JPH02146053A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06144—Amines arylamine diamine
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、更に詳細には、チタニ
ルフタロシアニン結晶を電荷発生物質とし、下記一般式
(I) (式中、RISH2、R3、R4は同−又は異なる低級
アルキル基又は置換若しくは無置換のベンシル基を示し
R11,R6は同−又は異なる水素原子、メチル基又
はメトキシ基を示し R7は炭素数6(式中、R1,R
a、R3、Wは同−又は異なる低級アルキル基又は置換
若しくは無置換のペンシル基を示し R6、R6は同−
又は異なる水素原子、メチル基又はメトキシ基を示し、
R7は炭素数6以下のアルキル基又は置換若しくは無置
換のフェニル若しくけナフチル基を示す) で表されるジフェニルメタンジアミン誘導体を電荷輸送
物質とする電子写真感光体に関する。
ルフタロシアニン結晶を電荷発生物質とし、下記一般式
(I) (式中、RISH2、R3、R4は同−又は異なる低級
アルキル基又は置換若しくは無置換のベンシル基を示し
R11,R6は同−又は異なる水素原子、メチル基又
はメトキシ基を示し R7は炭素数6(式中、R1,R
a、R3、Wは同−又は異なる低級アルキル基又は置換
若しくは無置換のペンシル基を示し R6、R6は同−
又は異なる水素原子、メチル基又はメトキシ基を示し、
R7は炭素数6以下のアルキル基又は置換若しくは無置
換のフェニル若しくけナフチル基を示す) で表されるジフェニルメタンジアミン誘導体を電荷輸送
物質とする電子写真感光体に関する。
近年電子写真感光材料として広く用いられるものに、無
機系の光導電性物質としてはα−セレン、硫化カドミウ
ム、a−シリコン等があり、また、有機系の光導電性物
質としては、ポリ−N−ビニルカルバゾール、−リピニ
ルアンスラセンをはじめとする種々の光導電性?リマー
があるが、それぞれ、価格、性能或は毒性など少なから
ず問題を有している。
機系の光導電性物質としてはα−セレン、硫化カドミウ
ム、a−シリコン等があり、また、有機系の光導電性物
質としては、ポリ−N−ビニルカルバゾール、−リピニ
ルアンスラセンをはじめとする種々の光導電性?リマー
があるが、それぞれ、価格、性能或は毒性など少なから
ず問題を有している。
これらの欠点を補い、また高感度化を目的として光導電
性物質の2つの機能、即ち、電荷の発生と発生した電荷
の輸送をそれぞれ別個の有機化合物により行わしめよう
とする方式が盛んに提案されている。しかし、この方式
において電子写真感光体に要求される緒特性、即ち高い
表面電位と電荷保持能力及び光感度が高く、残留電位が
殆どないなどの特性を同時に実現することは必ずしも可
能であるというわけではない。
性物質の2つの機能、即ち、電荷の発生と発生した電荷
の輸送をそれぞれ別個の有機化合物により行わしめよう
とする方式が盛んに提案されている。しかし、この方式
において電子写真感光体に要求される緒特性、即ち高い
表面電位と電荷保持能力及び光感度が高く、残留電位が
殆どないなどの特性を同時に実現することは必ずしも可
能であるというわけではない。
一方、近年、小型で高出力の半導体レーザーが容易に利
用できるようになり、この半導体レーザーを用いた電子
写真方式のゾリンターが、低騒音、高速印字、高分解能
という特徴をいかして、従来のインノQクト方式のプリ
ンターに置き変わシ大きな市場を占めつつある。半導体
レーザーは、安定に得られる波長域が800nm前後に
あり、これを光源とするプリンターに対して近赤外域に
高い感度を有する感光体が望まれている。このような、
近赤外域に感度を有する電荷発生物質としては、現在、
フタロシアニン類が公知である。金属イオンとしてチタ
ンを有するチタニルフタロシアニンの電子写真感光体へ
の利用は、米国特許第a835,422号明細書に記載
へれているが、当該明細書に記載の方法では電荷輸送物
質を使用せず、低感度で実用には供し得ない。一方、電
荷輸送層を積層した機能分離型の感光体でのチタニルフ
タロシアニンの使用が特開昭59−49544号公報に
、ま九積層型でチタニルフタロシアニンを蒸着したもの
の使用が特開昭59−166959号公報に、a型チタ
ニルフタロシアニンを結着剤中に分散させたものの使用
は特開昭61−239248号公報に、及び導電性支持
体上に電荷発生層及び電荷輸送層を設けた電子写真感光
体にa型チタニルフタロシアニンを使う技術は特開昭6
2−134651号公報に開示されている。
用できるようになり、この半導体レーザーを用いた電子
写真方式のゾリンターが、低騒音、高速印字、高分解能
という特徴をいかして、従来のインノQクト方式のプリ
ンターに置き変わシ大きな市場を占めつつある。半導体
レーザーは、安定に得られる波長域が800nm前後に
あり、これを光源とするプリンターに対して近赤外域に
高い感度を有する感光体が望まれている。このような、
近赤外域に感度を有する電荷発生物質としては、現在、
フタロシアニン類が公知である。金属イオンとしてチタ
ンを有するチタニルフタロシアニンの電子写真感光体へ
の利用は、米国特許第a835,422号明細書に記載
へれているが、当該明細書に記載の方法では電荷輸送物
質を使用せず、低感度で実用には供し得ない。一方、電
荷輸送層を積層した機能分離型の感光体でのチタニルフ
タロシアニンの使用が特開昭59−49544号公報に
、ま九積層型でチタニルフタロシアニンを蒸着したもの
の使用が特開昭59−166959号公報に、a型チタ
ニルフタロシアニンを結着剤中に分散させたものの使用
は特開昭61−239248号公報に、及び導電性支持
体上に電荷発生層及び電荷輸送層を設けた電子写真感光
体にa型チタニルフタロシアニンを使う技術は特開昭6
2−134651号公報に開示されている。
機能分離タイプの感光層を有する電子写真感光体におい
ては、前記のごとく各々の機能を有する物質の選択と組
み合わせによって高感度の感光体が得られる可能性があ
るとはいえ、従来のこのタイプの電子写真感光体は光感
度においても充分とはいえず、また電子写真プロセスに
したがって繰り返し反復使用した場合、もとの帯電特性
を回復する能力が低下したり、残留電位が上昇する等、
感光体の寿命を短くする等の実用上の問題点を有してい
る。また、近年電子写真方式の複写機、或はプリンター
等の高速化、小型化に伴い、感光体に対して速い応答性
が要求されているが、これらの要求は未だ満足されてい
ないのが実状である。
ては、前記のごとく各々の機能を有する物質の選択と組
み合わせによって高感度の感光体が得られる可能性があ
るとはいえ、従来のこのタイプの電子写真感光体は光感
度においても充分とはいえず、また電子写真プロセスに
したがって繰り返し反復使用した場合、もとの帯電特性
を回復する能力が低下したり、残留電位が上昇する等、
感光体の寿命を短くする等の実用上の問題点を有してい
る。また、近年電子写真方式の複写機、或はプリンター
等の高速化、小型化に伴い、感光体に対して速い応答性
が要求されているが、これらの要求は未だ満足されてい
ないのが実状である。
本発明者らは、半導体レーザーに適合した電子写真感光
体を得べく鋭意研究をおこなった結果、電荷発生物質と
しての特定のチタニルフタロシアニン結晶と、電荷輸送
物質として前記−最大(I)で表されるジフェニルメタ
ンシアミン誘導体を組み合せ用いれば、極めて高感度で
あり、残留電位が少なく、また、繰り返し使用しても光
疲労が少なく、シかも高い耐久性のある電子写真感光体
が得られることを見出し、本発明を完成した。
体を得べく鋭意研究をおこなった結果、電荷発生物質と
しての特定のチタニルフタロシアニン結晶と、電荷輸送
物質として前記−最大(I)で表されるジフェニルメタ
ンシアミン誘導体を組み合せ用いれば、極めて高感度で
あり、残留電位が少なく、また、繰り返し使用しても光
疲労が少なく、シかも高い耐久性のある電子写真感光体
が得られることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、導電性支持体上に電荷発生層と電
荷輸送層を積層してなる電子写真感光体において、電荷
発生層にCuKQを線源とするX線回折スペクトルでブ
ラック角度(2θ±0.2度)が12.8 13.2°
15.2° 18,3° 22.5゜25.4° 2
8.6°に特徴的な回折?fMを有するチタニルフタロ
シアニン結晶を含有し、電荷輸送層に前記−最大(I)
で表されるジフェニルメタンシアミン誘導体を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体を提供するものである
。
荷輸送層を積層してなる電子写真感光体において、電荷
発生層にCuKQを線源とするX線回折スペクトルでブ
ラック角度(2θ±0.2度)が12.8 13.2°
15.2° 18,3° 22.5゜25.4° 2
8.6°に特徴的な回折?fMを有するチタニルフタロ
シアニン結晶を含有し、電荷輸送層に前記−最大(I)
で表されるジフェニルメタンシアミン誘導体を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体を提供するものである
。
本発明において、電荷発生物質として用いられるチタニ
ルフタロシアニン結晶は、上記したブラック角度に特徴
的な回折線を有するものであり、従来公知のチタニルフ
タロシアニン結晶、例えばamチタニルフタロシアニン
(CLIKGを線源とするX線回折スペクトルでブラッ
ク角度(2θ士0、2度)が7.6 10.2° 12
.6° 13.2°、15.1° 16.2.17.2
° 1a3 .22.524.2 25.3 28
.6 .29.3 31.5’ )、β型チタニルフ
タロシアニン(CuKQを線源とする15.3 1
5.9 18,6 20.6 .23.225
.5 26.2 27.0 32.7°)等とは
その結晶構造を異にするものである。
ルフタロシアニン結晶は、上記したブラック角度に特徴
的な回折線を有するものであり、従来公知のチタニルフ
タロシアニン結晶、例えばamチタニルフタロシアニン
(CLIKGを線源とするX線回折スペクトルでブラッ
ク角度(2θ士0、2度)が7.6 10.2° 12
.6° 13.2°、15.1° 16.2.17.2
° 1a3 .22.524.2 25.3 28
.6 .29.3 31.5’ )、β型チタニルフ
タロシアニン(CuKQを線源とする15.3 1
5.9 18,6 20.6 .23.225
.5 26.2 27.0 32.7°)等とは
その結晶構造を異にするものである。
本発明において用いられるチタニルフタロシアニン結晶
は、例えば、1.2−ジシアノベンゼン(0−フタロニ
トリル)またはその誘導体と四塩化チタン或は三塩化チ
タンとから公知の方法、例えば“Phtalocyan
ine Compounds 、 F−H。
は、例えば、1.2−ジシアノベンゼン(0−フタロニ
トリル)またはその誘導体と四塩化チタン或は三塩化チ
タンとから公知の方法、例えば“Phtalocyan
ine Compounds 、 F−H。
Mo5er、 A、 L、 Thomas、 Re1n
hojd Pud、 (I963)、“The Pht
alocyanines Vol、I 、 l
F、H。
hojd Pud、 (I963)、“The Pht
alocyanines Vol、I 、 l
F、H。
Mo5er、A、L、Thomas、CRCPress
(I983)に従って容易に合成することが出来る
。
(I983)に従って容易に合成することが出来る
。
この合成の際に用いられる有機溶剤としては、ニトロベ
ンゼン、キノリン、a−クロロナフタレン、β−クロロ
ナフタレン、a−メチルナフタレン、メトキシナフタレ
ン、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタン、ジフェニ
ルエタン、エチレングリコールシアルキルエーテル、ジ
エチレンクリコールジアルキルエーテル、トリエチレン
グリコールシアルキルエーテル等の反応に不活性な高沸
点有機溶剤が好ましく、反応温度は通常150℃〜30
0℃、特に200℃〜250℃が好ましい。
ンゼン、キノリン、a−クロロナフタレン、β−クロロ
ナフタレン、a−メチルナフタレン、メトキシナフタレ
ン、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタン、ジフェニ
ルエタン、エチレングリコールシアルキルエーテル、ジ
エチレンクリコールジアルキルエーテル、トリエチレン
グリコールシアルキルエーテル等の反応に不活性な高沸
点有機溶剤が好ましく、反応温度は通常150℃〜30
0℃、特に200℃〜250℃が好ましい。
かくして得られるチタニルフタロシアニン結晶を電荷発
生物質として用いるときは、予め適当な有機溶剤類、例
えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル等のアルコール類、テトラヒドロフラン、1,4−ジ
オキサン等のエーテル類を用いて縮合反応に用いた有機
溶剤を除去した後、熱水処理するのが好ましい。特に熱
水処理後の洗液のpHが約5〜7になるまで洗浄するの
が好ましい。引き続いて、2−エトキシエタノール、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、N、N−ジメチルホルムアミド、N
−メチルピロリドン、ビリシン、モルホリン等の溶剤で
処理することが更に好ましい。
生物質として用いるときは、予め適当な有機溶剤類、例
えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル等のアルコール類、テトラヒドロフラン、1,4−ジ
オキサン等のエーテル類を用いて縮合反応に用いた有機
溶剤を除去した後、熱水処理するのが好ましい。特に熱
水処理後の洗液のpHが約5〜7になるまで洗浄するの
が好ましい。引き続いて、2−エトキシエタノール、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、N、N−ジメチルホルムアミド、N
−メチルピロリドン、ビリシン、モルホリン等の溶剤で
処理することが更に好ましい。
更に、感光体を塗布法にて作成する際、均質で良好な薄
膜を得る為には塗料として安定で、分散性の良いことが
重要であり、そのためには、チタニルフタロシアニン結
晶が微小粒子であることが好ましい。微粒子化する方法
として再析出法、機械的粉砕法等があり、また、これら
を組み合わせて用いることが好ましい。
膜を得る為には塗料として安定で、分散性の良いことが
重要であり、そのためには、チタニルフタロシアニン結
晶が微小粒子であることが好ましい。微粒子化する方法
として再析出法、機械的粉砕法等があり、また、これら
を組み合わせて用いることが好ましい。
再析出法としては、硫酸処理法、及びa−クロルナフタ
レン、ニトロベンゼン等の可溶性有機溶剤からの再析出
法等がある。通常よく知られた硫酸処理法は95%以上
の硫酸に顔料を溶解或は硫酸塩にしたものを水、または
氷水中に注ぎ再析出させる方法であるが、その際、硫酸
及び水を望ましくは5℃以下に保ち、硫酸溶液を高速攪
拌した大量の水中に小量ずつ滴下析出させることにより
微粒子を得ることが出来る。
レン、ニトロベンゼン等の可溶性有機溶剤からの再析出
法等がある。通常よく知られた硫酸処理法は95%以上
の硫酸に顔料を溶解或は硫酸塩にしたものを水、または
氷水中に注ぎ再析出させる方法であるが、その際、硫酸
及び水を望ましくは5℃以下に保ち、硫酸溶液を高速攪
拌した大量の水中に小量ずつ滴下析出させることにより
微粒子を得ることが出来る。
また、機械的粉砕法の時に用いられる装置としテハ、ニ
ーダ−バンバリーミキサ−アトライター エッソランナ
ーミル、ロールミル、ボールミル、サンドミル、5PE
Xミル、ホモミキサー、デイスフ9−ザー アゾター
ショークラッシャースタンプミル、カッターミル、マイ
クロナイザー等があるが、これらに限られるものではな
い。また、この際、助剤として各種溶剤上併用すること
もできる。
ーダ−バンバリーミキサ−アトライター エッソランナ
ーミル、ロールミル、ボールミル、サンドミル、5PE
Xミル、ホモミキサー、デイスフ9−ザー アゾター
ショークラッシャースタンプミル、カッターミル、マイ
クロナイザー等があるが、これらに限られるものではな
い。また、この際、助剤として各種溶剤上併用すること
もできる。
上記の様にして得られた微粒子のチタニルフタロシアニ
ン結晶はその微粒子化工程中で微粒子の内部に含まれて
いた不純物が粒子表面に露出してきており、微粒子化処
理後更に溶剤等による精製処理を行うのが好ましい。こ
の際用いられる溶剤としては、例えばメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類、テ
トラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等、エーテル類
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
、塩化メチレン、ジクロルエタン等の塩素系溶剤等が用
いられるが、特に2−エトキシエタノール、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロ7ラン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチル
ピロリドン、ビリシン、モルホリン等の電子供与性溶剤
で処理することが更に好ましい。
ン結晶はその微粒子化工程中で微粒子の内部に含まれて
いた不純物が粒子表面に露出してきており、微粒子化処
理後更に溶剤等による精製処理を行うのが好ましい。こ
の際用いられる溶剤としては、例えばメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類、テ
トラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等、エーテル類
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
、塩化メチレン、ジクロルエタン等の塩素系溶剤等が用
いられるが、特に2−エトキシエタノール、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロ7ラン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチル
ピロリドン、ビリシン、モルホリン等の電子供与性溶剤
で処理することが更に好ましい。
精製は前記溶剤を用いて各徨攪拌器中でスラリーとし、
濾過洗浄する他、ソックスレー抽出など適宜行うことが
できる。攪拌器としては通常のスターラーの他、分散に
使用される超音波ボールミル、サンドミル、ホモミキサ
ー ディス、Q−ザーアゾター マイクロナイザー等や
コニカルブレンダ−V型プレンダー等の混合機分散機が
適宜用いられるが、これらに限られるものではない。こ
れらの攪拌工程の後、通常は濾過、洗浄、乾燥を行い、
チタニルフタロシアニ/の結晶を得る。
濾過洗浄する他、ソックスレー抽出など適宜行うことが
できる。攪拌器としては通常のスターラーの他、分散に
使用される超音波ボールミル、サンドミル、ホモミキサ
ー ディス、Q−ザーアゾター マイクロナイザー等や
コニカルブレンダ−V型プレンダー等の混合機分散機が
適宜用いられるが、これらに限られるものではない。こ
れらの攪拌工程の後、通常は濾過、洗浄、乾燥を行い、
チタニルフタロシアニ/の結晶を得る。
以上の様にして得られたチタニルフタロシアニン結晶は
、CuKaを線源とするX線回折スペクトルにおいてブ
ラック角度(2θ±0.2度)が12.8 .13.2
15,2 18.3 22.5゜254 及
び286°に特徴的な回折線を有する結晶である。精製
時に用いる溶剤のi類、温度、攪拌方法、処理時間など
の条件により、チタニルフタロシアニン結晶のX線回折
スペクトルの各回折線の強度は種々異なるが、いずれの
製法においても上記に示す共通した角度にチタニルフタ
ロシアニン結晶の特徴的回折線が表れる。
、CuKaを線源とするX線回折スペクトルにおいてブ
ラック角度(2θ±0.2度)が12.8 .13.2
15,2 18.3 22.5゜254 及
び286°に特徴的な回折線を有する結晶である。精製
時に用いる溶剤のi類、温度、攪拌方法、処理時間など
の条件により、チタニルフタロシアニン結晶のX線回折
スペクトルの各回折線の強度は種々異なるが、いずれの
製法においても上記に示す共通した角度にチタニルフタ
ロシアニン結晶の特徴的回折線が表れる。
一方、本発明で電荷輸送中に含有される一般式(I)で
表されるジフェニルメタンジアミン誘導体は脂肪族アル
デヒドまたは芳香族アルデヒドとN。
表されるジフェニルメタンジアミン誘導体は脂肪族アル
デヒドまたは芳香族アルデヒドとN。
N−ジ置換アニリン誘導体とから、例えばYo s h
in。
in。
ら、Rep、 Gov、 Chem、 ind、 Re
s、 In5t、 Tokyo、 37゜95 、11
1 (I942) (Chem、Abstr、 194
8゜5887)および米国特許第a73へ000号など
の方法によって容易に得ることが出来る。
s、 In5t、 Tokyo、 37゜95 、11
1 (I942) (Chem、Abstr、 194
8゜5887)および米国特許第a73へ000号など
の方法によって容易に得ることが出来る。
−最大(I)で表されるジフェニルメタンジアミン誘導
体の代表例を次に例示する。
体の代表例を次に例示する。
(+−2)
(+−7)
cHn CH。
!−1
!−1
−i
次に本発明の電子写真感光体について、図面を挙げて説
明する。
明する。
本発明の電子写真感光体は例えば第1図に示すごとく、
導電性支持体1の上に、電荷発生物質2を主体とする電
荷発生層3と電荷輸送層4とからなる感光層5を設けて
なるものである。即ち、本発明感光体においては、電荷
輸送層を透過した光が電荷発生層中に分散された電荷発
生物質に到達して、電荷を発生させ、電荷輸送層はこの
電荷の注入を受けてその輸送を行うものである。このよ
うに電荷担体の発生、輸送という機能を分離した形であ
れば第1図に示す感光体とは別の構成であってもよい。
導電性支持体1の上に、電荷発生物質2を主体とする電
荷発生層3と電荷輸送層4とからなる感光層5を設けて
なるものである。即ち、本発明感光体においては、電荷
輸送層を透過した光が電荷発生層中に分散された電荷発
生物質に到達して、電荷を発生させ、電荷輸送層はこの
電荷の注入を受けてその輸送を行うものである。このよ
うに電荷担体の発生、輸送という機能を分離した形であ
れば第1図に示す感光体とは別の構成であってもよい。
すなわち、導電性支持体上に電荷輸送層を形成し、その
上に電荷発生層を塗布して感光体を作成してもよい。
上に電荷発生層を塗布して感光体を作成してもよい。
本発明で用いる導電性支持体としてはアルミニウム、ニ
ッケル、クロム等から成る金属板もしくは金属箔、アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウムを蒸着したプラス
チックフィルム或は、導電処理を施した紙などが用いら
れる。
ッケル、クロム等から成る金属板もしくは金属箔、アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウムを蒸着したプラス
チックフィルム或は、導電処理を施した紙などが用いら
れる。
電荷発生層は、前記チタニルフタロシアニン結晶を必要
に応じて結着剤と混合分散して得られる分散液を導電性
支持体上に塗布して形成することが出来る。電荷発生層
の厚さは2ミクロy以下、好ましくは0,01〜1.0
ミクロンである。
に応じて結着剤と混合分散して得られる分散液を導電性
支持体上に塗布して形成することが出来る。電荷発生層
の厚さは2ミクロy以下、好ましくは0,01〜1.0
ミクロンである。
結着剤としては、−リエステル樹脂、Iり塩化ビニル樹
脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、?リスチレン樹
脂、ブチラール樹脂、工?キシ樹脂、フェノール樹脂等
が好適であり、チタニルフタロシアニン結晶に対し、0
.1〜10重量倍で0、1〜3重量倍の範囲で使用する
のが好ましい。
脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、?リスチレン樹
脂、ブチラール樹脂、工?キシ樹脂、フェノール樹脂等
が好適であり、チタニルフタロシアニン結晶に対し、0
.1〜10重量倍で0、1〜3重量倍の範囲で使用する
のが好ましい。
これらの結着剤を溶解する溶剤は、結着剤によって異な
っておす、ベンゼン、トルエン、キクレン、モノクロル
ベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族系溶剤、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、トリクロルエ
チレン等の塩素系倒剤、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステ
ル類、N、N−ゾメチルホルムアミド、N−メチルピロ
リドン等のアミド類、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、メタノール、エタノール、イソグ
ロノ9ノール、ブタノール等のアルコール類から選択さ
れる。勿論、これらを任意の割合で混合して用いてもよ
く、結着剤を均一に溶解し得る溶剤であればいずれの溶
剤であってもよい。
っておす、ベンゼン、トルエン、キクレン、モノクロル
ベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族系溶剤、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、トリクロルエ
チレン等の塩素系倒剤、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステ
ル類、N、N−ゾメチルホルムアミド、N−メチルピロ
リドン等のアミド類、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、メタノール、エタノール、イソグ
ロノ9ノール、ブタノール等のアルコール類から選択さ
れる。勿論、これらを任意の割合で混合して用いてもよ
く、結着剤を均一に溶解し得る溶剤であればいずれの溶
剤であってもよい。
塗布は、ワイヤバー、ブレード、スピナー スプレー等
を用いて行うことが出来、或は分散液に支持体を浸漬し
て塗布する方法も可能であり、均一な薄膜を形成出来る
方法であればいずれの方法でもよい。
を用いて行うことが出来、或は分散液に支持体を浸漬し
て塗布する方法も可能であり、均一な薄膜を形成出来る
方法であればいずれの方法でもよい。
電荷輸送層は前記−最大(I)で表されるゾフェニルメ
タンゾアミン94体と結着剤を溶剤に均一に溶解して成
る液を電荷発生層上に塗布乾燥して形成することが出来
る。電荷輸送層の厚さは、3〜50ミクロン、好ましく
は5〜30ミクロンである。ここで用いる結着剤と溶剤
は先の電荷発生層を形成する際に用いることが出来る結
着剤及び溶剤の中から選択することが出来る。ジフェニ
ルメタンジアミン誘導体(I)の電荷輸送層中での割合
は3〜90重量%、特に5〜70車量チが好適である。
タンゾアミン94体と結着剤を溶剤に均一に溶解して成
る液を電荷発生層上に塗布乾燥して形成することが出来
る。電荷輸送層の厚さは、3〜50ミクロン、好ましく
は5〜30ミクロンである。ここで用いる結着剤と溶剤
は先の電荷発生層を形成する際に用いることが出来る結
着剤及び溶剤の中から選択することが出来る。ジフェニ
ルメタンジアミン誘導体(I)の電荷輸送層中での割合
は3〜90重量%、特に5〜70車量チが好適である。
また、結着剤と共に必要に応じて可塑剤を用いてもよい
。更に、ジフェニルメタンジアミン誘導体(I)と、他
の公知の電荷輸送物質、例えばピラゾリン類、トリフェ
ニルメタン類、オキサゾアゾール類、スチルベン類、α
−フェニルスチルベン類、あるいはテトラフェニルブタ
ジェン類と混合して用いてもよい。また、必要に応じて
導電性支持体と電荷発生層の間に下引き層を設けてもよ
い。下引き層としては、ポリアミド、破りウレタン、f
’リヒニルアルコール、カゼイン、ニトロセルロース、
ゼラチン等が用いられる。下引き層の膜厚は0.1〜3
ミクロンが好適である。
。更に、ジフェニルメタンジアミン誘導体(I)と、他
の公知の電荷輸送物質、例えばピラゾリン類、トリフェ
ニルメタン類、オキサゾアゾール類、スチルベン類、α
−フェニルスチルベン類、あるいはテトラフェニルブタ
ジェン類と混合して用いてもよい。また、必要に応じて
導電性支持体と電荷発生層の間に下引き層を設けてもよ
い。下引き層としては、ポリアミド、破りウレタン、f
’リヒニルアルコール、カゼイン、ニトロセルロース、
ゼラチン等が用いられる。下引き層の膜厚は0.1〜3
ミクロンが好適である。
次に本発明を合成例、実施例及び比較例により詳しく説
明する。
明する。
合成例1
0−フタロニトリル(東京化成工業@製)204部、四
塩化チタン(東京化成工業@H)7.6部をキノリン(
東京化成工業■製)50部中で200℃にて2時間加熱
反応後、水蒸気蒸留で溶媒を除き、2チ塩酸水沼液、続
いて2%水酸化ナトリウム水溶液で精製し、メタノール
、トルエンで洗浄後、乾燥し、チタニル7りロシアニン
合成物21.3部を得た。このチタニルフタロシアニン
2部を5℃の91%(fftntao部の中に少しずつ
溶解し、その混合物を約1時間、5℃以下の温度を保ち
ながら攪拌した400部の氷水中に、ゆっくりと注入し
、析出した結晶を濾過した。結晶を酸が残留しなくなる
まで蒸留水で洗浄し、濾過した。次に得られた結晶をメ
チルエチルケトン50部中で、50℃3時間攪拌を行い
、メチルエチルケトンで洗浄、濾過、乾燥全行い、1.
7部のチタニルフタロシアニン結晶を得た。このものは
XflA回折図でブラック角度(2θ±02度)7.6
10.312.8 13.2 15.2
18.2 22.5゜る結晶であった。
塩化チタン(東京化成工業@H)7.6部をキノリン(
東京化成工業■製)50部中で200℃にて2時間加熱
反応後、水蒸気蒸留で溶媒を除き、2チ塩酸水沼液、続
いて2%水酸化ナトリウム水溶液で精製し、メタノール
、トルエンで洗浄後、乾燥し、チタニル7りロシアニン
合成物21.3部を得た。このチタニルフタロシアニン
2部を5℃の91%(fftntao部の中に少しずつ
溶解し、その混合物を約1時間、5℃以下の温度を保ち
ながら攪拌した400部の氷水中に、ゆっくりと注入し
、析出した結晶を濾過した。結晶を酸が残留しなくなる
まで蒸留水で洗浄し、濾過した。次に得られた結晶をメ
チルエチルケトン50部中で、50℃3時間攪拌を行い
、メチルエチルケトンで洗浄、濾過、乾燥全行い、1.
7部のチタニルフタロシアニン結晶を得た。このものは
XflA回折図でブラック角度(2θ±02度)7.6
10.312.8 13.2 15.2
18.2 22.5゜る結晶であった。
合成例2
合成例1と同様に反応を行い、チタニルフタロシアニン
結晶を得た。これ全ゴール。ミルにて5日間粉砕を行っ
た。次にトルエン、メタノールで洗伊、濾過を行い、ブ
ラック角度9.3.10.38を得た。このものの赤外
吸収スペクトルは合成例1で得たチタニルフタロシアニ
ンのスペクトルと同一であった。
結晶を得た。これ全ゴール。ミルにて5日間粉砕を行っ
た。次にトルエン、メタノールで洗伊、濾過を行い、ブ
ラック角度9.3.10.38を得た。このものの赤外
吸収スペクトルは合成例1で得たチタニルフタロシアニ
ンのスペクトルと同一であった。
合成例4
ボールミルで5日間粉砕を行なうまでは合成例2と同様
に行い、次いでメチルエチルケトン中で還流下1時間攪
拌を行った後濾過した。これをメチルエテルケトンで洗
浄し、乾燥してブラック角X線回折ピークを有するチタ
ニルフタロシアニン結晶を得た。このものの赤外吸収ス
ペクトルは合成例1で得たチタニルフタロシアニンのス
ペクトルと同一であった。
に行い、次いでメチルエチルケトン中で還流下1時間攪
拌を行った後濾過した。これをメチルエテルケトンで洗
浄し、乾燥してブラック角X線回折ピークを有するチタ
ニルフタロシアニン結晶を得た。このものの赤外吸収ス
ペクトルは合成例1で得たチタニルフタロシアニンのス
ペクトルと同一であった。
合成例3
精製溶媒をメチルエチルケトンの代わりにメチルエチル
ケトン−トルエン(I:1)t”用い九以外は合成例1
と同様にしてチタニルフタロシアニン結晶、即ち、ブラ
ック角度7.69.328.6 にX線回折ピークを有
するチタニルフタロシアニン結晶を得た。
ケトン−トルエン(I:1)t”用い九以外は合成例1
と同様にしてチタニルフタロシアニン結晶、即ち、ブラ
ック角度7.69.328.6 にX線回折ピークを有
するチタニルフタロシアニン結晶を得た。
合成例5
精製溶媒をメチルエチルケトンの代りにトルエンを用い
た以外は合成例1と同様にして、プラン27.2 2
8.6°にX線回折ピークを有するチタニルフタロシア
ニン結晶ヲ得り。
た以外は合成例1と同様にして、プラン27.2 2
8.6°にX線回折ピークを有するチタニルフタロシア
ニン結晶ヲ得り。
実施例1
(I)ブチラール樹脂(積水化学工業株式会社製rBL
−1」)35部をテトラヒドロフラン1425部に溶解
させて得た結着剤樹脂溶液に、合成例1で得たチタニル
フタロシアニン結晶40部を加え、ガラスピーズ(φ1
as ) ト共に2時間振動ミルを用いて分散させた
。この分散液をアルミニウムを蒸着した?ジエステルフ
ィルム上にワイヤーパーを用いて塗布、乾燥し、約0.
5ミクロンの電荷発生層を作製した。
−1」)35部をテトラヒドロフラン1425部に溶解
させて得た結着剤樹脂溶液に、合成例1で得たチタニル
フタロシアニン結晶40部を加え、ガラスピーズ(φ1
as ) ト共に2時間振動ミルを用いて分散させた
。この分散液をアルミニウムを蒸着した?ジエステルフ
ィルム上にワイヤーパーを用いて塗布、乾燥し、約0.
5ミクロンの電荷発生層を作製した。
例示化合物(I−4)10部1kgリカーボネー)Z−
200(三菱瓦斯化学株式会社製)10部と共にゾクロ
ルエタンlOO部に溶解させて電荷輸送形成液をつ〈シ
、これを上記電荷発生層上にドクターブレードを用いて
塗布し、80℃で乾燥して、感光体を作製した。
200(三菱瓦斯化学株式会社製)10部と共にゾクロ
ルエタンlOO部に溶解させて電荷輸送形成液をつ〈シ
、これを上記電荷発生層上にドクターブレードを用いて
塗布し、80℃で乾燥して、感光体を作製した。
(II) この感光体について静成複零紙試験装置「
5P−428型」(川口電機製作断裂)を用いてスタテ
ィック方式により電子写真特性を測定した。即ち、前記
感光体を、−6Kvのコロナ放tを5秒間行って帯電せ
しめ、表面電位V。
5P−428型」(川口電機製作断裂)を用いてスタテ
ィック方式により電子写真特性を測定した。即ち、前記
感光体を、−6Kvのコロナ放tを5秒間行って帯電せ
しめ、表面電位V。
(単位−ボルト)を測定し、これを暗所で5秒間保持し
た後、タングステンランプによシ照度5ルックスの光を
照射し、表面電位を1/2及び1/6に減員させるに必
要な露光11El/2(ルックス・秒) 及ヒE 1
/6 (ルックス・秒λ更に照度5ルツクスの光を10
秒間照射後の表面残留電位VR(−ボルト)を測定した
。この結果を後記衣−1に示す。
た後、タングステンランプによシ照度5ルックスの光を
照射し、表面電位を1/2及び1/6に減員させるに必
要な露光11El/2(ルックス・秒) 及ヒE 1
/6 (ルックス・秒λ更に照度5ルツクスの光を10
秒間照射後の表面残留電位VR(−ボルト)を測定した
。この結果を後記衣−1に示す。
実施例2
ポリエステルフィルムに蒸着したアルミニウム薄膜上に
?リアミド樹脂(東し株式会社製「アミランCM−80
00J)を乾燥膜厚1ミクロンとなるように塗布した。
?リアミド樹脂(東し株式会社製「アミランCM−80
00J)を乾燥膜厚1ミクロンとなるように塗布した。
以下、実施例1のブチラール樹脂のテトラヒドロフラン
溶液の代わりにフェノール樹脂(住友シュレス■製、5
K−2)のジオキサン溶液を用い、ジフェニルメタンジ
アミン誘導体(I)として、例示化合物(+−4)の代
わりに例示化合物(I−13)を用いた以外は実施例1
と同様に操作して感光体を作製した。得られた電子写真
感光体について実施例1の(If)と同様にして、感光
体の電子写真特性を調べた。その成績を表−1に示す。
溶液の代わりにフェノール樹脂(住友シュレス■製、5
K−2)のジオキサン溶液を用い、ジフェニルメタンジ
アミン誘導体(I)として、例示化合物(+−4)の代
わりに例示化合物(I−13)を用いた以外は実施例1
と同様に操作して感光体を作製した。得られた電子写真
感光体について実施例1の(If)と同様にして、感光
体の電子写真特性を調べた。その成績を表−1に示す。
実施例3
実施例1において用いた合成例1で得たチタニルフタロ
シアニン結晶の代わりに合成例2で得たチタニルフタロ
シアニン結晶を、ジフェニルメタンジアミン誘導体(I
)として例示化合物(I−4)の代わりに例示化合物(
I−6)を用いた以外は実施例1と同様に操作して感光
体を作製し、性能を調べた。成N14を表−1に示す。
シアニン結晶の代わりに合成例2で得たチタニルフタロ
シアニン結晶を、ジフェニルメタンジアミン誘導体(I
)として例示化合物(I−4)の代わりに例示化合物(
I−6)を用いた以外は実施例1と同様に操作して感光
体を作製し、性能を調べた。成N14を表−1に示す。
実施例4,5
実施例1において用いた合成例1で得たチタニルフタロ
シアニン結晶の代わりに合成例3で得たチタニルフタロ
シアニン結晶を、ジフェニルメタンジアミン誘導体(I
)として例示化合物(I−4)の代りに例示化合物(I
8)、(I−14)をそれぞれ用いた以外は実施例1と
同様に操作して感光体を作製し、性能を調べた。成績を
宍−1に示す。
シアニン結晶の代わりに合成例3で得たチタニルフタロ
シアニン結晶を、ジフェニルメタンジアミン誘導体(I
)として例示化合物(I−4)の代りに例示化合物(I
8)、(I−14)をそれぞれ用いた以外は実施例1と
同様に操作して感光体を作製し、性能を調べた。成績を
宍−1に示す。
実施例6〜9
実施例3において用いた例示化合物(I−6)の代わり
に、例示化合物(I−7)、(I−9)、(夏−17)
、(I−21)を、それぞれ用いた以外は実施例3と同
様に操作して感光体を作製し、性能を調べた。成績を表
−1に示す。
に、例示化合物(I−7)、(I−9)、(夏−17)
、(I−21)を、それぞれ用いた以外は実施例3と同
様に操作して感光体を作製し、性能を調べた。成績を表
−1に示す。
実施例1O
実施例3において用いた例示化合物(I−6)の代わり
に、例示化合物(I−14)を9部と下記構造のテトラ
フェニルブタジェン誘4体Ae1部との混合物を用いた
他は実施例3と同様にして感光体を作製し、性能を調べ
た。成績を衣−1に示す。
に、例示化合物(I−14)を9部と下記構造のテトラ
フェニルブタジェン誘4体Ae1部との混合物を用いた
他は実施例3と同様にして感光体を作製し、性能を調べ
た。成績を衣−1に示す。
(テトラフェニルプタゾエン誘導体A)比較例1
特開昭61−239248号公報記載の方法によって得
たa型チタニルフタロシアニンを用いた他は実施例1と
同様にして感光体を作製した。この感光体について実施
例1と同様に測定した結果を表−1に示す。
たa型チタニルフタロシアニンを用いた他は実施例1と
同様にして感光体を作製した。この感光体について実施
例1と同様に測定した結果を表−1に示す。
比較例2,3
τ型フタロシアニン(東洋インキ製造■製)0.22を
ポリカーゴネート樹脂(三菱瓦斯化学■「ニーピロンs
−2000J )k5 %含有するジクロルエタン消
液42に混ぜ、ジクロルエタン20atを加えた後、振
動ミルを用いて1μ以下に粉砕して電荷担体発生顔料の
分散液をつくり、これをアルミニウムを蒸着しfc?リ
エステルフイルム上に、ワイヤーパーを用いて塗布し、
80℃で乾燥して1μの厚さに電荷担体発生層をつくっ
た。
ポリカーゴネート樹脂(三菱瓦斯化学■「ニーピロンs
−2000J )k5 %含有するジクロルエタン消
液42に混ぜ、ジクロルエタン20atを加えた後、振
動ミルを用いて1μ以下に粉砕して電荷担体発生顔料の
分散液をつくり、これをアルミニウムを蒸着しfc?リ
エステルフイルム上に、ワイヤーパーを用いて塗布し、
80℃で乾燥して1μの厚さに電荷担体発生層をつくっ
た。
一方、ゾフェニルメタンクアミン誘導体(■)である例
示化合物(I−13)と例示化合物(I−14)の各1
部をポリカーゴネート樹脂Z −200を10%含有す
るジクロルエタン溶液10部のそれぞれに熔解させて電
荷輸送層形成液をつくり、これを上記電荷担体発生層上
にドクターブレードを用いて、乾燥時膜厚約20μにな
るように塗布し、80℃で乾燥して感光体を作製した。
示化合物(I−13)と例示化合物(I−14)の各1
部をポリカーゴネート樹脂Z −200を10%含有す
るジクロルエタン溶液10部のそれぞれに熔解させて電
荷輸送層形成液をつくり、これを上記電荷担体発生層上
にドクターブレードを用いて、乾燥時膜厚約20μにな
るように塗布し、80℃で乾燥して感光体を作製した。
この感光体について、実施例1と同様に性能を測定した
結果を表−1に示す。
結果を表−1に示す。
以下余白
以上の結果から明らかなように、a型チタニルフタロシ
アニン結晶を用いた比較例1、またτ型無金属ナタニル
フタロシアニン結晶を用いた比較例2.3に比較して、
cuKQ’kM源とするX線回折スペクトルにおいてブ
ラック角匿(2θ±0.2#)が12.8 13.2
15.2 1&322.5 25.4 2&6°に
特徴的な回折線を有するチタニルフタロシアニン結晶を
電荷発生物質として用い、特定のジフェニルメタンジア
ミン誘導体を電荷輸送物質として用いた本発明感光体は
、表=1から半減露光量E1/2およびE1/6が小さ
く、高感度であり残留電位vRも小さいなど電子写真感
光体としてすぐれていることは明らかである。
アニン結晶を用いた比較例1、またτ型無金属ナタニル
フタロシアニン結晶を用いた比較例2.3に比較して、
cuKQ’kM源とするX線回折スペクトルにおいてブ
ラック角匿(2θ±0.2#)が12.8 13.2
15.2 1&322.5 25.4 2&6°に
特徴的な回折線を有するチタニルフタロシアニン結晶を
電荷発生物質として用い、特定のジフェニルメタンジア
ミン誘導体を電荷輸送物質として用いた本発明感光体は
、表=1から半減露光量E1/2およびE1/6が小さ
く、高感度であり残留電位vRも小さいなど電子写真感
光体としてすぐれていることは明らかである。
本発明の電子写真感光体は、高感度で、繰り返し使用し
ても光疲労が少なく、耐久性に潰れている等の電子写真
プロセスの分野で最も要求されている特性を具備し、工
業的にも有利なものである。
ても光疲労が少なく、耐久性に潰れている等の電子写真
プロセスの分野で最も要求されている特性を具備し、工
業的にも有利なものである。
第1図は、本発明の電子写真感光体の一例を示す断面説
明図である。 1・・・導電性支持体 2・・・電荷発生物質3・
・・電荷発生層 4・・・電荷輸送層5・・・感
光層 以上 1こ二」
明図である。 1・・・導電性支持体 2・・・電荷発生物質3・
・・電荷発生層 4・・・電荷輸送層5・・・感
光層 以上 1こ二」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を積層し
てなる電子写真感光体において、電荷発生層にCuKα
を線源とするX線回折スペクトルにおいてブラック角度
(2θ±0.2度)が12.8°、13.2°、15.
2°、18.3°、22.5°、25.4°、28.6
°に特徴的な回折線を有するチタニルフタロシアニン結
晶を含有し、電荷輸送層に下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1、R^2、R^3、R^4は同一又は異
なる低級アルキル基又は置換若しくは無置換のベンジル
基を示し、R^5、R^6は同一又は異なる水素原子、
メチル基又はメトキシ基を示し、R^7は炭素数6以下
のアルキル基又は置換若しくは無置換のフェニル若しく
はナフチル基を示す) で表されるジフエニルメタンジアミン誘導体を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63300347A JPH02146053A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63300347A JPH02146053A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02146053A true JPH02146053A (ja) | 1990-06-05 |
Family
ID=17883685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63300347A Pending JPH02146053A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02146053A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH045198U (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-17 | ||
EP1403718A2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-03-31 | Xerox Corporation | Composition comprising trisamino-triphenyl compound |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP63300347A patent/JPH02146053A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH045198U (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-17 | ||
EP1403718A2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-03-31 | Xerox Corporation | Composition comprising trisamino-triphenyl compound |
EP1403718A3 (en) * | 2002-09-30 | 2005-08-03 | Xerox Corporation | Composition comprising trisamino-triphenyl compound |
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