電荷発生剤が赤外吸収スペクトル
   において、1332±2cm^-1,1074±2cm^-1,962±2cm^-1,783±
   2cm^-1に特徴的な強い吸収ピークを示す、 一般式 （式中、X₁、X₂、X₃、X₄は各々独立的に各種ハロゲン原
   子を表わし、ｎ、ｍ、ｌ、ｋは各々独立的に０〜４の数
   字を表わす。）で表わされるオキシチタニウムフタロシ
   アニン化合物結晶を主成分とし、下引き層が電子移動剤
   として一般式（２）で示される化合物またはそれらを高
   分子化した化合物を含有することを特徴とする負帯電型
   の電子写真感光体。 （式中R₁、R₂、R₃、R₄は水素原子またはメチル基、エチ
   ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−
   ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基を表わす）。